KR20050092339A - 기밀 밀봉용 캡 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

땜납 등의 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제하는 것이 가능한 기밀 밀봉용 캡을 얻을 수 있다. 이 기밀 밀봉용 캡은 전자 부품(5, 34)을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡이며, 기밀 밀봉용 캡 부재(11, 41)와, 적어도 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재(3, 32)가 형성되는 영역 이외의 영역에 형성된 제1 도금층(12, 42)과, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 형성되어 제1 도금층보다도 밀봉재와의 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층(13, 43)을 구비하고 있다.

Description

기밀 밀봉용 캡 및 그 제조 방법{HERMETIC SEALING CAP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 기밀 밀봉용 캡 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 휴대 전화의 잡음 제거 등에 이용되는 SAW 필터(표면 탄성파 필터)나 수정 진동자 등의 전자 부품의 기밀 밀봉에 이용하는 SMD(Surface Mount Device) 패키지(표면 실장형 디바이스 패키지) 등의 전자 부품 수납용 패키지가 알려져 있다. 이 전자 부품 수납용 패키지는, 예를 들어 일본 특허 공개 2000-150687호 공보에 개시되어 있다. 그리고, 이와 같은 전자 부품 수납용 패키지를 기밀 밀봉할 때에는 기밀 밀봉용 캡이 이용된다.
도17은 종래의 일예에 의한 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지의 전체 구성을 도시한 단면도이다. 도17을 참조하여 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지에서는 절연성의 세라믹 기판(101)의 단부 표면 상에 수납 공간을 구성하도록 절연성의 세라믹 프레임 부재(102)가 형성되어 있다. 또한, 세라믹 프레임 부재(102)에 의해 둘러싸인 수납 공간 내에 위치하는 세라믹 기판(101) 상에는 범프(104)를 거쳐서 수정 진동자 등의 전자 부품(105)이 부착되어 있다. 또한, 세라믹 프레임 부재(102) 상에는 밀봉재로서의 땜납층(103)을 거쳐서 기밀 밀봉용 캡 부재(111)가 접합되어 있다.
기밀 밀봉용 캡 부재(111)의 표면의 전체를 씌우도록 니켈 도금층(112)이 형성되어 있다. 또한, 니켈 도금층(112)의 표면 전체를 씌우도록 금 도금층(113)이 형성되어 있다. 금 도금층(113)은 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(103)과의 접합성을 좋게 하기 위해 설치되어 있고, 니켈 도금층(112)은 금 도금층(113)의 기초 도금층으로서 설치되어 있다.
다음에, 도18 및 도19를 참조하여 도17에 도시한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 패키지의 제조 프로세스에 대해 설명한다.
우선, 도18에 도시한 바와 같이, 프레스 가공에 의해 판형의 철-니켈-코발트(Fe-Ni-Co) 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡 부재(111)를 형성한다. 그리고, 기밀 밀봉용 캡 부재(111)의 표면 전체에 니켈 도금층(112)을 기초 도금층으로서 형성한 후, 니켈 도금층(112)의 표면 전체를 씌우도록 금 도금층(113)을 형성한다.
다음에, 도19에 도시한 바와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(111)의 금 도금층(113)의 표면 중 세라믹 프레임 부재(102)와 접합되는 부분에 금-주석(Au-Sn) 땜납으로 이루어지는 땜납층(103)을 가고온 납땜한다. 그리고, 도17에 도시한 바와 같이 범프(104)를 거쳐서 전자 부품(105)이 부착된 세라믹 기판(101) 상의 세라믹 프레임 부재(102)의 상면에 접촉하도록 기밀 밀봉용 캡 부재(111)에 가고온 납땜된 땜납층(103)을 배치한다. 그 후, 땜납층(103)을 용융함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재(111)를 세라믹 프레임 부재(102)의 상면에 접합한다. 이와 같이 하여, 도17에 도시한 종래의 전자 부품 수납용 패키지가 형성된다.
그러나, 도17에 도시한 종래의 전자 부품 수납용 패키지에서는 기판측이 세라믹 기판(101)과 세라믹 프레임 부재(102)의 2층 구조로 되어 있으므로, 부품 점수가 증가하게 되는 문제점이 있었다.
그래서, 종래에는 기판측을 단층으로 하는 동시에, 기밀 밀봉용 캡을 캐비티부(오목부)를 갖는 구조로 함으로써 부품 점수를 삭감한 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지가 제안되어 있다. 도20은 그 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지를 도시한 단면도이다. 도20을 참조하여 이 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지에서는 기판측이 단층의 절연성의 세라믹 기판(131)에 의해 구성되어 있다. 또한, 세라믹 기판(131) 상의 소정 영역에는 범프(133)를 거쳐서 수정 진동자 등의 전자 부품(134)이 부착되어 있다. 또한, 세라믹 기판(131)을 밀봉하도록 금-주석(Au-Sn) 땜납으로 이루어지는 땜납층(132)을 거쳐서 캐비티부(오목부)를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)가 부착되어 있다. 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 표면 전체를 씌우도록 기초 도금층으로서의 니켈 도금층(142)이 형성되어 있다. 그리고, 그 니켈 도금층(142)의 표면 전체를 씌우도록 금 도금층(143)이 형성되어 있다.
도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스로서는, 우선 도21에 도시하는 제1 교축 공정에 있어서, 플랜지부(141a)와 캐비티부(오목부)(160)를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 개략적인 구조를 형성한다. 그리고, 도22에 도시한 제2 교축 공정 및 도23에 도시한 제3 교축 공정을 행함으로써, 도23에 도시한 바와 같은 평탄부(141c)를 갖는 플랜지부(141a)를 포함하는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)가 형성된다.
다음에, 도24에 도시한 바와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 표면 전면을 씌우도록 기초 도금층으로서의 니켈 도금층(142)을 형성한다. 그리고, 니켈 도금층(142)의 표면 전면을 씌우도록 금 도금층(143)을 형성한다.
그리고, 도25에 도시한 바와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 플랜지부(141a)에 대응하는 금 도금층(143) 상에 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(132)을 가고온 납땜한다. 그리고, 도20에 도시한 바와 같이 범프(133)를 거쳐서 전자 부품(134)이 부착된 세라믹 기판(131)의 상면에 접촉하도록 기밀 밀봉용 캡 부재(141)에 가고온 납땜된 땜납층(132)을 배치한다. 그 후, 땜납층(132)을 용융함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재(141)를 세라믹 기판(131)의 상면에 접합한다. 이와 같이 하여 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지가 형성된다.
그러나, 도17에 나타낸 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지에 이용하는 기밀 밀봉용 캡 및 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지에 이용하는 기밀 밀봉용 캡에서는 각각 도26 및 도27에 도시한 바와 같은 문제점이 있었다.
우선, 도17에 나타낸 종래의 일예에 의한 기밀 밀봉용 캡 부재(111)에서는 기밀 밀봉용 캡 부재(111)의 전표면 상에 기초 도금층으로서의 니켈 도금층(112)을 거쳐서 금 도금층(113)이 형성되어 있다. 이 금 도금층(113)은 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(103)과의 습윤성이 양호하므로, 도26에 도시한 바와 같이 땜납층(103)이 전자 부품(105)이 수납되어 있는 측으로 유입되게 되는 문제점이 생긴다. 이와 같이 땜납층(103)이 내면측으로 유입되면 그 유입된 땜납층(103)이 전자 부품(105)측으로 비산하여 전자 부품(105)과 땜납층(103)이 접촉하는 경우가 있었다. 그 경우에는 전자 부품(105)의 소자 특성이 열화되게 되는 문제점이 있었다.
또한, 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 캐비티부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)도 전표면에 기초 도금층으로서의 니켈 도금층(142)을 거쳐서 금 도금층(143)이 형성되어 있으므로, 기밀 밀봉용 캡 부재(141)를 세라믹 기판(131)에 땜납층(132)에 의해 밀봉할 때에 도27에 도시한 바와 같이 땜납층(132)이 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 내면을 따라 올라간다. 이와 같이 땜납층(132)이 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 내면을 따라 올라가면, 그 따라 올라간 땜납층(132)이 전자 부품(134)측으로 비산하여 땜납층(132)과 전자 부품(134)이 접촉하는 경우가 있었다. 그 경우에는 전자 부품(134)의 소자 특성이 저하되게 되는 문제점이 있었다.
또한, 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 캐비티부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)에서는 도21 내지 도23에 도시한 종래의 일반적인 교축 공정에 의해 플랜지부(141a)를 형성하고 있으므로, 플랜지부(141a)의 밀봉측 내면 코너부(141b)가 둥근 형상이 된다. 즉, 플랜지부(141a)의 밀봉측 내면 코너부(141b)의 곡률 반경이 커지므로, 플랜지부(141a)의 평탄부(141c)의 길이가 짧아지게 되는 문제점이 있었다. 플랜지부(141a)의 평탄부(141c)의 길이가 짧아지면 밀봉면의 길이가 작아지므로, 밀봉성이 악화되게 되는 문제점이 있다. 또한, 이 경우에 밀봉성을 개선하기 위해, 플랜지부(141a)의 평탄부(141c)의 길이를 크게 하고자 하면, 기밀 밀봉용 캡 부재(141)의 외형 치수가 커지고, 그 결과, 소형화를 도모하는 것이 곤란해지게 되는 문제점이 있었다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 전체 구성을 도시한 단면도이다.
도2는 도1에 나타낸 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도3은 도1에 나타낸 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도4는 도1에 나타낸 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도5는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 전체 구성을 도시한 단면도이다.
도6은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도7은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도8은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도9는 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도10은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도11은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도12는 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예를 설명하기 위한 단면도이다.
도13은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도14는 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도15는 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도16은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도17은 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 전체 구성을 도시한 단면도이다.
도18은 도17에 나타낸 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도19는 도17에 나타낸 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도20은 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 전체 구성을 도시한 단면도이다.
도21은 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도22는 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도23은 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도24는 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도25는 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스를 설명하기 위한 단면도이다.
도26은 도17에 나타낸 종래의 일예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.
도27은 도20에 나타낸 종래의 다른 예에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 하나의 목적은, 땜납 등의 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제하는 것이 가능한 기밀 밀봉용 캡을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은, 밀봉성을 향상시킬 수 있는 동시에, 소형화를 도모하는 것이 가능한 기밀 밀봉용 캡을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은, 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제하는 것이 가능한 기밀 밀봉용 캡을 용이하게 제조할 수 있는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은, 밀봉성을 향상시킬 수 있는 동시에, 소형화를 도모하는 것이 가능한 기밀 밀봉용 캡을 용이하게 제조할 수 있는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡은 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡이며, 기밀 밀봉용 캡 부재와, 적어도 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 형성되는 영역 이외의 영역에 형성된 제1 도금층과, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 형성되어 제1 도금층보다도 밀봉재와의 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 구비하고 있다.
이 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에서는, 상기와 같이 적어도 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 형성되는 영역 이외의 영역에 제1 도금층을 설치하는 동시에, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 제1 도금층보다도 밀봉재와의 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 설치함으로써, 기밀 밀봉용 캡을 밀봉재에 의해 밀봉할 때에 땜납 등의 밀봉재는, 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 배치된 제2 도금층보다도 습윤성이 나쁜 제1 도금층측으로는 유입되기 어려워지므로, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것에 기인하여 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하게 되는 문제점이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 밀봉재가 밀봉면 이외의 영역으로 흘러 나가는 것이 억제되므로, 밀봉재의 양을 감소시킬 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에 있어서, 바람직하게는, 전자 부품 수납용 패키지는 세라믹 기판과, 세라믹 기판의 표면의 소정 영역 상에 수납 공간을 구성하도록 형성된 세라믹 프레임 부재를 포함하여 세라믹 프레임 부재의 표면 상에 밀봉재를 거쳐서 기밀 밀봉용 캡 부재가 부착된다. 이와 같이 구성하면, 세라믹 프레임 부재에 기밀 밀봉용 캡 부재가 부착되는 구조에 있어서, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 용이하게 억제할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에 있어서, 바람직하게는, 기밀 밀봉용 캡 부재는 오목부와, 오목부의 양단부에 설치된 플랜지부를 포함하여 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경이 0.1 ㎜ 이하이다. 이와 같이 구성하면, 플랜지부의 밀봉면(평탄부)의 길이가 커지므로 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래의 밀봉측 내면 코너부가 큰 곡률 반경을 갖는 형상의 플랜지부와 동일한 평탄부(밀봉면)의 길이이고, 본 발명의 0.1 ㎜ 이하의 작은 곡률 반경을 갖는 밀봉측 내면 코너부를 포함하는 플랜지부를 형성한 경우에는, 오목부의 내용적을 종래보다도 크게 할 수 있다. 이에 의해, 종래와 동일한 전자 부품을 수납하는 경우에는 종래보다도 기밀 밀봉용 캡 부재의 외형 치수를 작게 할 수 있으므로, 패키지의 소형화를 도모할 수 있다.
이 경우, 전자 부품 수납용 패키지는 세라믹 기판을 포함하여 세라믹 기판의 표면 상에 밀봉재를 거쳐서 오목부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재가 부착된다. 이와 같이 구성하면, 세라믹 기판에 오목부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재가 부착되는 구조에 있어서, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 용이하게 억제할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에 있어서, 바람직하게는, 제1 도금층은 니켈 도금층이고, 제2 도금층은 금 도금층이다. 이와 같이 구성하면, 용이하게 기밀 밀봉용 캡을 밀봉재에 의해 밀봉할 때에 금 도금층보다도 습윤성이 나쁜 니켈 도금층에 의해 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡부에 있어서, 제1 도금층은 제2 도금층보다도 큰 두께를 갖고 있어도 좋다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에 있어서, 바람직하게는, 밀봉재는 금-주석 땜납을 포함한다. 이와 같이 구성하면 금 도금층에 대해서는 습윤성이 좋고, 또한 니켈 도금층에 대해서는 습윤성이 나쁜 밀봉재를 용이하게 얻을 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에 있어서, 기밀 밀봉용 캡 부재는 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어져 있어도 좋다.
본 발명의 제2 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡부는 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡이며, 오목부와, 오목부의 양단부에 설치된 플랜지부를 구비하고, 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경이 0.1 ㎜ 이하이다.
이 제2 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡에서는, 상기와 같이 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경을 0.1 ㎜ 이하로 함으로써, 플랜지부의 밀봉면(평탄부)의 길이가 커지므로 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래의 밀봉측 내면 코너부가 큰 곡률 반경을 갖는 형상의 플랜지부와 동일한 평탄부(밀봉면)의 길이이고, 본 발명의 0.1 ㎜ 이하의 작은 곡률 반경을 갖는 밀봉측 내면 코너부를 포함하는 플랜지부를 형성한 경우에는 오목부의 내용적을 종래보다도 크게 할 수 있다. 이에 의해, 종래와 동일한 전자 부품을 수납하는 경우에는 종래보다도 기밀 밀봉용 캡 부재의 외형 치수를 작게 할 수 있으므로 패키지의 소형화를 도모할 수 있다.
이 경우, 기밀 밀봉용 캡은 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어져 있어도 좋다.
본 발명의 제3 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법은 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법이며, 기밀 밀봉용 캡 부재를 형성하는 공정과, 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층과, 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 형성하는 공정과, 제2 도금층 중 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 위치하는 부분을 제거하는 공정을 구비하고 있다.
이 제3 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에서는, 상기와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층과, 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 형성한 후, 제2 도금층 중 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 위치하는 부분을 제거함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 제2 도금층을 형성할 수 있는 동시에, 기밀 밀봉용 캡 부재의 제2 도금층이 형성되는 영역 이외의 영역에 제2 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 나쁜 재료를 포함하는 제1 도금층을 형성할 수 있다. 이에 의해, 기밀 밀봉용 캡을 밀봉재에 의해 밀봉할 때에 밀봉재는 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 배치된 습윤성이 나쁜 제1 도금층측으로는 유입되기 어려워지므로, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이로 인해, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것에 기인하여 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하게 되는 문제점이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 밀봉재가 밀봉면 이외의 영역으로 흘러 나가는 것이 억제되므로, 밀봉재의 양을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법은 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법이며, 기밀 밀봉용 캡 부재를 형성하는 공정과, 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층을 형성하는 공정과, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 형성하는 공정을 구비하고 있다.
이 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에서는, 상기와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층을 형성한 후, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 형성함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 습윤성이 양호한 제2 도금층을 형성할 수 있는 동시에, 기밀 밀봉용 캡 부재의 제2 도금층이 형성되는 영역 이외의 영역에 제2 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 나쁜 재료를 포함하는 제1 도금층을 형성할 수 있다. 이에 의해, 기밀 밀봉용 캡을 밀봉재에 의해 밀봉할 때에 밀봉재는 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 배치된 습윤성이 나쁜 재료를 포함하는 제1 도금층측으로는 유입되기 어려워지므로, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이로 인해, 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것에 기인하여 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하게 되는 문제점이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 밀봉재가 패키지 내의 전자 부품에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품의 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 밀봉재가 밀봉면 이외의 영역으로 흘러 나가는 것이 억제되므로 밀봉재의 양을 감소시킬 수 있다.
상기 제3 또는 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에 있어서, 바람직하게는, 기밀 밀봉용 캡 부재를 형성하는 공정은 판형의 기밀 밀봉용 캡 부재에 플랜지부가 형성되지 않도록 오목부를 형성하는 제1 교축 공정과, 오목부의 양단부를 코이닝 가공함으로써 오목부의 양단부에 플랜지부를 형성하는 동시에, 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경을 0.1 ㎜ 이하로 하는 제2 교축 공정을 포함한다. 이와 같이 구성하면, 밀봉면의 길이가 큰 플랜지부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재를 형성할 수 있으므로 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래의 밀봉측 내면 코너부가 큰 곡률 반경을 갖는 형상의 플랜지부와 동일한 평탄부(밀봉면)의 길이이고, 본 발명의 0.1 ㎜ 이하의 작은 곡률 반경을 갖는 밀봉측 내면 코너부를 포함하는 플랜지부를 형성한 경우에는 오목부의 내용적을 종래보다도 크게 할 수 있다. 이에 의해, 종래와 동일한 전자 부품을 수납하는 경우에는 종래보다도 기밀 밀봉용 캡 부재의 외형 치수를 작게 할 수 있으므로 패키지의 소형화를 도모할 수 있다.
상기 제3 또는 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에 있어서, 바람직하게는, 제1 도금층은 니켈 도금층이고, 제2 도금층은 금 도금층이다. 이와 같이 구성하면, 용이하게 기밀 밀봉용 캡을 밀봉재에 의해 밀봉할 때에 금 도금층보다도 습윤성이 나쁜 니켈 도금층에 의해 밀봉재가 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
상기 제3 또는 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에 있어서, 바람직하게는, 밀봉재는 금-주석 땜납을 포함한다. 이와 같이 구성하면, 금 도금층에 대해서는 습윤성이 좋고, 또한 니켈 도금층에 대해서는 습윤성이 나쁜 밀봉재를 용이하게 얻을 수 있다.
상기 제3 또는 제4 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에 있어서, 기밀 밀봉용 캡 부재는 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어져 있어도 좋다.
본 발명의 제5 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법은 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법이며, 판형의 기밀 밀봉용 캡 부재에 플랜지부가 형성되지 않도록 오목부를 형성하는 제1 교축 공정과, 오목부의 양단부를 코이닝 가공함으로써 오목부의 양단부에 플랜지부를 형성하는 동시에, 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경을 0.1 ㎜ 이하로 하는 제2 교축 공정을 구비하고 있다.
이 제5 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에서는, 상기한 바와 같은 제1 및 제2 교축 공정을 행함으로써 용이하게 밀봉면의 길이가 큰 플랜지부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재를 형성할 수 있으므로 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래의 밀봉측 내면 코너부가 큰 곡률 반경을 갖는 형상의 플랜지부와 동일한 평탄부(밀봉면)의 길이이고, 본 발명의 0.1 ㎜ 이하의 작은 곡률 반경을 갖는 밀봉측 내면 코너부를 포함하는 플랜지부를 형성한 경우에는 오목부의 내용적을 종래보다도 크게 할 수 있다. 이에 의해, 종래와 동일한 전자 부품을 수납하는 경우에는 종래보다도 기밀 밀봉용 캡 부재의 외형 치수를 작게 할 수 있으므로, 패키지의 소형화를 도모할 수 있다.
상기 제5 국면에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법에 있어서, 기밀 밀봉용 캡은 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어져 있어도 좋다.
이하, 본 발명을 구체화한 실시 형태를 도면을 기초로 하여 설명한다.
(제1 실시 형태)
도1을 참조하여 본 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지에서는 알루미나 등의 절연성 재료로 이루어지는 세라믹 기판(1)의 표면의 소정 영역 상에 수납 공간을 구성하도록 알루미나 등의 절연성 재료로 이루어지는 세라믹 프레임 부재(2)가 형성되어 있다. 또한, 세라믹 프레임 부재(2)에 의해 둘러싸인 수납 공간 내에 위치하는 세라믹 기판(1) 상에는 범프(4)를 거쳐서 수정 진동자 등의 전자 부품(5)이 부착되어 있다. 또한, 세라믹 프레임 부재(2) 상에는 금-주석 땜납(예를 들어, 20 Au-Sn 땜납)으로 이루어지는 땜납층(3)을 거쳐서 기밀 밀봉용 캡 부재(11)가 접합되어 있다. 이 기밀 밀봉용 캡 부재(11)는 Fe-Ni-Co(철-니켈-코발트) 합금으로 이루어진다.
여기서, 제1 실시 형태에서는 기밀 밀봉용 캡 부재(11)의 표면의 전면을 씌우도록 니켈 도금층(12)이 약 2 ㎛의 두께로 형성되어 있다. 또한, 니켈 도금층(12)의 표면 중 땜납층(3)이 배치되는 영역 상에만 약 0.05 ㎛의 두께를 갖는 금 도금층(13)이 형성되어 있다. 또한, 금 도금층(13)은 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(3)과의 습윤성이 양호하고, 니켈 도금층(12)은 금 도금층(13)과 비교하여 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(3)과의 습윤성이 나쁘다. 이 니켈 도금층(12)은 본 발명의「제1 도금층」의 일예이고, 금 도금층(13)은 본 발명의「제2 도금층」의 일예이다. 또한, 땜납층(3)은 본 발명의「밀봉재」의 일예이다. 또한, 제1 도금층의 다른 예로서는 니켈-인 도금 등이 있다. 제2 도금층의 다른 예로서는 금-코발트 도금, 금-니켈 도금 등이 있다. 밀봉재의 다른 예로서는 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu 등의 납 프리 땜납이나, Sn-Pb 땜납 등이 있다. 또한, 도금층의 형성은 전해 도금법이라도 좋고, 무전해 도금법이라도 좋다.
다음에, 도1 내지 도4를 참조하여 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스에 대해 설명한다.
우선, 도2에 도시한 바와 같이 철-니켈-코발트 합금으로 이루어지는 판형 코일을 프레스 가공에 의해 펀칭함으로써 철-니켈-코발트 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡 부재(11)를 형성한다. 이 기밀 밀봉용 캡 부재(11)의 표면 전면에 니켈 도금층을 약 2 ㎛의 두께로 형성한다. 그리고, 니켈 도금층(12)의 전면을 씌우도록 약 0.05 ㎛의 두께를 갖는 금 도금층(13)을 형성한다.
다음에, 도3에 도시한 바와 같이, 금 도금층(13)의 표면 상의 소정 영역에 금-주석 땜납(예를 들어, 20 Au-Sn 땜납)으로 이루어지는 땜납층(3)을 배치한다. 그 후, 약 280 ℃ 이상에서 땜납층(3)을 기밀 밀봉용 캡 부재(11)에 대해 가고온 납땜한다. 그 후, 땜납층(3)을 마스크로 하고, Au 박리액을 이용하여 땜납층(3)이 형성된 영역 이외의 영역에 위치하는 금 도금층(13)을 제거한다. 이에 의해, 도4에 도시된 바와 같은 형상을 얻을 수 있다. 이와 같이 하여, 제1 실시 형태에 의한 기밀 밀봉용 캡을 얻을 수 있다.
이 후, 도1에 도시한 바와 같이 범프(4)를 거쳐서 전자 부품(5)이 부착된 세라믹 기판(1) 상의 세라믹 프레임 부재(2)의 상면에 접촉하도록 기밀 밀봉용 캡 부재(11)에 가고온 납땜된 땜납층(3)을 배치한다. 그 후, 약 280 ℃ 이상의 온도에서 땜납층(3)을 용융함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재(11)를 세라믹 프레임 부재(2)의 상면에 접합한다. 이와 같이 하여, 도1에 나타낸 제1 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지가 형성된다.
제1 실시 형태에서는, 상기와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(11)의 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(3)이 배치되는 영역에 땜납층(3)과의 습윤성이 양호한 금 도금층(13)을 형성하는 동시에, 땜납층(3)이 배치되는 영역 이외의 영역에는 금 도금층(13)보다도 땜납층(3)과의 습윤성이 나쁜 니켈 도금층(12)이 표면에 노출되도록 형성함으로써 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(3)에 의해 기밀 밀봉용 캡 부재(11)를 밀봉할 때에 땜납층(3)은 금 도금층(13)보다도 습윤성이 나쁜 니켈 도금층(12)측으로는 유입되기 어려워진다. 이에 의해, 땜납층(3)이 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있으므로, 땜납층(3)이 패키지 내로 유입되는 것에 기인하여 땜납층(3)이 패키지 내의 전자 부품(5)에 접촉하게 되는 문제점이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 땜납층(3)이 패키지 내의 전자 부품(5)에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품(5)의 특성의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 상기와 같이 땜납층(3)이 밀봉면 이외의 영역으로 흘러 나가는 것이 억제되므로 땜납층(3)의 양을 감소시킬 수 있다.
(제2 실시 형태)
도5를 참조하여 본 제2 실시 형태에서는 캐비티부(오목부)를 갖는 기밀 밀봉용 캡에 본 발명을 적용한 경우의 예에 대해 설명한다.
구체적으로는, 본 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지에서는 알루미나 등의 절연성 재료로 이루어지는 세라믹 기판(31) 상에 금-주석 땜납(예를 들어, 20 Au-Sn 땜납)으로 이루어지는 땜납층(32)을 거쳐서 캐비티부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(41)가 접합되어 있다. 패키지 내의 세라믹 기판(31)의 표면 상에는 범프(33)를 거쳐서 수정 진동자 등의 전자 부품(34)이 부착되어 있다.
여기서, 제2 실시 형태에서는 캐비티부를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 표면의 전면에 약 2 ㎛의 두께를 갖는 니켈 도금층(42)이 형성되어 있다. 또한, 니켈 도금층(42)의 표면 중 땜납층(32)이 배치되는 영역에는 약 0.05 ㎛의 두께를 갖는 금 도금층(43)이 형성되어 있다. 또한, 금 도금층(43)은 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(32)과의 습윤성이 양호하고, 니켈 도금층(42)은 금 도금층(43)과 비교하여 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(32)과의 습윤성이 나쁘다. 이 니켈 도금층(42)은 본 발명의「제1 도금층」의 일예이고, 금 도금층(43)은 본 발명의「제2 도금층」의 일예이다. 또한, 땜납층(32)은 본 발명의「밀봉재」의 일예이다.
또한, 제2 실시 형태에서는 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 플랜지부(41a)의 밀봉측 내면 코너부(41b)가 약 0 ㎜보다도 크고, 또한 약 0.1 ㎜ 이하인 매우 작은 곡률 반경을 갖도록 형성되어 있다.
제2 실시 형태에서는, 상기와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(32)이 배치되는 영역에 금 도금층(43)을 형성하는 동시에, 그 이외의 영역에는 금 도금층(43)보다도 땜납층(32)에 대한 습윤성이 나쁜 니켈 도금층(42)을 형성함으로써, 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(32)을 이용하여 밀봉할 때에 금-주석 땜납으로 이루어지는 땜납층(32)이 습윤성이 나쁜 니켈 도금층(42)측으로 유입되기 어려워진다. 이에 의해, 땜납층(32)이 패키지 내로 유입되는 것을 억제할 수 있으므로, 땜납층(32)이 패키지 내로 유입되는 것에 기인하여 땜납층(32)이 패키지 내의 전자 부품(34)에 접촉하게 되는 문제점이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 땜납층(32)이 패키지 내의 전자 부품(34)에 접촉하는 것에 기인하는 전자 부품(34)의 특성의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에서는, 상기와 같이 땜납층(32)이 밀봉면 이외의 영역으로 흘러 나가는 것을 억제할 수 있으므로 땜납층(32)의 양을 감소시킬 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에서는 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 플랜지부(41a)의 밀봉측 내면 코너부(41b)의 곡률 반경을 0 ㎜보다도 크고, 또한 약 0.1 ㎜ 이하로 함으로써 도20에 도시한 종래의 구조에 비해 플랜지부(41a)의 평탄부(밀봉면)(41c)의 길이가 커지므로 밀봉성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 도5 내지 도12를 참조하여 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 일예에 대해 설명한다.
우선, 도6에 도시한 바와 같이, 제1 교축 공정으로서 플랜지부가 형성되지 않고 캐비티부(오목부)(60)가 형성되도록 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 구성하는 철-니켈-코발트 합금으로 이루어지는 판형 코일을 프레스 가공한다.
다음에, 도7에 도시한 바와 같이 제2 교축 공정으로서 코이닝 가공을 행함으로써 캐비티부(60)의 양단부에 플랜지부(41a)를 형성한다. 도6에 도시하는 제1 교축 공정 및 도7에 도시하는 제2 교축 공정에 의해 0 ㎜보다도 크고, 또한 약 0.1 ㎜ 이하인 매우 작은 곡률 반경을 갖는 밀봉측 내면 코너부(41b)를 형성할 수 있다.
여기서, 밀봉측 내면 코너부(41b)의 곡률 반경이 약 0.1 ㎜ 이하로 매우 작으므로, 상술한 바와 같이 평탄부(밀봉면)(41c)의 길이가 종래의 구조에 비해 길어진다. 이 경우, 평탄부(41c)의 길이를, 예를 들어 도23에 도시한 종래의 플랜지부(141a)의 평탄부(141c)의 길이와 동일한 길이로 제2 실시 형태의 플랜지부(41a)의 평탄부(41c)를 형성하면, 도8에 도시한 바와 같이 캐비티부(60)의 내용적이 커진다. 이로 인해, 도23에 도시한 종래의 캐비티부(160)를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(141)와 동일한 외형 치수로 도8에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 형성하면, 캐비티부(60)의 내용적을 도23에 도시한 캐비티부(160)의 내용적보다도 크게 할 수 있다. 따라서, 종래와 동일한 전자 부품을 수납하는 경우에는 작은 외형 치수의 기밀 밀봉용 캡을 이용할 수 있으므로 패키지의 소형화를 도모할 수 있다.
도7에 도시한 제2 교축 공정의 후, 도9에 도시한 바와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 전면에 니켈층(42)을 약 2 ㎛의 두께로 형성한 후, 약 0.05 ㎛의 두께로 금 도금층(43)을 형성한다.
다음에, 도10에 도시한 바와 같이 금 도금층(43)의 땜납층(32)이 형성되는 영역에 레지스트(44)를 형성한다. 그리고, 레지스트(44)를 마스크로 하고, Au 박리액을 이용하여 땜납층(32)이 배치되는 영역 이외의 금 도금층(43)을 제거한다. 이에 의해, 도11에 도시되는 형상을 얻을 수 있다. 이 후, 레지스트(44)를 제거한다.
다음에, 도12에 도시한 바와 같이 금 도금층(43) 상에 금-주석 땜납(예를 들어, Au-Sn 땜납)으로 이루어지는 땜납층(32)을 배치한 후, 약 280 ℃ 이상에서 땜납층(32)을 금 도금층(43)에 대해 가고온 납땜한다.
이 후, 도5에 도시한 바와 같이 범프(33)를 거쳐서 전자 부품(34)이 부착된 세라믹 기판(31)의 상면에 접촉하도록 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 금 도금층(43)에 가고온 납땜된 땜납층(32)을 배치한다. 그 후, 약 280 ℃ 이상의 온도에서 땜납층(32)을 용융함으로써 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 세라믹 기판(31)의 상면에 접합한다. 이와 같이 하여, 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지가 형성된다.
도13 내지 도16은 도5에 나타낸 제2 실시 형태에 의한 전자 부품 수납용 패키지의 제조 프로세스의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다. 다음에, 도13 내지 도16을 참조하여 제2 실시 형태에 의한 기밀 밀봉용 캡의 제조 프로세스의 다른 예에 대해 설명한다.
우선, 도6 및 도7에 도시한 제1 교축 공정 및 제2 교축 공정에 의해 도7에 도시한 바와 같은 형상의 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 형성한 후, 도13에 도시한 바와 같이 기밀 밀봉용 캡 부재(41)의 전면에 약 2 ㎛의 두께를 갖는 니켈 도금층(42)을 형성한다.
다음에, 도14에 도시한 바와 같이 땜납층(32)이 배치되는 영역 이외의 니켈 도금층(42)을 씌우도록 레지스트(51)를 형성한다.
다음에, 도15에 도시한 바와 같이 레지스트(51)를 형성한 상태에서 땜납층(32)이 배치되는 영역에 약 0.05 ㎛의 두께를 갖는 금 도금층(43)을 형성한다. 이 후, 레지스트(51)를 제거함으로써 도16에 도시되는 형상을 얻을 수 있다. 그 후, 도12에 도시한 공정과 마찬가지로, 금 도금층(43) 상에 금-주석 땜납(예를 들어, 20 Au-Sn 땜납)으로 이루어지는 땜납층(32)을 배치한 후, 약 280 ℃ 이상에서 땜납층(32)을 금 도금층(43)에 대해 가고온 납땜한다. 그 후, 도5에 도시한 바와 같이 세라믹 기판(31)을 밀봉하도록 기밀 밀봉용 캡 부재(41) 및 땜납층(32)을 배치한 후, 다시 약 280 ℃ 이상의 온도에서 땜납층(32)을 용융함으로써 기밀 밀봉을 행한다.
또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시 형태의 설명이 아닌 특허청구의 범위에 의해 개시되고, 또한 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함된다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 밀봉재로서 금-주석(Au-Sn) 땜납으로 이루어지는 땜납층을 이용하는 동시에, 도금층으로서 니켈 도금층과 금 도금층을 이용하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다른 땜납 또는 납재로 이루어지는 밀봉재를 이용하는 동시에, 다른 도금층을 이용해도 좋다. 그 경우, 적어도 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 형성되는 영역 이외의 영역에 제1 도금층을 설치하는 동시에, 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 제1 도금층보다도 밀봉재와의 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층을 설치하도록 하면 상기 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 밀봉측 내면 코너부(41b)를 0 ㎜보다도 크고, 또한 0.1 ㎜ 이하인 곡률 반경을 갖도록 하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 밀봉측 내면 코너부(41b)를 실질적으로 직각(90°)이 되도록 형성해도 좋다. 이와 같이, 코너부(41b)를 실질적으로 직각(90°)으로 함으로써 도27에 도시한 바와 같은 종래의 땜납층의 따라 올라오는 것을 방지할 수 있다. 또한, 코너부(41b)를 실질적으로 직각(90°)으로 함으로써 플랜지부의 평탄부의 길이를 최대로 할 수 있다. 이에 의해, 밀봉성이 양호한 소형 캡 부재를 제공할 수 있다. 또한, 코너부(41b)를 실질적으로 직각(90°)이 되도록 형성하기 위해서는 제2 교축 공정에서 플랜지부의 밀봉측 내면 코너를 찌부러뜨리도록 코이닝 가공함으로써 형성하면 된다.

Claims (19)

  1. 전자 부품(5, 34)을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡이며,
    기밀 밀봉용 캡 부재(11, 41)와,
    적어도 상기 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재(3, 32)가 형성되는 영역 이외의 영역에 형성된 제1 도금층(12, 42)과,
    상기 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 형성되어 상기 제1 도금층보다도 상기 밀봉재와의 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층(13, 43)을 구비한 기밀 밀봉용 캡.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자 부품 수납용 패키지는,
    세라믹 기판(1)과,
    상기 세라믹 기판의 표면의 소정 영역 상에 수납 공간을 구성하도록 형성된 세라믹 프레임 부재(2)를 포함하고,
    상기 세라믹 프레임 부재의 표면 상에 상기 밀봉재(3)를 거쳐서 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(11)가 부착되는 기밀 밀봉용 캡.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(41)는,
    오목부(60)와,
    상기 오목부의 양단부에 설치된 플랜지부(41a)를 포함하고,
    상기 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경이 0 ㎜보다도 크고, 또한 0.1 ㎜ 이하인 기밀 밀봉용 캡.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(41)는,
    오목부(60)와,
    상기 오목부의 양단부에 설치된 플랜지부(41a)를 포함하고,
    상기 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부가 실질적으로 직각으로 되어 있는 기밀 밀봉용 캡.
  5. 제3항에 있어서, 상기 전자 부품 수납용 패키지는 세라믹 기판(31)을 포함하고,
    상기 세라믹 기판의 표면 상에 상기 밀봉재(32)를 거쳐서 상기 오목부(60)를 갖는 기밀 밀봉용 캡 부재(41)가 부착되는 기밀 밀봉용 캡.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도금층은 니켈 도금층(12, 42)이고,
    상기 제2 도금층은 금 도금층(13, 43)인 기밀 밀봉용 캡.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도금층(12, 42)은 상기 제2 도금층(13, 43)보다도 큰 두께를 갖는 기밀 밀봉용 캡.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밀봉재(3, 32)는 금-주석 땜납을 포함하는 기밀 밀봉용 캡.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(11, 41)는 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡.
  10. 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡이며,
    오목부(60)와,
    상기 오목부의 양단부에 설치된 플랜지부(41a)를 구비하고,
    상기 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경이 0.1 ㎜ 이하인 기밀 밀봉용 캡.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡은 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡.
  12. 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법이며,
    기밀 밀봉용 캡 부재(11, 41)를 형성하는 공정과,
    상기 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층(12, 42)과, 상기 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층(13, 43)을 형성하는 공정과,
    상기 제2 도금층 중 밀봉재가 배치되는 영역 이외의 영역에 위치하는 상기 부분을 제거하는 공정을 포함하는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  13. 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡부의 제조 방법이며,
    기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 형성하는 공정과,
    상기 기밀 밀봉용 캡 부재의 표면의 실질적으로 전면에 제1 도금층(42)을 형성하는 공정과,
    상기 기밀 밀봉용 캡 부재의 밀봉재가 배치되는 영역에 상기 제1 도금층보다도 밀봉재에 대한 습윤성이 양호한 재료를 포함하는 제2 도금층(43)을 형성하는 공정을 구비한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(41)를 형성하는 공정은,
    판형의 기밀 밀봉용 캡 부재에 플랜지부가 형성되어 있지 않도록 오목부(60)를 형성하는 제1 교축 공정과,
    상기 오목부의 양단부를 코이닝 가공함으로써 상기 오목부의 양단부에 상기 플랜지부(41a)를 형성하는 동시에, 상기 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경을 0.1 ㎜ 이하로 하는 제2 교축 공정을 포함하는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도금층은 니켈 도금층(12, 42)이고,
    상기 제2 도금층은 금 도금층(13, 43)인 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밀봉재(3, 32)는 금-주석 땜납을 포함하는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  17. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡 부재(11, 41)는 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  18. 전자 부품을 수납하기 위한 전자 부품 수납용 패키지에 이용되는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법이며,
    판형의 기밀 밀봉용 캡 부재(41)에 플랜지부가 형성되지 않도록 오목부(60)를 형성하는 제1 교축 공정과,
    상기 오목부의 양단부를 코이닝 가공함으로써 상기 오목부의 양단부에 상기 플랜지부(41a)를 형성하는 동시에, 상기 플랜지부의 밀봉측 내면 코너부의 곡률 반경을 0.1 ㎜ 이하로 하는 제2 교축 공정을 구비한 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 기밀 밀봉용 캡은 Fe-Ni-Co 합금으로 이루어지는 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120023002A (ko) * 2009-05-22 2012-03-12 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 코팅 부품, 그의 제조 방법 및 그의 실장 방법
KR20150039676A (ko) * 2013-10-03 2015-04-13 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 기밀 밀봉용 캡, 전자 부품 수납용 패키지 및 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법
KR20170106467A (ko) * 2015-03-11 2017-09-20 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 전자 부품 밀봉용 캡
JP2018074021A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日立金属株式会社 気密封止用リッドの製造方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112005000051T5 (de) * 2004-11-05 2006-08-31 Neomax Materials Co., Ltd., Suita Hermetische Abdichtkappe, Verfahren zur Herstellung einer hermetischen Abdichtkappe sowie Aufbewahrungsverpackung für eine elektronische Komponente
KR100657945B1 (ko) * 2005-01-21 2006-12-14 삼성전자주식회사 발열 댐을 구비한 광스캐너 패키지
JP2006245098A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Seiko Epson Corp 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器
EP1989818A4 (en) * 2006-03-02 2011-05-18 Du Pont PROCESS FOR MANUFACTURING INCLUDED LAYERS AND EQUIPMENT MADE THEREFOR
US8124172B2 (en) * 2006-03-02 2012-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for making contained layers and devices made with same
US7906845B1 (en) 2008-04-23 2011-03-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having reduced thermal interface material (TIM) degradation and method therefor
US8431820B2 (en) * 2008-05-02 2013-04-30 Neomax Materials Co., Ltd. Hermetic sealing cap
JP5310309B2 (ja) * 2009-06-26 2013-10-09 千住金属工業株式会社 はんだコートリッド
FR2953679B1 (fr) * 2009-12-04 2012-06-01 Thales Sa Boitier electronique hermetique et procede d'assemblage hermetique d'un boitier
JP5459127B2 (ja) * 2010-07-20 2014-04-02 千住金属工業株式会社 機能部品の製造方法及び機能部品
CN103354950B (zh) * 2011-02-07 2016-12-07 日立金属株式会社 气密密封用盖材、电子部件收纳用容器和气密密封用盖材的制造方法
CN102254875A (zh) * 2011-07-11 2011-11-23 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种陶瓷外壳及其制造方法
ITTO20110876A1 (it) * 2011-09-30 2013-03-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Metodo di saldatura di un cappuccio ad uno strato di supporto
WO2013172442A1 (ja) * 2012-05-18 2013-11-21 株式会社村田製作所 水晶振動子
US9402118B2 (en) * 2012-07-27 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Housing and method to control solder creep on housing
JP6294020B2 (ja) * 2013-07-16 2018-03-14 セイコーインスツル株式会社 蓋体部、この蓋体部を用いた電子デバイス用パッケージ及び電子デバイス
JP6387818B2 (ja) * 2014-12-11 2018-09-12 日立金属株式会社 気密封止用蓋材の製造方法
JP2017011249A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 株式会社ソーデナガノ 電子部品用パッケージの金属カバー
TWI570854B (zh) * 2015-08-10 2017-02-11 頎邦科技股份有限公司 具中空腔室之半導體封裝結構及其下基板及製程
JP6721147B2 (ja) * 2015-10-06 2020-07-08 住友電工プリントサーキット株式会社 プリント配線板及び電子部品
JP2017120865A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 日立金属株式会社 気密封止用キャップ
JP7064601B2 (ja) * 2018-09-03 2022-05-10 日立Astemo株式会社 電子制御装置
JP2020053554A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 日立金属株式会社 気密封止用キャップおよびその製造方法
US20210398871A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Intel Corporation Integrated circuit heat spreader including sealant interface material
CN114696777A (zh) * 2020-12-25 2022-07-01 Ngk电子器件株式会社 封装体及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546558A (en) 1978-09-29 1980-04-01 Fujitsu Ltd Metallic cover plate for semiconductor package
JPS5736846A (ja) 1980-08-13 1982-02-27 Nippon Denso Co Ltd Handotaisoshokinzokupatsukeeji
JPS5796555A (en) 1980-12-08 1982-06-15 Fujitsu Ltd Metallic cap for semiconductor and manufacture thereof
US4577056A (en) * 1984-04-09 1986-03-18 Olin Corporation Hermetically sealed metal package
JPS61253836A (ja) 1985-05-07 1986-11-11 Hitachi Ltd ハ−メチツクシ−ル
JPS63122250A (ja) 1986-11-12 1988-05-26 Nec Corp 半導体装置
JPH0496256A (ja) 1990-08-03 1992-03-27 Mitsubishi Materials Corp 金属製ハーメチックシール蓋
JP2962924B2 (ja) 1992-03-30 1999-10-12 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ
US5578869A (en) * 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
JP3432988B2 (ja) * 1996-01-18 2003-08-04 日本特殊陶業株式会社 電子部品パッケージ用金属製リッド基板、及び金属製リッドの製造方法
JPH11312758A (ja) 1998-02-27 1999-11-09 Sumitomo Special Metals Co Ltd はんだバンプシート製造方法およびｉｃパッケージ部品製造方法
US6229404B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Crystal oscillator
JP2000133734A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk クラッドリングの製造方法、封止キャップ及びその製造方法
JP2000150687A (ja) 1998-11-18 2000-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
DE10039646A1 (de) * 1999-08-18 2001-03-08 Murata Manufacturing Co Leitende Abdeckung, Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der leitenden Abdeckung
KR100443399B1 (ko) * 2001-10-25 2004-08-09 삼성전자주식회사 보이드가 형성된 열 매개 물질을 갖는 반도체 패키지

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120023002A (ko) * 2009-05-22 2012-03-12 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 코팅 부품, 그의 제조 방법 및 그의 실장 방법
KR20160105913A (ko) * 2009-05-22 2016-09-07 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 코팅 부품, 그의 제조 방법 및 그의 실장 방법
KR20150039676A (ko) * 2013-10-03 2015-04-13 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 기밀 밀봉용 캡, 전자 부품 수납용 패키지 및 기밀 밀봉용 캡의 제조 방법
KR20170106467A (ko) * 2015-03-11 2017-09-20 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 전자 부품 밀봉용 캡
JP2018074021A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日立金属株式会社 気密封止用リッドの製造方法

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