JP3778146B2 - シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成し、さらに熱処理して表層にDZ(Denuded Zone)層を形成するシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハに関する。
【0002】
【従来の技術】
CZ(チョクラルスキー)法で引上成長されたシリコン単結晶を加工して作製されたシリコンウェーハは、酸素不純物を多く含んでおり、この酸素不純物は転位や欠陥等を生じさせる酸素析出物(BMD:Bulk Micro Defect)となる。この酸素析出物がデバイスが形成される表面にある場合、リーク電流増大や酸化膜耐圧低下等の原因になって半導体デバイスの特性に大きな影響を及ぼす。
【0003】
このため、従来、シリコンウェーハ表面に対し、1250℃以上の高温で短時間の急速加熱・急冷の熱処理(RTA:Rapid Thermal Annealing)を所定の雰囲気ガス中で施し、内部に高濃度の原子空孔(Vacancy:以下、単に空孔と称す)を形成し、急冷により凍結するとともに、この後の熱処理で表面において空孔を外方拡散させることによりDZ層(無欠陥層)を均一に形成する方法が用いられている(例えば、国際公開公報 WO 98/38675に記載の技術)。そして、上記DZ層形成後に、上記温度より低温で熱処理を施すことで、内部の欠陥層として酸素析出核を形成・安定化してゲッタリング効果を有するBMD層を形成する工程が採用されている。
従来、空孔注入のための熱処理においては、雰囲気ガスとしてN2(窒素)が主に用いられている。すなわち、高温でN2が分解され、シリコンウェーハ表面にSixNy(窒化膜)が形成されることにより、空孔(Vacancy)を注入するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記熱処理技術では、以下のような課題が残されている。すなわち、従来は、空孔形成のための十分な熱処理効果を得るために1250℃以上かつ10sec以上の熱処理が必要であった。このため、シリコンウェーハには、高温の熱処理により、サセプタ又は支持ピン等と接触する部分からスリップが発生してしまい、割れ等の原因になる不都合があった。また、高いBMD密度を有するウェーハは、ゲッタリング効果を有するが、ウェーハ全体としてBMD密度が高いとウェーハ強度が低下してしまう不都合があった。
【0005】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、熱処理の低温化又は短時間化を図りスリップの発生を抑制することができ、さらに近接ゲッタリング効果と十分なウェーハ強度を有するシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、シリコンウェーハの熱処理技術について研究を行ってきた結果、NH3(アンモニア)を主とした雰囲気ガスを用いることにより、N2の場合に比べて高効率の空孔注入効果が得られ、熱処理の低温化又は短時間化が可能であることがわかった。
一方、窒化ガスを含む雰囲気ガス中でRTA処理をしたシリコンウェーハに対して酸素析出のための熱処理を行うと、厚さ方向にBMD密度の分布がM型に形成される傾向がある。すなわち、厚さ方向のBMD密度は、表面近傍に最大値(以下、BMDピーク密度と称す)を有すると共に、厚さ方向の中間部分に極小値(M型分布の底の部分:以下、BMDバルク密度と称す)を有している。このBMD密度分布について研究を進めた結果、雰囲気ガスに含めるN2とNH3とでは、シリコンウェーハの初期の酸素濃度(以下、単に酸素濃度と称す)に対するBMD密度の分布依存性が異なることが判明した。
【0007】
すなわち、N2の場合には、窒化反応により注入される空孔と、1200℃以上の温度で生成するフレンケル対(格子間シリコンと空孔の対)とが、拡散及び対消滅を生じ、冷却過程で凍結された空孔が残留する。BMD密度は残留空孔濃度に依存する。NH3を含む雰囲気ガスの場合、1200℃以下の温度域であるためフレンケル対の生成が極めて少ない。BMD密度は、NH3の窒化作用により注入・凍結された空孔濃度のみに依存する。
N2雰囲気、NH3を含む雰囲気の両者で共通するのは、RTA温度が高いと空孔濃度が高くなるため、BMD密度は高くなり、BMD密度の分布は、凍結された空孔の分布を反映していることである。
BMDピーク密度は主としてRTA処理温度に比例しており、1×106(個/cm2)のピーク密度とするためにはN2雰囲気では1250℃の温度であったが、NH3の場合には1150℃で達成できる。また、シリコンウェーハの酸素濃度依存性は小さい。
BMDバルク密度のRTA温度依存性は、NH3を含む雰囲気ではN2と異なり、ある温度域でBMDバルク密度が極小になり、極小点より高温側では急峻な温度依存性を示す。この時のBMDバルク密度が、シリコンウェーハの酸素濃度に大きく依存することが判明した。酸素濃度が高いとBMDバルク密度が高くなり、BMDピーク密度との差が小さく、浅いM型となることがわかった。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
【0008】
本発明のシリコンウェーハの製造方法においては、NH 3 を含む雰囲気ガス中でシリコンウェーハを熱処理して表面窒化作用により内部に新たに空孔を形成する熱処理工程を有し、
該熱処理工程は、まず、前記シリコンウェーハ表面窒化の妨げとなる表面の酸化膜を予め除去又は薄膜化しておき、
次いで、BMD密度の前記シリコンウェーハ厚さ方向分布が、表面近傍に最大値であるBMDピーク密度を有すると共に、厚さ方向の中間部分に極小値であるBMDバルク密度を有するM型に形成されるように前記熱処理の温度を1135℃から1170℃の範囲内のRTA処理とし、
前記熱処理されるシリコンウェーハは、酸素濃度が16.5ppm(OldASTM)以上21.0ppm(OldASTM)以下であることにより上記課題を解決した。
本発明は、上記のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理されるシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、前記パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないウェーハであることができきる。
本発明は、上記のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理工程後に、該熱処理工程よりも低い温度で前記シリコンウェーハを熱処理して内部の空孔に酸素を析出させる析出処理工程を有することもある。
本発明は、上記のシリコンウェーハの製造方法において、
前記BMDピーク密度/BMDバルク密度の比が3以上に設定されることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
本発明のシリコンウェーハは、熱処理により内部に新たに空孔が形成されたシリコンウェーハであって、
上記のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法により作製されたことを特徴とする。
本発明のシリコンウェーハの製造方法は、NH3 を含む雰囲気ガス中でシリコンウェーハを熱処理して内部に新たに空孔を形成する熱処理工程を有し、該熱処理工程は、前記熱処理の温度を1135℃から1170℃の範囲内とし、前記熱処理されるシリコンウェーハは、酸素濃度が21.0ppm(OldASTM)以下であることを特徴とする。
【0009】
このシリコンウェーハの製造方法では、熱処理されるシリコンウェーハの酸素濃度が21.0ppm(OldASTM)以下であるので、その後の酸素析出のための熱処理により、後述するように、ウェーハの表面近傍に形成されるBMDピーク密度をウェーハ中間部分に形成されるBMDバルク密度に対して3倍以上にすることができる。すなわち、BMDピーク密度とBMDバルク密度の比が3倍以上得られることにより、十分な近接ゲッタリング効果が得られると共に、低BMDバルク密度により、ウェーハ中間部分において高強度が得られ、ウェーハ全体として要望される十分な強度を得ることができる。
なお、熱処理の温度を1135℃から1170℃の範囲内としたのは、1135℃未満の温度では、1×106個/cm2以上のBMDピーク密度を得ることができず、また1170℃を越えた温度では、スリップが発生しやすくなるためである。
【0010】
また、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、熱処理されるシリコンウェーハの酸素濃度が16.5ppm(OldASTM)以上であることが好ましい。すなわち、このシリコンウェーハの製造方法では、熱処理されるシリコンウェーハの酸素濃度を16.5ppm(OldASTM)以上とするので、その後の酸素析出のための熱処理により、ウェーハの表面近傍に形成されるBMDピーク密度を、十分な近接ゲッタリング効果が得られる1×106個/cm2以上にすることができる。
【0011】
また、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、前記熱処理されるシリコンウェーハが、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、前記パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないウェーハである技術が採用される。
【0012】
このシリコンウェーハの製造方法では、熱処理されるシリコンウェーハが、パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないウェーハであるので、熱処理時に注入される空孔を対消滅させる格子間シリコン型点欠陥がほとんどなく、酸素析出に必要な空孔を効率的に注入することができる。また、空孔型点欠陥もほとんどないため、熱処理による注入で十分な空孔密度を得ることができる。
【0013】
また、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、前記熱処理工程後に、該熱処理工程よりも低い温度で前記シリコンウェーハを熱処理して内部の空孔に酸素を析出させる析出処理工程を有す技術が採用される。すなわち、このシリコンウェーハの製造方法では、熱処理工程よりも低い温度でシリコンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共に内部の空孔に酸素を析出させるので、上記空孔に酸素が析出して高BMD密度のBMD層が表面近傍に得られると共に、低BMD密度の領域が内部の中間部分に得られて十分なウェーハ強度を得ることができる。
【0014】
本発明のシリコンウェーハは、熱処理により内部に新たに空孔が形成されたシリコンウェーハであって、上記本発明のシリコンウェーハの製造方法により作製されたことを特徴とする。すなわち、このシリコンウェーハでは、上記本発明のシリコンウェーハの製造方法により作製されているので、好適なM型のBMD密度分布が得られる空孔が注入され、その後の酸素析出のための熱処理により十分な近接ゲッタリング能力とウェーハ強度とを両立した高品質なウェーハが得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第1実施形態を、図1から図8を参照しながら説明する。
【0016】
図1にあって、符号1はサセプタ、2は反応室を示している。
図1は、本発明のシリコンウェーハの製造方法を実施するための枚葉式の熱処理炉を示すものである。該熱処理炉は、図1に示すように、シリコンウェーハWを載置可能な円環状のサセプタ1と、該サセプタ1を内部に収納した反応室2とを備えている。なお、反応室2の外部には、シリコンウェーハWを加熱するランプ(図示略)が配置されている。
【0017】
サセプタ1は、シリコンカーバイト等で形成されており、内側に段部1aが設けられ、該段部1a上にシリコンウェーハWの周縁部を載置するようになっている。
反応室2には、シリコンウェーハWの表面に雰囲気ガスGを供給する供給口2a及び供給された雰囲気ガスGを排出する排出口2bが設けられている。
また、供給口2aは、雰囲気ガスGの供給源(図示略)に接続されている。
また、雰囲気ガスGは、NH3を主とした雰囲気ガスGを用いている。
【0018】
上記熱処理するシリコンウェーハWは、酸素濃度が16.5から21.0ppm(OldASTM)までの範囲内のものである。
さらに、このシリコンウェーハWは、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハである。なお、空孔型点欠陥は、一つのシリコン原子がシリコン結晶格子で正常な一つから離脱した空孔による欠陥であり、また、格子間シリコン点欠陥は、原子がシリコン結晶の格子点以外の位置(インタースチシャルサイト)にある場合の欠陥をいう。
【0019】
すなわち、このパーフェクト領域〔P〕からなるシリコンウェーハは、例えば特開平1−1393号公報に提案されているように、CZ法によりホットゾーン内のシリコン融液からインゴットをボロンコフ(Voronkov)理論に基づいた引上速度プロファイルで引き上げられ、このインゴットをスライスして作製される。
このインゴットは、引上速度をV(mm/分)とし、ルツボ中のシリコン融液とインゴットとの界面近傍におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をG(℃/mm)とするとき、熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSF(Oxidation Induced Stacking Fault;酸素誘起積層欠陥)がウェーハ中心部で消滅するように、V/G(mm2/分・℃)の値を決めて作られる。
【0020】
上記ボロンコフ理論では、図2に示すように、V/Gを横軸にとり、空孔型点欠陥濃度と格子間シリコン型欠陥濃度を同一の縦軸にとって、V/Gと点欠陥濃度との関係を図式的に表現し、空孔領域と格子間シリコン領域の境界がV/Gによって決定されることを説明している。より詳しくは、V/G比が臨界点以上では空孔型点欠陥濃度が優勢なインゴットが形成される反面、V/G比が臨界点以上では格子間シリコン型点欠陥濃度が優勢なインゴットが形成される。図2において、〔I〕は格子間シリコン型点欠陥が支配的であって、格子間シリコン点欠陥が存在する領域((V/G)1以下)を示し、〔V〕はインゴット内での空孔型点欠陥が支配的であって、空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域((V/G)2以下)を示し、〔P〕は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域((V/G)1〜(V/G)2)を示す。領域〔P〕に隣接する領域〔V〕にはOSF核を形成する領域〔OSF〕((V/G)2〜(V/G)3)が存在する。
【0021】
したがって、シリコンウェーハに供されるインゴットの引上速度プロファイルは、インゴットがホットゾーン内のシリコン融液から引き上げられるとき、温度勾配に対する引上速度の比(V/G)が格子間シリコン型点欠陥の凝集体の発生を防止する第1臨界比((V/G)1)以上であって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にある空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第2臨界比((V/G)2)以下に維持されるように決められる。
【0022】
この引上速度のプロファイルは、実験的に基準インゴットを軸方向にスライスすることやシミュレーションによって上記ボロンコフ理論に基づいて決定される。
【0023】
なお、COP等の点欠陥の凝集体が検出方法によって検出感度、検出下限値が異なる値を示すことがある。そのため、本明細書において、「点欠陥の凝集体が存在しない」の意味は、鏡面加工されたシリコン単結晶を無攪拌セコエッチングを施した後に光学顕微鏡により、観察面積とエッチング取り代との積を検査体積として観察した際に、フローパターン(空孔型欠陥)及び転位クラスタ(格子間シリコン型点欠陥)の各凝集体が1×10−3cm3の検査体積に対して1個欠陥が検出された場合を検出下限値(1×103個/cm3)とするとき、点欠陥の凝集体の数が上記検出下限値以下であることをいう。
【0024】
上記熱処理炉を用いて雰囲気ガスG中でシリコンウェーハWをRTA処理(熱処理)し、内部に新たに空孔を形成する方法、さらにこのウェーハWの表層にDZ層を形成すると共に内部にBMD層を形成する熱処理を施す方法について、以下に説明する。
まず、空孔を注入するためのRTA処理を行う前に、シリコンウェーハWの表面に形成されている自然酸化膜や他の処理などによる酸化膜を予め除去又は薄膜化しておくことが好ましい。すなわち、熱処理前のシリコンウェーハWをフッ酸などで洗浄し、表面窒化の妨げとなる表面の酸化膜を予め除去しておく。
【0025】
この熱処理炉によりシリコンウェーハWに熱処理、特にRTA処理(急加熱及び急冷却の熱処理)を施すには、サセプタ1にシリコンウェーハWを載置した後、供給口2aから上記雰囲気ガスGをシリコンウェーハWの表面に供給した状態で、1135℃から1170℃までの範囲の熱処理温度かつ1secから60secまでの範囲の熱処理時間(例えば、10sec)で、短時間の急速加熱・急冷(例えば、50℃/秒の昇温、70℃/秒の降温)の熱処理を行う。
【0026】
なお、上記熱処理では、まず、800℃までの昇温を行う前に、Arのみを雰囲気ガスとして高い流量で供給し、熱処理炉内の雰囲気ガスを置換して酸素を除去するパージ処理を行う。酸素が完全に炉内から除去された状態で、次に、Arのみを雰囲気ガスとして所定流量で供給しながら800℃まで昇温する。
次に、NH3を所定流量で熱処理炉に導入しArとNH3との混合ガスを雰囲気ガスとして供給しながら、800℃から所定の熱処理温度(例えば、1150℃)まで急速加熱昇温を行い、該熱処理温度一定で所定時間の熱処理し、さらにその後800℃まで急冷する。
【0027】
その後、800℃一定でNH3を完全に排出するまでArのみを雰囲気ガスとして流量を上げて供給し、排出完了後に再びArのみの雰囲気ガス中で降温する。このように、昇温時の途中から急冷降温時の途中までNH3を含む雰囲気ガスGを雰囲気ガスとして供給している。
なお、上記熱処理後、ウェーハWを熱処理炉から取り出すことにより急冷する。この際、上記パージ時の熱処理(800℃)及び取り出し時の急冷効果により、内部の酸素ドナーを消去することができる。
【0028】
上記熱処理により、シリコンウェーハWの表面は、N2を主とする雰囲気ガスの場合に比べて低い熱処理温度でも表面を窒化、すなわち窒化膜あるいは酸窒化膜を形成して、図3の(a)に示すように、内部(特に表面近傍)に空孔(Vacancy)Vを十分に注入することができる。凍結後の空孔濃度の厚さ方向分布は、図4の(a)に示すように、M型となっている。
【0029】
さらに、上記熱処理(RTA処理)後に該熱処理より低い温度で、空孔Vへの酸素析出を行うために熱処理(例えば、800℃4時間の熱処理に連続して1000℃16時間の熱処理)を熱処理炉等で施すことにより、図3の(b)に示すように、表層では、空孔の外方拡散と酸化膜形成に伴う格子間Siの注入による空孔と格子間Siによる対消滅によって表層にDZ層DZを形成すると共に、内部(特に表面近傍)に高BMD密度のBMD層BMDを形成する。なお、この上記DZ層形成又は酸素析出のための熱処理を特に行わず、その後のデバイス作製工程に伴って行われる熱処理で行っても構わない。
【0030】
上記酸素析出のための熱処理により、図4の(b)に示すように、厚さ方向のBMD密度はM型の分布となり、表面近傍に最大値(BMDピーク密度)を有すると共に厚さ方向の中間部分に極小値(BMDバルク密度)を有している。そして、このBMDピーク密度は、BMDバルク密度に対して3倍以上となる。
【0031】
本発明者らは、異なる酸素濃度のシリコンウェーハに対し、上記空孔形成のためのRTA処理及び空孔への酸素析出のための熱処理を行って、BMDピーク密度とBMDバルク密度とについて調べた結果、図5に示すように、NH3を用いた場合、特にBMDバルク密度は強い酸素濃度依存性を示すことがわかった。すなわち、この結果からわかるように、シリコンウェーハの酸素濃度Oiが16.5から21.0ppm(OldASTM)までの範囲内であれば、BMDピーク密度/BMDバルク密度を3以上にでき、十分な近接ゲッタリング効果が得られると共に、十分なウェーハ強度を維持可能にすることができる。なお、図5に示すRTA処理の熱処理温度及び熱処理時間は1150℃及び10secであり、昇温速度及び降温速度は50℃/sec及び70℃/secである。
【0032】
このようにNH3を用いた場合、N2に比べて酸素濃度依存性が高い理由は、フレンケル対生成の有無が関係していると考えられる。生成された格子間シリコンが注入された空孔をバルク内で消滅させるので、N2の場合はBMDバルク密度は酸素濃度依存性は大きくない。NH3ではバルク内でも空孔が高濃度に凍結されており、酸素濃度依存が大きいためと考えられる。
【0033】
また、上記RTA処理の熱処理温度は、M型のBMD密度分布を得るために1135℃から1170℃までの範囲に設定する必要がある。例えば、RTA処理の熱処理温度を1130℃とし、他の条件を上記実施形態と同様にした場合のBMDピーク密度及びBMDバルク密度の酸素濃度依存性を図6に示す。この図からもわかるように、BMDピーク密度及びBMDバルク密度は、両方とも1150℃の場合に比べて低くなると共に、BMDピーク密度とBMDバルク密度との差が明確に現れておらず、要望されている上記BMDピーク密度及びBMDバルク密度の条件を同時に満たすことができない。
なお、酸素濃度が19.1ppm(OldASTM)の場合にRTA処理の熱処理温度を1100℃から1200℃まで変えたときのBMDピーク密度、BMDバルク密度を及びDZ層幅を、図7に示す。
また、酸素濃度が19.1ppm(OldASTM)の場合にRTA処理の熱処理温度を1100℃から1200℃まで変えたときのBMDピーク密度とBMDバルク密度との比を、図8に示す。
【0034】
このように本実施形態では、熱処理されるシリコンウェーハWが、酸素濃度が16.5から21.0ppm(OldASTM)までの範囲内のものであるので、BMDピーク密度とBMDバルク密度との比を3以上にすることができる。すなわち、BMDピーク密度/BMDバルク密度が3以上得られることにより、十分な近接ゲッタリング効果が得られると共にウェーハ中間部分において高強度が得られ、ウェーハ全体として要望される十分な強度を得ることができる。
【0035】
また、熱処理されるシリコンウェーハWが、パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないウェーハであるので、熱処理時に注入される空孔を対消滅させる格子間シリコン型点欠陥がほとんどなく、酸素析出に必要な空孔を表面近傍に効率的に注入することができる。また、空孔型点欠陥もほとんどないため、熱処理による注入で十分な空孔密度を表面近傍に得ることができる。
【0036】
さらに、空孔形成のためのRTA処理工程よりも低い温度でシリコンウェーハWを熱処理して表層にデバイス形成に好適なDZ層DZを形成すると共に内部の空孔Vに酸素をM型分布で析出させるので、上記空孔Vに酸素が析出されて高BMD密度のBMD層BMDが表面近傍に得られると共に、低BMD密度の領域が内部の中間部分に得られて十分なウェーハ強度を得ることができる。
【0037】
なお、従来のように1200℃を越えた高温熱処理では、結晶中にフレンケルペアと呼ばれる空孔(Vacancy)と格子間Siとが同時に発生し、RTA処理で注入される空孔が格子間Siと対消滅してしまい、実際に析出に貢献する空孔の密度が低下してしまう。これに対して、本実施形態では、フレンケルペアの発生が少ない低温、すなわち1200℃以下で熱処理するため、結晶中に形成される格子間Siが少なく、表面の窒化膜により注入される空孔Vが格子間Siと対消滅せず、注入効率を高めることができる。
【0038】
次に、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第2実施形態を、図9を参照しながら説明する。
【0039】
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では熱処理されるシリコンウェーハWが、酸素濃度が16.5から21.0ppm(OldASTM)までの範囲内のものであるのに対し、第2実施形態では、熱処理されるシリコンウェーハWの酸素濃度が21.0ppm(OldASTM)以上のものである点である。すなわち、本実施形態では、熱処理されるシリコンウェーハWの酸素濃度が21.0ppm以上(例えば、23.0ppm(OldASTM))のものであるので、1×106個/cm2以上の高いBMD密度が得られる。
【0040】
また、第1実施形態がBMD密度がM型分布となるのに対し、本実施形態では、図9に示すように、DZ領域近傍を除く内部領域でほぼ均一な分布となる台形型分布のBMD密度が得られる。
このように、上記各実施形態からわかるように、なお、熱処理の温度を1135℃から1170℃の範囲内とし、熱処理されるシリコンウェーハWの酸素濃度を少なくとも16.5ppm(OldASTM)以上のものにすれば、1×106個/cm2以上の高いBMDピーク密度が得られると共に、スリップも発生し難い。なお、ウェーハ強度を考慮した場合は、第1実施形態のように、熱処理されるシリコンウェーハWの酸素濃度を21.0ppm以下にすることが好ましい。
【0041】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【0042】
また、雰囲気ガスが三種類以上の混合ガスである場合は、そのうちの一種類以上がNH3であればよい。
また、雰囲気ガスが二種類以上の混合ガスである場合は、含まれる窒化ガスは0.5%以上又は100sccm以上で絶対量の少ない方の量とされることが好ましい。すなわち、この範囲での窒化反応は反応律速であり、この最低限以上の窒化性のガスを含んでいれば、ウェーハ表面に形成される窒化膜厚は同じであり、その結果、導入される原子空孔濃度は同じで、析出量は同じである。なお、これ以下の0.05%以上0.5%未満、又は1sccmを越えて100sccm以下の範囲では、窒化膜厚は同一温度及び時間であれば、窒化ガスの分圧により、窒化量が変化する。したがって、この領域は、供給律速であり、窒素量により析出量をコントロールすることができる。
【0043】
また、上記雰囲気ガスの圧力は、減圧、常圧又は加圧のいずれの状態でもよい。
また、上記実施形態によりウェーハ表面に形成される窒化膜、酸窒化膜(シリコン酸化窒化膜)は、Si3N4を代表とするSixNyである。また、酸化膜をNH3などにより窒化した場合には、Si2N2Oを代表とするSi2NxO4−1.5xが形成される。すなわち、シリコン酸化窒化膜が形成される。
また、これらの窒化膜は、さらに膜中に水素が含まれていても構わない。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明のシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハによれば、熱処理されるシリコンウェーハが、酸素濃度が16.5から21.0ppm(OldASTM)までの範囲内のものであるので、その後の酸素析出のための熱処理により、BMDピーク密度とBMDバルク密度との比を3以上にすることができる。すなわち、十分な近接ゲッタリング効果が得られると共に、十分なウェーハ強度を得ることができ、高品質かつ高機能なシリコンウェーハを得ることができる。特に、200mmよりも大きい径の300mmのウェーハにおいて、さらに有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第1実施形態における熱処理炉を示す概略的な全体断面図である。
【図2】 ボロンコフ理論に基づいた、V/G比が臨界点以上では空孔豊富インゴットが形成され、V/G比が臨界点以下では格子間シリコン豊富インゴットが形成され、パーフェクト領域が第1臨界比((V/G)1)以上第2臨界比((V/G)2)以下であることを示す図である。
【図3】 本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第1実施形態における空孔形成のためのRTA処理中及びその後の酸素析出のための熱処理後のウェーハを示す拡大断面図である。
【図4】 本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第1実施形態において、厚さ方向に対する空孔濃度の分布及びBMD密度の分布を概略的に示すグラフである。
【図5】 熱処理温度1150℃のRTA処理を行った場合の酸素濃度に対するBMDピーク密度及びBMDバルク密度を示すグラフである。
【図6】 熱処理温度1130℃のRTA処理を行った場合の酸素濃度に対するBMDピーク密度及びBMDバルク密度を示すグラフである。
【図7】 1100℃から1200℃まで熱処理温度を変えてRTA処理を行った場合のBMDピーク密度、BMDバルク密度及びDZ層幅を示すグラフである。
【図8】 1100℃から1200℃まで熱処理温度を変えてRTA処理を行った場合のBMDピーク密度とBMDバルク密度との比を示すグラフである。
【図9】 本発明に係るシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの第2実施形態において、厚さ方向に対するBMD密度の分布を概略的に示すグラフである。
【符号の説明】
1 サセプタ
2 反応室
BMD BMD層
DZ DZ層(無欠陥層)
G 雰囲気ガス
V 空孔(Vacancy)
W シリコンウェーハ
Claims (5)
- NH3 を含む雰囲気ガス中でシリコンウェーハを熱処理して表面窒化作用により内部に新たに空孔を形成する熱処理工程を有し、
該熱処理工程は、まず、前記シリコンウェーハ表面窒化の妨げとなる表面の酸化膜を予め除去又は薄膜化しておき、
次いで、BMD密度の前記シリコンウェーハ厚さ方向分布が、表面近傍に最大値であるBMDピーク密度を有すると共に、厚さ方向の中間部分に極小値であるBMDバルク密度を有するM型に形成されるように前記熱処理の温度を1135℃から1170℃の範囲内のRTA処理とし、
前記熱処理されるシリコンウェーハは、酸素濃度が16.5ppm(OldASTM)以上21.0ppm(OldASTM)以下であることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理されるシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、前記パーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないウェーハであることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理工程後に、該熱処理工程よりも低い温度で前記シリコンウェーハを熱処理して内部の空孔に酸素を析出させる析出処理工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記BMDピーク密度/BMDバルク密度の比が3以上に設定されることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 熱処理により内部に新たに空孔が形成されたシリコンウェーハであって、
請求項1から4のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法により作製されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
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