JP2008288310A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008288310A JP2008288310A JP2007130376A JP2007130376A JP2008288310A JP 2008288310 A JP2008288310 A JP 2008288310A JP 2007130376 A JP2007130376 A JP 2007130376A JP 2007130376 A JP2007130376 A JP 2007130376A JP 2008288310 A JP2008288310 A JP 2008288310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- solid electrolyte
- electrolyte layer
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
【課題】高温環境を経た後であっても絶縁破壊電圧が低下しにくい固体電解コンデンサを製造可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】弁作用金属からなる多孔質焼結体の表面に誘電体層を形成した後に、化学重合反応を用いて上記誘電体層を覆う導電性高分子からなる固体電解質層を形成する工程を有する、固体電解コンデンサの製造方法であって、上記固体電解質層を形成する工程においては、ドーパントを含む3価の鉄塩からなる酸化剤とモノマーとを、モル比が1:0.5〜1:15となるように上記誘電体層に付着させる。
【選択図】 図2
【解決手段】弁作用金属からなる多孔質焼結体の表面に誘電体層を形成した後に、化学重合反応を用いて上記誘電体層を覆う導電性高分子からなる固体電解質層を形成する工程を有する、固体電解コンデンサの製造方法であって、上記固体電解質層を形成する工程においては、ドーパントを含む3価の鉄塩からなる酸化剤とモノマーとを、モル比が1:0.5〜1:15となるように上記誘電体層に付着させる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、導電性高分子からなる固体電解質層を有する固体電解コンデンサの製造方法に関する。
固体電解コンデンサは、電気回路におけるノイズ除去手段や、電源供給の平滑化手段として用いられる。タンタルやニオブなどの弁作用金属からなる多孔質焼結体に誘電体層および固体電解質層を積層させたタイプの固体電解コンデンサは、特に大容量化が求められる用途に適している。近年、上記固体電解質層の材質として、導電性高分子が用いられている(たとえば、特許文献1参照)。導電性高分子からなる固体電解質層を有する固体電解コンデンサは、等価直列抵抗(以下、ESR)を小さくすることが可能であること、比較的高温環境に耐えうること、などの長所がある。導電性高分子からなる固体電解質層を形成するには、一般に化学重合反応または電解重合反応が利用される。たとえば、化学重合処理を行うには、誘電体層が形成された多孔質焼結体を、モノマーを含む溶液と、ドーパントを含む鉄塩からなる酸化剤を含む溶液とに交互に浸漬させる作業が行われる。
しかしながら、化学重合反応を用いて固体電解質層を形成した場合、酸化剤に含まれていた鉄が、3価の鉄イオンとして固体電解質層に残存する場合がある。固体電解質層を形成した後に、たとえば水を用いて洗浄処理を行うと、3価の鉄イオンから水酸化鉄が生成される。水酸化鉄は、水による洗浄によっては除去することが困難であり、最終製品としての固体電解コンデンサに残留することとなる。このような固体電解コンデンサを、たとえばリフローの手法によって基板に実装すると、実装時の昇温によって固体電解質層が劣化してしまう。これにより、固体電解コンデンサの絶縁破壊電圧が不当に低下してしまうという問題があった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高温環境を経た後であっても絶縁破壊電圧が低下しにくい固体電解コンデンサを製造可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供することをその課題とする。
本発明によって提供される固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなる多孔質焼結体の表面に誘電体層を形成した後に、化学重合反応を用いて上記誘電体層を覆う導電性高分子からなる固体電解質層を形成する工程を有する、固体電解コンデンサの製造方法であって、上記固体電解質層を形成する工程においては、ドーパントを含む3価の鉄塩からなる酸化剤とモノマーとを、モル比が1:0.5〜1:15となるように上記誘電体層に付着させるを特徴としている。
このような構成によれば、上記固体電解質層に残留する鉄の濃度を少なくとも200ppm以下に抑えつつ、上記固体電解質層として機能しうる厚さに導電性高分子を生成することが可能である。これにより、たとえばリフローの手法による面実装などの高温環境を経た後であっても、絶縁破壊電圧が低下してしまうことを防止することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記固体電解質層を形成する工程の後に、アルコールを用いて上記固体電解質層を洗浄する。このような構成によれば、上記固体電解質層に除去することが困難である水酸化鉄が形成されることを回避することが可能である。これは、上記固体電解質層における残留鉄濃度を低下させるのに好適である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1は、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法によって製造された固体電解コンデンサの一例を示している。図示された固体電解コンデンサAは、多孔質焼結体1、陽極ワイヤ2、誘電体層3、固体電解質層4、導電体層5、陽極端子6A、陰極端子6B、および樹脂パッケージ7を備えており、たとえばリフローの手法を用いて回路基板に対して面実装可能な構成とされている。
多孔質焼結体1は、ニオブまたはタンタルなどの弁作用金属からなり、多数の細孔が形成された構造とされている。陽極ワイヤ2は、ニオブまたはタンタルなどの弁作用金属からなり、多孔質焼結体1から突出している。
誘電体層3は、多孔質焼結体1の表面に形成されており、五酸化ニオブまたは五酸化タンタルなどの弁作用金属の酸化物からなる。この誘電体層3は、多孔質焼結体1の上記細孔を覆っている。固体電解質層4は、誘電体層3上に積層されており、多孔質焼結体1の上記細孔を埋めるように形成されている。固体電解質層4は、その鉄濃度が200ppm以下とされており、たとえば36ppm程度とされている。固体電解コンデンサAが使用されるときには、固体電解質層4と誘電体層3との界面に電荷が蓄蔵される。
陽極端子6Aは、たとえばCuまたNiからなる板状部材であり、導通部材61を介して陽極ワイヤ2の先端に接合されている。陽極端子6Aは、固体電解コンデンサAをたとえば回路基板に面実装するために用いられる部分である。陰極端子6Bは、たとえばCuまたNiからなる板状部材であり、導電体層5によって固体電解質層4と導通している。導電体層5は、たとえばグラファイト層および銀ペースト層からなる。陰極端子6Bは、陽極端子6Aと同様に固体電解コンデンサAの面実装に用いられる。
樹脂パッケージ7は、たとえばエポキシ樹脂からなり、多孔質焼結体1を保護するためのものである。上述した陽極端子6Aおよび陰極端子6Bの裏面が、樹脂パッケージ7から露出している。
次に、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法について、固体電解コンデンサAを製造する場合を例として以下に説明する。
図2に示すように、まず、多孔質焼結体1を形成する。この工程においては、たとえばニオブまたはタンタルなどの弁作用金属の微粉末に陽極ワイヤ2の一部を進入させた状態で加圧成形を行う。これによって得られた加圧成形体に対して焼結処理を施す。この焼結処理により、弁作用金属の微粉末どうしが焼結し、多数の細孔を有する多孔質焼結体1が形成される。
次に、誘電体層3を形成する。誘電体層3の形成は、たとえば、多孔質焼結体1をリン酸水溶液の化成液に漬けた状態で陽極酸化処理を施すことによってなされる。
次に、固体電解質層4を形成する。固体電解質層4の形成は、好ましくは、多孔質焼結体1の細孔内に固体電解質層4の一部を形成する工程と、多孔質焼結体1の外表面に固体電解質層4の残りを形成する工程とに分けて行われる。いずれの工程においても、化学重合反応を利用する。
多孔質焼結体1の細孔内に固体電解質層4の一部を形成する際には、酸化剤溶液として0.2mol/lの濃度に調製されたパラトルエンスルホン酸鉄溶液を用い、モノマー溶液として0.4mol/lの濃度に調製された3,4−エチレンジオキシチオフェン(以下、EDOT)溶液を用いる。まず、誘電体層3が形成された多孔質焼結体1を上記酸化剤溶液に浸漬させる。そして、多孔質焼結体1を上記酸化剤溶液から引き揚げた後に乾燥させる。次に、多孔質焼結体1を上記モノマー溶液に浸漬させる。そして、多孔質焼結体1を上記モノマー溶液から引き揚げた後に乾燥させるとともに、化学重合反応を起こさせる。そして、常温のメタノールに15分程度浸漬させることにより洗浄する。この後に、再化成処理を行う。この化学重合処理、洗浄処理、および再化成処理をたとえば8回繰り返すことにより、多孔質焼結体1の細孔内を埋めるように固体電解質層4の一部を形成することができる。
上記酸化剤溶液および上記モノマー溶液に浸漬させることにより多孔質焼結体1の細孔内に付着する酸化剤およびモノマーのモル比を1:0.5〜1:15とする。たとえば、タンタルの密度が16g/cm3程度、多孔質焼結体1のみかけ密度が6g/cm3程度である場合、多孔質焼結体1の気孔率は63%程度である。この多孔質焼結体1を上記酸化溶液に浸漬させると、多孔質焼結体1の1cm3あたりに0.63gの上記酸化溶液が付着する。これを乾燥させると、多孔質焼結体1の1cm3あたり0.25g程度の酸化剤(パラトルエンスルホン酸鉄)が残留する。この結果、多孔質焼結体1の1cm3あたり4.4×10-4molのパラトルエンスルホン酸鉄が付着し、その気孔率は38%程度となる。次いで、上記モノマー溶液に多孔質焼結体1を浸漬させると、0.49g程度のモノマーが付着する。この付着量は、3.4×10-3mol程度である。したがって、酸化剤とモノマーの付着量のモル比は、4.4×10-4:3.4×10-3=1:7.7となる。このように、上記酸化剤溶液とモノマー溶液の濃度を設定することにより、多孔質焼結体1の誘電体層2に付着する酸化剤とモノマーとのモル比を、1:0.5〜1:15とする。実際に付着する酸化剤およびモノマーの量は、あらかじめ各工程ごとに多孔質焼結体1の重量を測定しておくことにより、正確に把握することができる。
次に、多孔質焼結体1の外表面に固体電解質層4の残りの部分を形成する。この場合も、上述したように、上記酸化剤溶液および上記モノマー溶液の濃度を、酸化剤およびモノマーの付着量のモル比が1:0.5〜1:15となるように設定しておく。たとえば、酸化剤溶液として0.6mol/lの濃度に調製されたパラトルエンスルホン酸鉄溶液を用い、モノマー溶液として9mol/lの濃度に調製されたEDOT溶液を用いて、上述した浸漬および乾燥による化学重合処理を行う。そして、これらの酸化剤溶液およびモノマー溶液を用いた化学重合処理、メタノールを用いた洗浄処理、および再化成処理を、たとえば8回繰り返す。これにより、固体電解質層4のうち多孔質焼結体1の外表面を覆う部分を形成することができる。
この後は、固体電解質層4の表面にグラファイト層および銀ペースト層を積層させることにより、導電体層5を形成する。次いで、導通部材61、陽極端子6A、および陰極端子6Bを取り付ける。そして、たとえばエポキシ樹脂を用いたモールド成形によって樹脂パッケージ7を形成する。以上の工程を経ることにより、固体電解コンデンサAが得られる。
次に、上記実施形態の固体電解コンデンサの製造方法の作用について説明する。
上述した製造方法によって形成した固体電解コンデンサAの上記製造方法で製造した実施例と比較例の特性を、表1に示す。実施例に対する比較例の相違点は、固体電解質層4のうち多孔質焼結体1の細孔内を埋める部分を形成するための化成処理において、酸化剤溶液として0.4mol/lの濃度に調製されたパラトルエンスルホン酸鉄溶液を用い、モノマー溶液として0.4mol/lの濃度に調製されたEDOT溶液を用いた点である。この場合、酸化剤とモノマーとの付着量のモル比は、5:1となった。これ以外の条件は、実施例と同様である。実施例と比較例とについて、製造直後およびリフローの手法による面実装後のそれぞれにおいて各特性値を測定した。それぞれの測定値は、サンプル数n=10の平均値である。
まず、実施例においては、固体電解質層4における残留鉄濃度が36ppmに抑えられている。これは、比較例における残留鉄濃度が210ppmであることと比較すると、顕著に小さい値である。この理由は、比較例を製造するときに、酸化剤とモノマーとの付着量のモル比を5:1とした工程があるのに対し、実施例を製造するときには、酸化剤とモノマーとの付着量のモル比を1:0.5〜1:15としたことによる。発明者らは、酸化剤とモノマーとの付着量のモル比を上述した範囲とすることにより、残留鉄濃度を、少なくとも200ppm以下とすることが可能であるということを見出したのである。上記モル比が1:15を超えると、固体電解質層4として適切に機能しうる程度の厚さに導電性ポリマーを生成することが困難となる。
残留鉄濃度の違いにより、製造直後の段階で実施例の絶縁破壊電圧は19.5Vと、比較例の絶縁耐圧である18.1Vよりも明らかに高い値となっている。そして、リフローの手法によって面実装を実施した後は、実施例の絶縁破壊電圧が18.8Vに留まっているのに対し、比較例の絶縁破壊電圧は、15.2Vにまで低下してしまっている。特に、今回製造した実施例の絶縁破壊電圧の最低値が16.0Vであるのに対し、比較例の絶縁破壊電圧の最低値は11.2Vとなっている。このように、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法によれば、固体電解質層4における残留鉄濃度を、顕著に低下させることが可能であり、たとえばリフローの手法による面実装などの高温環境に置かれたのちであっても絶縁破壊電圧の低下を適切に防止することができる。さらに、エタノールを用いた洗浄処理によれば、固体電解質層4に残留した3価の鉄イオンが水酸化鉄となることを防止することができる。これは、不要な鉄を固体電解質層4から除去するのに好適である。
絶縁破壊電圧の低下防止以外にも、実施例は比較例に対して、ESRが小さいものとなっている。この点についても、導電物質であるべき固体電解質層4に絶縁体である水酸化鉄が含まれる割合が少なくなっていることによる効果と考えられる。
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明で言う酸化剤溶液は、パラトルエンスルホン酸鉄溶液に限定されず、たとえばドデシルベンゼンスルホン酸鉄溶液を用いてもよい。また、モノマー溶液としては、EDOT溶液に限定されず、たとえばピロール溶液を用いてもよい。固体電解質層4を形成する手順として、多孔質焼結体1の細孔内を埋める部分と、多孔質焼結体1の外表面を覆う部分とを異なる条件で形成する構成に限定されず、酸化剤とモノマーとの付着量のモル比を上述した1:0.5〜1:15の範囲に設定すれば、たとえば固体電解質層4を単一の条件で形成してもよい。
A 固体電解コンデンサ
1 多孔質焼結体
2 陽極ワイヤ
3 誘電体層
4 固体電解質層
1 多孔質焼結体
2 陽極ワイヤ
3 誘電体層
4 固体電解質層
Claims (2)
- 弁作用金属からなる多孔質焼結体の表面に誘電体層を形成した後に、
化学重合反応を用いて上記誘電体層を覆う導電性高分子からなる固体電解質層を形成する工程を有する、固体電解コンデンサの製造方法であって、
上記固体電解質層を形成する工程においては、ドーパントを含む3価の鉄塩からなる酸化剤とモノマーとを、モル比が1:0.5〜1:15となるように上記誘電体層に付着させることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記固体電解質層を形成する工程の後に、アルコールを用いて上記固体電解質層を洗浄する、請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007130376A JP2008288310A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007130376A JP2008288310A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008288310A true JP2008288310A (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=40147769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007130376A Pending JP2008288310A (ja) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008288310A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199364A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-16 JP JP2007130376A patent/JP2008288310A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199364A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5461110B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP5884068B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4845699B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2009010238A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5933397B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ | |
JP4614269B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US9048024B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same | |
JP2016181692A (ja) | タンタル埋め込みマイクロチップ | |
US8513123B2 (en) | Method of manufacturing solid electrolytic capacitor | |
JP5020020B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2012069788A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2011216649A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4827195B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 | |
JP2007242932A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法および伝送線路素子の製造方法 | |
JP2007173454A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2008288310A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4398794B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4748726B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2008277344A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2007281268A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP5850658B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4863509B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5496708B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2007048936A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4637700B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |