KR20050024994A - 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 - Google Patents
실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050024994A KR20050024994A KR1020030062283A KR20030062283A KR20050024994A KR 20050024994 A KR20050024994 A KR 20050024994A KR 1020030062283 A KR1020030062283 A KR 1020030062283A KR 20030062283 A KR20030062283 A KR 20030062283A KR 20050024994 A KR20050024994 A KR 20050024994A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- silicon wafer
- rapid heat
- bulk
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 144
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 144
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 166
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 153
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 97
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 75
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 75
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 53
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 5
- 235000015241 bacon Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 177
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 9
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 2
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
Claims (47)
- 전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 갖는 실리콘 웨이퍼에서,상기 웨이퍼 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 웨이퍼 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이에 형성되고, 결함의 농도 프로파일이 웨이퍼 전면에서 후면 방향으로 일정하게 유지되는 분포를 갖는 벌크 영역을 포함하는 실리콘 웨이퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 결함은 산소석출물과 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)을 포함하는 BMD(Bulk Micro-Defect)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 3.0×108~1.0×1010 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 결함은 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 1.0×108~3.0×109 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존의 깊이는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면의 표면으로부터 5㎛~40㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존은 산소석출물 및 벌크 적층결함이 제거된 무결함 영역인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 갖는 실리콘 웨이퍼에서, 상기 전면과 후면 사이의 영역은,상기 웨이퍼 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 웨이퍼 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이에 형성된 벌크 영역을 포함하되,상기 웨이퍼 전면으로부터 상기 웨이퍼 후면 사이의 결함 농도 프로파일은 상기 웨이퍼 전면 및 후면 사이의 중심부로부터 축대칭의 계단형 형태를 갖는데, 상기 벌크 영역은 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존과의 경계에서 수직 상승한 농도 기울기를 갖고 벌크 영역 전체에 걸쳐 수평한 농도 기울기를 가지며, 상기 벌크 영역의 결함 농도 프로파일은 10% 편차 범위 내의 평평한 형태를 갖는 실리콘 웨이퍼.
- 제8항에 있어서, 상기 결함은 산소석출물과 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)을 포함하는 BMD(Bulk Micro-Defect)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 벌크 영역에서 결함의 농도는 3.0×108~1.0×1010 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제8항에 있어서, 상기 결함은 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 벌크 영역에서 결함의 농도는 1.0×108~3.0×109 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존의 깊이는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면의 표면으로부터 5㎛~40㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
- 전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 갖는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 베이컨시를 소비하여 산소석출물의 핵 형성을 가속화시켜 주기 위한 제1 급속 열처리를 실시하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼 표면 근처 영역에 존재하는 상기 산소석출물의 핵들을 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼 벌크 영역에 존재하는 상기 산소석축물의 핵들을 더욱 성장시켜 주기 위한 제2 급속 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리 단계는 상기 제1 급속 열처리 단계보다 높은 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리 단계는 1120℃∼1180℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리 단계는 1200℃∼1230℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리 단계는 1초~5초 범위의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리 단계는 1초~10초 범위의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리는 아르곤 가스와 암모니아 가스의 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리는 아르곤 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리 단계와 상기 제2 급속 열처리 단계는 동일한 장비 내에서 인-시츄(In-Situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 제1 급속 열처리 단계와 상기 제2 급속 열처리 단계는 익스-시츄(Ex-Situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계는,씨드 결정(Seed Crystal)을 용융 실리콘에 담그고 결정성장 속도와 결정의 응고 계면에서의 성장 방향의 온도 구배를 조절하면서 인상하여 실리콘 단결정을 성장시키는 단계;성장된 실리콘 단결정을 웨이퍼의 형태로 슬라이싱하는 단계; 및슬라이싱할 때 발생한 슬라이싱 데미지(damage)를 제거하고 슬라이싱된 웨이퍼의 측면을 라운딩하거나 표면을 식각하기 위한 에칭 공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리 단계와 상기 제2 급속 열처리 단계는,상기 실리콘 웨이퍼 내에 포함된 결정성장시 발생한 산소가 후속의 열처리 과정에서 전자를 방출하여 도너 역할을 하는 것을 방지하기 위하여 산소석출물로 만들어주는 공정인 도너 킬링(donar killing) 공정 단계에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리 단계 후에,상기 실리콘 웨이퍼 표면을 폴리싱하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 표면을 경면화하기 위한 경면 연마 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2 급속 열처리 단계 후에,상기 상기 전면과 후면 사이의 영역은,상기 웨이퍼 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 웨이퍼 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이에 구비된 벌크 영역을 포함하되,상기 벌크 영역의 결함 농도 프로파일은 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 결함은 산소석출물과 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)을 포함하는 BMD(Bulk Micro-Defect)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제28항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 3.0×108~1.0×1010 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 결함은 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제30항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 1.0×108~3.0×109 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존의 깊이는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면의 표면으로부터 5㎛~40㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- (a) 전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 갖는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;(b) 상기 실리콘 웨이퍼를 급속 열처리 장비에 로딩하는 단계;(c) 상기 급속 열처리 장비 내의 온도를 목표하는 제1 온도로 급격히 상승시키는 단계;(d) 상기 제1 온도에서 상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 베이컨시를 소비하여 산소석출물의 핵 형성을 가속화시켜 주는데 필요한 시간 동안 유지하여 제1 급속 열처리를 실시하는 단계;(e) 상기 급속 열처리 장비 내의 온도를 제2 온도로 급격히 하강시키는 단계;(f) 상기 급속 열처리 장비 내의 온도를 상기 제1 온도보다 높은 제3 온도로 급격히 상승시키는 단계;(g) 상기 웨이퍼 표면 영역 또는 표면 근처 영역에 존재하는 상기 산소석출물의 핵들을 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼 벌크 영역에 존재하는 상기 산소석축물의 핵들을 더욱 성장시켜 주는데 필요한 시간 동안 상기 제3 온도에서 유지하여 제2 급속 열처리를 실시하는 단계; 및(h) 상기 급속 열처리 장비 내의 온도를 제4 온도로 급격히 하강시키는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리는 1120℃∼1180℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리는 1200℃∼1230℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 급속 열처리는 1초~5초 범위의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 제2 급속 열처리는 1초~10초 범위의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 (b) 단계 내지 상기 (h) 단계 동안에는 아르곤 가스를 계속하여 공급하여 주고, 상기 (d) 단계 동안에는 암모니아 가스를 공급하고 상기 (e) 단계 내지 상기 (h) 단계 동안에는 상기 암모니아 가스의 공급을 차단하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계는,씨드 결정(Seed Crystal)을 용융 실리콘에 담그고 결정성장 속도와 결정의 응고 계면에서의 성장 방향의 온도 구배를 조절하면서 인상하여 실리콘 단결정을 성장시키는 단계;성장된 실리콘 단결정을 웨이퍼의 형태로 슬라이싱하는 단계; 및슬라이싱할 때 발생한 슬라이싱 데미지(damage)를 제거하고 슬라이싱된 웨이퍼의 측면을 라운딩하거나 표면을 식각하기 위한 에칭 공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 (b) 내지 상기 (h) 단계는,상기 실리콘 웨이퍼 내에 포함된 결정성장시 발생한 산소가 후속의 열처리 과정에서 전자를 방출하여 도너 역할을 하는 것을 방지하기 위하여 산소석출물로 만들어주는 공정인 도너 킬링(donar killing) 공정 단계에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 (h) 단계 후에,상기 급속 열처리 장비에서 상기 실리콘 웨이퍼를 언로딩하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 표면을 폴리싱하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 표면을 경면화하기 위한 경면 연마 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제33항에 있어서, 상기 (h) 단계 후에,상기 상기 전면과 후면 사이의 영역은,상기 웨이퍼 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 웨이퍼 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이에 구비되는 벌크 영역을 포함하되,상기 벌크 영역의 결함 농도 프로파일은 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제42항에 있어서, 상기 결함은 산소석출물과 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)을 포함하는 BMD(Bulk Micro-Defect)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제43항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 3.0×108~1.0×1010 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제42항에 있어서, 상기 결함은 벌크 적층결함(Bulk Stacking Fault)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제45항에 있어서, 상기 제1 디누드 존과 상기 제2 디누드 존 사이의 영역에서 결함의 농도는 1.0×108~3.0×109 ea/㎝3의 범위에서 일정하게 유지되는 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 제42항에 있어서, 상기 제1 디누드 존 및 상기 제2 디누드 존의 깊이는 상기 웨이퍼의 전면 및 후면의 표면으로부터 5㎛~40㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062283A KR100531552B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
US10/699,438 US7242075B2 (en) | 2003-09-05 | 2003-10-31 | Silicon wafers and method of fabricating the same |
JP2003424487A JP4741793B2 (ja) | 2003-09-05 | 2003-12-22 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
TW092137305A TWI249593B (en) | 2003-09-05 | 2003-12-29 | Silicon wafers and method of fabricating the same |
CNB2004100054101A CN100373544C (zh) | 2003-09-05 | 2004-02-18 | 硅晶片及其制造方法 |
US11/765,973 US7732352B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-06-20 | Silicon wafers and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062283A KR100531552B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050024994A true KR20050024994A (ko) | 2005-03-11 |
KR100531552B1 KR100531552B1 (ko) | 2005-11-28 |
Family
ID=34225434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062283A KR100531552B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7242075B2 (ko) |
JP (1) | JP4741793B2 (ko) |
KR (1) | KR100531552B1 (ko) |
CN (1) | CN100373544C (ko) |
TW (1) | TWI249593B (ko) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008082151A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Siltron Inc. | Silicon wafer with controlled distribution of embryos that become oxygen precipitates by succeeding annealing and its manufacturing method |
US7977216B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-07-12 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
KR101104492B1 (ko) * | 2009-04-28 | 2012-01-12 | 삼성전자주식회사 | 단결정 기판 제조방법 및 그에 의해 제조된 단결정 기판 평가를 위한 열처리 방법 |
KR101154133B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2012-06-13 | 실리콘 제너시스 코포레이션 | 캐리어 수명을 갖는 독립적 단결정 재료 및 그 제조 방법 |
KR101222217B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2013-01-15 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 및 그 제조방법과 이를 통해 제조된 웨이퍼 |
KR101313462B1 (ko) * | 2009-07-27 | 2013-10-01 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 |
KR101423367B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2014-08-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
KR20150128574A (ko) * | 2014-05-09 | 2015-11-18 | 실트로닉 아게 | 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
CN109075076A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片 |
KR20190017146A (ko) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 평가방법 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100531552B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
JP4617751B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2011-01-26 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
US7387948B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-06-17 | Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | Structure and method of forming a semiconductor material wafer |
JP5119677B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2013-01-16 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
WO2008136500A1 (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Siltronic Ag | シリコンウエハ及びその製造方法 |
CN101329988B (zh) * | 2007-06-22 | 2010-05-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可避免快速热处理被氧气污染的方法 |
JP5561918B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-07-30 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
US8476149B2 (en) * | 2008-07-31 | 2013-07-02 | Global Wafers Japan Co., Ltd. | Method of manufacturing single crystal silicon wafer from ingot grown by Czocharlski process with rapid heating/cooling process |
JP5498678B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2014-05-21 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
KR101024322B1 (ko) | 2009-10-30 | 2011-03-23 | 네오세미테크 주식회사 | 태양전지용 웨이퍼 제조 방법, 그 방법으로 제조된 태양전지용 웨이퍼 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법 |
JP5583070B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2014-09-03 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
CN102605433A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法 |
KR101926694B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2018-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
JP6260100B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2018-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
EP3101160B1 (en) * | 2014-01-28 | 2019-06-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate manufacturing method |
JP2014168090A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-09-11 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
JP6100226B2 (ja) * | 2014-11-26 | 2017-03-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 |
US10453925B2 (en) * | 2016-01-29 | 2019-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth methods and structures thereof |
CN107154354B (zh) * | 2016-03-03 | 2020-12-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆热处理的方法 |
JP6810591B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2021-01-06 | 株式会社Screenホールディングス | シリコン基板の熱処理方法 |
EP3653761B1 (en) | 2016-12-28 | 2024-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited | Silicon wafers with intrinsic gettering and gate oxide integrity yield |
US10032663B1 (en) * | 2017-05-24 | 2018-07-24 | Texas Instruments Incorporated | Anneal after trench sidewall implant to reduce defects |
DE102017219255A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium |
DE102018203945B4 (de) * | 2018-03-15 | 2023-08-10 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
KR102562239B1 (ko) | 2018-04-27 | 2023-07-31 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 반도체 도너 기판으로부터의 층 전이를 용이하게 하는 광 지원형 소판 형성 |
KR102104074B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
CN110389108A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-10-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置 |
US11695048B2 (en) * | 2020-04-09 | 2023-07-04 | Sumco Corporation | Silicon wafer and manufacturing method of the same |
CN113721076A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-30 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅片电阻率的测量方法 |
CN114400183A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种快速热处理方法以及装置 |
JP2024008390A (ja) * | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4868133A (en) * | 1988-02-11 | 1989-09-19 | Dns Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer fabrication with improved control of internal gettering sites using RTA |
IT1242014B (it) * | 1990-11-15 | 1994-02-02 | Memc Electronic Materials | Procedimento per il trattamento di fette di silicio per ottenere in esse profili di precipitazione controllati per la produzione di componenti elettronici. |
JPH0684925A (ja) | 1992-07-17 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 半導体基板およびその処理方法 |
KR0139730B1 (ko) | 1993-02-23 | 1998-06-01 | 사또오 후미오 | 반도체 기판 및 그 제조방법 |
US5401669A (en) * | 1993-05-13 | 1995-03-28 | Memc Electronic Materials, Spa | Process for the preparation of silicon wafers having controlled distribution of oxygen precipitate nucleation centers |
US6503594B2 (en) | 1997-02-13 | 2003-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects and slip |
US6485807B1 (en) | 1997-02-13 | 2002-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silicon wafers having controlled distribution of defects, and methods of preparing the same |
US5994761A (en) * | 1997-02-26 | 1999-11-30 | Memc Electronic Materials Spa | Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
TW494146B (en) | 1997-04-09 | 2002-07-11 | Memc Electronic Materials Spa | Process for growing a single crystal silicon ingot |
JP3449729B2 (ja) | 1997-04-09 | 2003-09-22 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 単結晶シリコンウエハを製造する方法 |
TW508378B (en) * | 1998-03-09 | 2002-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | A method for producing a silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer |
JP3746153B2 (ja) * | 1998-06-09 | 2006-02-15 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法 |
KR20010031444A (ko) * | 1998-08-31 | 2001-04-16 | 와다 다다시 | 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼 |
US6336968B1 (en) * | 1998-09-02 | 2002-01-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
WO2000041227A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de recuit thermique d'une plaquette de silicium, et plaquette de silicium |
JP3988307B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2007-10-10 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ |
JP2001144275A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-05-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせsoiウエーハの製造方法および貼り合わせsoiウエーハ |
US6339016B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone |
US6663708B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-12-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Silicon wafer, and manufacturing method and heat treatment method of the same |
JP4106862B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2008-06-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
US7081422B2 (en) * | 2000-12-13 | 2006-07-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer |
KR100372097B1 (ko) | 2000-12-26 | 2003-02-14 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 열처리 방법 |
KR20020052562A (ko) | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN100348782C (zh) * | 2001-01-26 | 2007-11-14 | Memc电子材料有限公司 | 具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅 |
TWI256076B (en) * | 2001-04-11 | 2006-06-01 | Memc Electronic Materials | Control of thermal donor formation in high resistivity CZ silicon |
JP4154881B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2008-09-24 | 株式会社Sumco | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
JP4078822B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2008-04-23 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
KR100423752B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-03-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
DE10205084B4 (de) * | 2002-02-07 | 2008-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe |
JP2003297839A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウエーハの熱処理方法 |
JP3778146B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2006-05-24 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
KR100398505B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2003-09-19 | 코닉 시스템 주식회사 | 단결정 실리콘 웨이퍼의 cop 제거방법 |
KR100531552B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
KR100573473B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
US7485928B2 (en) * | 2005-11-09 | 2009-02-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Arsenic and phosphorus doped silicon wafer substrates having intrinsic gettering |
-
2003
- 2003-09-05 KR KR10-2003-0062283A patent/KR100531552B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-31 US US10/699,438 patent/US7242075B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-22 JP JP2003424487A patent/JP4741793B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-29 TW TW092137305A patent/TWI249593B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-18 CN CNB2004100054101A patent/CN100373544C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-06-20 US US11/765,973 patent/US7732352B2/en active Active
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8298926B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-10-30 | Siltron Inc. | Silicon wafer with controlled distribution of embryos that become oxygen precipitates by succeeding annealing and its manufacturing method |
KR101313326B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 후속 열처리에 의해 산소 침전물로 되는 유핵의 분포가제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
WO2008082151A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Siltron Inc. | Silicon wafer with controlled distribution of embryos that become oxygen precipitates by succeeding annealing and its manufacturing method |
KR101154133B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2012-06-13 | 실리콘 제너시스 코포레이션 | 캐리어 수명을 갖는 독립적 단결정 재료 및 그 제조 방법 |
US8486813B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-07-16 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
US7977216B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-07-12 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
KR101423367B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2014-08-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
US9018735B2 (en) | 2008-09-29 | 2015-04-28 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
KR101104492B1 (ko) * | 2009-04-28 | 2012-01-12 | 삼성전자주식회사 | 단결정 기판 제조방법 및 그에 의해 제조된 단결정 기판 평가를 위한 열처리 방법 |
KR101313462B1 (ko) * | 2009-07-27 | 2013-10-01 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 |
KR101222217B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2013-01-15 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 및 그 제조방법과 이를 통해 제조된 웨이퍼 |
KR20150128574A (ko) * | 2014-05-09 | 2015-11-18 | 실트로닉 아게 | 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
CN109075076A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片 |
CN109075076B (zh) * | 2016-04-27 | 2023-03-24 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片 |
KR20190017146A (ko) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 평가방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050054124A1 (en) | 2005-03-10 |
US7242075B2 (en) | 2007-07-10 |
CN1591781A (zh) | 2005-03-09 |
TW200510582A (en) | 2005-03-16 |
US20070298523A1 (en) | 2007-12-27 |
CN100373544C (zh) | 2008-03-05 |
JP2005086195A (ja) | 2005-03-31 |
TWI249593B (en) | 2006-02-21 |
KR100531552B1 (ko) | 2005-11-28 |
US7732352B2 (en) | 2010-06-08 |
JP4741793B2 (ja) | 2011-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100531552B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
KR100573473B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
US7977219B2 (en) | Manufacturing method for silicon wafer | |
KR100369761B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그 열처리 방법 | |
US8920560B2 (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
US10177008B2 (en) | Silicon wafer and method for manufacturing the same | |
US20130323153A1 (en) | Silicon single crystal wafer | |
JP2007088421A (ja) | シリコンウェーハの表面欠陥評価方法 | |
KR101653345B1 (ko) | 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
TWI779145B (zh) | 處理單晶矽鑄碇以改善雷射光散射環狀/核狀圖案的方法 | |
JP7331203B2 (ja) | 単結晶シリコンで構成された半導体ウェハ | |
US10020203B1 (en) | Epitaxial silicon wafer | |
JP6493105B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハ | |
JP2005159028A (ja) | アニールウエーハ及びアニールウエーハの製造方法 | |
KR20130033985A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 | |
JP2007070132A (ja) | 単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコンウェーハ及びウェーハ検査方法 | |
JP4259708B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2001044207A (ja) | Ig処理法及びこの処理法で作られたigウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121022 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131023 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151020 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161024 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171025 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181022 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191024 Year of fee payment: 15 |