JP5754179B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関する。

電子機器の高密度実装化、高周波化に伴って電子部品の一つである固体電解コンデンサは小型化と等価直列抵抗（以下ＥＳＲと示すことがある）低減の両立が求められている。

従来の固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜、固体電解質、および陰極層が表面に形成された弁作用金属基体が複数積み重ねられた積層体から構成されている。このような固体電解コンデンサは、例えば特許文献１に開示されている。

一方、固体電解質、陰極層は未形成で誘電体酸化皮膜のみ形成された弁作用金属基体が複数積み重ねられた積層体を作製し、積層体作製後に、積層体を構成する弁作用金属基体間の隙間および積層体の外表面を被覆するように固体電解質を形成する製造方法により、積層体を構成する弁作用金属基体間の隙間に陰極層を有さない固体電解コンデンサを製造することができる。このような固体電解コンデンサは、例えば特許文献２に開示されている。

特開２００４−８７８９３号公報 特許第４４５８４７０号公報

特許文献１の固体電解コンデンサは、積層体を構成する弁作用金属基体間に陰極層が形成されているため、小型化の妨げになるという問題があった。

また、特許文献２の固体電解コンデンサは、積層体を構成する弁作用金属基体間の隙間に陰極層を有さないため小型化が可能である。しかし、弁作用金属基体間の隙間には陰極層に比べて、導電率が十分高く無い固体電解質しか有していないため、弁作用金属基体間の隙間の導電率が不十分となり、固体電解コンデンサのＥＳＲが大きくなるという問題があった。

そこで本発明は、小型化やＥＳＲ低減が可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。

上記問題点を解決するために、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、互いに対向する第１の主面、第２の主面、およびそれらを連接する側面を有し、陽極引出部と陰極層形成部を有する弁作用金属基体を準備し、前記弁作用金属基体の複数を積み重ね、陽極引出部および／または陰極層形成部にて互いに接合する積層体形成工程であって、前記積層体形成工程は、前記積層体を構成する少なくとも１つ以上の弁作用金属基体の、第１の主面および／または第２の主面に、少なくとも陰極層形成領域を含み少なくとも一端が前記弁作用金属基体の陰極層形成部における側面に露出するように凹部を形成する凹部形成工程と、前記積層体を構成する弁作用金属基体の少なくとも陰極層形成部における第１の主面、第２の主面、および側面に誘電体酸化皮膜を形成する誘電体皮膜形成工程とを含み、前記弁作用金属基体の陰極層形成部における誘電体酸化皮膜を被覆するように、かつ前記弁作用金属基体にて挟まれた凹部を被覆するように固体電解質を形成する固体電解質形成工程と、前記固体電解質形成工程の後に、前記弁作用金属基体の陰極層形成部における、前記弁作用金属基体にて挟まれた凹部に導電体を配置する導電体配置工程を有することを特徴としている。

本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、積層体を形成した後に、積層体を構成する弁作用金属基体に対し、固体電解質の形成および導電体の配置を一括して行うことができ、製造工程を効率化できる。

また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、前記固体電解質形成工程は、前記積層体形成工程の後に実行されることを特徴としている。

本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、固体電解質形成工程を、積層体形成工程の後に実行することで、積層体を形成した後に、積層体を構成する弁作用金属基体に対し、固体電解質の形成および導電体の配置を一括して行うことができ、製造工程を効率化できる。

本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図、平面図、分解斜視図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサを示す断面図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法で、図２の続きを示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法で、図３の続きを示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法で、図６の続きを示す断面図である。

以下に、本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法について説明する。ここで、図１（Ａ）は、固体電解コンデンサ１１の外観を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、固体電解コンデンサ１１の外観を示す平面図であり、図１（Ｃ）は、固体電解コンデンサ１１の分解斜視図である。また、図２（Ａ）は、図１（Ｂ）の線Ｘ−Ｘに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）の線Ｙ−Ｙに沿う断面図であり、図２（Ｃ）は、図１（Ｂ）の線Ｚ−Ｚに沿う断面図である。

固体電解コンデンサ１１は、図１（Ｃ）に示すように、第１の主面１２、第２の主面１３、およびそれらを連接する側面１４を有し、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように絶縁層４により離間された陽極引出部２および陰極層形成部３を有している弁作用金属基体１と、４枚の弁作用金属基体が積み重ねられた積層体９を有している。

弁作用金属基体１は、例えば箔状、平板状の形態であり、材質としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム及びこれらの合金が挙げられる。また、幅及び厚さは、製造する固体電解コンデンサ１１のサイズや静電容量によって適宜選択される。

絶縁層４の構成材料は、例えばポリフェニルスルホン、ポリエーテルスルホン、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、低分子量ポリイミドや、それらの誘導体や前駆体等の絶縁性樹脂が挙げられる。特に低分子量ポリイミド、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂及びそれらの前駆体が好ましい。

また、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように弁作用金属基体１の第１の主面１２には、弁作用金属基体１の長手方向の両端面に相当する二つの側面１４に端部が露出するように凹部５が形成されている。

ここで、凹部５とは弁作用金属基体１の主面に対して窪んでおり、後述する導電体８を配置しうる領域を指す。

また、図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように弁作用金属基体１の第１の主面１２、第２の主面１３、および側面１４には、弁作用金属基体の酸化物からなる誘電体酸化皮膜６が形成されている。

また、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、４枚の弁作用金属基体１は、陽極引出部２および陰極層形成部３にて、接合部１０を介して電気的に接合されている。（図１（Ｃ）では接合部１０の表記を省略している）。

また、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように弁作用金属基体１の陰極層形成部３における誘電体酸化皮膜６の外表面を被覆するように固体電解質７が形成されている。具体的には、固体電解質７は、陰極層形成部３における弁作用金属基体１間の隙間、凹部５、および積層体９の外表面を被覆するように形成されている。

固体電解質７の材質は、例えば、チオフェン化合物、多環状スルフィド化合物、ピロール化合物、フラン化合物、アニリン化合物等を繰り返し単位として含む導電性高分子が挙げられる。

また、図１（Ｂ）、（Ｃ）、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように、弁作用金属基体１の第１の主面１２における陰極層形成部３に形成された凹部５には、導電体８が充填されている。

また、図１（Ａ）、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように、導電体８は、弁作用金属基体１の第１の主面１２における陰極層形成部３に形成された凹部５に配置されるとともに、積層体９の外表面に形成された固体電解質７を被覆するように形成されている。

導電体８とは、固体電解質７に対し導電率が高いものであり、例えば銀、銅、ニッケルを含有するペースト皮膜、金属めっき皮膜が挙げられる。

以上のような構造の固体電解コンデンサ１１では、陰極層に蓄積された電荷が、固体電解質７より導電率が高い導電体８を媒体として放出されるため、ＥＳＲを低減することができる。

また、導電体８は、弁作用金属基体１に形成された凹部５に形成されており、弁作用金属基体１の第１の主面１２から実質的に突出しておらず、この場合には、固体電解コンデンサ１１の小型化の妨げとなることが無い。

次に固体電解コンデンサ１１の製造方法の一例を説明する。図３〜図５は、本発明に係る固体電解コンデンサ１１の製造方法を示す斜視図である。また、図６〜図７は、本発明に係る固体電解コンデンサ１１の製造方法を示す断面図である。図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ図３（Ｃ）の線Ａ−Ａ、図４（Ａ）の線Ｂ−Ｂ、図４（Ｂ）の線Ｃ１−Ｃ１およびＣ２−Ｃ２に沿う断面図である。また、図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ図４（Ｃ）の線Ｄ−Ｄ、図５（Ａ）の線Ｅ−Ｅ、図５（Ｃ）の線Ｆ−Ｆに沿う断面図である。以下では、図３〜図５に基づいて説明し、適宜図６〜図７を参照する。

まず、図３（Ａ）に示すように、互いに対向する第１の主面１２、第２の主面１３、およびそれらを連接する側面１４を有する箔状の弁作用金属基体１を準備する。

そして、弁作用金属基体１の長辺の一端から任意の長さの領域であって陽極端子となる領域を陽極引出部２、他端から任意の長さの領域であって容量形成部となる領域を陰極層形成部３と定義した。なお、陽極引出部２および陰極層形成部３の大きさは、固体電解コンデンサの所望の静電容量に応じて適宜設定すれば良い。

ここで、弁作用金属基体１の陰極層形成部３における表面は粗面化しておくことが好ましい。このようにすることで、固体電解コンデンサ１１の静電容量をより大きくすることができる。

次に、図３（Ｂ）に示すように、弁作用金属基体１の第１の主面１２に、弁作用金属基体１の長手方向の両端面に相当する二つの側面１４に露出し、弁作用金属基体１の長辺と略平行になるように凹部５を形成する。

凹部５は、プレス、スクライブ、レーザー加工などによって形成することができ、幅０．５〜２．５ｍｍ、深さ１０〜２５μｍであることが好ましい。

次に、図３（Ｃ）に示すように、弁作用金属基体１の第１の主面１２、第２の主面１３、および側面１４の表面に誘電体酸化皮膜６を形成する（図６（Ａ）参照）。

誘電体酸化皮膜６の形成方法は、例えば弁作用金属基体１を、リン酸、ホウ酸、アジピン酸等の電解液に浸漬し通電する陽極酸化法が挙げられる。

次に、図４（Ａ）に示すように、弁作用金属基体１の第１の主面１２、第２の主面１３、および側面１４に、陽極引出部２および陰極層形成部３を区分するための、帯状の絶縁層４を形成する（図６（Ｂ）参照）。

絶縁層４の形成方法は、例えば弁作用金属基体１の第１の主面１２および第２の主面に、ポリフェニルスルホン、ポリエーテルスルホン、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、低分子量ポリイミドや、それらの誘導体や前駆体等の絶縁性樹脂を、弁作用金属基体１の第１の主面１２、第２の主面１３、および側面１４に帯状に塗布した後に硬化させることが挙げられる。

次に、図４（Ｂ）に示すように、弁作用金属基体１を４枚積み重ね、弁作用金属基体１の陽極引出部２および陰極層形成部３の所定の領域にて、接合部１０によって互いに接合することにより積層体９を形成する（図６（Ｃ）参照）。なお、図４（Ｂ）における、線Ｃ１に沿う断面図とＣ２に沿う断面図は同じ態様となる。また、図４（Ｂ）では接合部１０の表記を省略している。

弁作用金属基体１同士の接合は、例えば、所定の領域にて抵抗溶接やレーザー溶接を行い、弁作用金属基体１を溶融させる。これにより、隣接する弁作用金属基体１に由来する溶融金属同士が直接接触し、表面張力などにより一体化し、その後、溶融金属が一体化した状態で固化させることによって行うことができる。

次に、積層体９を構成する弁作用金属基体１の陰極層形成領域３を、チオフェン化合物、多環状スルフィド化合物、ピロール化合物、フラン化合物、アニリン化合物等のモノマー溶液に浸漬した後に、酸化剤とドーパントの混合溶液に浸漬する操作を繰り返す。この操作によって、図４（Ｃ）に示すように、積層体９を構成する弁作用金属基体１における陰極層形成部３における誘電体酸化皮膜６の表面を被覆（すなわち、陰極層形成部３における弁作用金属基体１間の隙間および凹部５を充填し、積層体９の外表面を被覆）するように半硬化状態の固体電解質７Ｈが形成される。（図７（Ａ）参照）。

ここで、弁作用金属基体１間の隙間は、表面が粗面化されている弁作用金属基体を用いている場合、単に弁作用金属基体１同士を重ね合わせるだけで、自然に形成される。

次に、図５（Ａ）に示すように、凹部５に、後述する導電体８を配置する領域を確保するために、凹部５に充填されている半硬化状態の固体電解質７Ｈの一部を除去する（図７（Ｂ）参照）。ここで、凹部５に充填されている半硬化状態の固体電解質７Ｈは、後述する固体電解質７が、凹部５において、凹部５の容積に対し２０〜７０％の体積となるように除去することが好ましい。

半硬化状態の固体電解質７Ｈの一部を除去する方法として、例えば、弁作用金属基体１の陰極層形成部３側の側面１４に露出している凹部５の端部から、流体（洗浄液、不活性気体等）１４を注入し、半硬化状態の固体電解質７Ｈを押し出すことが挙げられる。このとき、絶縁層４の形成厚みが、陰極層形成部３に残留させる半硬化状態の固体電解質７Ｈの厚み以下となるように形成されていれば、流体に押し出される半硬化状態の固体電解質７Ｈは、弁作用金属基体１の陽極引出部側の側面１４に露出している凹部５の端部より、積層体９の外部へ排出することができる。

また、弁作用金属基体１の陽極引出部に半硬化状態の固体電解質７Ｈが残留しないように、半硬化状態の固体電解質７Ｈの一部を除去した後に、弁作用金属基体１の陽極引出部を洗浄することが好ましい。

次に、半硬化状態の固体電解質７Ｈを乾燥して、図５（Ｂ）に示すように固体電解質７を形成する。

次に、図５（Ｃ）に示すように、導電体８を、凹部５に配置するとともに積層体９の外表面に形成された固体電解質７を被覆するように形成する（図７（Ｃ）参照）。導電体８の凹部５への配置および積層体９の外表面への形成は、積層体９における固体電解質１１が形成されている領域を、銀、銅、ニッケル等を含有するペースト溶液に浸漬することにより、ペースト溶液を凹部５へ浸透させるとともに積層体外部に塗布し、その後、ペースト溶液を乾燥することによって行える。

以上のように、積層体を形成した後に、積層体を構成する弁作用金属基体に対し、固体電解質の形成および導電体の配置を一括して行うことにより、製造工程を効率化できる。

なお、導電体８は固体電解コンデンサ１１の陰極として機能するため、弁作用金属基体１の陽極引出部２には形成されないようにする必要がある。

以上の工程で、固体電解コンデンサ１１が作製される。

なお、以上の工程を経た後に弁作用金属基体１の陽極引出部に形成された誘電体酸化皮膜を除去した後に陽極外部端子を接続し、積層体９の外表面に形成された導電体８に陰極外部端子を接続し、その後、陽極外部端子および陰極外部端子の一部が露出した状態で、積層体９をエポキシ樹脂等の絶縁樹脂で封入しても良い。

なお、上記実施形態に示した固体電解コンデンサ及びその製造方法は一例であって、これ以外にも本発明の範囲内であれば種々の変形を行うことは差し支えない。

弁作用金属基体の第１の主面には複数の凹部が形成されていても良く、また、第１の主面および第２の主面の双方に形成されていても良い。

弁作用金属基体の剛性を妨げない範囲で、凹部の形成数および陰極層形成部の側面における露出部の面積を多くすることにより、積層体に占める導電体の形成量および導電体の引出部が多くなり、ＥＳＲを更に低減することができる。

また、弁作用金属基体の第１の主面や第２の主面における凹部の形成位置は、一端が弁作用金属基体の陰極層形成部における側面に露出している限り特に限定されず、上記実施形態に示すような、弁作用金属基体の長辺と略平行な位置関係に限定されるものではない。

また、弁作用金属基体の主面から投影した凹部の形状は、上記実施形態のように矩形であるものに限定されず、曲線部を含むような形状であっても良い。

また、凹部の断面形状は、導電体を配置しうる形状であれば特に限定されない。

また、積層体を構成する弁作用金属基体の全てに凹部が形成されている必要はなく、凹部が形成されている弁作用金属基体および凹部が形成されていない弁作用金属基体を併用して積層体を作製してもよい。

また、積層体を構成する弁作用金属基体の枚数や凹部が形成されている弁作用金属基体および凹部が形成されていない弁作用金属基体の構成比率は、固体電解コンデンサに求められる特性に応じて適宜設定することができる。

積層体を作製する際の、弁作用金属基体同士の接合位置、接合数は特に上記実施形態の接合形態に限定されるものではなく、例えば陽極引出部と陰極層形成部の一方のみに設けるようにしても良い。

また、誘電体酸化皮膜の形成は、積層体を形成した後に行っても良い。このようにすることで、弁作用金属基体同士を接合する際に、誘電体酸化皮膜を介さないため、弁作用金属基体間をより安定して接合することができる。

また、固体電解質の形成は、電解重合や導電性高分子化合物の溶解液を塗布する方法により行っても良い。電解重合で固体電解質の形成を行う場合には、凹部
における固体電解質が所望の体積まで形成した段階で形成を停止することができるため、上記実施形態で示した、凹部における半硬化状態の固体電解質の一部を除去する操作を省略することができる。

次に本発明に係る実施例を示す。この実施例は、上記発明の実施形態に沿ったものであり、適宜図１〜図７を参照して説明する。

幅３．５ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を４枚準備した。そして、アルミニウム箔の長辺の一端から６．２ｍｍの領域を陽極引出部と定義し、他端から６ｍｍの領域を陰極層形成部と定義した。

次に、このアルミニウム箔の一方主面から見て、短辺を２等分する線分を中心として幅１ｍｍ、深さ２０μｍの凹部を、端部がアルミニウム箔の長手方向の両端面に相当する側面に露出するように、レーザー加工によって形成した（図２（Ｂ）参照）。

次に、アルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬し、アルミニウム箔を正極側、アジピン酸アンモニウム溶液中に設置した対極を負極とし、３．５Ｖの電圧を印加することによって、アルミニウム箔の表面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。

次に、アルミニウム箔の陰極層形成部おける短辺から６．４ｍｍの位置を中心として、ポリイミド樹脂を、幅０．８ｍｍにて、アルミニウム箔の両主面、凹部内、および側面に塗布した。そして、１８０℃で１時間乾燥させることによってポリイミド樹脂硬化体からなる絶縁層を形成した。（図３（Ａ）参照）。

次に、凹部、酸化アルミニウム皮膜、および絶縁層が形成されたアルミニウム箔を４枚積み重ねて積層体を作製した。

そして、アルミニウム箔の主面からみて、陽極引出部および陰極層形成部の長辺を２等分する線分上において、長辺から０．５ｍｍおよび３．０ｍｍの位置を抵抗溶接により接合することによって積層体を作製した。

次に、積層体を構成するアルミニウム箔における陰極層形成部を、３,４−エチレンジオキシチオフェンを含むイソプロパノール溶液に浸漬した後に、過硫酸アンモニウムとアントラキノン２スルホン酸ナトリウムの混合溶液に浸漬する操作を２０回繰り返す。この操作によって、積層体を構成するアルミニウム箔における陰極層形成部に半硬化状態のポリエチレンジオキシチオフェンが形成される。

次に、凹部を充填するように形成された半硬化状態のポリエチレンジオキシチオフェンに対しエアーを噴射し、後述するポリエチレンジオキシチオフェンが凹部の容積に対し２０％残留するように除去した。

次に、半硬化状態のポリエチレンジオキシチオフェンが塗布された積層体をオーブン中にて乾燥することにより重合反応を進行させ、ポリエチレンジオキシチオフェンを形成した。

次に、積層体におけるポリエチレンジオキシチオフェンが形成された領域を、銅ペースト溶液に浸漬し、乾燥することによって、銅ペースト皮膜を、凹部に配置するとともに積層体の外表面を被覆するように銅ペースト皮膜を形成した。

次に、アルミニウム箔の陽極引出部に陽極リードフレームを、積層体の外表面に形成された銅ペースト皮膜に陰極リードフレームを接続した。その後、リードフレームの一部が露出し、外形寸法７．３×４．３×１．９ｍｍとなるようにエポキシ樹脂で封止することによって固体電解コンデンサを作製した。この固体電解コンデンサの体積、静電容量、体積容量効率、ＥＳＲを測定した結果を表１に示す。
（比較例１）
凹部が形成されていないアルミニウム箔を用いて、積層体を構成するアルミニウム箔間に銅ペースト皮膜を設けないようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。この固体電解コンデンサの体積、静電容量、体積容量効率、ＥＳＲを測定した結果を表１に示す。
（比較例２）
凹部が形成されていないアルミニウム箔を準備して、アルミニウム箔の表面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。そして、アルミニウム箔の陰極層形成部に、ポリエチレンジオキシチオフェン、カーボン含有層、銀含有層を形成した後に、４枚のアルミニウム箔の陽極引出部同士を接合して積層体を作製した。

次に、アルミニウム箔の陽極引出部およびアルミニウム箔の陰極層形成部に形成された銀含有層にリードフレームを接続し、その後、リードフレームの一部が露出し、外形寸法７．３×４．３×１．９ｍｍとなるようにエポキシ樹脂で封止することによって固体電解コンデンサを作製した。

なお、アルミニウム箔の陰極層形成部へのカーボン含有層および銀含有層の形成は、酸化アルミニウム皮膜およびポリエチレンジオキシチオフェンが形成されたアルミニウム箔を、カーボンペースト溶液、銀ペースト溶液の順に浸漬して乾燥することによって行った。また、これら以外の構成は、実施例１と同様とした。

この固体電解コンデンサの体積、静電容量、体積容量効率、ＥＳＲを測定した結果を表１に示す。

表１に示すように、本発明に係る実施例の固体電解コンデンサは、比較例１の固体電解コンデンサに対し、ＥＳＲを低減することができ、比較例２の固体電解コンデンサに対し体積容量効率を向上すなわち小型化することができた。

１ 弁作用金属基体
２ 陽極引出部
３ 陰極層形成部
４ 絶縁層
５ 凹部
６ 誘電体酸化皮膜
７ 固体電解質
７Ｈ 半硬化状態の固体電解質
８ 導電体
９ 積層体
１０ 接合部
１１ 固体電解コンデンサ
１２ 第１の主面
１３ 第２の主面
１４ 側面

Claims (2)

1. 互いに対向する第１の主面、第２の主面、およびそれらを連接する側面を有し、陽極引出部と陰極層形成部を有する弁作用金属基体を準備し、
   前記弁作用金属基体の複数を積み重ね、陽極引出部および／または陰極層形成部にて互いに接合する積層体形成工程であって、
   前記積層体形成工程は、前記積層体を構成する少なくとも１つ以上の弁作用金属基体の、第１の主面および／または第２の主面に、少なくとも陰極層形成領域を含み少なくとも一端が前記弁作用金属基体の陰極層形成部における側面に露出するように凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記積層体を構成する弁作用金属基体の少なくとも陰極層形成部における第１の主面、第２の主面、および側面に誘電体酸化皮膜を形成する誘電体皮膜形成工程とを含み、
   前記弁作用金属基体の陰極層形成部における誘電体酸化皮膜を被覆するように、かつ前記弁作用金属基体にて挟まれた凹部を被覆するように固体電解質を形成する固体電解質形成工程と、
   前記固体電解質形成工程の後に、前記弁作用金属基体の陰極層形成部における、前記弁作用金属基体にて挟まれた凹部に導電体を配置する導電体配置工程を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
2. 前記固体電解質形成工程は、前記積層体形成工程の後に実行されることを特徴とする、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

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