KR20160007197A - 탄탈륨 캐패시터 - Google Patents

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KR20160007197A
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조재범
최재혁
양완석
함형선
오현섭
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은, 캐패시터 본체의 서로 대향되는 양 측면을 통해 두 개의 탄탈 와이어가 노출되도록 하고, 몰딩부의 서로 대향되는 양 측면에 상기 탄탈 와이어와 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 단자를 배치하고, 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 음극 단자를 배치하며, 상기 음극 단자는 캐패시터 본체와의 사이에 배치되는 비아 전극 또는 패드 전극에 의해 전기적으로 접속되는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.

Description

탄탈륨 캐패시터{TANTALUM CAPACITOR}
본 발명은 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
캐패시터는 일반적으로 전기를 일시적으로 저장하는 축전기를 말한다. 예컨대, 상기 캐패시터는 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용될 수 있다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조이다.
예컨대, 상기 탄탈륨 캐패시터는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2)을 형성하며, 상기 이산화망간층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 인쇄회로기판(PCB)의 실장을 위하여, 상기 본체에 양극 및 음극 단자를 전기적으로 연결하고 몰딩부를 형성하여 완성할 수 있다.
최근 스마트 폰과 같은 고부가가치의 전자 제품이 출시됨에 따라 고주파수에서 구동 가능한 캐패시터가 요구되고 있으나, 일반적인 탄탈륨 캐패시터는 이러한 조건을 충족시키지 못하고 있다.
또한, 탄탈륨 캐패시터에서 ESL(등가직렬인덕턴스: Equivalent Series Inductance)은 회로 상에 기생하는 인덕턴스를 의미하는데, 상기 탄탈륨 캐패시터의 ESL을 줄이는 것은 PCB 파워부 설계 등에서 매우 중요한 요소가 되고 있다.
일본공개특허공보 제2008-187091호
본 발명의 목적은 ESL이 개선된 탄탈륨 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명은 캐패시터 본체의 서로 대향되는 양 측면을 통해 두 개의 탄탈 와이어가 노출되도록 하고, 몰딩부의 서로 대향되는 양 측면에 상기 탄탈 와이어와 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 단자를 배치하고, 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 음극 단자를 배치하며, 상기 음극 단자는 캐패시터 본체와의 사이에 배치되는 전기적 연결 수단에 의해 전기적으로 접속되는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 단자에서 음극 단자로 연결되는 전류 루프(current loop)의 길이를 최소화함으로써 탄탈륨 캐패시터의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 투명사시도이다.
도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터를 저면이 보이도록 나타낸 투명사시도이다.
도 3은 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 저면도이다
도 4는 도 1의 탄탈륨 캐패시터를 길이-두께 방향으로 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 탄탈 와이어의 다른 실시 예를 나타내기 위해 탄탈륨 캐패시터를 저면이 보이도록 나타낸 투명사시도이다.
도 6은 도 5의 탄탈륨 캐패시터의 저면도이다.
도 7은 본 발명의 전기적 연결 수단의 다른 실시 예를 나타내기 위해 탄탈륨 캐패시터를 길이-두께 방향으로 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 저면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.
덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 투명사시도이고, 도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터를 저면이 보이도록 나타낸 투명사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(100)는, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)를 갖는 캐패시터 본체(10); 몰딩부(40); 제1 및 제2 양극 단자(31, 32); 음극 단자(20); 및 캐패시터 본체(10)와 음극 단자(20)를 연결하는 전기적 연결 수단을 포함한다.
이하, 본 실시 형태에서는, 설명의 편의를 위해, 몰딩부(40)의 실장 면을 하면(S1)으로, 하면(S1)과 두께 방향으로 서로 마주보는 면을 상면(S2)으로, 몰딩부(40)의 길이 방향의 양 측면을 제1 및 제2 측면(S3, S4)으로, 제1 및 제2 측면(S3, S4)과 수직으로 교차하며 몰딩부(40)의 서로 마주보는 폭 방향의 양 측면을 제3 및 제4 측면(S5, S6)으로 정의하기로 한다.
캐패시터 본체(10)는 탄탈 분말을 포함하여 형성되며, 캐패시터의 음극으로 작용한다.
본 실시 형태의 캐패시터 본체(10)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)가 캐패시터 본체(10)의 서로 대향되는 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출될 수 있다.
캐패시터 본체(10)는 다공질의 밸브 작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질 밸브 작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.
일 예로서, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.
또한, 캐패시터 본체(10)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.
상기 카본은 캐패시터 본체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 캐패시터 본체(10)를 음극 단자(20)에 상기 전기적 연결 수단을 통해 전기적으로 접속시킬 때 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.
제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 캐패시터의 양극으로 작용한다.
제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 캐패시터 본체(10)의 내부에 각각 위치하는 제1 및 제2 삽입영역과, 캐패시터 본체(10)의 대향되는 양 측면을 통해 각각 노출되도록 상기 제1 및 제2 삽입 영역에서 연장되게 형성되는 제1 및 제2 비삽입영역을 포함한다.
본 실시 형태에 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 캐패시터 본체(10)의 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되도록 구성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 본 발명의 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 필요시 캐패시터 본체(10)의 폭 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되도록 구성될 수 있으며, 이 경우 제1 및 제2 양극 단자는 이와 대응되게 몰딩부(40)의 폭 방향의 제3 및 제4 측면(S5, S6)에 형성될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.
즉, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11, 12)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 약 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
이때, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 캐패시터 본체(10)의 길이 방향으로 동일한 선상에 위치하도록 배치될 수 있다.
몰딩부(40)는 캐패시터 본체(10)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 상기 제1 및 제2 비삽입영역을 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 절연성 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.
이때, 몰딩부(40)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 상기 제1 및 제2 비삽입영역의 단부가 몰딩부(40)의 서로 대향되는 길이 방향의 제1 및 제2 측면(S3, S4)을 통해 각각 노출되도록 형성된다.
이러한 몰딩부(40)는 외부로부터 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12) 및 캐패시터 본체(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 캐패시터 본체(10)와 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)를 서로 절연시키는 역할을 한다.
제1 및 제2 양극 단자(31, 32)는, 캐패시터 본체(10)의 길이 방향을 따라 몰딩부(40)의 길이 방향의 양 단부에 배치된다.
제1 및 제2 양극 단자(31, 32)는, 몰딩부(40)의 제1 및 제2 측면(S3, S4)에 형성되어 몰딩부(40)의 제1 및 제2 측면(S3, S4)을 통해 각각 노출되며, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 제1 및 제2 비삽입영역의 단부와 각각 접촉되어 전기적으로 접속되는 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)와; 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)에서 절곡되어 몰딩부(40)의 하면(S1)의 일부까지 각각 연장되며 서로 이격되게 배치되는 제1 및 제2 양극 단자부(31b, 32b)를 포함할 수 있다.
또한, 제1 또는 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 상기 제1 및 제2 비삽입영역 사이에는 제1 또는 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 상기 제1 및 제2 비삽입영역의 단부가 각각 접합되도록 도전성 접착층이 더 형성될 수 있다.
이때, 상기 도전성 접착층은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 단자(20)는 몰딩부(40) 하면에 하면이 외부로 노출되도록 배치된다. 음극 단자(20)는 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31b, 32b)로부터 각각 이격되게 배치된다.
이러한 음극 단자(20)는 캐패시터 본체(10)와 음극 단자(20) 사이에 배치되는 상기 전기적 연결 수단에 의해 서로 연결되어 전기적으로 접속된다.
이때, 음극 단자(20)는 필요시 몰딩부(40)의 폭 방향의 제3 및 제4 측면(S5, S6)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다. 이 경우, 음극 단자(20)의 면적이 더 확장되므로 ESR 값이 감소될 수 있다.
상기 전기적 연결 수단은 서로 이격되게 배치되는 복수의 비아 전극(51, 52)일 수 있다.
각각의 비아 전극(51, 52)은 캐패시터 본체(10)의 하면과 음극 단자(20)의 상면 사이의 몰딩부(40) 내에 두께 방향으로 배치되며, 양 단이 캐패시터 본체(10)의 하면과 음극 단자(20)의 상면에 접속되어 캐패시터 본체(10)와 음극 단자(20)를 전기적으로 연결할 수 있다.
본 실시 예에서, 예컨대, 몰딩부(40)의 길이는 최대 2.30 mm일 수 있으며, 몰딩부(40)의 폭은 최대 1.50 mm일 수 있다. 이때, 몰딩부(40)의 실장 면을 통해 노출되는 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31b, 32b)의 L-방향의 길이는 각각 0.45 내지 0.55 mm일 수 있다. 또한, 몰딩부(40)의 실장 면을 통해 노출되는 음극 단자(20)의 L-방향의 길이는 0.65 내지 0.75 mm일 수 있다. 또한, 제1 또는 제2 양극 단자부(31b, 32b)와 음극 단자(20)의 양 측면 사이의 거리는 0.275 내지 0.325 mm일 수 있다.
상기 실시 예에서, 제1 또는 제2 양극 단자부(31b, 32b)와 음극 단자(20)의 양 측면 사이의 거리가 0.325 mm 를 초과하는 경우 ESL이 증가될 수 있으며, 제1 또는 제2 양극 단자부(31b, 32b)와 음극 단자(20)의 양 측면 사이의 거리가 0.275 mm 미만인 경우 기판에 실장시 양극과 음극이 서로 접속되어 쇼트(short)가 발생되는 문제점이 있을 수 있다.
도 3은 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 저면도이고, 도 4는 도 1의 길이-두께 방향 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시 형태는, 몰딩부(40)의 실장 면인 하면(S1)에서 제1 및 제2 양극 단자(31, 32) 사이에 음극 단자(20)가 근접하여 배치된다.
따라서, 몰딩부(40)의 길이 방향의 제1 및 제2 측면(S3, S4)에 배치된 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)로부터 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12) 및 캐패시터 본체(10)를 통해 음극 단자(20)로 연결되는 전류 루프(CL, current loop)의 길이가 최소화된다. 이에, 탄탈 캐패시터(100)의 고주파 특성을 지배하는 ESL 수치를 저감시킬 수 있다.
또한, 서로 인접하게 배치된 음극 단자(20)와 제1 및 제2 양극 단자(31, 32) 사이에는 상호 인덕턴스(mutual inductance)가 작용하게 된다. 따라서, 고주파 전류의 상쇄 효과에 의해 ESL 수치를 더욱 저감시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 탄탈 와이어의 다른 실시 예를 나타내기 위해 탄탈륨 캐패시터를 저면이 보이도록 나타낸 투명사시도이고, 도 6은 도 5의 탄탈륨 캐패시터의 저면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 탄탈 와이어의 다른 실시 예로서, 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 탄탈 와이어(11', 12')는 캐패시터 본체(10)의 폭 방향으로 서로 어긋나는 위치, 즉 서로 반대되는 방향에 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11', 12')는 캐패시터 본체(10)의 길이-폭 단면에서 대각선 방향으로 마주보는 위치에 각각 배치되어, 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(32a, 32b)와 각각 접속될 수 있다.
위와 같이, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11', 12')를 캐패시터 본체(10)의 폭 방향으로 서로 어긋나게 배치하면, 캐패시터 본체(10) 성형시 와이어를 캐패시터 본체(10) 내부로 균형 있게 삽입할 수 있어서 작업성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
여기서, 몰딩부(40), 제1 및 제2 양극 단자(31, 32) 및 음극 단자(20)의 구조는 앞서 설명한 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 7은 본 발명의 전기적 연결 수단의 다른 실시 예를 나타내기 위해 탄탈륨 캐패시터를 길이-두께 방향으로 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 탄탈륨 캐패시터의 전기적 연결 수단은 패드 전극(60)일 수 있다.
패드 전극(60)은 캐패시터 본체(10)의 하면과 음극 단자(20)의 상면 사이에 배치되며, 상면은 캐패시터 본체(10)의 하면과 접속되고, 하면은 음극 단자(20)의 상면과 접속되어 캐패시터 본체(10)와 음극 단자(20)를 전기적으로 연결할 수 있다.
여기서, 몰딩부(40), 제1 및 제2 양극 단자(31, 32) 및 음극 단자(20)의 구조는 앞서 설명한 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 저면도이다.
여기서, 몰딩부(40), 제1 및 제2 양극 단자(31, 32) 및 전기적 연결 수단의 구조는 앞서 설명한 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)를 포함한다.
이때, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)는 크기와 재질을 동일하게 하여 동일한 용량을 구현하도록 구성하거나, 필요시 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)는 크기 또는 재질을 서로 다르게 하여 상이한 용량을 구현하도록 구성할 수 있다.
본 실시 형태의 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)가 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)의 서로 대향되는 길이 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되도록 길이 방향의 타 측면은 서로 마주보게 배치된다.
이때, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 몰딩부(40)의 길이 방향으로 동일 선상에 배치될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)의 폭 방향을 따라 서로 어긋나는 위치에 배치되도록 할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)의 내부에 각각 위치하는 제1 및 제2 삽입영역과, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)의 길이 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되도록 상기 제1 및 제2 삽입영역에서 각각 연장되게 형성되는 제1 및 제2 비삽입영역을 포함할 수 있다.
음극 단자(20)는 몰딩부(40) 하면이 외부로 노출되도록 배치된다. 또한, 음극 단자(20)는 L-방향의 양 측면이 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31b, 32b)로부터 각각 이격되게 배치된다.
이러한 음극 단자(20)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)와 음극 단자(20) 사이에 배치되는 상기 전기적 연결 수단에 의해 제1 및 제2 커패시터 본체(10a, 10b)와 연결되어, 제1 및 제 캐패시터 본체(10a, 10b)와 동시에 전기적으로 접속된다.
위와 같이 캐패시터 본체가 제1 및 제2 캐패시터 본체(10a, 10b)로 나누어지면, 탄탈륨 캐패시터(100)의 양극 부분이 둘로 나누어지는 것이므로, 탄탈 와이어와 캐패시터 본체의 서로 접촉하는 단면적이 증가됨으로써, 전체적으로 ESR이 1/2로 감소되는 효과가 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 사시도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터(100')는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)가 캐패시터 본체(10')의 서로 대향되는 폭 방향의 양 측면으로 각각 노출되며, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)는 몰딩부(40')의 제3 및 제4 측면(S5, S6)을 통해 노출되도록 형성될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)는 몰딩부(40')의 폭 방향의 제3 및 제4 측면(S5, S6)에 배치되며, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 12)의 노출된 부분과 각각 접속되어 전기적으로 연결된다.
이때, 음극 단자(20)는 몰딩부(40')의 하면(S2)에서 몰딩부(40')의 폭 방향을 따라 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31b, 32b)와 서로 이격되게 배치된다.
위와 같은 구조의 탄탈륨 캐패시터(100')는, 제1 및 제2 양극 단자(31, 32)와 음극 단자(20) 간의 거리가 더 단축되어 전류 루프(current loop)의 길이가 더 줄어들게 되므로, 고주파수 대역에서 탄탈륨 캐패시터(100')의 ESL 수치를 앞서 실시 예 보다 더 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10, 10' ; 캐패시터 본체
10a, 10b ; 제1 및 제2 캐패시터 본체
11, 11' ; 제1 탄탈 와이어
12, 12' ; 제2 탄탈 와이어
20 ; 음극 단자
31, 32 ; 제1 및 제2 양극 단자
31a, 32a ; 제1 및 제2 와이어 접속부
31b, 32b ; 제1 및 제2 양극 단자부
40, 40' ; 몰딩부
51, 52 ; 비아 전극
60 ; 패드 전극
100, 100' ; 탄탈륨 캐패시터

Claims (17)

  1. 탄탈 분말을 포함하며, 노출되는 방향이 서로 대향되는 제1 및 제2 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체;
    상기 캐패시터 본체를 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 단부가 서로 대향되는 양 측면을 통해 노출되도록 형성되는 몰딩부;
    상기 몰딩부의 서로 대향되는 양 측면에서 상기 몰딩부의 하면의 일부까지 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 단자;
    상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 배치되며, 상기 캐패시터 본체와 접속되는 음극 단자; 및
    상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치되는 전기적 연결 수단; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 길이 방향으로 동일 선상에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 폭 방향으로 서로 어긋나는 위치에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 폭 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 폭 방향으로 동일 선상에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 캐패시터 본체의 길이 방향으로 서로 어긋나는 위치에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은, 상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이의 몰딩부 내에 배치되며, 양단이 상기 캐패시터 본체의 하면과 상기 음극 단자의 상면에 접속되는 복수의 비아 전극인 탄탈륨 캐패시터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은, 상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치되는 패드 전극인 탄탈륨 캐패시터.
  10. 탄탈 분말을 포함하며, 일 측면이 서로 마주보게 배치되는 제1 및 제2 캐패시터 본체;
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 서로 대향되는 측면을 통해 노출되는 비삽입영역을 각각 갖는 제1 및 제2 탄탈 와이어;
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 단부가 서로 대향되는 양 측면을 통해 노출되도록 형성되는 몰딩부;
    상기 몰딩부의 서로 대향되는 양 측면에서 상기 몰딩부의 하면의 일부까지 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 단자;
    상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 배치되는 음극 단자; 및
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 음극 단자를 동시에 접속하는 전기적 연결 수단; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 길이 방향의 서로 대향되는 측면을 통해 각각 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 몰딩부의 길이 방향으로 동일 선상에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 몰딩부의 폭 방향으로 오프셋 되는 위치에 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이의 몰딩부 내에 배치되며, 양단이 상기 제1 캐패시터 본체의 하면과 상기 음극 단자의 상면에 접속되는 복수의 제1 비아 전극 및 양단이 상기 제2 캐패시터 본체의 하면과 상기 음극 단자의 상면에 접속되는 복수의 제2 비아 전극인 탄탈륨 캐패시터.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 음극 단자를 동시에 연결하는 패드 전극인 탄탈륨 캐패시터.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
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