JP6341654B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

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Description

本発明は、高い耐湿性を有する固体電解コンデンサに関する。
導電性高分子は、導電率が高く、固体電解コンデンサにおいて、低い透過直列抵抗(ESR)を実現できる。従って、固体電解質層を導電性高分子で構成すると、固体電解コンデンサの小型化と大容量化を図ることができる。この種の固体電解コンデンサは特許文献1に開示されている。
特許第2776330号公報
特許文献1の固体電解コンデンサは、耐湿性が低く、固体電解質層が酸化劣化しやすい。同様に、二酸化マンガンからなる固体電解質層を有する固体電解コンデンサの耐湿性が低いと、二酸化マンガンからなる固体電解質層が損傷してしまう。
そこで、本発明は、高い耐湿性を有する固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
本発明は、第1の固体電解コンデンサとして、
コンデンサ素子とメッキ層とを備える固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、所定方向と直交する所定面と前記所定面以外の面である外周面とを有しており、且つ、陽極体と、前記陽極体から前記所定方向に沿って前記所定面を通るように延びる陽極リードワイヤと、固体電解質層を含むと共に前記所定面の一部と前記外周面を構成する陰極層とを備えており、
前記メッキ層は、前記所定面の一部と前記外周面を完全に覆っている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第2の固体電解コンデンサとして、第1の固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、誘電体層を更に備えており、
前記誘電体層は、前記陽極体上に形成された第1部と、前記陽極リードワイヤ上に形成された第2部とを有しており、
前記陰極層は、少なくとも、前記誘電体層の前記第1部上に形成されており、
前記メッキ層は、前記陰極層の全体に亘って形成されている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第3の固体電解コンデンサとして、第2の固体電解コンデンサであって、
前記陰極層は、前記誘電体層の前記第1部の全体に亘って形成されていると共に少なくとも前記誘電体層の前記第2部の一部上に延びている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第4の固体電解コンデンサとして、第2の固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、絶縁体部を更に備えており、
前記絶縁体部は、前記誘電体層の前記第2部上に形成されており、
前記陰極層は、前記誘電体層の前記第1部及び前記絶縁体部の全体に亘って形成されている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第5の固体電解コンデンサとして、第4の固体電解コンデンサであって、
前記陰極層は、前記絶縁体部上に形成され且つ前記固体電解質層に接続された導電体部を備えている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第6の固体電解コンデンサとして、第4又は第5の固体電解コンデンサであって、
前記絶縁体部は、前記陽極リードワイヤの根元付近に位置している
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第7の固体電解コンデンサとして、第1乃至第6のいずれかの固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、前記陰極層上に形成された絶縁セパレータであって、前記所定方向において前記メッキ層と隣り合う絶縁セパレータを更に備えている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第8の固体電解コンデンサとして、第1乃至第7のいずれかの固体電解コンデンサであって、
前記陰極層は、前記固体電解質層上に形成された導電体層を更に備えている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第9の固体電解コンデンサとして、第8の固体電解コンデンサであって、
前記導電体層は、少なくとも前記固体電解質層上に形成されたグラファイトペースト層を備えている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第10の固体電解コンデンサとして、第8の固体電解コンデンサであって、
前記導電体層は、少なくとも前記固体電解質層上に形成された電解重合層を備えている
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第11の固体電解コンデンサとして、第1乃至第10のいずれかの固体電解コンデンサであって、
前記所定面の一部は、前記所定面の総面積の10%以上の面積を有している
固体電解コンデンサを提供する。
また、本発明は、第12の固体電解コンデンサとして、第1乃至第10のいずれかの固体電解コンデンサであって、
前記所定面の一部は、前記所定面の総面積の50%以上の面積を有している
固体電解コンデンサを提供する。
絶縁層やグラファイトペースト層、銀ペースト層、電解重合層と異なり、メッキ層は、水分や酸素を透過させない。メッキ層は、コンデンサ素子の所定面の一部と外周面を完全に覆っていることから、固体電解質層の酸化劣化を減ずることができる。
本発明の第1の実施の形態による固体電解コンデンサを示す断面図である。 図1の固体電解コンデンサに含まれるコンデンサ素子を示す断面図である。 図1の固体電解コンデンサの形成の一工程を示す図である。 本発明の第2の実施の形態による固体電解コンデンサのコンデンサ素子及びメッキ層を示す断面図である。 図4のコンデンサ素子及びメッキ層をV−V矢印線に沿って示す図である。 図4のコンデンサ素子の形成の一工程を示す図である。 図4のコンデンサ素子の形成の他の一工程を示す図である。 図4のコンデンサ素子の形成の他の一工程を示す図である。 図4のメッキ層の形成の一工程を示す図である。 図4のコンデンサ素子及びメッキ層の形成の一工程を示す図である。 本発明の第3の実施の形態による固体電解コンデンサのコンデンサ素子及びメッキ層を示す断面図である。 図11のコンデンサ素子の形成の一工程を示す図である。 図11のメッキ層の形成の一工程を示す図である。 本発明の第4の実施の形態による固体電解コンデンサのコンデンサ素子及びメッキ層を示す断面図である。 図14のコンデンサ素子の形成の一工程を示す図である。 図14のコンデンサ素子の形成の他の一工程を示す図である。 図14のメッキ層の形成の一工程を示す図である。 本発明の第5の実施の形態による固体電解コンデンサのコンデンサ素子及びメッキ層を示す断面図である。 図18のメッキ層の形成の一工程を示す図である。 本発明の第6の実施の形態による固体電解コンデンサのコンデンサ素子及びメッキ層を示す断面図である。
図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態による固体電解コンデンサ1は、コンデンサ素子10と、メッキ層80と、陽極端子90と、陰極端子92と、外装絶縁部材96とを備えている。図2に示されるように、コンデンサ素子10は、所定方向(図2における横方向)と直交する所定面12と、所定面12以外の面である外周面14とを有している。図示されたコンデンサ素子10は、陽極体20と、陽極リードワイヤ30と、誘電体層40と、陰極層60とを備えている。
本実施の形態の陽極体20は、焼結されたタンタル粉末からなる。陽極リードワイヤ30は、タンタルワイヤであり、部分的に陽極体20に埋設されている。陽極リードワイヤ30は、所定面12を通って所定方向に沿って延びている。誘電体層40は、陽極体20上に形成された第1部42と、陽極リードワイヤ30上に形成された第2部44とを有している。第1部42と第2部44とは理解を容易にするために概念上区別しているが、両者は共通する工程において一体形成されるものである。詳しくは、まず、タンタル粉末にタンタルワイヤからなる陽極リードワイヤ30を部分的に埋設した後、タンタル粉末をプレス成型して成型体を得る。次いで、成型体を焼結して焼結体からなる陽極体20を形成する。その後、陽極体20及び陽極リードワイヤ30をリン酸水溶液中に浸して陽極化成を行い、陽極酸化皮膜からなる誘電体層40を形成する。具体的には、陽極体20の表面に陽極酸化皮膜からなる第1部42を形成すると共に陽極リードワイヤ30の表面に陽極酸化皮膜からなる第2部44を形成する。陽極化成には、他の溶液を用いることとしてもよい。
図2に示されるように、本実施の形態の陰極層60は、誘電体層40の第1部42の全体に亘って形成されていると共に誘電体層40の第2部44の一部(具体的には陽極リードワイヤ30の根元付近)上に延びている。陰極層60は、少なくとも第1部42上に形成されていれば、第2部44上に形成されていなくともよい。図示された陰極層60は、固体電解質層62と導電体層64とを備えている。但し、本発明はこれに限定されるわけではない。陰極層60は、固体電解質層62を含んでいる限り、他の構造を有していてもよい。図2から理解されるように、陰極層60は、所定面12の殆どの領域と外周面14とを構成している。
本実施の形態の固体電解質層62はポリチオフェンからなるものである。即ち、本実施の形態の固体電解質層62は導電性ポリマーからなる。固体電解質層62は、誘電体層40の主に第1部42をチオフェンと酸化剤に交互に浸漬させて化学重合を繰り返すことにより誘電体層40上に形成される。酸化剤は、パラトルエンスルホン酸第二鉄の30%メタノール溶液である。酸化剤は他の溶液からなるものであってもよい。ポリチオフェンからなる固体電解質層62は、導電性高分子スラリを用いた含侵工程及び乾燥工程を繰り返して形成してもよい。
本実施の形態の導電体層64はグラファイトペースト層からなるものである。導電体層64は固体電解質層62上に形成されている。導電体層64は、他の導電材料からなるものであってもよい。このようにして、コンデンサ素子10を得る。
本実施の形態のメッキ層80は、コンデンサ素子10の外周面14を完全に覆っていると共にコンデンサ素子10の所定面12の殆どの領域を覆っている。具体的には、本実施の形態のメッキ層80は、陰極層60の全体に亘って形成されている。メッキ層80は所定面12のうちのより少ない領域を覆っていてもよい。但し、所定面12のうちのメッキ層80により覆われる部位は、所定面12の総面積の10%以上の面積を有しているべきであり、特に、顕著な耐湿性を得るためには所定面12の総面積の50%以上の面積を有していることが好ましい。
本実施の形態において、メッキ層80は電解メッキ法により形成されている。詳しくは、図3に示されるように、陽極リードワイヤ30の先端をアルミニウムからなる支持体100で支持しつつ、コンデンサ素子10をメッキ液82に浸漬する。更に、メッキ液82の電位が支持体100の電位(陽極リードワイヤ30の電位)よりも高くなるように、メッキ液82と支持体100に電圧をかける。本実施の形態のメッキ液82は、硫酸銅水溶液である。但し、メッキ液82は他の溶液からなるものであってもよい。このようにして、メッキ層80が形成される。本実施の形態のメッキ層80は銅メッキ層である。メッキ層80は他の金属からなるものであってもよい。メッキ層80は、他の電解メッキ法により形成してもよいし、無電解メッキ法により形成してもよい。
本実施の形態の陽極端子90及び陰極端子92の夫々は、42合金からなる基体に半田めっきを形成してなるものである。但し、陽極端子90及び陰極端子92は、他の金属からなるものであってもよい。陽極リードワイヤ30を陽極端子90に対して抵抗溶接で溶着する。一方、導電性樹脂94を用いて陰極層60上に陰極端子92を接着する。本実施の形態による導電性樹脂94は、銀ペーストからなるものである。導電性樹脂94の代わりに他の導電性接着剤を用いてもよい。更に、陽極リードワイヤ30と陽極端子90は他の接続手段によって接続してもよい。同様に、陰極層60と陰極端子92も他の接続手段によって接続してもよい。
外装絶縁部材96は、陽極端子90の一部と陰極端子92の一部を包含し且つコンデンサ素子10全体を包むように形成される。本実施の形態の外装絶縁部材96は、エポキシ樹脂からなるものであり、所定形状の型を用いて射出成型を行って硬化させることにより形成される。但し、外装絶縁部材96は、他の絶縁材料からなるものであってもよい。このようにして、コンデンサ素子10は、外装絶縁部材96に封止される。外装絶縁部材96の形成後、陽極端子90と陰極端子92とを外装絶縁部材96の底部側にコの字状に折り込む。このようにして、固体電解コンデンサ1を得る。
上述したように、本実施の形態のメッキ層80は陰極層60の全体を覆っていることから、酸素や水分が固体電解質層62に達し難い。そのため、本実施の形態は固体電解質層62の劣化を低減することができる。
本発明の第2の実施の形態による固体電解コンデンサは上述した第1の実施の形態の固体電解コンデンサとコンデンサ素子の構造に関して異なるものの、陽極端子や陰極端子のようなコンデンサ素子以外の要素については同一である。
図4及び図5を参照すると、本実施の形態によるコンデンサ素子10aは、上述した第1の実施の形態のコンデンサ素子10の変形例である。図4及び図5において、図2の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図4及び図5に示されるように、本実施の形態のコンデンサ素子10aは、絶縁体部50を更に備えている。絶縁体部50は、誘電体層40の第2部44上に形成されている。より具体的には、絶縁体部50は、陽極リードワイヤ30の根元付近に位置している。本実施の形態の絶縁体部50は、エポキシ樹脂からなる。但し、絶縁体部50は、他の絶縁材料からなるものであってもよい。図6に示されるように、絶縁体部50は、陰極層60aの固体電解質層62の形成後に形成される。絶縁体部50は、固体電解質層62の形成前に形成されてもよい。
図4から理解されるように、本実施の形態の陰極層60aは、誘電体層40の第1部42及び絶縁体部50の全体に亘って形成されている。図示された陰極層60aは、固体電解質層62と、導電体層66とを有している。本実施の形態の導電体層66は、絶縁体部50の形成後にグラファイトペーストを用いて形成された導電塗布層である。図示された導電体層66は、固体電解質層62に接続されており、絶縁体部50上にも形成されている。本実施の形態においては、導電体層66の形成後に導電体層66を利用してメッキ層80aを形成する。
詳しくは、図7に示されるように、絶縁体部50の形成後に、誘電体層40の第2部44を部分的にレーザで除去し、陽極リードワイヤ30の一部を露出部32として露出させる。次いで、図8に示されるように、固体電解質層62、絶縁体部50及び露出部32のすべてを覆うようにグラファイトペーストを塗布する。その後、図9に示されるように、陽極リードワイヤ30の先端をアルミニウムからなる支持体100で支持しつつ、陰極層60a等をメッキ液82に浸漬する。更に、メッキ液82の電位が支持体100の電位(陽極リードワイヤ30の電位又は陰極層60aの電位)よりも高くなるように、メッキ液82と支持体100に電圧をかける。このようにして、メッキ層80aを形成する。続いて、図4及び図10から理解されるように、メッキ層80a、導電体層66、絶縁体部50及び第2部44をレーザで部分的に除去して、メッキ層80aに覆われたコンデンサ素子10aを得る。
本実施の形態のメッキ層80aは、電解メッキ法により形成されているが、露出部32において導電体層66と陽極リードワイヤ30とが接続されている点で、上述した第1の実施の形態における電解メッキ法とは異なっている。但し、本発明はこれに限定されるわけではなく、メッキ層80aは、第1の実施の形態の電解メッキ法を含む他の電解メッキ法により形成してもよいし、無電解メッキ法により形成してもよい。
本実施の形態のメッキ層80aは陰極層60a全体を覆っていることから、本実施の形態は固体電解質層62の劣化を低減することができる。
加えて、絶縁体部50によって陽極リードワイヤ30と陰極層60aとの距離が遠くなり、両者が互いにショートしてしまうことを防ぐことができる。
図11を参照すると、本発明の第3の実施の形態によるコンデンサ素子10bは、上述した第2の実施の形態のコンデンサ素子10aの変形例である。図11において、図4の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図11に示されるように、本実施の形態の陰極層60bは、固体電解質層62と、導電体層68とを有している。本実施の形態の導電体層68は、絶縁体部50の形成後に形成された電解重合層である。図示された導電体層68は、固体電解質層62に接続されており、絶縁体部50上にも形成されている。導電体層68の形成後に導電体層68を利用してメッキ層80bを形成する。
詳しくは、図12に示されるように、絶縁体部50及び露出部32の形成後に、陽極リードワイヤ30の先端をアルミニウムからなる支持体100で支持しつつ、固体電解質層62及び露出部32をモノマー溶液72に浸漬する。本実施の形態のモノマー溶液72は、ピロール5%水溶液である。更に、モノマー溶液72の電位が支持体100の電位(陽極リードワイヤ30の電位又は固体電解質層62の電位)よりも低くなるように、モノマー溶液72と支持体100に電圧をかける。これにより、露出部32を開始点として、電解重合を行い、導電体層68を形成する。本実施の形態の導電体層68は、ポリピロールからなる。モノマー溶液72は他のモノマー溶液であってもよいし、導電体層68は、他の導電性ポリマーからなるものであってもよい。
その後、図13に示されるように、陰極層60b等をメッキ液82に浸漬する。更に、メッキ液82の電位が支持体100の電位(陽極リードワイヤ30の電位又は陰極層60bの電位)よりも高くなるように、メッキ液82と支持体100に電圧をかける。このようにして、メッキ層80bを形成する。続いて、メッキ層80b、導電体層68、絶縁体部50及び第2部44をレーザで部分的に除去して、図11に示されるように、メッキ層80bに覆われたコンデンサ素子10bを得る。
本実施の形態も上述した第2の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図14を参照すると、本発明の第4の実施の形態によるコンデンサ素子10cは、上述した第3の実施の形態のコンデンサ素子10bの変形例である。図14において、図11の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図14に示されるように、本実施の形態の陰極層60cは、固体電解質層62と、導電体層68と、導電体部70とを有している。導電体部70は、絶縁体部50上に形成されており、導電体層68は、固体電解質層62上に形成されていると共に導電体部70上に形成されている。本実施の形態の導電体部70は、以下に詳述するように電解重合層からなる導電体層68の形成及びメッキ層80cの形成に使用された導体の残りである。
図15に示されるように、絶縁体部50の形成後に、導電体部70を形成して導電体部70により陽極リードワイヤ30の端部34と固体電解質層62とを接続する。次いで、図16に示されるように、導電体部70の先端をアルミニウムからなる支持体100で支持しつつ、固体電解質層62や導電体部70の一部をモノマー溶液72に浸漬する。更に、モノマー溶液72の電位が支持体100の電位(導電体部70の電位又は固体電解質層62の電位)よりも低くなるように、モノマー溶液72と支持体100に電圧をかける。これにより、電解重合を行い、導電体層68を形成する。
その後、図17に示されるように、陰極層60c等をメッキ液82に浸漬する。更に、メッキ液82の電位が支持体100の電位(導電体部70の電位又は陰極層60cの電位)よりも高くなるように、メッキ液82と支持体100に電圧をかける。このようにして、メッキ層80cを形成する。続いて、メッキ層80c、導電体層68、導電体部70、絶縁体部50及び第2部44をレーザで部分的に除去して、図14に示されるように、メッキ層80cに覆われたコンデンサ素子10cを得る。
本実施の形態も上述した第3の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図18を参照すると、本発明の第5の実施の形態によるコンデンサ素子10dは、上述した第4の実施の形態のコンデンサ素子10cの変形例である。図18において、図14の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図14と図18の比較から理解されるように、本実施の形態の陰極層60dは、電解重合層からなる導電体層68を有していない点で、第4の実施の形態の陰極層60cと異なっている。即ち、本実施の形態のメッキ層80dは、固体電解質層62上に直接形成されている。
詳しくは、図19に示されるように、導電体部70の形成後に、導電体部70の先端をアルミニウムからなる支持体100で支持しつつ、陰極層60d等をメッキ液82に浸漬する。更に、メッキ液82の電位が支持体100の電位(導電体部70の電位又は陰極層60dの電位)よりも高くなるように、メッキ液82と支持体100に電圧をかける。このようにして、メッキ層80dを形成する。続いて、メッキ層80d、導電体部70、絶縁体部50及び第2部44をレーザで部分的に除去して、図18に示されるように、メッキ層80dに覆われたコンデンサ素子10dを得る。
本実施の形態も上述した第4の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図20を参照すると、本発明の第6の実施の形態によるコンデンサ素子10eは、上述した第1の実施の形態のコンデンサ素子10の変形例である。図20において、図2の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図20に示されるように、本実施の形態の陰極層60eは第1の実施の形態の固体電解質層62と同様の固体電解質層62eのみからなる。固体電解質層62eは、誘電体層40の第2部44を覆っている。メッキ層80eは、固体電解質層62e上に直接形成されている。更に、本実施の形態のコンデンサ素子10eは、固体電解質層62eからなる陰極層60e上に形成された絶縁セパレータ54を備えている。絶縁セパレータ54は、所定方向(即ち、陽極リードワイヤ30の延びる方向)においてメッキ層80eと隣り合っている。絶縁セパレータ54は、メッキ層80eと陽極リードワイヤ30とを離し、両者が接触してしまうことを防止する。
本実施の形態も上述した第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
上述した実施の形態において、固体電解質層62,62e上に導電体層を化学重合により形成することとしてもよい。
上述した実施の形態において固体電解質層62,62eはポリチオフェンからなるものであったが、本発明はこれに限定されるわけではない。固体電解質層62,62eは、他の導電性ポリマーからなるものであってもよいし、二酸化マンガンからなるものであってもよい。
1 固体電解コンデンサ
10,10a,10b,10c,10d,10e コンデンサ素子
12 所定面
14 外周面
20 陽極体
30 陽極リードワイヤ
32 露出部
34 端部
40 誘電体層
42 第1部
44 第2部
50 絶縁体
54 絶縁セパレータ
60,60a,60b,60c,60d,60e 陰極層
62,62e 固体電解質層
64 導電体層(グラファイトペースト層)
66 導電体層(導電塗布層)
68 導電体層(電解重合層)
70 導電体部
72 モノマー溶液
80,80a,80b,80c,80d,80e メッキ層
82 メッキ液
90 陽極端子
92 陰極端子
94 導電性樹脂
96 外装絶縁部材
100 支持体

Claims (9)

  1. コンデンサ素子とメッキ層とを備える固体電解コンデンサであって、
    前記コンデンサ素子は、所定方向と直交する所定面と前記所定面以外の面である外周面とを有しており、且つ、陽極体と、前記陽極体から前記所定方向に沿って前記所定面を通るように延びる陽極リードワイヤと、固体電解質層を含むと共に前記所定面の一部と前記外周面を構成する陰極層とを備えており、
    前記メッキ層は、前記所定面の一部と前記外周面を完全に覆っており、
    前記コンデンサ素子は、誘電体層と、絶縁体部とを更に備えており、
    前記誘電体層は、前記陽極体上に形成された第1部と、前記陽極リードワイヤ上に形成された第2部とを有しており、
    前記陰極層は、少なくとも、前記誘電体層の前記第1部上に形成されており、
    前記メッキ層は、前記陰極層の全体に亘って形成されており、
    前記絶縁体部は、前記誘電体層の前記第2部上に形成されており、
    前記陰極層は、前記誘電体層の前記第1部及び前記絶縁体部の全体に亘って形成されており、
    前記陰極層は、前記絶縁体部上に形成され且つ前記固体電解質層に接続された導電体部を備えている
    固体電解コンデンサ。
  2. 請求項記載の固体電解コンデンサであって、
    前記陰極層は、前記誘電体層の前記第1部の全体に亘って形成されていると共に少なくとも前記誘電体層の前記第2部の一部上に延びている
    固体電解コンデンサ。
  3. 請求項又は請求項記載の固体電解コンデンサであって、
    前記絶縁体部は、前記陽極リードワイヤの根元付近に位置している
    固体電解コンデンサ。
  4. 請求項乃至請求項のいずれかに記載の固体電解コンデンサであって、
    前記コンデンサ素子は、前記陰極層上に形成された絶縁セパレータであって、前記所定方向において前記メッキ層と隣り合う絶縁セパレータを更に備えている
    固体電解コンデンサ。
  5. 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の固体電解コンデンサであって、
    前記陰極層は、前記固体電解質層上に形成された導電体層を更に備えている
    固体電解コンデンサ。
  6. 請求項記載の固体電解コンデンサであって、
    前記導電体層は、少なくとも前記固体電解質層上に形成されたグラファイトペースト層を備えている
    固体電解コンデンサ。
  7. 請求項記載の固体電解コンデンサであって、
    前記導電体層は、少なくとも前記固体電解質層上に形成された電解重合層を備えている
    固体電解コンデンサ。
  8. 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の固体電解コンデンサであって、
    前記所定面の一部は、前記所定面の総面積の10%以上の面積を有している
    固体電解コンデンサ。
  9. 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の固体電解コンデンサであって、
    前記所定面の一部は、前記所定面の総面積の50%以上の面積を有している
    固体電解コンデンサ。
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