KR20060058719A - 칩형상 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 측의 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분과 캐소드 부분의 일부분을 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 접속시키고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면을 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서를 외장-몰딩함으로써 얻어진 큰 용량 및 낮은 등가 직렬 저항(ESR)을 갖는 칩형상 고체 전해 콘덴서; 상기 콘덴서의 제조방법 및 상기 콘덴서를 사용한 전자 기기에 관한 것이다.
Description
본 발명은 단위 체적당 큰 용량 및 낮은 등가 직렬 저항(ESR) 등의 우수한 특성을 갖는 칩형상 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
개인용 컴퓨터 등에 사용되는 중앙 처리 장치(CPU)의 주변의 콘덴서는 전압의 변동을 억제시키고, 높은 리플 전류(ripple current) 통과시에 열발생을 감소시키기 위해, 고용량 및 낮은 ESR을 갖는 것이 요구된다. 이와 같은 콘덴서로서, 칩형상 알루미늄 고체 전해 콘덴서 및 칩형상 탄탈 고체 전해 콘덴서가 알려져 있다.
상기 칩형상 고체 전해 콘덴서는 표면층에 미세공을 갖는 밸브 작용 금속박, 내부에 미세공을 갖는 소결체를 포함하는 애노드(anode) 기판 또는 금속선이 접속되어 있는 상기 소결체를 포함하는 애노드 기판의 한쪽 끝에 상기 애노드 부분을 제외한 표면 상에 유전체 산화막층, 반도체층 및 도전체층을 순차적으로 적층시켜 캐소드(cathode) 부분을 형성하는 고체 전해 콘덴서 소자를 제조하고, 상기 애노드 부분의 일부 및 상기 캐소드 부분의 일부를 각각 애노드 단자 및 캐소드 단자에 연결시키고, 상기 애노드 및 캐소드 단자 모두의 일부의 외부로 부분적으로 남겨둔 채, 상기 콘덴서 소자를 외장(jacket)으로 몰딩함으로써 제작된다.
최근, 이와 같은 고체 전해 콘덴서의 ESR값을 더욱 감소시키고, 용량을 증가시키기 위해, 칩형상 고체 전해 콘덴서의 하부면에 애노드 및 캐소드 단자를 위치시키고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 하부면만 외부로 남겨둔 채, 외장으로 상기 콘덴서를 몰딩하는 기술이 알려져 있다. 상기 애노드 및 캐소드 단자가 외장 몰드체의 하부면에 위치되는 경우, 상기 외장 몰드체에 완전히 애노드 기판을 설치함으로써 상기 용량이 증가될 수 있고, 상기 애노드 및 캐소드 단자로부터 콘덴서 소자의 애노드 부분 및 캐소드 부분까지의 거리를 최소화시킴으로써 낮은 ESR이 달성될 수 있다.
예컨대, 도 3의 개략도(사시도)에 나타낸 바와 같이, 일반적으로 알려진 칩형상 고체 전해 콘덴서는, 고체 전해 콘덴서 소자(1)의 캐소드 부분(3)이 유전체 산화막층의 표면상에 형성된 밸브 작용 금속을 포함하는 소결체 상에 반도체층 및 도전체층을 순서대로 적층시킴으로써 형성되고, 상기 캐소드 부분의 일부분이 캐소드 단자(4)에 위치되고, 상기 소결체에 접속된 상기 애노드 리드(2)의 부분(애노드부분)이 애노드 단자(5)에 위치되고, 각각의 부분이 전기적 및 기계적으로 접속되며, 전체는 상기 애노드 및 캐소드 단자(4a, 5a)의 각각의 하부면만을 외부로 남겨 둔 채, 외장 수지로 밀봉하여 외장을 형성하는 구조를 갖는다(JP-A-2003-68576호 공보 참조(여기서, "JP-A"는, "미심사 공개된 일본 특허 출원"을 의미한다))(도 3에 있어서, 명확한 이해를 위해, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각은 크기를 과장하여 묘사된다). 또한, JP-A-8-148386호 공보는 기판의 상부 및 하부면에 설치된 전극면을 이용한 하부면 전극을 기재하고 있다.
JP-A-2003-68576호 공보의 방법에 있어서, 상기 콘덴서 소자의 캐소드층의 전체 하부면은 캐소드 단자에 접속되어 있지 않고, 따라서, 상기 ESR값은 감소될 수 없다. 또한, JP-A-8-148386호 공보의 방법에 있어서, 상기 기판의 상부면에서 하부면까지 가로지르는 도전성 부재가 필수적이고, 이는 낮은 ESR값이 달성될 수 없을 뿐만 아니라, 상기 기판의 두꺼운 두께 때문에 적당한 비율로 상기 콘덴서 소자의 크기가 감소되어 용량이 증가될 수 없으므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 ESR이 더욱 개선되고, 용량이 더욱 증가된 칩형상 고체 전해 콘덴서가 요구되고 있다.
이와 같은 요구를 만족시키기 위해, 예의 검토한 결과, 본 발명자들은 단자의 형상을 개선시킴으로써 이들 문제를 해결할 수 있다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 발견에 기초하여 달성된다.
즉, 본 발명은 칩형상 고체 전해 콘덴서, 그것의 제조방법 및 상기 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용한 전자 기기에 관한 것이고, 이하에 기재된다.
1. 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분과 캐소드 부분의 일부분이 각각 애노드 단자 및 캐소드 단자에 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부와 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자를 외장-몰딩함으로써 얻어진 칩형상 고체 전해 콘덴서에 있어서, 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
2. 상기 1에 있어서, 상기 캐소드 단자의 하부면 부분 및 애노드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
3. 상기 1 또는 2에 있어서, 상기 콘덴서 소자는 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물의 소결체를 포함하는 애노드 기판의 표면상에 유전체 산화막층, 반도체층 및 도전체층을 순차적으로 적층시킴으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
4. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, 상기 애노드 부분은 상기 애노드 기판의 말단을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서, 상기 애노드 부분은 상기 소결체에 접속된 금속선 또는 금속박을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
6. 상기 5에 있어서, 상기 금속선은 탄탈, 니오브, 알루미늄, 티탄, 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금, 및 부분적으로 산화 및/또는 질화된 이들 금속 및 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
7. 상기 1 내지 6 중 어느 하나에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각에 대한 재료는 철, 구리, 알루미늄 및 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자는 땝납, 주석 및 티탄으로부터 선택된 도금이 일부분 또는 전체적으로 실시되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
9. 상기 7 또는 8에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각은 재료가 다른 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
10. 상기 3에 있어서, 상기 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물은 탄탈, 알루미늄, 니오브, 티탄, 이와 같은 밸브 작용 금속을 주로 포함하는 합금 또는 산화 니오브, 또는 상기 밸브 작용 금속, 합금 및 도전성 산화물로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
11. 상기 10에 있어서, 상기 밸브 작용 금속, 합금 또는 도전성 화합물의 일부분은 탄화, 인화, 붕소화, 질화 및 황화로부터 선택되는 하나 이상의 처리가 실시되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
12. 상기 3에 있어서, 상기 소결체는 화학적으로 및/또는 전기적으로 에칭된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
13. 상기 1 내지 12 중 어느 하나에 있어서, 상기 애노드 부분과 상기 애노드 기판의 애노드 부분을 제외한 부분간의 경계는 절연성 수지에 의해 절연되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
14. 상기 3에 있어서, 상기 유전체 산화물층은 Ta2O5, Al2O3, TiO2 및 Nb2O5로부터 선택되는 1종 이상을 주로 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
15. 상기 3에 있어서, 상기 반도체층은 유기 반도체층 및 무기 반도체층으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
16. 상기 15에 있어서, 상기 유기 반도체는 벤조피롤린 테트라머 및 클로라닐을 포함하는 유기 반도체, 테트라티오테트라센을 주로 포함하는 유기 반도체, 테트라시아노퀴노디메탄을 주로 포함하는 유기 반도체 및 도펀트를 하기 일반식(1) 또는 (2)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 폴리머에 도핑함으로써 얻어지는 도전성 폴리머를 주로 포함하는 유기 반도체로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
(여기서, R1~R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 또는 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기를 나타내고, X는 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, R5는 X가 질소 원자인 경우에만 존재하고, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내며, R1과 R2, 및 R3과 R4는 각각 서로 결합하여 고리 구조를 형성해도 좋다.)
17. 상기 16에 있어서, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 도전성 폴리머는 반복단위로서 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 구조 단위를 함유하는 도전성 폴리머인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
(여기서, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 직쇄상이나 분기상, 포화나 불포화 알킬기 또는 상기 알킬기가 임의의 위치에서 서로 결합하는 경우, 2개의 산소 원자를 함유하는 하나 이상의 5-, 6- 또는 7-원 포화 탄화수소 고리 구조를 형성하기 위한 치환기를 나타내고, 상기 고리상 구조는 치환되어도 좋은 비닐렌 결합 및 치환되어도 좋은 페닐렌 구조를 갖는 구조가 포함된다.)
18. 상기 17에 있어서, 상기 도전성 폴리머는 폴리아닐린, 폴리옥시페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리메틸피롤 및 그들의 치환 유도체 및 코폴리머로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
19. 상기 18에 있어서, 상기 도전성 폴리머는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
20. 상기 15에 있어서, 상기 무기 반도체는 이산화몰리브덴, 이산화텅스텐, 이산화납 및 이산화망간으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
21. 상기 3에 있어서, 상기 반도체의 전기 전도도는 10-2~103S/cm인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
22. 콘덴서 소자의 애노드 부분 및 캐소드 부분이 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자가 외장으로 몰드되고, 상기 콘덴서 소자에 대한 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에 있어서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 칩형상 고체 전해 콘덴서를 제조하는 방법으로써, 상기 애노드 단자의 일부분 및 상기 캐소드 단자의 일부분을 가공한 한 쌍의 하부면 부분을 갖는 리드 프레임을 사용하는 공정; 및
상기 캐소드 단자에 상응하는 리드 프레임 상에 상기 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 큰 면적을 갖는 애노드 및 캐소드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
23. 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분 및 캐소드 부분의 일부분이 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자가 외장으로 몰드되고, 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에 있어서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 크고, 외장 몰드되지 않은 상기 캐소드 단자 및 애노드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 크기를 갖는 칩형상 고체 전해 콘덴서를 제조하는 방법으로써,
상기 애노드 단자의 일부분 및 상기 캐소드 단자의 일부분을 가공한 거의 동일한 하부면 부분을 갖는 리드 프레임쌍을 사용하는 공정;
상기 캐소드 단자에 상응하는 리드 프레임상에 상기 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 큰 영역을 갖는 애노드 및 캐소드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정; 및
상기 애노드 단자에 상응하는 리드 프레임상에 콘덴서 소자의 애노드 부분에 접속된 애노드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
24. 상기 1 내지 21 중 어느 하나에 기재된 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
25. 상기 1 내지 21 중 어느 하나에 기재된 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
본 발명의 칩형상 고체 전해 콘덴서의 하나의 실시형태는 도면을 참조하여 이하에 기재된다.
도 1은, 본 발명의 칩형상 고체 전해 콘덴서의 하나의 실시예를 나타내는 개략도(사시도)이고, 도 2(A)는 도 1의 평면 단면도이고, 도 2(B)는 측면 단면도이다(도 1 및 2에 있어서, 애노드 및 캐소드 단자 모두의 부분을 크기를 과장하여 묘사한다). 본 실시예의 칩형상 고체 전해 콘덴서는 고체 전해 콘덴서 소자(1)의 캐소드 부분(3)이 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물을 포함하고, 애노드 리드(2)와 접속되어 있는 애노드 기판의 표면 상에, 유전체 산화물층, 반도체층 및 도전체층을 순서대로 적층시킴으로써 형성하고, 상기 캐소드 부분의 일부분이 캐소드 단자(4)에 위치되고, 상기 애노드 부분의 리드(2)의 일부분이 애노드 단자(5)에 위치되고, 각각의 부분은 전기적으로 및 기계적으로 접속된 후, 상기 콘덴서 소자는 애노드 및 캐소드 단자 모두의 하부면(4a, 4b) 및 측면(4c)을 외부로 남겨둔 채, 수지 몰딩으로 외장(6)되는 구조를 갖는다.
본 발명에 사용되는 콘덴서 소자는 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물을 포함하는 애노드 기판을 기초로 제조된다.
상기 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물의 예로는 탄탈, 알루미늄, 니오브, 티탄, 이와 같은 밸브 작용 금속을 주로 포함하는 합금 또는 산화 니오브 및 상기 밸브 작용 금속, 합금 및 도전성 산화물로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물이 포함된다. 상기 밸브 작용 금속, 합금, 도전성 화합물 등은 그것의 일부분을 탄화, 인화, 붕소화, 질화 및 황화로부터 선택되는 적어도 하나의 처리가 실시된 후에 사용되어도 좋다.
본 발명에 사용되는 애노드 기판은 상기 표면층에 미세공을 갖는 밸브 작용 금속박 또는 시트, 또는 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물의 분말을 성형한 후, 상기 성형품을 소결함으로써 얻어지는 소결체이다. 소결체인 경우, 상기 소결체의 표면적은 성형 압력 및 소결 조건(온도 및 시간)을 적절히 선택함으로써 달라질 수 있다. 상기 소결 후, 상기 소결체 표면은 화학적으로 및/또는 전기적으로 에칭되어 상기 소결체의 표면적은 더욱 증가되어도 좋다.
본 발명에 있어서, 상기 애노드 기판의 일부분이 애노드 부분으로서 사용된다. 상기 애노드 기판의 말단은 상기 애노드 부분으로 할당되어도 좋고, 또는 도 1에 나타낸 바와 같이, 금속선(2) 또는 금속박(도시하지 않음)이 상기 애노드 기판의 일부분에 접속되어 상기 애노드 부분으로서 사용되어도 좋다. 상기 금속선(또는 금속박)은 상기 소결체가 제조된 후에 접속되어도 좋고, 또는 상기 금속선(또한, 금속박)의 일부분이 상기 소결체의 제조전에 몰딩시에 매설된 후, 소결됨으로써 접속되어도 좋다. 상기 금속선(또는 금속박)의 종류의 예로는 탄탈, 니오브, 알루미늄, 티탄, 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금 및 부분적으로 산화 및/또는 질화된 이들 금속 및 합금이 포함된다. 상기 금속선의 직경은 1mm 이하가 일반적이고, 금속박의 경우에는 그 두께가 1mm 이하가 일반적이다. 후술의 반도체층이 상기 애노드 부분이 되는 곳에 부착되어 상기 콘덴서가 단락되는 것을 방지하기 위해, 상기 애노드 기판의 애노드 부분 및 남은 부분을 상기 반도체층을 형성하기 전에 그들의 경계에 헤어 밴드와 같은 절연 수지를 부착시킴으로써 절연되어도 좋다.
본 발명에서의 애노드 부분을 제외한 애노드 기판 표면의 전부 또는 일부분에 형성되는 유전체 산화막층의 예로는, Ta2O5, Al2O3, TiO2 및 Nb2O5 등의 산화 금속으로부터 선택되는 적어도 1종을 주로 포함하는 유전체층이 포함된다. 상기 유전체층은 전해액 중에서 애노드 기판을 전기화학적으로 형성함으로써 얻어질 수 있다. 또한, 세라믹 콘덴서에 사용되는 유전체층 및 산화 금속으로부터 선택되는 적어도 1종을 주로 포함하는 유전체층을 혼합함으로써 얻어진 유전체층이 사용되어도 좋다(WO00/75943호).
본 발명의 유전체층상에 형성되는 반도체층의 대표예로는 유기 반도체 및 무기 반도체로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물이 포함된다. 상기 유기 반도체의 구체예로는 벤조피롤린 테트라머 및 클로라닐을 포함하는 유기 반도체, 테트라티오테트라센을 주로 포함하는 유기 반도체, 테트라시아노퀴노디메탄을 주로 포함하는 유기 반도체 및 도펀트를 하기 일반식(1) 또는 (2)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 폴리머에 도핑시킴으로써 얻어진 도전성 폴리머를 주로 포함하는 유기 반도체가 포함된다.
여기서, R1~R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 또는 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기를 나타내고, X는 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, R5는 X가 질소 원자인 경우에만 존재하고, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내며, R1과 R2, 및 R3과 R4는 각각 서로 결합하여 고리 구조를 형성해도 좋다.
일반식(1)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 도전성 폴리머의 바람직한 예로는 반복단위로서 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 구조 단위를 함유하는 도전성 폴리머가 포함된다.
여기서, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 직쇄상이나 분기상, 포화나 불포화 알킬기 또는 상기 알킬기가 임의의 위치에서 서로 결합하는 경우, 2개의 산소 원자를 함유하는 하나 이상의 5-, 6- 또는 7-원 포화 탄화수소 고리 구조를 형성하기 위한 치환기를 나타낸다. 상기 고리상 구조는 치환되어도 좋은 비닐렌 결합 및 치환되어도 좋은 페닐렌 구조를 갖는 구조가 포함된다.
이와 같은 화학 구조를 함유하는 도전성 폴리머는 하전되고, 도펀트가 도프된다. 상기 도펀트로서, 공지의 도펀트를 제한없이 사용할 수 있다.
일반식(1), (2) 또는 (3)으로 나타내어진 반복 단위를 함유하는 폴리머의 예로는, 폴리아닐린, 폴리옥시페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리메틸피롤 및 그들의 치환 유도체 및 코폴리머가 포함된다. 이들 중, 폴리피롤, 폴리티오펜 및 그들의 치환 유도체(예컨대, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))가 바람직하다.
상기 무기성 반도체의 구체예로는 이산화 몰리브덴, 이산화 텅스텐, 이산화 납 및 이산화 망간 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물이 포함된다.
사용되는 유기 또는 무기 반도체가 10-2~103S/cm의 전도도를 갖는 경우, 제조되는 콘덴서는 작은 ESR값을 가질 수 있으므로 바람직하다.
상기 반도체층을 형성하는 방법으로서, 전해 중합을 사용한 방법(JP-A-60-37114호 참조), 산화제로 처리된 애노드 기판의 전해 중합을 사용한 방법(일본특허 제 2,054,506호 참조) 및 화학 증착을 사용한 방법(일본특허 제 2,044,334호 참조) 등의 통상의 방법이 사용되어도 좋다.
본 발명에 있어서, 상술한 방법 등에 의해 형성되는 반도체층상에 도전체층이 형성된다. 상기 도전체층은, 예컨대, 도전 페이스트의 고화, 도금, 금속의 증착, 또는 내열성 도전 수지막의 부착에 의해 형성될 수 있다.
상기 도전 페이스트의 바람직한 예로는, 은 페이스트, 구리 페이스트, 알루미늄 페이스트, 탄소 페이스트 및 니켈 페이스트가 포함되고, 이들은 독립적으로 또는 그들 중 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 2종 이상의 페이스트를 사용하는 경우, 상기 페이스트는 혼합되어도 좋고, 또는 개별적인 층으로서 중첩되어도 좋다.
상기 적용된 도전 페이스트가 대기 중에 방치되거나 또는 가열하에 고화된다. 상기 도전 페이스트는 금속 등의 도전 분말 및 수지를 주로 포함한다. 상기 경우에 따라서, 상기 수지를 용해하기 위한 용매 또는 수지용 경화제가 첨가되고, 상기 용매는 고화시에 소실된다.
상기 수지로서, 알킬드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 이미드 수지, 불소 수지, 에스테르 수지, 이미드아미드 수지, 아미드 수지 및 스티렌 수지 등의 공지의 각종 수지가 사용된다. 상기 도전 분말로서, 은, 구리, 알루미늄, 금, 탄소, 니켈 또는 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금, 상기 표면층상에 이와 같은 금속을 갖는 코팅된 분말, 및 이들의 혼합 분말로부터 선택된 적어도 1종이 사용된다. 상기 도전 분말의 함량은 40~97질량%가 일반적이다. 상기 함량이 40질량% 미만이면, 상기 도전 페이스트는 도전성이 작은 반면에, 97질량%를 초과하면, 상기 도전 페이스트가 접착 실패가 야기되므로 바람직하지 않다. 상기 반도체층을 형성하기 위해, 상기 도전성 폴리머 또는 산화 금속의 분말이 혼합된 후에, 상기 도전 페이스트가 사용되어도 좋다.
상기 도금의 예로는 니켈 도금, 구리 도금, 은 도금 및 알루미늄 도금이 포함된다. 상기 금속 증착의 예로는 알루미늄, 니켈, 구리 및 은이 포함된다.
구체적으로는, 예컨대, 상기 반도체층이 형성된 상기 애노드 기판상에 탄소 페이스트 및 은 페이스트를 순서대로 적층시킴으로써 도전체층이 형성된다.
상기 방법으로, 상기 애노드 기판상에 상기 도전체층까지 층을 적층시킴으로써 캐소드 부분이 형성된 고체 전해 콘덴서 소자가 제조된다.
상기 고체 전해 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분 및 캐소드 부분의 일부분이 후술의 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 연결된 후, 상기 콘덴서 소자는 각각의 단자의 하부면 또는 하부면 및 측면의 일부분 또는 전부를 외부로 남겨둔 채, 외장으로 밀봉함으로서, 칩형상 고체 전해 콘덴서가 제조된다.
본 발명에 있어서, 상기 캐소드 단자의 상부면(상기 콘덴서 소자와 실질적으로 접촉되는 면)이 상기 고체 전해 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면과 크기가 동일하거나, 또는 더 커야하고, 상기 애노드 및 캐소드 단자 모두의 하부면 부분이 거의 동일한 크기를 갖는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 "고체 전해 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면"이란, 캐소드층이 형성된 콘덴서 소자의 면 중에 캐소드 단자에 접속된 측의 전체면을 의미한다. 상기 캐소드 단자의 상부면의 크기를 상기 고체 전해 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 크게 함으로써, 제조된 고체 전해 콘덴서는 최소 ESR값을 가질 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 캐소드 단자의 상부면 및 하부면의 크기만이 변화되지만, JP-A-8-148386호 공보의 콘덴서와 같이 기판의 높이를 제한하는 여분의 재료(extra material)가 사용되지 않으므로, 칩형상 고체 전해 콘덴서의 외장에 둘러싸인 상기 콘덴서 소자의 높이 방향의 크기를 감소시킬 필요가 없어, 상기 콘덴서의 용량이 최대가 될 수 있다.
상부면 및 하부면간의 형태에 차이가 있는 캐소드 단자는 금속 재료를 가공함으로써 제조할 수 있지만, 다수의 칩형상 고체 전해 콘덴서를 동시에 제조하는 경우, 상기 애노드 및 캐소드 단자는 애노드 및 캐소드 단자의 반복 패턴을 포함하는 리드 프레임으로부터 일반적으로 제조되고, 외장 후, 소정 위치에서 절단되어 소망의 형상으로 된다. 따라서, 상기 절단을 용이하게 하기 위해, 소정 형상을 갖는 금속이 균일한 두께를 갖는 평평한 리드 프레임상에 적층되어 상기 리드 프레임이 애노드 및 캐소드 단자에 상응하는 부분에만 두꺼운 두께가 될 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임의 얇은 부분을 제조하기 위한 방법으로서, 압착에 의해 원하는 부분을 얇게 하는 방법이 사용되어도 좋다.
상기 애노드 및 캐소드 단자의 재료로서, 예컨대, 철, 구리, 알루미늄 또는 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금이 사용된다. 각각의 상기 애노드 및 캐소드 단자는 땜납, 주석, 티탄, 은, 금 등으로 부분적으로 또는 전부 도금되어도 좋다. 상기 각각의 애노드와 캐소드 단자 및 도금사이에는, 니켈 또는 구리 등의 프라이머 도금(primer plating)이 형성되어도 좋다. 또한, 오디오 기기에 대해 상기 제조된 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용하는 경우에 사운드 품질의 다양화에 대처하기 위해, 상기 애노드 및 캐소드 단자용으로 다른 재료가 사용되어도 좋다.
상기 애노드 및 캐소드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 크기로 제작되는 경우, 통상의 칩형상 고체 전해 콘덴서의 하부면 부분과의 호환성이 확보되고, 상기 콘덴서가 부착되어 있는 회로 기판의 랜드 형상(land shape)을 변화시킬 필요가 없다.
본 발명에 있어서, 복수의 고체 전해 콘덴서 소자는 상기 애노드 및 캐소드 단자상에 위치되어도 좋고, 이 경우에 상기 캐소드 단자의 상부면의 크기는 상기 복수의 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 크면 충분하다.
본 발명의 고체 전해 콘덴서 소자는, 예컨대, 수지 몰드, 수지 케이스 또는 금속성 외장 케이스에 의해 외장됨으로써, 각종 용도용 콘덴서 제품으로서 완성될 수 있다.
이들 중, 크기 및 비용면에서의 감소를 간단히 달성할 수 있으므로, 수지 몰드로 외장된 칩형상 고체 전해 콘덴서가 바람직하다.
수지 몰드 외장에 사용되는 수지의 종류로서, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 알키드 수지 등의 고체 전해 콘덴서의 몰딩에 사용되는 공지의 수지가 사용될 수 있다. 각각의 수지는 몰딩시에 발생된 콘덴서 소자상의 몰딩 응력을 완화시킬 수 있도록 저응력(low-stress) 수지가 바람직하다. 수지로 몰딩을 행하기 위한 제조 기기로서, 트랜스퍼 머신(transfer-machine)이 바람직하게 사용된다.
이와 같이 제조된 고체 전해 콘덴서는 도전체층의 형성 또는 외장시에 발생되는 유전체층의 열적 및/또는 물리적 열화를 수복시키기 위해, 에이징 처리(aging treatment)가 실시되어도 좋다.
상기 에이징은 상기 고체 전해 콘덴서에 소정의 전압(일반적으로, 정격 전압 2배 이내)을 가함으로써 행해진다. 에이징 시간 및 온도의 최적값은 콘덴서의 종류와 용량, 및 정격 전압에 따라서 달라지므로, 미리 실험을 행함으로써 결정되지만, 상기 에이징 시간은 수분~수일이 일반적이고, 상기 에이징 온도는 상기 전압 인가 지그의 열에 의한 열화를 고려하여 300℃ 이하가 일반적이다. 상기 에이징은 아르곤, 질소 또는 헬륨 등의 가스 분위기 또는 대기 분위기에서 행해질 수 있고, 감압, 대기압 또는 가압하에서 행해져도 좋지만, 수증기를 공급하면서 또는 수증기가 공급된 후에, 상기 에이징을 행하면, 유전체층의 안정화가 진행되는 경우도 있다. 상기 수증기를 공급하기 위한 방법의 예로는, 열을 사용함으로써, 상기 에이징로에 위치된 수조(water reservoir)로부터 수증기를 공급하는 방법이 포함된다.
전압을 가하는 방법으로써, 직류, 임의의 파형을 갖는 교류, 직류에 중첩된 교류 및 펄스 전류 등의 임의의 전류가 통과되도록 설계될 수 있다.
또한, 에이징 도중에 상기 전압 인가를 일단 정지하고, 다시 전압을 인가할 수도 있다.
본 발명에서 제조된 칩형상 고체 전해 콘덴서는 중앙 처리 회로 및 전원 회로 등의 고용량 및 낮은 ESR 콘덴서를 요구하는 회로에 바람직하게 사용될 수 있다. 이들 회로는 개인용 컴퓨터, 서버, 카메라, 게임기, DVD 기기, AV 기기, 휴대용 전화 등의 각종 디지털 기기 및 각종 전원 등의 전자 기기에 사용될 수 있다. 본 발명에서 제조된 칩형상 고체 전해 콘덴서는 고용량 및 양호한 ESR성능을 가지므로, 상기 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용함으로써, 높은 신뢰성을 갖는 전자 회로 및 전자 기기를 얻을 수 있다.
도 1은, 애노드 리드(애노드 부분)를 갖는 고체 전해 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분 및 캐소드 부분의 일부분이 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각에 위치되어 있는 상태를 나타내는 본 발명의 칩형상 고체 전해 콘덴서의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 고체 전해 콘덴서의 평면 단면도(A) 및 측면 단면도(B)이다.
도 3은, 통상의 칩형상 고체 전해 콘덴서의 사시도이다.
본 발명은 실시예를 참조로 더욱 자세히 설명되지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1 및 비교예 1:
130,000μF·V/g의 CV(용량 및 전기 화학 전압의 곱)을 갖는 탄탈 분말을 사용함으로써, 4.5×0.95×3.0mm의 크기의 소결체가 제작되었다(소결 온도: 1,300℃, 소결 시간: 20분, 상기 소결체의 밀도: 6.3g/cm3, Ta리드선: 0.24mmφ; 4.5mm치수의 길이 방향으로 수평하게 되어 있는 소결체에 상기 Ta리드선의 일부가 매설되었고, 상기 소결체로부터 도출된 상기 리드선 부분이 애노드 부분으로서 사용되었다.). 상기 리드선의 일부를 제외한 애노드로서의 역할을 하는 소결체는 1% 인산 수용액에 침지되었고, 캐소드로서의 Ta판 전극과 상기 애노드 사이에 9V의 전압을 가함으로써, 8시간 동안 80℃에서 전기 화학적으로 형성되어 Ta2O5으로 이루어지는 유전체 산화막층이 형성되었다. 그 후, 상기 유전체 산화막층 상에 20% 아세트산 납 수용액 및 35% 과황산 암모늄 수용액의 1:1 혼합액에 상기 리드선을 제외한 상기 소결체가 침지되었고, 1시간 동안 40℃에서 방치된 후, 꺼내어 상기 소결체를 수세 및 건조하고, 15% 아세트산 암모늄 수용액으로 세정하는 조작이 35번 반복되어 이산화납 및 아세트산납 혼합물(이산화납: 96%)로 이루어지는 반도체층이 형성되었다. 상기 반도체층상에 10질량부의 에폭시 수지 및 90질량부의 은분말을 포함하는 탄소 페이스트 및 은 페이스트가 순차적으로 적층되어 상기 캐소드 부분이 완성됨으로써, 고체 전해 콘덴서 소자가 제작되었다.
개별적으로 제작된 주석 도금 표면을 갖는 300㎛ 두께 구리 합금 리드 프레임(3.4mm의 폭으로 각각 한쌍이 된 말단부가 32개 존재함; 상기 캐소드 부분이 위치되어 있는 상기 말단부에, 3.4mm의 폭, 5.4mm의 길이 및 100㎛의 두께를 갖고, 상기 리드 프레임과 동일한 재료로 이루어지는 금속편이 말단으로부터 4.0mm 돌출되도록 폭을 정렬시켜 용접되었다; 상기 애노드 부분이 위치되는 상기 말단부에 3.4mm의 폭, 1.4mm의 길이 및 500㎛의 두께를 갖고, 하나의 모퉁이가 3.4mm의 폭, 0.4mm의 길이 및 400㎛의 두께로 노치되어 있는 상기 리드 프레임과 동일한 재료로 이루어지는 금속편이 상기 말단과 가지런하게 되도록 노치되지 않은 면에서의 폭을 정렬시켜 용접되었다; 상기 애노드 및 캐소드 단자 모두의 바닥면은 3.4mm의 폭 및 1.4mm의 길이를 가졌다; 동일 평면상으로 투영하면, 0.5mm의 틈이 상기 한쌍의 말단부 사이에 존재하고 있었다.) 한쌍의 말단부 각각의 상부면 상에, 상기 제작된 고체 전해 콘덴서 소자의 캐소드 부분면(4.5mm×3.0mm)과 애노드 부분이 위치되었고, 전자는 캐소드 부분에서 사용되는 것과 같은 동일한 은 페이스트의 고화에 의해, 후자는 스폿 용접에 의해 전기적 및 기계적으로 접속되었다. 이어서, 상기 고체 전해 콘덴서는 애노드 및 캐소드 단자 모두의 바닥면 및 측면 모두를 외부로 남겨둔 채, 트랜스퍼 몰딩에 의해 에폭시 수지로 외장하였고, 상기 리드 프레임은 상기 리드 프레임의 평평한 부분, 즉, 상기 외장체의 측면에서 절단하여 7.3×4.3×1.8mm의 크기로 칩형상 고체 전해 콘덴서를 제조하였다(실시예 1).
실시예 1에 있어서, 콘덴서 소자의 캐소드 부분이 위치되어 있는 리드 프레임의 말단부에, 3.4mm의 폭, 1.4mm의 길이 및 100㎛의 두께를 갖고, 상기 리드 프레임과 동일한 재료로 이루어진 금속편이 말단과 가지런하게 되도록 폭을 정렬시켜 (이 경우에 있어서, 동일 평면상으로 투영하면, 4.5mm의 틈이 상기 한쌍의 말단부 사이에 존재하였다), 용접하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 칩형 상 고체 전해 콘덴서를 제조하였다(비교예 1).
실시예 2 및 비교예 2:
220,000μF·V/g의 CV를 갖는 일부분이 질화된 니오브 분말(질소량: 10,000ppm, 표면의 자연 산화로부터 얻어진 총산소량: 91,000ppm) 0.048g을 사용함으로써, 4.5×0.94×3.0mm의 크기로 다수의 소결체가 제조되었다(소결 온도: 1,280℃, 소결 시간: 30분, 소결체의 밀도: 3.8g/cm3, Nb리드선: 0.24mmφ). 상기 리드선의 일부를 제외한 소결체는 0.1% 인산 수용액에 침지되었고, 네가티브 전극으로 사용되는 Ta판 전극 및 상기 소결체 사이에 20V의 전압을 가함으로써, 5시간 동안 80℃에서 전기화학적으로 형성시켜 Nb2O5를 주로 포함하는 유전체층이 형성되었다. 그런 후, 1.5% 과산화암모늄이 용해되어 있는 13%안트라퀴논-2-술폰산 수용액과 3% 3,4-에틸렌디옥시티오펜알콜 용액에 번갈아 상기 소결제츨 침지시키는 조작을 7번 반복하여 상기 유전체층상에 에틸렌디옥시 폴리머를 주로 포함하는 복수의 미세 접촉 입자를 부착시킴으로써, 상기 유전체층에 복수의 미세 전기적 결함부를 제조하였다. 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 관찰에 따라서, 도트상 미세 접촉 입자가 상기 유전체층의 약 18%를 덮고 있었다. 이어서, 상기 소결체가 에틸렌디옥시티오펜(포화 농도 보다 낮은 모노머 농도를 갖는 수용액의 형태로 사용됨) 및 안트라퀴논술폰산이 용해되어 있는 20% 에틸렌글리콜 및 물의 전해액에 침지되었고, 반도체층을 형성하기 위해, 30μA의 전류가 45분 동안 실온에서 상기 소결체의 리드선에 할당된 애노드 및 상기 네가티브 전극으로서 사용되는 전해액에 위치된 탄탈 전극 사이로 통과되었다. 상기 소결체를 꺼내어 세정하고, 건조시키고, 0.1% 아세트산 수용액에 재전기 화학 형성(80℃, 30분, 14V)을 실시하여 상기 유전체층의 미세 전기 결함 부위에 LC결함을 수복시켰다. 상기 직류를 통과시키고, 재전기 화학 형성을 행하는 조작을 15번 반복한 후, 상기 소결체가 물로 세정되었고, 건조되어 캐소드로서 가공된 반도체층이 형성되었다. 상기 반도체층상에, 10질량부의 아크릴 수지 및 90질량부의 은 분말을 포함하는 은 페이스트 및 탄소 페이스트가 연속적으로 적층되어 캐소드 층을 완성함으로써, 고체 전해 콘덴서 소자가 제조되었다. 그런 후, 실시예 1 및 비교예 1과 동일한 방법으로 칩형상 고체 전해 콘덴서가 제조되었다(실시예 2 및 비교예 2의 콘덴서).
상기 제조된 칩형상 고체 전해 콘덴서 100개의 각각에 대해, 용량, ESR값 및 LC값이 하기 방법에 따라서 측정되었고, 얻어진 결과(평균값)가 표 1에 나타내어진다.
콘덴서의 용량:
상기 용량은 Hewlett Packard사 제작의 LCD 측정 미터를 사용하여, 실온에서 120Hz로 측정되었다.
ESR값:
콘덴서의 등가 직렬 저항은 100kHz에서 측정되었다.
LC값:
실온에서 30초 동안 상기 제조된 콘덴서의 단자 사이에 소정의 직류 전압(실시예 1 및 비교예 1에서는 2.5V, 실시예 2 및 비교예 2에서는 4V)을 연속적으로 가 한 후에, LC값이 측정되었다.
| 용량(μF) | ESR(mmΩ) | LC(μA) | ||
| 살시예 | 1 | 966 | 6 | 18 |
| 2 | 433 | 11 | 27 | |
| 비교예 | 1 | 961 | 9 | 16 |
| 2 | 425 | 16 | 29 | |
실시예 1과 비교예 1의 비교 및 실시예 2와 비교예 2의 비교로부터 명백하듯이, 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 경우, 양호한 ESR값이 얻어질 수 있다.
본 발명은 콘덴서 소자에 대한 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 측의 콘덴서 소자의 전체면 보다 크고, 상기 캐소드 및 애노드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 크기를 갖고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분을 외부로 남겨둔 채, 상기 콘덴서 소자를 외장-몰딩함으로써 얻어지는 칩형상 고체 전해 콘덴서가 제공된다. 본 발명에 따라서, 큰 용량 및 양호한 ESR을 지닌 칩형상 고체 전해 콘덴서가 얻어질 수 있다.
Claims (25)
- 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분과 캐소드 부분의 일부분이 각각 애노드 단자 및 캐소드 단자에 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자를 외장-몰딩함으로써 얻어진 칩형상 고체 전해 콘덴서에 있어서, 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 캐소드 단자의 하부면 부분 및 애노드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 콘덴서 소자는 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물의 소결체를 포함하는 애노드 기판의 표면상에 유전체 산화막층, 반도체층 및 도전체층을 순차적으로 적층시킴으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 애노드 부분은 상기 애노드 기판의 말단을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 애노드 부분은 상기 소결체에 접속된 금속선 또는 금속박을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 5항에 있어서, 상기 금속선은 탄탈, 니오브, 알루미늄, 티탄, 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금, 및 부분적으로 산화 및/또는 질화된 이들 금속 및 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각에 대한 재료는 철, 구리, 알루미늄 및 이와 같은 금속을 주로 포함하는 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자는 땝납, 주석 및 티탄으로부터 선택된 도금이 일부분 또는 전체적으로 실시되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각은 재료가 다른 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 밸브 작용 금속 또는 도전성 산화물은 탄탈, 알루미늄, 니오브, 티탄, 이와 같은 밸브 작용 금속을 주로 포함하는 합금 또는 산화 니 오브, 또는 상기 밸브 작용 금속, 합금 및 도전성 산화물로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 10항에 있어서, 상기 밸브 작용 금속, 합금 또는 도전성 화합물의 일부분은 탄화, 인화, 붕소화, 질화 및 황화로부터 선택되는 하나 이상의 처리가 실시되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 소결체는 화학적으로 및/또는 전기적으로 에칭된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 애노드 부분과 상기 애노드 기판의 애노드 부분을 제외한 부분간의 경계는 절연성 수지에 의해 절연되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 유전체 산화물층은 Ta2O5, Al2O3, TiO2 및 Nb2O5로부터 선택되는 1종 이상을 주로 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 반도체층은 유기 반도체층 및 무기 반도체층으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 15항에 있어서, 상기 유기 반도체는 벤조피롤린 테트라머 및 클로라닐을 포함하는 유기 반도체, 테트라티오테트라센을 주로 포함하는 유기 반도체, 테트라시아노퀴노디메탄을 주로 포함하는 유기 반도체 및 도펀트를 하기 일반식(1) 또는 (2)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 폴리머에 도핑함으로써 얻어지는 도전성 폴리머를 주로 포함하는 유기 반도체로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
(여기서, R1~R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 또는 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기를 나타내고, X는 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 나타내고, R5는 X가 질소 원자인 경우에만 존재하고, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내며, R1과 R2, 및 R3과 R4는 각각 서로 결합하여 고리 구조를 형성해도 좋다.) - 제 16항에 있어서, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 도전성 폴리머는 반복단위로서 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 구조 단위를 함유하는 도전성 폴리머인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
(여기서, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 직쇄상이나 분기상, 포화나 불포화 알킬기 또는 상기 알킬기가 임의의 위치에서 서로 결합하는 경우, 2개의 산소 원자를 함유하는 하나 이상의 5-, 6- 또는 7-원 포화 탄화수소 고리 구조를 형성하기 위한 치환기를 나타내고, 상기 고리상 구조는 치환되어도 좋은 비닐렌 결합 및 치환되어도 좋은 페닐렌 구조를 갖는 구조가 포함된다.) - 제 17항에 있어서, 상기 도전성 폴리머는 폴리아닐린, 폴리옥시페닐렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리티오펜, 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리메틸피롤 및 그들의 치환 유도체 및 코폴리머로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 18항에 있어서, 상기 도전성 폴리머는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 15항에 있어서, 상기 무기 반도체는 이산화몰리브덴, 이산화텅스텐, 이산화납 및 이산화망간으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 제 3항에 있어서, 상기 반도체의 전기 전도도는 10-2~103S/cm인 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서.
- 콘덴서 소자의 애노드 부분 및 캐소드 부분이 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자가 외장으로 몰드되고, 상기 콘덴서 소자에 대한 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에 있어서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 큰 칩형상 고체 전해 콘덴서를 제조하는 방법으로써, 상기 애노드 단자의 일부분 및 상기 캐소드 단자의 일부분을 가공한 한 쌍의 하부면 부분을 갖는 리드 프레임을 사용하는 공정; 및상기 캐소드 단자에 상응하는 리드 프레임 상에 상기 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 큰 면적을 갖는 애노드 및 캐소드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 콘덴서 소자의 애노드 부분의 일부분 및 캐소드 부분의 일부분이 애노드 단자 및 캐소드 단자에 각각 접속되고, 상기 애노드 및 캐소드 단자의 각각의 하부면 또는 하부면과 측면의 일부분 또는 전부를 제외한 콘덴서 소자가 외장으로 몰드되고, 상기 콘덴서 소자에 대한 상기 캐소드 단자의 접속면이 상기 캐소드 단자에 접속된 면에 있어서의 콘덴서 소자의 전체면 보다 크고, 외장 몰드되지 않은 상기 캐소드 단자 및 애노드 단자의 하부면 부분이 거의 동일한 크기를 갖는 칩형상 고체 전해 콘덴서를 제조하는 방법으로써,상기 애노드 단자의 일부분 및 상기 캐소드 단자의 일부분을 가공한 거의 동일한 하부면 부분을 갖는 리드 프레임쌍을 사용하는 공정;상기 캐소드 단자에 상응하는 리드 프레임상에 상기 콘덴서 소자의 캐소드 단자 접속면 보다 큰 영역을 갖는 애노드 및 캐소드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정; 및상기 애노드 단자에 상응하는 리드 프레임상에 콘덴서 소자의 애노드 부분에 접속된 애노드 단자를 구성하는 금속 재료를 적층시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩형상 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 기재된 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 기재된 칩형상 고체 전해 콘덴서를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003296276 | 2003-08-20 | ||
| JPJP-P-2003-00296276 | 2003-08-20 |
Publications (1)
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