JP2009218620A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの窒素濃度を、1×1012 atoms/cm3から5×1015 atoms/cm3の範囲内とし、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕、格子間シリコン型点欠陥及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、OSF領域を含まないパーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに1150℃以上1250℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の熱処理を施し、シリコンウェーハ内部に1×1012個/cm3以上の空孔を導入することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
すなわち、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、
前記シリコンウェーハの窒素濃度を、1×1012 atoms/cm3から5×1015 atoms/cm3の範囲内とし、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、OSF領域を含まないパーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに1150℃以上1250℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法ことを特徴とする。
また、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、前記熱処理後に、該熱処理よりも低い温度で前記シリコンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共に内部の空孔に酸素を析出させる析出処理することを特徴とする。
11 DZ層
12 BMD層
W シリコンウェーハ
Claims (2)
- シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、
前記シリコンウェーハの窒素濃度を、1×1012 atoms/cm3から5×1015 atoms/cm3の範囲内とし、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔I〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔V〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔P〕とするときに、OSF領域を含まないパーフェクト領域〔P〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハであり、このシリコンウェーハに1150℃以上1250℃以下の温度で急速加熱、急速冷却の前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理後に、該熱処理よりも低い温度で前記シリコンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共に内部の空孔に酸素を析出させる析出処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001265058A Division JP2003077925A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
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JP2009218620A true JP2009218620A (ja) | 2009-09-24 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2009218620A (ja) |
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