KR20060022009A - 리키지 전류 보상 가능한 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 워드라인과 비트라인의 교차점에 위치하는 복수개의 메모리 셀들;더미 비트라인에 연결된 복수개의 더미 셀들;상기 더미 비트라인에 연결되고 리키지 보상 전류를 상기 비트라인으로 출력하는 리키지 보상회로; 및제 1 제어신호에 응답하여 리드 동작시 필요한 리드전류를 상기 비트라인으로 출력하는 리드전류 공급회로로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 메모리 셀은, 게이트가 상기 워드라인에 연결되고 소스가 접지전압에 연결되고 드레인이 상변화 물질로 이루어진 저항체에 연결된 트랜지스터와 상기 저항체의 다른 단자가 상기 비트라인에 연결된 상변화 메모리 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 더미 셀은 게이트와 소스가 접지전압에 연결되고 드레인이 상변화 물질로 이루어진 저항체에 연결된 트랜지스터와 상기 저항체의 다른 단자가 상기 더미 비트라인에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2항에 있어서, 제 3 제어신호에 응답하여 상기 더미 비트라인을 상기 리키지 보상회로에 연결하는 모드 선택회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 제 3 제어신호는 퓨즈 회로를 통하여 전압 레벨이 정해지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 더미 비트라인은 I/O 라인에 대응하여 1개씩 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 더미 셀은 게이트와 소스가 접지전압에 연결되고 드레인이 상기 더미 비트라인에 연결된 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 제어신호는 리드 동작 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 제어신호는 DC 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 2항에 있어서, 컬럼 선택 신호에 응답하여 선택된 비트라인을 상기 리키지 보상회로와 상기 리드전류 공급회로에 연결하는 컬럼 선택 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 10항에 있어서, 게이트가 전원전압에 연결되고 소스가 상기 더미 비트라인에 연결되고 드레인이 상기 리키지 보상회로에 연결된 더미 컬럼 선택 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 10 항에 있어서, 제 2 제어신호에 응답하여 리드 동작시 상기 비트라인의 전압을 정해진 레벨로 클램핑하는 클램핑 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 제어신호에 응답하여 리드 동작시 상기 더미 비트라인의 전압을 정해진 레벨로 클램핑하는 더미 클램핑 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 복수개의 메모리 어레이로 구성된 반도체 메모리 장치에 있어서,상기 메모리 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 매트들;상기 메모리 매트를 구성하는 복수개의 메모리 블록들로 구성되며, 상기 메모리 블록은,워드라인과 비트라인의 교차점에 위치하는 복수개의 메모리 셀들;상기 메모리 블록의 끝단에 위치하는 더미 비트라인에 연결된 복수개의 더미 셀들;상기 더미 비트라인에 연결되고 리키지 보상 전류를 상기 비트라인으로 출력하는 리키지 보상회로;제 1 제어신호에 응답하여 리드 동작시 필요한 리드전류를 상기 비트라인으로 출력하는 리드전류 공급회로로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 더미 비트라인은 복수개의 I/O 라인에 대응하여 1개 씩 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 메모리 블록의 다른 끝단에 더미 비트라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 14항에 있어서, 제 3 제어신호에 응답하여 상기 더미 비트라인을 상기리키지 보상회로에 연결하는 모드 선택회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 메모리 셀은 게이트가 상기 워드라인에 연결되고 소스가 접지전압에 연결되고 드레인이 상변화 물질로 이루어진 저항체에 연결된 트랜지스터와 상기 저항체의 다른 단자가 상기 비트라인에 연결된 상변화 메모리 셀이고, 상기 더미 셀은 게이트와 소스가 접지전압에 연결되고 드레인이 상변화 물질로 이루어진 저항체에 연결된 트랜지스터와 상기 저항체의 다른 단자가 상기 더미 비트라인에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 18 항에 있어서, 컬럼 선택 신호에 응답하여 선택된 비트라인을 상기 리키지 보상회로와 상기 리드전류 공급회로에 연결하는 컬럼 선택 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 19 항에 있어서, 제 2 제어신호에 응답하여 리드 동작시 상기 비트라인과 더미 비트라인의 전압을 정해진 레벨로 클램핑하는 클램핑 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 워드라인과 비트라인의 교차점에 위치하는 복수개의 메모리 셀들;리드 동작시 설정된 리드전류를 상기 비트라인과 연결된 센싱노드로 공급하는 리드전류 공급회로;동일 비트라인에 연결된 상기 메모리 셀들중에서 선택되지 않은 메모리 셀들로 흐르는 리키지 전류량에 따른 리키지 보상 전류를 생성하여 상기 센싱노드로 인가하는 리키지 보상회로; 및상기 리키지 보상 전류가 인가된 상기 센싱노드의 전압을 센싱 기준전압과 비교하여 선택된 메모리 셀에 대한 데이터 리드동작을 행하는 센스앰프회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 리키지 보상회로는, 선택되지 않은 셀 블록의 노말 셀들을 통해 흐르는 리키지 전류를 감지함에 의해 상기 리키지 보상 전류를 생성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 리키지 보상회로는, 상기 메모리 셀들과 인접하여 배치된 더미 셀들을 통해 흐르는 리키지 전류를 감지함에 의해 상기 리키지 보상 전류를 생성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 리키지 보상회로는, 커런트 미러 타입으로 구성되며,상기 메모리 셀들과는 별도로 주변회로에 배치된 더미 셀들을 통해 흐르는 리키지 전류를 감지함에 의해 상기 리키지 보상 전류를 생성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 워드라인과 비트라인의 교차점에 연결된 상변화 메모리 셀을 복수로 구비한 상변화 메모리 장치에서의 리드 동작방법에 있어서:선택된 메모리 셀의 비트라인에 리드전류를 인가하는 단계;상기 비트라인에 연결된 메모리 셀들중 선택되지 아니한 메모리 셀들에 대한 리키지 전류를 감지하는 단계;상기 리키지 전류량에 상응하는 리키지 보상전류를 생성하고 센싱노드로 인가하는 단계;상기 리키지 보상 전류가 인가된 상기 센싱노드의 전압을 센싱 기준전압과 비교하여 상기 선택된 메모리 셀에 저장된 데이터를 리드아웃하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 상변화 메모리 장치에서의 리드 동작방법.
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