KR20050094569A - 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법 및 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 멀티레벨 정보를 저장하는 다수의 셀이 직렬 접속된 셀 스트링;상기 셀 스트링 각각의 게이트 단자에 접속된 다수의 워드라인;상기 셀 스트링의 드레인 단자에 접속된 비트라인;상기 워드라인과 상기 비트라인에 의해 선택된 셀의 정보중 상위비트의 정보를 저장하기 위한 제 1 페이지 버퍼와, 상기 선택된 셀의 하위비트의 정보를 저장하기 위한 제 2 페이지 버퍼; 및래치 패스 제어신호에 따라 구동하고, 상기 제 1 페이지 버퍼에 의해 상기 제 2 페이지 버퍼를 드라이빙하여 상기 제 2 페이지 버퍼의 정보를 변경하기 위한 패스부를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀 스트링의 상기 드레인 단자와 상기 비트라인 사이에 각기 접속되어 드레인 선택 신호에 따라 구동하는 드레인 선택 트랜지스터;상기 셀 스트링의 상기 소스 단자와 공통 접지 라인 사이에 접속되어 소스 선택 신호에 따라 구동하는 소스 선택 트랜지스터; 및소정의 디스차지 신호에 따라 상기 비트라인을 디스차지하는 디스차지 트랜지스터를 더 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 멀티레벨 정보를 저장하는 다수의 셀이 직렬 접속된 제 1 및 제 2 셀 스트링;상기 제 1 및 제 2 셀 스트링 각각의 게이트 단자에 접속된 다수의 워드라인;상기 제 1 및 제 2 셀 스트링의 드레인 단자에 각기 접속된 이븐 및 오드 비트라인;비트라인 선택 신호에 따라 상기 이븐 또는 오드 비트라인 중 어느 하나의 비트라인을 선택하는 제 1 및 제 2 비트라인 선택 트랜지스터;상기 제 1 및 제 2 비트라인 선택 트랜지스터에 접속되어 선택된 셀의 정보중 상위 비트의 정보를 저장하기 위한 제 1 페이지 버퍼;상기 제 1 및 제 2 비트라인 선택 트랜지스터에 접속되어 상기 선택된 셀의 정보중 하위 비트의 정보를 저장하기 위한 제 2 페이지 버퍼; 및래치 패스 제어 신호에 따라 구동하고, 상기 제 1 페이지 버퍼에 의해 상기 제 2 페이지 버퍼를 드라이빙하여 상기 제 2 페이지 버퍼의 정보를 변경하기 위한 패스부를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 셀 스트링의 상기 드레인 단자와 상기 이븐 비트라인 사이와 상기 제 2 셀 스트링의 상기 드레인 단자와 상기 오드 비트라인 사이에 각기 접속되어 드레인 선택 신호에 따라 구동하는 제 1 및 제 2 드레인 선택 트랜지스터;상기 제 1 및 제 2 셀 스트링의 상기 소스 단자와 공통 접지 라인 사이에 각기 접속되어 소스 선택 신호에 따라 구동하는 제 1 및 제 2 소스 선택 트랜지스터; 및이븐 및 오드 디스차지 신호에 따라 각기 상기 이븐 또는 오드 비트라인을 디스차지하는 제 1 및 제 2 디스차지 트랜지스터를 더 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 페이지 버퍼는,상기 비트라인으로부터 소정의 신호를 전송받거나 상기 비트라인에 전송하는 비트 결정 노드;소정의 데이터를 저장하는 래치;프리차지 신호에 따라 상기 비트 결정노드에 소정의 프리차지 전압을 전송하는 PMOS 트랜지스터;프로그램 신호에 따라 상기 래치에 저장된 데이터를 상기 비트 결정노드에 전송하는 제 1 트랜지스터; 및상기 제 1 래치와 접지전원 사이에 직렬 접속되어 각기 상기 비트 결정 노드 신호와 상위 비트 래치 신호에 따라 상기 래치의 데이터를 변경하는 제 2 및 제 3 트랜지스터를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 페이지 버퍼는,상기 비트라인으로부터 소정의 신호를 전송받거나 상기 비트라인에 전송하는 비트 결정 노드;소정의 데이터를 저장하는 래치;상기 프리차지 신호에 따라 상기 비트 결정 노드에 소정의 프리차지 전압을 전송하는 PMOS 트랜지스터;상기 프로그램 신호에 따라 상기 래치에 저장된 데이터를 상기 비트 결정노드에 전송하는 제 1 트랜지스터; 및상기 래치와 접지전원 사이에 직렬 접속되어 각기 상기 비트 결정 노드 신호와 하위 비트 래치 신호에 따라 상기 래치의 데이터를 변경하는 제 2 및 제 3 트랜지스터를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 패스부는,상기 제 1 페이지 버퍼와 상기 제 2 페이지 버퍼 사이에 직렬 접속되어, 상기 래치 패스 제어신호에 따라 구동하는 패스 트랜지스터와, 패스 인버터를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로.
- 멀티레벨 정보를 저장하는 다수의 셀이 직렬 접속된 셀 스트링과, 상기 셀 스트링 각각의 게이트 단자에 접속된 다수의 워드라인과, 상기 셀 스트링의 드레인 단자에 접속된 비트라인과, 상위 비트 래치 신호에 따라 상기 워드라인과 상기 비트라인에 의해 선택된 셀의 정보중 상위비트의 정보를 저장하기 위한 제 1 페이지 버퍼와, 하위 비트 래치 신호에 따라 상기 선택된 셀의 하위비트의 정보를 저장하기 위한 제 2 페이지 버퍼와, 래치 패스 제어신호에 따라 구동하고, 상기 제 1 페이지 버퍼에 의해 상기 제 2 페이지 버퍼를 드라이빙하여 상기 제 2 페이지 버퍼의 정보를 변경하기 위한 패스부를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 회로에 있어서,상기 제 1 및 제 2 페이지 버퍼를 리셋하는 단계;선택된 상기 워드라인에 제 1 전압을 인가한 다음, 셀 독출동작을 통해 상기 셀에 저장된 데이터를 독출하여 상기 하위 비트 래치 신호에 따라 상기 제 2 페이지 버퍼에 저장하는 단계;선택된 상기 워드라인에 제 2 전압을 인가한 다음, 상기 셀 독출동작을 통해 상기 셀에 저장된 데이터를 독출하여 상기 상위 비트 래치 신호에 따라 상기 제 1 페이지 버퍼에 저장하는 단계; 및선택된 상기 워드라인에 제 3 전압을 인가한 다음, 상기 셀 독출동작을 통해 상기 셀에 저장된 데이터를 독출하여 상기 상위 비트 래치 신호와 상기 래치 패스 제어신호에 따라 상기 제 1 페이지 버퍼에 로직 하이의 데이터가 저장될 경우, 상기 패스부가 상기 제 2 페이지 버퍼를 드라이빙 하여 상기 제 2 페이지 버퍼에 로직 로우의 데이터가 저장되도록 하는 단계를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 셀 독출 동작은,상기 제 1 또는 제 2 페이지 버퍼를 통해 상기 비트라인에 로직 하이인 프리차지 전압을 인가하는 단계;상기 제 1 또는 제 2 페이지 버퍼와 상기 비트라인간의 전류 흐름을 차단한 다음, 상기 비트라인에 인가된 상기 프리차지 전압의 차지가 빠지거나 유지되기를 기다리는 단계; 및상기 비트라인의 전압 상태를 상기 제 1 및 제 2 페이지 버퍼에 전송하는 단계를 포함하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 워드라인에 상기 제 1 전압을 인가하고, 상기 하위 비트 래치 신호를 인가하여 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 독출하되, 상기 제 1 페이지 버퍼의 저장 데이터는 리셋 상태인 로직 '0'을 유지하고, 상기 제 2 페이지 버퍼의 저장 데이터는 로직 '0'을 유지하거나 로직 '1'의 상태로 변환되는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 워드라인에 상기 제 2 전압을 인가하고, 상기 상위 비트 래치 신호를 인가하여 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 독출하되, 상기 제 1 페이지 버퍼의 저장 데이터는 이전의 로직 상태를 유지하거나 로직 '1'의 상태로 변환되고, 상기 제 2 페이지 버퍼의 저장 데이터는 이전의 로직 상태를 유지하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 워드라인에 상기 제 3 전압을 인가하고, 상기 상위 비트 래치 신호와 상기 래치 패스 제어신호를 인가하여 상기 선택된 셀에 저장된 데이터를 독출하되 상기 제 1 페이지 버퍼의 저장 데이터는 이전의 로직 상태를 유지하거나, 로직 '1'의 상태로 변환되고, 상기 제 2 페이지 버퍼는 상기 제 1 페이지 버퍼의 데이터가 로직 '1'의 상태로 변환되었때 상기 패스부에 의해 로직 '0'으로 변환되고, 그 외의 경우에는 이전의 로직 상태를 유지하는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 전압의 전압 간격은 멀티 레벨을 갖는 셀의 문턱전압 간격과 동일한 간격을 갖는 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법.
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US11/008,486 US7187584B2 (en) | 2004-03-23 | 2004-12-09 | Method of reading multi-level NAND flash memory cell and circuit for the same |
TW093138855A TWI295062B (en) | 2004-03-23 | 2004-12-15 | Method of reading multi-level nand flash memory cell and circuit for the same |
JP2004370055A JP4707386B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-12-21 | マルチレベルnandフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路 |
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---|---|---|---|
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Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100666186B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 적용되는페이지 버퍼 |
KR100669351B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 프로그램 방법 및 장치 |
KR100766220B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 개선된 구조를 가지는 플래시 메모리 장치의 페이지 버퍼회로 |
KR100769776B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-10-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법 |
KR100771517B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-10-30 | 삼성전자주식회사 | 칩 사이즈를 줄일 수 있는 플래시 메모리 장치 |
KR100801917B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2008-02-12 | 삼성전자주식회사 | 하부 비트라인들과 상부 비트라인들이 전압제어블락을공유하는 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이를구비하는 메모리 카드 및 시스템 |
KR100806119B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2008-02-22 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 멀티-페이지프로그램 방법 |
KR100816121B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리장치의 멀티비트 프로그램 방법 |
KR100816123B1 (ko) * | 2007-01-02 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자 |
KR100816148B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 이의 독출 방법 |
KR100818717B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 상기 비휘발성 반도체메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR100855964B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리의 독출 방법 |
KR100866954B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-11-05 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀의 프로그래밍 시간을 줄일 수 있는 플래쉬메모리 장치 및 그 프로그래밍 방법 |
KR100894809B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2009-04-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100898664B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2009-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 페이지 버퍼 및 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US7594157B2 (en) | 2007-01-03 | 2009-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system with backup circuit and programming method |
US7623383B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-level non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block |
US7643340B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for programming multi level cell flash memory device |
US7663922B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block, and memory cards and systems having the same |
US7672160B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 3-level non-volatile semiconductor memory devices and related methods |
KR101024142B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2011-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 |
KR101227368B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2013-01-29 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그래밍 방법 및 데이터읽기 방법. |
KR101245219B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2013-03-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 셀 기입/독출 방법 및 페이지 버퍼 |
US8499217B2 (en) | 2008-01-03 | 2013-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and error control codes decoding method |
US8625359B2 (en) | 2007-09-10 | 2014-01-07 | SK Hynix Inc. | Programming method of flash memory device |
KR101489392B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-02-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 리드 동작 방법 |
KR101493873B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2015-02-16 | 삼성전자주식회사 | 멀티-레벨 셀 플래시 메모리 장치 및 이의 독출 방법 |
KR102090874B1 (ko) * | 2018-09-12 | 2020-03-18 | 도실리콘 씨오., 엘티디. | 고전압 트랜지스터의 수를 저감하는 낸드 플래시 메모리 장치 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100600301B1 (ko) * | 2005-05-25 | 2006-07-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 면적이 감소된 페이지 버퍼 회로와, 이를 포함하는 플래시메모리 장치 및 그 프로그램 동작 방법 |
KR100642892B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2006-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 면적이 감소된 페이지 버퍼 회로와 그 독출 및 프로그램동작 방법 |
US7212447B2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-05-01 | Micron Technology, Inc. | NAND flash memory cell programming |
ATE504065T1 (de) * | 2005-12-06 | 2011-04-15 | Sandisk Corp | Minderung der lesestörungen in nicht-flüchtigen speichern |
US7224610B1 (en) * | 2006-01-03 | 2007-05-29 | Atmel Corporation | Layout reduction by sharing a column latch per two bit lines |
US7254071B2 (en) * | 2006-01-12 | 2007-08-07 | Sandisk Corporation | Flash memory devices with trimmed analog voltages |
US7457178B2 (en) * | 2006-01-12 | 2008-11-25 | Sandisk Corporation | Trimming of analog voltages in flash memory devices |
KR100666183B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 대한구동방법 |
ITRM20060074A1 (it) | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Micron Technology Inc | Circuito per dati a latch singolo in un dispositivo di memoria volatile e delle a piu livelli |
KR100769782B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2007-10-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 |
US7336532B2 (en) * | 2006-05-12 | 2008-02-26 | Elite Semiconductor Memory | Method for reading NAND memory device and memory cell array thereof |
US7701770B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-04-20 | Hynix Semiconductor Inc. | Flash memory device and program method thereof |
KR100855963B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의프로그램, 독출 및 소거 방법 |
KR100855962B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 독출방법 |
KR100902008B1 (ko) | 2007-02-09 | 2009-06-12 | 삼성전자주식회사 | 메모리 셀에 멀티 비트 데이터를 저장하는 플래시 메모리를 포함한 메모리 시스템 |
KR100865821B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-10-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 |
KR100908562B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 소거 방법 |
KR101068495B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2011-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 데이터 독출 방법 |
JP2010118123A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
KR100996009B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2010-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
KR101139095B1 (ko) | 2010-07-09 | 2012-04-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법 |
KR101082614B1 (ko) | 2010-07-09 | 2011-11-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
KR20130038391A (ko) * | 2010-07-21 | 2013-04-17 | 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드 | 플래시 메모리용 멀티페이지 프로그램 스킴 |
KR20120045202A (ko) * | 2010-10-29 | 2012-05-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 프로그램 방법 |
KR101936911B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2019-01-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 반도체 집적 회로 장치 |
JP5674630B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 暗号化演算装置を搭載する不揮発性半導体記憶装置 |
TWI509619B (zh) * | 2013-10-29 | 2015-11-21 | Macronix Int Co Ltd | 記憶體之積體電路及其操作方法 |
US9191003B2 (en) * | 2013-11-05 | 2015-11-17 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit for memory and operating method thereof |
CN104616692B (zh) * | 2013-11-05 | 2018-06-08 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储器的集成电路及其操作方法 |
KR102540765B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2023-06-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102509640B1 (ko) * | 2018-06-15 | 2023-03-16 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
US11004484B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Page buffer and memory device including the same |
CN110021309B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Nand型rom |
US11894075B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-02-06 | Yangtze Memory Technologies Co. Ltd. | Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices |
KR20230015967A (ko) * | 2020-08-27 | 2023-01-31 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | Nand 플래시 메모리 디바이스의 비파괴 모드 캐시 프로그래밍 |
JP7092915B1 (ja) | 2021-04-06 | 2022-06-28 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3153730B2 (ja) * | 1995-05-16 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR0172408B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-03-30 | 김광호 | 다수상태 불휘발성 반도체 메모리 및 그의 구동방법 |
JP3940544B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリのベリファイ方法 |
KR100399353B1 (ko) * | 2001-07-13 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 시분할 감지 기능을 구비한 불 휘발성 반도체 메모리 장치및 그것의 읽기 방법 |
US6671204B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device with page buffer having dual registers and methods of using the same |
US7042770B2 (en) * | 2001-07-23 | 2006-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices with page buffer having dual registers and method of using the same |
KR100516301B1 (ko) * | 2003-03-05 | 2005-09-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리의 뱅크 분할 장치 |
-
2004
- 2004-03-23 KR KR1020040019745A patent/KR100630535B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-09 US US11/008,486 patent/US7187584B2/en active Active
- 2004-12-15 TW TW093138855A patent/TWI295062B/zh active
- 2004-12-21 JP JP2004370055A patent/JP4707386B2/ja active Active
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100669351B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 프로그램 방법 및 장치 |
KR100766220B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 개선된 구조를 가지는 플래시 메모리 장치의 페이지 버퍼회로 |
US7672160B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 3-level non-volatile semiconductor memory devices and related methods |
US7623383B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-level non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block |
US7663922B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block, and memory cards and systems having the same |
US8081509B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and method of operation therefor |
KR100666186B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 적용되는페이지 버퍼 |
US8339851B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and method of operation therefor |
US7733695B2 (en) | 2006-02-17 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and method of operation therefor |
KR100771517B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-10-30 | 삼성전자주식회사 | 칩 사이즈를 줄일 수 있는 플래시 메모리 장치 |
US7372767B2 (en) | 2006-02-17 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor |
US7643340B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for programming multi level cell flash memory device |
KR100894809B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2009-04-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 |
US7729172B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-06-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of programming a NAND flash memory device |
KR100866954B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-11-05 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀의 프로그래밍 시간을 줄일 수 있는 플래쉬메모리 장치 및 그 프로그래밍 방법 |
US7466598B2 (en) | 2006-09-29 | 2008-12-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of programming a NAND flash memory device |
KR100816148B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 이의 독출 방법 |
KR100769776B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-10-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그램 방법 |
KR100806119B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2008-02-22 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 멀티-페이지프로그램 방법 |
KR100855964B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리의 독출 방법 |
KR100816121B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리장치의 멀티비트 프로그램 방법 |
KR100816123B1 (ko) * | 2007-01-02 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리 소자 |
US7594157B2 (en) | 2007-01-03 | 2009-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system with backup circuit and programming method |
KR100801917B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2008-02-12 | 삼성전자주식회사 | 하부 비트라인들과 상부 비트라인들이 전압제어블락을공유하는 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이를구비하는 메모리 카드 및 시스템 |
KR100818717B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 상기 비휘발성 반도체메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR101245219B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2013-03-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 셀 기입/독출 방법 및 페이지 버퍼 |
US8625359B2 (en) | 2007-09-10 | 2014-01-07 | SK Hynix Inc. | Programming method of flash memory device |
KR101227368B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2013-01-29 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그래밍 방법 및 데이터읽기 방법. |
KR100898664B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2009-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 페이지 버퍼 및 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US7830725B2 (en) | 2007-12-24 | 2010-11-09 | Hynix Semiconductor Inc. | Page buffer and programming method of a non-volatile memory device |
US8499217B2 (en) | 2008-01-03 | 2013-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and error control codes decoding method |
KR101493873B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2015-02-16 | 삼성전자주식회사 | 멀티-레벨 셀 플래시 메모리 장치 및 이의 독출 방법 |
US8054685B2 (en) | 2009-02-02 | 2011-11-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of programming nonvolatile memory device |
KR101024142B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2011-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 |
KR101489392B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-02-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 리드 동작 방법 |
KR102090874B1 (ko) * | 2018-09-12 | 2020-03-18 | 도실리콘 씨오., 엘티디. | 고전압 트랜지스터의 수를 저감하는 낸드 플래시 메모리 장치 |
TWI718471B (zh) * | 2018-09-12 | 2021-02-11 | 大陸商東芯半導體股份有限公司 | 減少高電壓晶體管的數量的nand閃存裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005276407A (ja) | 2005-10-06 |
US7187584B2 (en) | 2007-03-06 |
TWI295062B (en) | 2008-03-21 |
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TW200534288A (en) | 2005-10-16 |
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