JP6223800B2 - 固体電解コンデンサの形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、陰極層上に形成されたメッキ層を有する固体電解コンデンサの製造方法に関する。
特許文献１には、無電解めっきにより陰極層上にメッキ層が形成する固体電解コンデンサの形成方法が開示されている。
固体電解コンデンサ形成のコストや時間を考慮すると、電解メッキにより陰極層上にメッキ層を形成したいという要望がある。
そこで、本発明は、電解メッキにより陰極層上に形成されたメッキ層を有する固体電解コンデンサを形成する方法を提供することを目的とする。
本発明は、第１の固体電解コンデンサの形成方法として、
陽極体と、前記陽極体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された陰極層と、前記陽極体から延びる陽極リードワイヤとを有するコンデンサ素子を備える中間体を形成する工程と、
前記中間体をメッキ液に浸漬して前記メッキ液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも高くなるように前記メッキ液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて前記陰極層上にメッキ層を形成する工程と
を備える固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
陽極体と、前記陽極体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された陰極層と、前記陽極体から延びる陽極リードワイヤとを有するコンデンサ素子を備える中間体を形成する工程と、
前記中間体をメッキ液に浸漬して前記メッキ液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも高くなるように前記メッキ液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて前記陰極層上にメッキ層を形成する工程と
を備える固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第２の固体電解コンデンサの形成方法として、第１の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体は、前記陰極層を前記陽極リードワイヤと接続する導電接続部を更に備えており、
前記固体電解コンデンサの形成方法は、前記導電接続部を除去して前記陰極層と前記陽極リードワイヤとを電気的に分離する工程を更に備えている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体は、前記陰極層を前記陽極リードワイヤと接続する導電接続部を更に備えており、
前記固体電解コンデンサの形成方法は、前記導電接続部を除去して前記陰極層と前記陽極リードワイヤとを電気的に分離する工程を更に備えている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第３の固体電解コンデンサの形成方法として、第２の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記付加的誘電体層を部分的に除去して前記陽極リードワイヤの露出部を形成する工程と、
前記固体電解質層上及び前記露出部上に導電体層を形成することにより、前記固体電解質層と前記導電体層の一部で前記陰極層を形成すると共に前記導電体層の残りの部分で前記導電接続部を形成する工程と
を備えている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記付加的誘電体層を部分的に除去して前記陽極リードワイヤの露出部を形成する工程と、
前記固体電解質層上及び前記露出部上に導電体層を形成することにより、前記固体電解質層と前記導電体層の一部で前記陰極層を形成すると共に前記導電体層の残りの部分で前記導電接続部を形成する工程と
を備えている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第４の固体電解コンデンサの形成方法として、第３の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層の一部上に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層の一部上に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第５の固体電解コンデンサの形成方法として、第３又は第４の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記導電接続部を形成する工程は、
前記固体電解質層と前記陽極リードワイヤの露出部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記導電接続部を形成する工程は、
前記固体電解質層と前記陽極リードワイヤの露出部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第６の固体電解コンデンサの形成方法として、第３又は第４の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記導電接続部を形成する工程は、
導電ペーストを前記固体電解質層から前記陽極リードワイヤの前記露出部まで塗布し且つ乾燥させて、固化した前記導電ペーストを前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記導電接続部を形成する工程は、
導電ペーストを前記固体電解質層から前記陽極リードワイヤの前記露出部まで塗布し且つ乾燥させて、固化した前記導電ペーストを前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第７の固体電解コンデンサの形成方法として、第２の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程であって、前記導電体部の一部で前記導電接続部を形成する工程と、
前記固体電解質層と前記導電接続部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記導電接続部の電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記導電接続部に電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記固体電解質層上に形成する工程を備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層と前記導電性高分子の一部を有している
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程であって、前記導電体部の一部で前記導電接続部を形成する工程と、
前記固体電解質層と前記導電接続部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記導電接続部の電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記導電接続部に電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記固体電解質層上に形成する工程を備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層と前記導電性高分子の一部を有している
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第８の固体電解コンデンサの形成方法として、第７の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第９の固体電解コンデンサの形成方法として、第２の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程とを備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層を含んでおり、
前記導電接続部は、前記導電体部の一部からなる
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程とを備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層を含んでおり、
前記導電接続部は、前記導電体部の一部からなる
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
また、本発明は、第１０の固体電解コンデンサの形成方法として、第９の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法を提供する。
陽極リードワイヤを電解メッキの電極の一方として使用することから、本発明によれば固体電解コンデンサの形成をシンプルなものとすることができる。
特に、陽極リードワイヤと陰極層とを導電体で接続してから、メッキ層を形成することとした場合には、誘電体層を挟んで位置する陽極体と陰極層との間には電位差が生じないことから、誘電体層には電流が流れない。
図１を参照すると、本発明の第１の実施の形態による固体電解コンデンサ１は、コンデンサ素子１０と、メッキ層８０と、陽極端子９０と、陰極端子９２と、外装絶縁部材９６とを備えている。図２に示されるように、コンデンサ素子１０は、陽極体２０と、陽極リードワイヤ３０と、誘電体層４０と、付加的誘電体層４４と、絶縁体部５０と、陰極層６０とを備えている。図示された陰極層６０は、固体電解質層６２と、導電体層６４とを備えている。
本実施の形態の陽極体２０は、焼結されたタンタル粉末からなる。陽極リードワイヤ３０は、タンタルワイヤであり、部分的に陽極体２０に埋設されている。陽極リードワイヤ３０は、所定方向（図２における横方向）に沿って延びている。誘電体層４０は陽極体２０上に形成されており、付加的誘電体層４４は陽極リードワイヤ３０上に形成されている。誘電体層４０と付加的誘電体層４４とは理解を容易にするために概念上区別しているが、後述するように、両者は共通する工程において一体形成されるものである。
陰極層６０の固体電解質層６２は、誘電体層４０上に形成されている。本実施の形態の固体電解質層６２はポリチオフェンからなるものである。即ち、本実施の形態の固体電解質層６２は導電性ポリマーからなる。固体電解質層６２は、他の導電性ポリマーからなるものであってもよいし、二酸化マンガンからなるものであってもよい。絶縁体部５０は、付加的誘電体層４４上に形成されている。より具体的には、絶縁体部５０は、陽極リードワイヤ３０の根元付近に位置している。本実施の形態の絶縁体部５０は、エポキシ樹脂からなる。但し、絶縁体部５０は、他の絶縁材料からなるものであってもよい。絶縁体部５０は、設けなくてもよい。本実施の形態の導電体層６４は、グラファイトペーストを用いて形成された導電塗布層である。即ち、本実施の形態の導電体層６４は、導電ペーストからなる。導電体層６４は、他の導電材料からなるものであってもよい。図示された導電体層６４は、固体電解質層６２を覆うと共に、絶縁体部５０上にも形成されている。
本実施の形態のメッキ層８０は、コンデンサ素子１０の殆どを覆っている。具体的には、本実施の形態のメッキ層８０は、陰極層６０の全体に亘って形成されている。
本実施の形態の陽極端子９０及び陰極端子９２の夫々は、４２合金からなる基体に半田めっきを形成してなるものである。但し、陽極端子９０及び陰極端子９２は、他の金属からなるものであってもよい。陽極リードワイヤ３０は、陽極端子９０に対して抵抗溶接で溶着されている。一方、陰極端子９２は、導電性樹脂９４を用いて陰極層６０上に接着されている。本実施の形態による導電性樹脂９４は、銀ペーストからなる。導電性樹脂９４の代わりに他の導電性接着剤を用いてもよい。更に、陽極リードワイヤ３０と陽極端子９０は他の接続手段によって接続してもよい。同様に、陰極層６０と陰極端子９２も他の接続手段によって接続してもよい。
外装絶縁部材９６は、エポキシ樹脂からなるものであり、陽極端子９０の一部と陰極端子９２の一部を包含し且つコンデンサ素子１０全体を封止している。但し、外装絶縁部材９６は、他の絶縁材料からなるものであってもよい。
上述したように、本実施の形態のメッキ層８０が陰極層６０の全体を覆っていることから、酸素や水分が固体電解質層６２に達し難い。そのため、本実施の形態は固体電解質層６２の劣化を低減することができる。
加えて、絶縁体部５０によって陽極リードワイヤ３０と陰極層６０との距離が遠くなることから、両者が互いにショートしてしまうことを防ぐことができる。
以下、本実施の形態の固体電解コンデンサ１の形成方法について詳細に説明する。
まず、タンタル粉末にタンタルワイヤからなる陽極リードワイヤ３０を部分的に埋設した後、タンタル粉末をプレス成型して成型体を得る。次いで、成型体を焼結して焼結体からなる陽極体２０を形成する。その後、陽極体２０及び陽極リードワイヤ３０をリン酸水溶液中に浸して陽極化成を行い、陽極酸化皮膜からなる誘電体層４０及び付加的誘電体層４４を形成する。具体的には、陽極体２０の表面に陽極酸化皮膜からなる誘電体層４０を形成すると共に陽極リードワイヤ３０の表面に陽極酸化皮膜からなる付加的誘電体層４４を形成する。陽極化成には、他の溶液を用いることとしてもよい。
次いで、誘電体層４０をチオフェンと酸化剤に交互に浸漬させて化学重合を繰り返すことにより、固体電解質層６２を誘電体層４０上に形成する。酸化剤は、パラトルエンスルホン酸第二鉄の３０％メタノール溶液である。酸化剤は他の溶液からなるものであってもよい。ポリチオフェンからなる固体電解質層６２は、導電性高分子スラリを用いた含侵工程及び乾燥工程を繰り返して形成してもよい。
固体電解質層６２の形成後、図３に示されるように、絶縁体部５０を形成する。但し、本発明はこれに限定されるわけではなく、絶縁体部５０を形成しなくてもよい。
続いて、図４に示されるように、付加的誘電体層４４を部分的にレーザで除去し、陽極リードワイヤ３０の一部を露出部３２として露出させる。次いで、図５に示されるように、グラファイトペースト（導電ペースト）を固体電解質層６２から陽極リードワイヤ３０の露出部３２まで塗布し且つ乾燥させ、陰極層６０の導電体層６４を形成すると共に陰極層６０の導電体層６４と陽極リードワイヤ３０の露出部３２とを接続する導電接続部７０を形成する。このように、本実施の形態の導電体層６４と導電接続部７０とは固化したグラファイトペースト（導電ペースト）からなる。導電体層６４と導電接続部７０は他の導電材料からなるものであってもよい。また、導電接続部７０は、陽極リードワイヤ３０と陰極層６０とを接続するものである。このようにして、コンデンサ素子１０と導電接続部７０とを備える中間体５を得る。
中間体５の形成後、図６に示されるように、陽極リードワイヤ３０の先端をアルミニウムからなる支持体１００で支持しつつ、中間体５をメッキ液８２に浸漬する。更に、メッキ液８２の電位が支持体１００の電位（陽極リードワイヤ３０の電位や陰極層６０の電位）よりも高くなるように、メッキ液８２と支持体１００に電圧をかける。本実施の形態のメッキ液８２は、硫酸銅水溶液である。但し、メッキ液８２は他の溶液からなるものであってもよい。このようにして、メッキ層８０を形成する。本実施の形態のメッキ層８０は銅メッキ層である。メッキ層８０は他の金属からなるものであってもよい。
続いて、図２及び図７から理解されるように、導電接続部７０をレーザで除去して陰極層６０と陽極リードワイヤ３０とを電気的に分離する。この際、メッキ層８０、絶縁体部５０及び付加的誘電体層４４も部分的に除去される。このようにして、メッキ層８０に覆われたコンデンサ素子１０を得る。
その後、陽極端子９０及び陰極端子９２を陽極リードワイヤ３０及び陰極層６０に夫々接続する。次いで、所定形状の型を用いて射出成型を行って硬化させることにより外装絶縁部材９６を形成する。外装絶縁部材９６の形成後、陽極端子９０と陰極端子９２とを外装絶縁部材９６の底部側にコの字状に折り込む。このようにして、固体電解コンデンサ１を得る。
本発明の第２の実施の形態による固体電解コンデンサは上述した第１の実施の形態の固体電解コンデンサとコンデンサ素子の構造に関して異なるものの、陽極端子や陰極端子のようなコンデンサ素子以外の要素については同一である。
図８を参照すると、本実施の形態によるコンデンサ素子１０ａは、上述した第１の実施の形態のコンデンサ素子１０の変形例である。図８において、図２の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図８に示されるように、本実施の形態の陰極層６０ａは、固体電解質層６２と、導電体層６４ａとを有している。
本実施の形態の導電体層６４ａは、絶縁体部５０の形成後に形成された電解重合層である。図示された導電体層６４ａは、固体電解質層６２を覆うと共に絶縁体部５０上にも形成されている。図９に示されるように、絶縁体部５０及び露出部３２の形成後に、陽極リードワイヤ３０の先端をアルミニウムからなる支持体１００で支持しつつ、固体電解質層６２及び露出部３２をモノマー溶液６６に浸漬する。本実施の形態のモノマー溶液６６は、ピロール５％水溶液である。更に、モノマー溶液６６の電位が支持体１００の電位（陽極リードワイヤ３０の電位又は固体電解質層６２の電位）よりも低くなるように、モノマー溶液６６と支持体１００に電圧をかける。これにより、露出部３２を開始点として、電解重合を行い、導電体層６４ａと導電接続部７０ａを形成する。このようにして、コンデンサ素子１０ａと導電接続部７０ａとを備える中間体５ａを得る。なお、本実施の形態の導電体層６４ａ及び導電接続部７０ａは、ポリピロールからなる。モノマー溶液６６は他のモノマー溶液であってもよいし、導電体層６４ａ及び導電接続部７０ａは、他の導電性ポリマーからなるものであってもよい。導電体層６４ａ及び導電接続部７０ａは、化学重合により形成してもよい。
導電体層６４ａ及び導電接続部７０ａの形成後、導電接続部７０ａを利用してメッキ層８０ａを形成する。詳しくは、図１０に示されるように、中間体５ａをメッキ液８２に浸漬する。更に、メッキ液８２の電位が支持体１００の電位（陽極リードワイヤ３０の電位や陰極層６０ａの電位）よりも高くなるように、メッキ液８２と支持体１００に電圧をかける。このようにして、メッキ層８０ａを形成する。続いて、導電接続部７０ａをレーザで除去して陰極層６０ａと陽極リードワイヤ３０とを電気的に分離する。この際、メッキ層８０ａ、絶縁体部５０及び付加的誘電体層４４も部分的に除去される。このようにして、メッキ層８０ａに覆われたコンデンサ素子１０ａを得る。
図１１を参照すると、本発明の第３の実施の形態によるコンデンサ素子１０ｂは、上述した第２の実施の形態のコンデンサ素子１０ａの変形例である。図１１において、図８の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図１１に示されるように、本実施の形態の陰極層６０ｂは、固体電解質層６２と、導電体層６４ｂと、導電体部６８とを有している。
導電体部６８は、絶縁体部５０上に形成されている。本実施の形態の導電体部６８は、電解重合層からなる導電体層６４ｂの形成及びメッキ層８０ｂの形成に使用された導電接続部７０ｂの残りである。図１２に示されるように、絶縁体部５０の形成後に、導電接続部７０ｂを形成して導電接続部７０ｂにより陽極リードワイヤ３０の端部３４と固体電解質層６２とを接続する。次いで、図１３に示されるように、導電接続部７０ｂの先端をアルミニウムからなる支持体１００で支持しつつ、固体電解質層６２や導電接続部７０ｂの一部をモノマー溶液６６に浸漬する。更に、モノマー溶液６６の電位が支持体１００の電位（導電接続部７０ｂの電位又は固体電解質層６２の電位）よりも低くなるように、モノマー溶液６６と支持体１００に電圧をかける。これにより、電解重合を行い、導電体層６４ｂを形成し、中間体５ｂを得る。導電体層６４ｂは、固体電解質層６２上に形成されていると共に導電接続部７０ｂ上に形成されている。中間体５ｂは、コンデンサ素子１０ｂと導電接続部７０ｂとを備えている。
導電体層６４ｂの形成後、図１４に示されるように、中間体６ｂをメッキ液８２に浸漬する。更に、メッキ液８２の電位が支持体１００の電位（導電接続部７０ｂの電位又は陰極層６０ｂの電位）よりも高くなるように、メッキ液８２と支持体１００に電圧をかける。このようにして、メッキ層８０ｂを形成する。続いて、導電接続部７０ｂをレーザで除去して陰極層６０ｂと陽極リードワイヤ３０とを電気的に分離する。この際、メッキ層８０ｂ、絶縁体部５０及び付加的誘電体層４４も部分的に除去される。このようにして、メッキ層８０ｂに覆われたコンデンサ素子１０ｂを得る。
図１５を参照すると、本発明の第４の実施の形態によるコンデンサ素子１０ｃは、上述した第３の実施の形態のコンデンサ素子１０ｂの変形例である。図１５において、図１１の構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、それらの構成要素については詳細な説明を省略する。
図１１と図１５の比較から理解されるように、本実施の形態の陰極層６０ｃは、電解重合層からなる導電体層６４ｂを有していない点で、第３の実施の形態の陰極層６０ｂと異なっている。本実施の形態においては、導電接続部７０ｃを形成すると、中間体５ｃが得られる。また、本実施の形態のメッキ層８０ｃは、固体電解質層６２上に直接形成されている。
詳しくは、図１６に示されるように、導電接続部７０ｃの形成後に、導電接続部７０ｃの先端をアルミニウムからなる支持体１００で支持しつつ、中間体５ｃをメッキ液８２に浸漬する。更に、メッキ液８２の電位が支持体１００の電位（導電接続部７０ｃの電位又は陰極層６０ｃの電位）よりも高くなるように、メッキ液８２と支持体１００に電圧をかける。このようにして、メッキ層８０ｃを形成する。続いて、導電接続部７０ｃをレーザで除去して陰極層６０ｃと陽極リードワイヤ３０とを電気的に分離する。この際、メッキ層８０ｃ、絶縁体部５０及び付加的誘電体層４４も部分的に除去される。このようにして、メッキ層８０ｃに覆われたコンデンサ素子１０ｃを得る。
上述した実施の形態においては、導電接続部７０，７０ａ，７０ｂ，７０ｃを用いて陽極リードワイヤ３０と陰極層６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃを接続してからメッキ層８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃを形成していることから、誘電体層４０を挟んで陽極体２０と陰極層６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃとの間には電位差が生じない。従って、メッキ層８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃの形成時に誘電体層４０には電流が流れず、高い質のメッキ層８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃを得ることができる。但し、本発明はこれに限定されるわけではなく、誘電体層４０の弁作用に基づく整流特性を利用して、導電接続部７０，７０ａ，７０ｂ，７０ｃを用いずに、陰極層６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ上にメッキ層８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃを形成することとしてもよい。
１ 固体電解コンデンサ
５，５ａ，５ｂ，５ｃ 中間体
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ コンデンサ素子
２０ 陽極体
３０ 陽極リードワイヤ
３２ 露出部
３４ 端部
４０ 誘電体層
４４ 付加的誘電体層
５０ 絶縁体部
６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 陰極層
６２ 固体電解質層
６４，６４ａ，６４ｂ 導電体層
６６ モノマー溶液
６８ 導電体部
７０，７０ａ，７０ｂ，７０ｃ 導電接続部
８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃ メッキ層
８２ メッキ液
９０ 陽極端子
９２ 陰極端子
９４ 導電性樹脂
９６ 外装絶縁部材
１００ 支持体
５，５ａ，５ｂ，５ｃ 中間体
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ コンデンサ素子
２０ 陽極体
３０ 陽極リードワイヤ
３２ 露出部
３４ 端部
４０ 誘電体層
４４ 付加的誘電体層
５０ 絶縁体部
６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 陰極層
６２ 固体電解質層
６４，６４ａ，６４ｂ 導電体層
６６ モノマー溶液
６８ 導電体部
７０，７０ａ，７０ｂ，７０ｃ 導電接続部
８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃ メッキ層
８２ メッキ液
９０ 陽極端子
９２ 陰極端子
９４ 導電性樹脂
９６ 外装絶縁部材
１００ 支持体
Claims (10)
- 陽極体と、前記陽極体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された陰極層と、前記陽極体から延びる陽極リードワイヤとを有するコンデンサ素子を備える中間体を形成する工程と、
前記中間体をメッキ液に浸漬して前記メッキ液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも高くなるように前記メッキ液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて前記陰極層上にメッキ層を形成する工程と
を備える固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項１記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体は、前記陰極層を前記陽極リードワイヤと接続する導電接続部を更に備えており、
前記固体電解コンデンサの形成方法は、前記導電接続部を除去して前記陰極層と前記陽極リードワイヤとを電気的に分離する工程を更に備えている
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項２記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記付加的誘電体層を部分的に除去して前記陽極リードワイヤの露出部を形成する工程と、
前記固体電解質層上及び前記露出部上に導電体層を形成することにより、前記固体電解質層と前記導電体層の一部で前記陰極層を形成すると共に前記導電体層の残りの部分で前記導電接続部を形成する工程と
を備えている
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項３記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層の一部上に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項３又は請求項４記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記導電接続部を形成する工程は、
前記固体電解質層と前記陽極リードワイヤの露出部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記陽極リードワイヤの電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記陽極リードワイヤに電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項３又は請求項４記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記導電接続部を形成する工程は、
導電ペーストを前記固体電解質層から前記陽極リードワイヤの前記露出部まで塗布し且つ乾燥させて、固化した前記導電ペーストを前記導電体層として形成する
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項２記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程であって、前記導電体部の一部で前記導電接続部を形成する工程と、
前記固体電解質層と前記導電接続部とをモノマーの溶液に浸漬し、前記モノマーの前記溶液の電位が前記導電接続部の電位よりも低くなるように前記モノマーの前記溶液と前記導電接続部に電圧をかけて、前記モノマーからなる導電性高分子を前記固体電解質層上に形成する工程を備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層と前記導電性高分子の一部を有している
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項７記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項２記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、
前記陽極体に前記陽極リードワイヤを部分的に埋設する工程と、
前記陽極体上に前記誘電体層を形成すると共に前記陽極リードワイヤ上に前記誘電体層と同質の付加的誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
前記陽極リードワイヤの端部と前記固体電解質層とを接続する導電体部を形成する工程とを備えており、
前記陰極層は、前記固体電解質層を含んでおり、
前記導電接続部は、前記導電体部の一部からなる
固体電解コンデンサの形成方法。 - 請求項９記載の固体電解コンデンサの形成方法であって、
前記中間体を形成する工程は、前記付加的誘電体層上に部分的に絶縁体部を形成する工程を更に備えており、
前記導電接続部は、前記絶縁体部上に亘っている
固体電解コンデンサの形成方法。
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