KR102281461B1 - 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판 - Google Patents

고체 전해커패시터 및 그 실장 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR102281461B1
KR102281461B1 KR1020150111696A KR20150111696A KR102281461B1 KR 102281461 B1 KR102281461 B1 KR 102281461B1 KR 1020150111696 A KR1020150111696 A KR 1020150111696A KR 20150111696 A KR20150111696 A KR 20150111696A KR 102281461 B1 KR102281461 B1 KR 102281461B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor body
terminal
negative
lead
disposed
Prior art date
Application number
KR1020150111696A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170017566A (ko
Inventor
신홍규
조재범
최재혁
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020150111696A priority Critical patent/KR102281461B1/ko
Priority to US15/016,956 priority patent/US10811195B2/en
Publication of KR20170017566A publication Critical patent/KR20170017566A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102281461B1 publication Critical patent/KR102281461B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/008—Terminals
    • H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/08—Housing; Encapsulation
    • H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H01G9/032—Inorganic semiconducting electrolytes, e.g. MnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10015—Non-printed capacitor

Abstract

본 발명의 일 실시형태에 의하면, 탄탈 분말의 소결체를 포함하는 커패시터 바디, 폭 방향 일부 영역은 상기 커패시터 바디에 매설되고 폭 방향 나머지 영역은 상기 커패시터 바디의 일면을 통해 인출되는 양극 와이어, 상기 커패시터 바디 및 상기 양극 와이어를 둘러싸는 몰딩부, 상기 몰딩부의 외부면에 배치되며, 상기 양극 와이어와 연결되는 양극 단자, 상극 양극 단자와 이격되어 상기 몰딩부의 외부면에 배치되는 음극단자 및 상기 커패시터 바디와 상기 음극 단자를 전기적으로 연결하는 음극 인출부를 포함하고, 상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부 중 적어도 하나는 복수 개인 고체 전해 커패시터를 제공할 수 있다.

Description

고체 전해커패시터 및 그 실장 기판{Solid electrolytic capacitor, and board having the same mounted thereon}
본 발명은 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2 )을 형성하며, 상기 이산화망간층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 상기 본체에 양극 및 음극을 형성하고 몰딩부를 형성하여 제조될 수 있다.
일본 공개특허공보 제2009-094478호
본 발명은 등가직렬인덕턴스가 낮은 고체 전해커패시터, 그 실장기판을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 커패시터 바디, 커패시터 바디에 일부가 매설된 양극 와이어, 상기 커패시터 바디와 상기 양극 와이어를 둘러싸는 몰딩부, 상기 몰딩부의 외부면에 배치는 단자전극 및 상기 커패시터 바디와 상기 단자 전극을 연결하는 음극 인출부를 포함하며, 상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부 중 적어도 하나는 복수 개로 하여 등가 직렬 인덕턴스를 저감한 고체 전해 커패시터를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시형태는 상부에 전극 패드를 갖는 인쇄회로기판, 상기 인쇄회로기판 위에 설치된 상술한 고체 전해 커패시터 및 상기 전극 패드와 상기 고체 전해 커패시터를 연결하는 솔더를 포함하는 고체 전해 커패시터의 실장기판을 제공한다.
본 발명의 실시형태에 의하면 낮은 등가직렬인덕턴스를 가지는 고체 전해 커패시터 및 그 실장 기판을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 기판 실장 시 공간 효율이 높은 고체 전해 커패시터 및 그 실장 기판을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 고체 전해 캐패시터의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 고체 전해 커패시터에서 몰딩부 및 외부전극을 투영하여 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터에서 단자 전극 형상의 변형 예를 나타내기 위한 개략적인 사시도이다.
도 6은 도 5의 C-C' 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터의 또 다른 변형예에서 몰딩부 및 외부전극을 투영하여 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터가 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
고체 전해 커패시터
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 고체 전해 캐패시터를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 고체 전해 커패시터에서 몰딩부 및 외부전극을 투영하여 나타낸 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 고체 전해 캐패시터(1000)는 커패시터 바디(110), 양극 와이어(120), 몰딩부(150), 음극 인출부(132, 133), 및 단자 전극(161, 162, 163)을 포함한다.
상기 커패시터 바디(110)는 탄탈 분말의 소결체를 포함한다. 상기 양극 와이어(120)는 폭 방향 일부 영역은 상기 커패시터 바디에 매설되고 폭 방향의 나머지 영역은 상기 커패시터 바디(110)의 일면을 통해 인출된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터는 절연시트(140)를 더 포함할 수 있으며, 상기 커패시터 바디(110)는 절연시트(140) 상에 배치될 수 있다.
상기 커패시터 바디(110)는 상기 몰딩부(150)의 내부에 배치되며, 상기 단자 전극(161, 162, 163)은 몰딩부의 외부면에 배치될 수 있다.
상기 양극 와이어(120) 및 음극 인출부(132, 133)는 상기 몰딩부(150)의 내부에 배치되되 일단이 몰딩부(150)의 일면으로 인출되어 상기 단자 전극(161, 162, 163)과 각각 연결될 수 있다.
상기 단자 전극은 양극 단자(161) 및 음극 단자(162, 163)를 포함한다.
상기 양극 와이어(120)는 탄탈 금속으로 형성될 수 있으며, 단면이 원형 또는 다각형인 기둥 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 양극 와이어의 단면은 원형으로 형성될 수 있으며, 도시되지 않았으나, 양극 와이어의 단면은 정사각형 또는 직사각형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에서는 설명의 편의를 위해 커패시터 바디(110)에서 양극 와이어(120)가 노출되는 방향을 전방으로 설정하고, 상기 전방과 대향하는 방향을 후방으로 설정하며 상기 전방 및 후방과 평행한 방향을 폭(W) 방향, 상기 폭 방향과 수직한 일 방향을 두께(T) 방향, 상기 폭 방향 및 두께 방향과 수직한 일 방향을 길이(L) 방향으로 설정하고, 상기 두께 방향과 수직한 양면을 상면 및 하면으로, 폭 방향과 수직한 양면을 양 측면으로 설정하여 설명하기로 한다.
상기 몰딩부(150)는 상기 커패시터 바디(110) 및 상기 양극 와이어(120)를 둘러 싸도록 배치되며, 단자 전극(161, 162, 163)은 상기 몰딩부의 외부면에 배치된다. 상기 몰딩부(150)는 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(150)는 외부로부터 고체 전해 커패시터를 보호하는 역할을 수행한다.
상기 음극 인출부(132, 133)는 도전성 물질을 포함하여 몰딩부 외부의 음극 단자(162, 163)와 몰딩부 내부에 배치되 커패시터 바디(110)를 전기적으로 연결할 수 있으면 그 형태는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 음극 인출부(132, 133)는 도전성 수지 페이스트의 경화로 형성된 도전성 수지부일 수 있다. 상기 도전성 수지부는 도전성의 입자와 베이스 수지를 포함할 수 있다.
상기 도전성 입자는 이에 제한되는 것은 아니나, 은(Ag) 입자 일 수 있으며, 상기 베이스 수지는 열경화성 수지일 수 있으며, 예를 들어 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또한 상기 도전성 수지부는 도전성 금속으로서 구리(Cu)를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
이때 상기 단자 전극 중 상기 양극 단자(161)는 상기 양극 와이어(120)와 연결되며, 상기 음극 인출부(132, 133)는 상기 커패시터 바디(110)와 상기 음극 단자(162, 163)를 전기적으로 연결하도록 배치된다.
상기 양극 단자 및 음극 단자는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu)와 같은 도전성 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 양극 와이어(120) 및 상기 음극 인출부(132, 133) 중 적어도 하나는 복수 개이다.
이와 같이, 양극 와이어(120) 및 음극 인출부(132, 133) 중 적어도 하나 이상을 복수 개로 하는 경우, 고체 전해 커패시터 내에서의 전류 경로(Current Loop)의 사이즈를 줄일 수 있어 고체 전해 커패시터의 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)를 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 양극 와이어(120)는 하나이고, 상기 음극 인출부는 제1 음극 인출부(132) 및 제2 음극 인출부(133)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 양극 와이어(120)와 연결되는 양극 단자(161)는 하나이고, 상기 음극 단자는 상기 제1 음극 인출부(132)와 연결되는 제1 음극 단자(162) 및 상기 제2 음극 인출부(133)와 연결되는 제2 음극 단자(163)를 포함할 수 있다.
한편, 상기 양극 와이어(120)는 상기 제1 음극 인출부(132)와 상기 제2 음극 인출부(133)의 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 양극 와이어(120)가 음극 인출부(132, 133)의 사이에 배치되는 경우, 음극 사이에 양극이 배치되는 구조로 인해 전류의 흐름의 방향에 따른 상호 인덕턴스가 발생할 수 있으며, 이 경우 상호 인덕턴스의 발생으로 등가직렬인덕턴스를 더욱 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 음극 인출부(132, 133)는, 상기 커패시터 바디(110)에서 상기 양극 와이어(120)가 인출되는 일면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 커패시터 바디(110)에서 상기 양극 와이어(120)가 인출되는 면과 상기 음극 인출부(132, 133)가 배치되는 면은 동일면일 수 있다. 상기 양극 와이어와 상기 음극 인출부가 커패시터 바디의 동일면으로 인출 및 배치되는 경우, 이들이 커패시터 바디의 서로 다른 면에 인출 및 배치되는 경우에 비해 전류 경로를 짧게 할 수 있어 등가직렬인덕턴스를 더욱 감소시킬 수 있다.
상기와 같이, 상기 음극 인출부(132, 133)와 상기 양극 와이어(120)가 커패시터 바디(110)의 동일면으로 각각 인출 및 배치되는 경우, 양극 단자(161) 및 음극 단자(162, 162)는 몰딩부(150)의 동일면에서 상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부와 각각 연결될 수 있다.
한편, 상기 양극 단자(161) 및 음극 단자(162, 162)가 몰딩부(150)의 동일면에 배치되는 경우 기판 실장 시 공간 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3은 도 2의 A-A' 단면도이고, 도 4는 도 2의 B-B' 단면도이다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 커패시터 바디(110)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 양극체(111), 유전체층(112), 고체 전해질층(113), 카본층(114) 및 음극층(115)을 포함할 수 있다.
상기 양극체(111)는 전방으로 상기 양극 와이어(120)의 일부가 인출되도록 상기 양극 와이어의 폭 방향 일부를 매설할 수 있다.
예를 들어, 양극체(111) 형성을 위해 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 그 중심에 양극 와이어(120)의 일부가 묻힐 수 있도록 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.
상기 양극체(111)는 탄탈 분말의 다공질 소결체로 이루어질 수 있다. 일 예로서 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 소결시켜 제작할 수 있다.
상기 양극체(111)의 표면에는 유전체층(112)이 형성될 수 있다. 상기 유전체층은 상기 양극체의 표면이 산화되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유전체층은 상기 양극체를 이루는 탄탈의 산화물인 산화탄탈륨(Ta2O5)로 이루어진 유전체로 구성되며 상기 양극체의 표면 상에 소정의 두께로 형성될 수 있다.
상기 유전체층(112)의 표면상에는 고체 전해질층(113)이 형성될 수 있다. 상기 고체 전해질층은 도전성 고분자 또는 이산화망간(MnO2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(113)이 도전성 고분자로 형성되는 경우 화학 중합법 또는 전해 중합법에 의해 상기 유전체층의 표면에 형성될 수 있다. 상기 도전성 고분자 재료로는 도전성을 갖는 고분자 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리 피롤, 폴리 티오펜, 폴리 아닐린 등을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(113)이 이산화망간(MnO2)으로 형성되는 경우, 표면에 유전체층이 형성된 양극체를 질산망간과 같은 망간 수용액 중에 침적시킨 후 망간 수용액을 가열분해하여 유전체층의 표면에 전도성의 이산화망간을 형성할 수 있다.
상기 고체 전해질층(113) 상에는 탄소를 포함하는 카본층(114)이 배치될 수 있다.
상기 카본층(114)은 카본 페이스트로 형성될 수 있으며, 천연 흑연이나 카본 블랙등의 도전성 탄소재료 분말을 바인더나 분산제등과 혼합한 상태로, 수중 또는 유기용제중에 분산시킨 카본 페이스트를 상기 고체 전해질층 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 카본층(114) 상에는 음극 단자와의 전기 연결성을 향상시키기 위하여 도전성 금속을 포함하는 음극층(115)이 배치될 수 있으며, 상기 음극층에 포함된 도전성 금속은 은(Ag)일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터에서 단자 전극 형상의 변형 예를 나타내기 위한 개략적인 사시도이고, 도 6은 도 5의 C-C' 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 단자 전극(161, 162, 163)은 몰딩부(150)의 일면에서 절연시트(140)의 하면으로 연장될 수 있다. 상기와 같이 단자 전극을 상기 몰딩부의 일면에서 상기 절연시트의 하면으로 연장하는 경우, 절연시트가 배치된 면을 고체 전해 커패시터의 실장면으로 하여 기판에 실장 시, 단자 전극과 기판의 회로 패턴 간의 연결성을 향상시킬 수 있다.
단자 전극의 형상은 이에 제한되는 것이 아니고, 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있음은 자명하다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터의 또 다른 변형예에서 몰딩부 및 외부전극을 투영하여 나타낸 사시도이다.
본 변형예에 따른 고체 전해 커패시터(1000")는 음극 인출부(136)가 하나이고, 양극 와이어(120)는 제1 양극 와이어(120a) 및 제2 양극 와이어(120b)를 포함할 수 있다. 양극 단자는 상기 제1 양극 와이어(120a)와 연결되는 제1 양극 단자(164) 및 상기 제2 양극 와이어(120b)와 연결되는 제2 양극 단자(165)를 포함할 수 있다.
본 변형예 와 같이, 양극 와이어를 복수 개로 하는 경우, 고체 전해 커패시터 내에서의 전류 경로(Current Loop)의 사이즈를 줄일 수 있어 고체 전해 커패시터의 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)를 감소시킬 수 있다.
한편, 상기 음극 인출부(136)는 상기 제1 양극 와이어(120a)와 상기 제2 양극 와이어(120b)의 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 음극 인출부가 양극 와이어의 사이에 배치되는 경우, 반대 방향의 전류의 흐름에 의한 상호 인덕턴스가 발생할 수 있으며, 이 경우 상호 인덕턴스의 발생으로 등가직렬인덕턴스를 더욱 감소시킬 수 있다.
그 밖에 상술한 본 발명의 일 실시형태와 중복되는 구성에 관한 설명은 중복을 피하기 위해 생략하도록 한다.
고체 전해 커패시터의 실장 기판
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터가 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 고체 전해 커패시터의 실장 기판(2000)은, 상부에 전극 패드(221, 222, 223)를 갖는 인쇄회로기판(210)과 상기 인쇄회로기판(210) 위에 설치된 고체 전해 커패시터(1000) 및 상기 전극 패드(221, 222, 223)와 상기 고체 전해 커패시터(1000)을 연결하는 솔더(230)를 포함한다.
본 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 실장 기판(200)은 복합 전자부품(100)이 실장되는 인쇄회로기판(210)과, 인쇄회로기판(210)의 상면에 형성된 3개 이상의 전극 패드(221, 222, 223)를 포함한다.
상기 전극 패드(221, 222, 223)는 상기 고체 전해 커패시터 단자 전극(161, 162, 163)과 연결될 수 있다.
이때, 고체 전해 커패시터의 상기 단자 전극(161, 162, 163)은 각각 전극 패드(221, 222, 223) 위에 접촉되게 위치한 상태에서 솔더(230)에 의해 인쇄회로기판(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
1000 : 고체 전해 커패시터
110 : 커패시터 바디
111 : 양극체
112 : 유전체층
113 : 고체 전해질층
114 : 카본층
115 : 은(Ag)층
120 : 양극 와이어
132, 133, 136 : 음극 인출부
140 : 절연 시트
150 : 몰딩부
161, 162, 163, 164, 165, 166 : 단자 전극

Claims (12)

  1. 탄탈 분말의 소결체를 포함하는 커패시터 바디;
    폭 방향 일부 영역은 상기 커패시터 바디에 매설되고 폭 방향 나머지 영역은 상기 커패시터 바디의 일면을 통해 인출되는 양극 와이어;
    상기 커패시터 바디 및 상기 양극 와이어를 둘러싸는 몰딩부;
    상기 몰딩부의 외부면에 배치되며, 상기 양극 와이어와 연결되는 양극 단자;
    상기 양극 단자와 이격되어 상기 몰딩부의 외부면에 배치되는 음극단자;
    상기 커패시터 바디와 상기 음극 단자를 전기적으로 연결하는 음극 인출부; 및
    상기 커패시터 바디의 하측에 배치되는 절연시트를 포함하고,
    상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부 중 적어도 하나는 복수 개이며,
    상기 양극 와이어와 음극 인출부는 상기 커패시터 바디의 동일면에서 인출되고,
    상기 절연시트는 상기 커패시터 바디의 하면에 접하여 배치되며,
    상기 양극 와이어는 하나이고,
    상기 음극 인출부는 제1 음극 인출부 및 제2 음극 인출부를 포함하는 고체 전해 커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양극 단자 및 상기 음극 단자는 상기 몰딩부의 동일면에서 상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부와 각각 연결되는 고체 전해 커패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 음극 인출부는,
    상기 커패시터 바디의 상기 양극 와이어가 인출되는 일면에 배치되는 고체 전해 커패시터.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양극 와이어는 상기 제1 음극 인출부와 제2 음극 인출부의 사이에 배치되는 고체 전해 커패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 양극 단자는 하나이고,
    상기 음극 단자는 상기 제1 음극 인출부와 연결되는 제1 음극 단자 및 상기 제2 음극 인출부와 연결되는 제2 음극 단자를 포함하는 고체 전해 커패시터.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 양극 단자 및 상기 음극 단자는 상기 몰딩부의 일면에서 상기 절연시트의 하면으로 연장되는 고체 전해 커패시터.
  12. 상부에 전극 패드를 갖는 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 위에 설치된 고체 전해 커패시터; 및
    상기 전극 패드와 상기 고체 전해 커패시터를 연결하는 솔더;를 포함하며,
    상기 고체 전해 커패시터는,
    탄탈 분말의 소결체를 포함하는 커패시터 바디, 폭 방향 일부 영역은 상기 커패시터 바디에 매설되고 폭 방향 나머지 영역은 상기 커패시터 바디의 일면을 통해 인출되는 양극 와이어, 상기 커패시터 바디 및 상기 양극 와이어를 둘러싸는 몰딩부, 상기 몰딩부의 외부면에 배치되며, 상기 양극 와이어와 연결되는 양극 단자, 상기 양극 단자와 이격되어 상기 몰딩부의 외부면에 배치되는 음극단자 및 상기 커패시터 바디와 상기 음극 단자를 전기적으로 연결하는 음극 인출부를 포함하고, 상기 양극 와이어 및 상기 음극 인출부 중 적어도 하나는 복수 개이며,
    상기 양극 와이어와 음극 인출부는 상기 커패시터 바디의 동일면에서 인출되는 제1항의 고체 전해 커패시터의 실장기판.
KR1020150111696A 2015-08-07 2015-08-07 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판 KR102281461B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150111696A KR102281461B1 (ko) 2015-08-07 2015-08-07 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판
US15/016,956 US10811195B2 (en) 2015-08-07 2016-02-05 Solid electrolytic capacitor and board having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150111696A KR102281461B1 (ko) 2015-08-07 2015-08-07 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170017566A KR20170017566A (ko) 2017-02-15
KR102281461B1 true KR102281461B1 (ko) 2021-07-27

Family

ID=58053043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150111696A KR102281461B1 (ko) 2015-08-07 2015-08-07 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10811195B2 (ko)
KR (1) KR102281461B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7408288B2 (ja) 2019-03-22 2024-01-05 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ
JP7067512B2 (ja) * 2019-03-22 2022-05-16 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005015588A1 (ja) * 2003-08-12 2005-02-17 Rohm Co., Ltd. 固体電解コンデンサ、電気回路、及び固体電解コンデンサの実装構造

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3434041B2 (ja) * 1994-09-28 2003-08-04 スタルクヴイテック株式会社 タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3942000B2 (ja) * 1999-06-01 2007-07-11 ローム株式会社 パッケージ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法
US7342771B2 (en) * 2002-06-18 2008-03-11 Tdk Corporation Solid electrolytic capacitor and a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor
JP4126021B2 (ja) 2004-02-05 2008-07-30 ローム株式会社 固体電解コンデンサ
US7920370B2 (en) * 2007-02-05 2011-04-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
JP5305774B2 (ja) 2007-09-21 2013-10-02 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US8004825B2 (en) 2007-09-21 2011-08-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolyte capacitor
JP2009099913A (ja) 2007-10-19 2009-05-07 Nec Tokin Corp 多端子型固体電解コンデンサ
KR101025999B1 (ko) * 2008-12-12 2011-03-30 삼성전기주식회사 회로기판 장치 및 집적회로 장치
KR101548774B1 (ko) * 2011-08-26 2015-08-31 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR101412784B1 (ko) * 2011-08-31 2014-06-27 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR101525645B1 (ko) * 2011-09-02 2015-06-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR102138890B1 (ko) 2013-08-05 2020-07-28 삼성전기주식회사 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법
US9460855B2 (en) * 2013-10-01 2016-10-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and board having the same
KR20150049920A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 삼성전기주식회사 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법
KR20160007197A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 삼성전기주식회사 탄탈륨 캐패시터

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005015588A1 (ja) * 2003-08-12 2005-02-17 Rohm Co., Ltd. 固体電解コンデンサ、電気回路、及び固体電解コンデンサの実装構造

Also Published As

Publication number Publication date
US10811195B2 (en) 2020-10-20
KR20170017566A (ko) 2017-02-15
US20170040117A1 (en) 2017-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102184562B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
JP2010135715A (ja) 固体電解コンデンサ
KR102138890B1 (ko) 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법
JP2008187091A (ja) 固体電解コンデンサ
KR101792382B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장기판
KR20150031759A (ko) 고체 전해 캐패시터
US10028381B2 (en) Composite electronic component and board having the same
KR102281461B1 (ko) 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판
KR102052763B1 (ko) 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법
KR20140021256A (ko) 탄탈 캐패시터
KR102194712B1 (ko) 고체 전해커패시터, 그 제조방법 및 칩 전자부품
KR102078008B1 (ko) 고체 전해커패시터, 그 제조방법 및 칩형 전자부품
KR102064017B1 (ko) 고체 전해 캐패시터
KR102068807B1 (ko) 탄탈륨 캐패시터
KR102105398B1 (ko) 고체 전해커패시터, 그 제조방법 및 칩형 전자부품
US9972443B2 (en) Tantalum capacitor
WO2023074376A1 (ja) 固体電解コンデンサ
JP6341654B2 (ja) 固体電解コンデンサ
KR102089698B1 (ko) 탄탈륨 캐패시터
KR20160054810A (ko) 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법
JP2020167221A (ja) 電解コンデンサ
KR101983127B1 (ko) 탄탈 캐패시터
JP2005116713A (ja) 固体電解コンデンサ
KR20130027785A (ko) 탄탈 캐패시터
JP2009295604A (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant