JP4931488B2 - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 51
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 50
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- CWPOINBYXIYTHX-UHFFFAOYSA-N ethanol;iron Chemical compound [Fe].CCO CWPOINBYXIYTHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
固体電解コンデンサAの実施例1について、その製造工程を以下に説明する。図2は、実施例1の製造方法の手順を示している。まず、弁作用金属からなる粉末成形体を形成する。たとえばタンタルやニオブの微粉末を用意し、この微粉末を金型に充填する。この際、タンタルやニオブからなる陽極ワイヤ10を上記微粉末に進入させておく。この状態で、上記金型により上記微粉末を加圧することにより、たとえば直方体形状の粉末成形体が得られる。この粉末成形体に対して焼結処理を施すことにより、多孔質焼結体1が得られる。
図3は、固体電解コンデンサAの実施例2を示している。本実施例においては、固体電解質層3の形成において、導電性高分子層31の形成を8回、樹脂層32の形成を1回、この順で行った。
実施例1,2との比較のため、導電性樹脂層31の形成を8回行うことのみによって固体電解質層3を形成した比較例を用意した。実施例1,2および比較例における固体電解質層3の厚さは、いずれも20μm程度とした。表1は、実施例1,2および比較例について、製造直後とリフローの手法によって回路基板に実装した後とにおいて、静電容量、等価直列抵抗(以下ESR)、および漏れ電流LCを測定した結果を示している。
1 多孔質焼結体
2 誘電体層
3 固体電解質層
4 導電体層
5A 陽極端子
5B 陰極端子
6 樹脂パッケージ
10 陽極ワイヤ
31 導電性高分子層
32 樹脂層
Claims (3)
- 弁作用金属の多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体の表面に積層された誘電体層および固体電解質層と、
を備えた固体電解コンデンサであって、
上記固体電解質層は、2以上の導電性高分子層と2以上の樹脂層とを含んでおり、
上記固体電解質層における上記誘電体層に接する層が上記樹脂層であり、上記樹脂層と上記導電性高分子層とが交互に形成されており、かつ、
上記樹脂層は、シリカフィラーを含んでいることを特徴とする、固体電解コンデンサ。 - 弁作用金属の多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体の表面に積層された誘電体層および固体電解質層と、
を備えた固体電解コンデンサであって、
上記固体電解質層は、2以上の導電性高分子層と2以上の樹脂層とを含んでおり、
上記固体電解質層における上記誘電体層に接する層が上記導電性高分子層であり、上記樹脂層と上記導電性高分子層とが交互に形成されており、かつ、
上記樹脂層は、シリカフィラーを含んでいることを特徴とする、固体電解コンデンサ。 - 弁作用金属の多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体の表面に積層された誘電体層および固体電解質層と、
を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、
上記固体電解質層を形成する工程においては、上記誘電体層が形成された上記多孔質焼結体に導電性高分子を付着させる導電性高分子付着工程と、樹脂を付着させる樹脂付着工程とを、それぞれ2回以上交互に行い、かつ、
上記樹脂付着工程においては、シリカフィラーを含む樹脂を用いることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171138A JP4931488B2 (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171138A JP4931488B2 (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004668A JP2008004668A (ja) | 2008-01-10 |
JP4931488B2 true JP4931488B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=39008830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006171138A Active JP4931488B2 (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4931488B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3070446B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2000133556A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2001126965A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006171138A patent/JP4931488B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008004668A (ja) | 2008-01-10 |
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