JP4977843B2 - 面積が減少したページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作方法 - Google Patents
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Description
110 … ビットライン選択回路
120 … プリチャージ回路
130 … 上位ビットレジスタ
140 … 出力駆動回路
150 … 下位ビットレジスタ
160、170 … 伝送回路
180 … データ入力回路
190 … データ出力回路
200、210 … 検証回路
Claims (6)
- 少なくとも一対のビットラインに連結される複数のマルチレベルセルを含むフラッシュメモリ装置のページバッファ回路であって、
ビットライン選択信号とディスチャージ信号に応答して、前記一対のビットラインのいずれか一方を選択し、その選択されたビットラインをセンシングノードに連結するビットライン選択回路と、
プリチャージ制御信号に応答して、前記センシングノードを内部電圧でプリチャージするプリチャージ回路と、
入力制御信号に応答して、入力データを入出力ノードに出力するデータ入力回路と、
出力制御信号に応答して、出力データを前記入出力ノードに出力するデータ出力回路と、
第1または第2上位読み出し制御信号に応答して、前記センシングノードの電圧をセンシングし、そのセンシング結果に応じて第1または第2上位センシングデータを格納し、あるいは第1または第2上位読み出し制御信号と前記入出力ノードを介して受信される前記入力データに応答して、第1または第2内部データを格納する上位ビットレジスタと、
前記第1上位センシングデータ、前記第2上位センシングデータ、前記第1内部データおよび前記第2内部データの中の受信されるいずれか一つに応答して、出力データを出力する出力駆動回路と、
第1または第2下位読み出し制御信号に応答して、前記センシングノードの電圧をセンシングし、そのセンシング結果に応じて第1または第2下位センシングデータを格納する下位ビットレジスタと、
第1プログラム制御信号に応答して、前記出力データを前記センシングノードに出力する第1伝送回路と、
第2プログラム制御信号に応答して、前記第1または第2下位センシングデータを前記センシングノードに出力する第2伝送回路と、
前記第1および第2上位センシングデータのうち受信されるいずれか一つに応答して、上位検証データを出力する第1検証回路と、
前記第1および第2下位センシングデータのうち受信されるいずれか一つに応答して、下位検証データを出力する第2検証回路とを備えてなり、
前記上位ビットレジスタは、
前記センシングノードの電圧をセンシングし、そのセンシング結果に応じて前記入出力ノードにセンシングデータを発生するセンシング回路と、
前記第1上位読み出し制御信号と、前記入出力ノードを介して受信される前記センシングデータまたは前記入力データに応答して、第1ノードに前記第1上位センシングデータまたは前記第1内部データを出力し、あるいは前記第2上位読み出し制御信号と、前記入出力ノードを介して受信される前記センシングデータまたは前記入力データに応答して、第2ノードに前記第2上位センシングデータまたは前記第2内部データを出力する入力回路と、
前記第1ノードを介して受信される前記第1上位センシングデータまたは前記第1内部データをラッチし、反転された第1上位センシングデータまたは反転された第1内部データを前記第2ノードに出力し、あるいは前記第2ノードを介して受信される前記第2上位センシングデータまたは前記第2内部データをラッチし、反転された第2上位センシングデータまたは反転された第2内部データを前記第1ノードに出力するラッチ回路とを含んでなり、
前記センシング回路は、
前記センシングノードの電圧レベルに応じて前記入出力ノードをグラウンド電圧レベルにディスチャージし、あるいはディスチャージ動作を停止し、
前記入力回路は、
前記第1ノードと前記入出力ノードとの間に連結され、前記第1上位読み出し制御信号に応答してオンまたはオフされる第1スイッチング回路と、
前記第2ノードと前記入出力ノードとの間に連結され、前記第2上位読み出し制御信号に応答してオンまたはオフされる第2スイッチング回路とを含んでなり、
外部からのデータ入力は、前記上位ビットレジスタと前記データ入力回路によってのみ行われ、外部へのデータ出力は、前記上位ビットレジスタと前記出力駆動回路および前記データ出力回路によってのみ行われる
ことを特徴とするページバッファ回路。 - 請求項1に記載のページバッファ回路において、
前記出力駆動回路は、前記第1上位センシングデータ、前記反転された第2上位センシングデータ、前記第1内部データ、および前記反転された第2内部データのうち前記第1ノードを介して受信されるいずれか一つを反転し、その反転されたデータを前記出力データとして出力する第1インバータを含み、
前記ラッチ回路は、前記第1ノードおよび第2ノードに入力端子と出力端子が互いに反対にそれぞれ連結される一対の第2インバータを含み、
前記第1インバータの電流駆動能力は、前記一対の第2インバータのそれぞれの電流駆動能力よりさらに大きい
ことを特徴とするページバッファ回路。 - 請求項1に記載のページバッファ回路において、
読み出し動作の際に、前記センシング回路は、前記選択されたビットラインに連結された前記複数のマルチレベルセルのいずれか一つから読み出される上位ビットデータまたは下位ビットデータによって、あるいは前記第1または第2下位センシングデータによって決定される前記センシングノードの電圧をセンシングする
ことを特徴とするページバッファ回路。 - 請求項1に記載のページバッファ回路において、
前記下位ビットレジスタは、
前記第1下位読み出し制御信号に応答して、前記センシングノードの電圧をセンシングし、第1ノードに前記第1下位センシングデータを発生し、あるいは前記第2下位読み出し制御信号に応答して、前記センシングノードの電圧をセンシングし、第2ノードに前記第2下位センシングデータを発生するセンシング回路と、
前記第1ノードを介して受信される前記第1下位センシングデータをラッチし、反転された第1下位センシングデータを前記第2ノードに出力し、あるいは前記第2ノードを介して受信される前記第2下位センシングデータをラッチし、反転された第2下位センシングデータを前記第1ノードに出力するラッチ回路とを含む
ことを特徴とするページバッファ回路。 - 請求項4に記載のページバッファ回路において、
読み出し動作の際に、前記センシング回路は、前記選択されたビットラインに連結された前記複数のマルチレベルセルのいずれか一つから読み出される下位ビットデータまたは上位ビットデータによって決定される前記センシングノードの電圧をセンシングし、プログラム動作の際に、前記センシング回路は、前記下位ビットデータまたは前記出力データによって決定される前記センシングノードの電圧をセンシングする
ことを特徴とするページバッファ回路。 - 請求項1に記載のページバッファ回路において、
前記データ入力回路は、前記入出力ノードと前記データ入出力ノードとの間に連結され、前記入力制御信号に応答してオンまたはオフされる第1スイッチング回路を含み、
前記データ出力回路は、前記出力駆動回路の出力端子と前記データ入出力ノードとの間に連結され、前記出力制御信号に応答してオンまたはオフされる第2スイッチング回路を含む
ことを特徴とするページバッファ回路。
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