JP2003077925A - シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハInfo
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- JP2003077925A JP2003077925A JP2001265058A JP2001265058A JP2003077925A JP 2003077925 A JP2003077925 A JP 2003077925A JP 2001265058 A JP2001265058 A JP 2001265058A JP 2001265058 A JP2001265058 A JP 2001265058A JP 2003077925 A JP2003077925 A JP 2003077925A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも短時間かつ低温の熱処理でシリコ
ンウェーハ内部でのＢＭＤ形成を行う。 【解決手段】 シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処
理して内部に空孔を形成するシリコンウェーハの製造方
法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハＷに
前記熱処理を施す。
ンウェーハ内部でのＢＭＤ形成を行う。 【解決手段】 シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処
理して内部に空孔を形成するシリコンウェーハの製造方
法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハＷに
前記熱処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
の内部でのＢＭＤ形成を促進するシリコンウェーハの製
造方法及びシリコンウェーハに関する。
の内部でのＢＭＤ形成を促進するシリコンウェーハの製
造方法及びシリコンウェーハに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ（チョクラルスキー）法で引上成長
されたシリコン単結晶を加工して作製されたシリコンウ
ェーハは、酸素不純物を多く含んでおり、この酸素不純
物は転位や欠陥等を生じさせる酸素析出物（BMD:Bulk M
icro Defect）となる。この酸素析出物がデバイスが形
成される表面にある場合、リーク電流増大や酸化膜耐圧
低下等の原因になって半導体デバイスの特性に大きな影
響を及ぼす。
されたシリコン単結晶を加工して作製されたシリコンウ
ェーハは、酸素不純物を多く含んでおり、この酸素不純
物は転位や欠陥等を生じさせる酸素析出物（BMD:Bulk M
icro Defect）となる。この酸素析出物がデバイスが形
成される表面にある場合、リーク電流増大や酸化膜耐圧
低下等の原因になって半導体デバイスの特性に大きな影
響を及ぼす。
【０００３】このため、従来、シリコンウェーハ表面に
対し、１２５０°Ｃ以上の高温で短時間の急速加熱・急
冷の熱処理（ＲＴＡ）を所定の雰囲気ガス中で施し、内
部に過剰の原子空孔（Ｖａｃａｎｃｙ、以下、単に空孔
と称す）を導入するとともに、この後の熱処理で表層に
おいて空孔を外方拡散させることによりＤＺ層（無欠陥
層）を均一に形成する方法が用いられている（例えば、
国際公開公報 ＷＯ 98/38675に記載の技術）。そして、
上記ＤＺ層形成後に、上記温度より低温で熱処理を施す
ことで、内部の欠陥層として酸素析出核を形成・安定化
してゲッタリング効果を有するＢＭＤ層を形成する工程
が採用されている。また、他の従来技術（例えば、国際
公開公報 ＷＯ 98/45507に記載の技術）として、先ず酸
素雰囲気化で熱処理を行い、続けて非酸化性雰囲気下で
熱処理を行うことで表層でのＤＺと内部でのＢＭＤ形成
を行っている。
対し、１２５０°Ｃ以上の高温で短時間の急速加熱・急
冷の熱処理（ＲＴＡ）を所定の雰囲気ガス中で施し、内
部に過剰の原子空孔（Ｖａｃａｎｃｙ、以下、単に空孔
と称す）を導入するとともに、この後の熱処理で表層に
おいて空孔を外方拡散させることによりＤＺ層（無欠陥
層）を均一に形成する方法が用いられている（例えば、
国際公開公報 ＷＯ 98/38675に記載の技術）。そして、
上記ＤＺ層形成後に、上記温度より低温で熱処理を施す
ことで、内部の欠陥層として酸素析出核を形成・安定化
してゲッタリング効果を有するＢＭＤ層を形成する工程
が採用されている。また、他の従来技術（例えば、国際
公開公報 ＷＯ 98/45507に記載の技術）として、先ず酸
素雰囲気化で熱処理を行い、続けて非酸化性雰囲気下で
熱処理を行うことで表層でのＤＺと内部でのＢＭＤ形成
を行っている。
【０００４】従来、上記のＤＺ層形成のための熱処理を
行う装置としては、シリコンウェーハを石英チューブ内
に設置するとともに石英チューブ内に雰囲気ガスを供給
しながら外部から赤外線ランプ等を用いたランプ加熱に
よる赤外線照射を行うものが用いられる。また、このよ
うな熱処理装置では、上記雰囲気ガスとしてＮ2（窒
素）が主に用いられている。すなわち、高温でＮ2が分
解され、シリコンウェーハの表面にＳｉxＮy（窒化膜）
が形成されることにより、空孔を注入することができ、
内部のＢＭＤ密度を適度に高めることができるためであ
る。
行う装置としては、シリコンウェーハを石英チューブ内
に設置するとともに石英チューブ内に雰囲気ガスを供給
しながら外部から赤外線ランプ等を用いたランプ加熱に
よる赤外線照射を行うものが用いられる。また、このよ
うな熱処理装置では、上記雰囲気ガスとしてＮ2（窒
素）が主に用いられている。すなわち、高温でＮ2が分
解され、シリコンウェーハの表面にＳｉxＮy（窒化膜）
が形成されることにより、空孔を注入することができ、
内部のＢＭＤ密度を適度に高めることができるためであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、シリコンウェー
ハは、上記したようにＤＺ層形成のための熱処理を終え
た後にさらに熱処理を施される。この熱処理は、シリコ
ンウェーハを８００°Ｃ程度の比較的低温で加熱してシ
リコンウェーハ内部で酸素析出核を生成させ、その後１
０００°Ｃ程度の比較的高温で加熱して酸素析出核を成
長させるものである。しかし、上記のような熱処理にお
いて、酸素析出核を十分に成長させるためには、例えば
１０００°Ｃ以上に加熱しておく時間が合計で１０時間
以上必要であった。
ハは、上記したようにＤＺ層形成のための熱処理を終え
た後にさらに熱処理を施される。この熱処理は、シリコ
ンウェーハを８００°Ｃ程度の比較的低温で加熱してシ
リコンウェーハ内部で酸素析出核を生成させ、その後１
０００°Ｃ程度の比較的高温で加熱して酸素析出核を成
長させるものである。しかし、上記のような熱処理にお
いて、酸素析出核を十分に成長させるためには、例えば
１０００°Ｃ以上に加熱しておく時間が合計で１０時間
以上必要であった。
【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、従来よりも短時間かつ低温の熱処理で内部でのＢ
ＭＤ形成を行うシリコンウェーハの製造方法及びこの製
造方法によって製造されたシリコンウェーハを提供する
ことを目的としている。
ので、従来よりも短時間かつ低温の熱処理で内部でのＢ
ＭＤ形成を行うシリコンウェーハの製造方法及びこの製
造方法によって製造されたシリコンウェーハを提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
にかかるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェ
ーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に
空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方
法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハに前
記熱処理を施すことを特徴としている。また、本発明の
シリコンウェーハの製造方法では、シリコンウェーハの
窒素濃度を、１×１０12個／ｃｍ3から５×１０15個／
ｃｍ3の範囲内とした技術が採用される。また、本発明
のシリコンウェーハの製造方法では、上記のシリコンウ
ェーハの製造方法において、熱処理されるシリコンウェ
ーハを、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコ
ン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔
型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間
シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が
存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、パ
ーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出さ
れた点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハとす
る技術が採用される。また、本発明のシリコンウェーハ
の製造方法は、前記熱処理後に、該熱処理よりも低い温
度で前記シリコンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層
を形成すると共に内部の空孔に酸素を析出させる技術が
採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
にかかるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェ
ーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に
空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方
法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハに前
記熱処理を施すことを特徴としている。また、本発明の
シリコンウェーハの製造方法では、シリコンウェーハの
窒素濃度を、１×１０12個／ｃｍ3から５×１０15個／
ｃｍ3の範囲内とした技術が採用される。また、本発明
のシリコンウェーハの製造方法では、上記のシリコンウ
ェーハの製造方法において、熱処理されるシリコンウェ
ーハを、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコ
ン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔
型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間
シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が
存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、パ
ーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出さ
れた点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハとす
る技術が採用される。また、本発明のシリコンウェーハ
の製造方法は、前記熱処理後に、該熱処理よりも低い温
度で前記シリコンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層
を形成すると共に内部の空孔に酸素を析出させる技術が
採用される。
【０００８】本発明にかかるシリコンウェーハは、請求
項１から３のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造
方法によって製造されるシリコンウェーハであって、前
記熱処理の急速加熱、急速冷却により、シリコンウェー
ハ内部に１×１０12／ｃｍ3以上の空孔を導入してなる
ことを特徴としている。また、本発明にかかるシリコン
ウェーハは、熱処理により内部に新たに空孔が形成され
たシリコンウェーハであって、予め窒素を添加したシリ
コンウェーハに前記熱処理を施してなることを特徴とし
ている。また、本発明のシリコンウェーハでは、窒素濃
度を１×１０12個／ｃｍ3から５×１０15個／ｃｍ3の範
囲内とした技術が採用される。また、本発明のシリコン
ウェーハでは、少なくとも表層に無欠陥層が形成されて
いると共に内部の空孔に前記酸素が析出されている技術
が採用される。
項１から３のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造
方法によって製造されるシリコンウェーハであって、前
記熱処理の急速加熱、急速冷却により、シリコンウェー
ハ内部に１×１０12／ｃｍ3以上の空孔を導入してなる
ことを特徴としている。また、本発明にかかるシリコン
ウェーハは、熱処理により内部に新たに空孔が形成され
たシリコンウェーハであって、予め窒素を添加したシリ
コンウェーハに前記熱処理を施してなることを特徴とし
ている。また、本発明のシリコンウェーハでは、窒素濃
度を１×１０12個／ｃｍ3から５×１０15個／ｃｍ3の範
囲内とした技術が採用される。また、本発明のシリコン
ウェーハでは、少なくとも表層に無欠陥層が形成されて
いると共に内部の空孔に前記酸素が析出されている技術
が採用される。
【０００９】このシリコンウェーハの製造方法及びシリ
コンウェーハでは、熱処理されるシリコンウェーハとし
て、予め窒素が添加されたシリコン融液から引き上げら
れて窒素濃度が高められたシリコン単結晶をスライスし
て得られるシリコンウェーハを用いている。このシリコ
ンウェーハは、内部の窒素と空孔とが相互作用を引き起
こし、熱処理後の冷却の際における空孔の消滅が抑制さ
れるので、シリコンウェーハ内のＢＭＤが増加しやすく
なる。なお、窒素をドープしたウェーハに対しても、表
層の外方拡散による低格子間酸素化を行うアニール処理
が、表層のＣＯＰ（Crystal Originated Particle）低
減と高ＢＭＤ化を図るアニール処理は、従来より行われ
ているが、上記本発明の空孔形成のための熱処理工程は
行われていなかった。また、本発明のシリコンウェーハ
の製造方法では、シリコンウェーハがパーフェクト領域
〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝
集体が存在しないシリコンウェーハであるので、熱処理
時に注入される空孔を対消滅させる格子間シリコン型点
欠陥がほとんどなく、酸素析出に必要な空孔が効率的に
注入される。また、空孔型点欠陥もほとんど存在しない
ため、ＲＴＡ処理により十分な空孔密度を確保すること
ができる。また、本発明のシリコンウェーハの製造方法
では、熱処理後に、該熱処理よりも低い温度でシリコン
ウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共に
内部の空孔に酸素を析出させる析出処理するので、デバ
イス形成に好適なＤＺ層を表層に有すると共に近接ゲッ
タリング効果を有する高ＢＭＤ密度領域を内部に有する
高機能シリコンウェーハを作製することができる。ま
た、このシリコンウェーハでは、シリコンウェーハ内部
に１×１０12／ｃｍ 3以上の空孔が導入されているの
で、この後の酸素析出のための熱処理を施せば、十分な
密度のＢＭＤ層を得ることができる。
コンウェーハでは、熱処理されるシリコンウェーハとし
て、予め窒素が添加されたシリコン融液から引き上げら
れて窒素濃度が高められたシリコン単結晶をスライスし
て得られるシリコンウェーハを用いている。このシリコ
ンウェーハは、内部の窒素と空孔とが相互作用を引き起
こし、熱処理後の冷却の際における空孔の消滅が抑制さ
れるので、シリコンウェーハ内のＢＭＤが増加しやすく
なる。なお、窒素をドープしたウェーハに対しても、表
層の外方拡散による低格子間酸素化を行うアニール処理
が、表層のＣＯＰ（Crystal Originated Particle）低
減と高ＢＭＤ化を図るアニール処理は、従来より行われ
ているが、上記本発明の空孔形成のための熱処理工程は
行われていなかった。また、本発明のシリコンウェーハ
の製造方法では、シリコンウェーハがパーフェクト領域
〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出された点欠陥の凝
集体が存在しないシリコンウェーハであるので、熱処理
時に注入される空孔を対消滅させる格子間シリコン型点
欠陥がほとんどなく、酸素析出に必要な空孔が効率的に
注入される。また、空孔型点欠陥もほとんど存在しない
ため、ＲＴＡ処理により十分な空孔密度を確保すること
ができる。また、本発明のシリコンウェーハの製造方法
では、熱処理後に、該熱処理よりも低い温度でシリコン
ウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共に
内部の空孔に酸素を析出させる析出処理するので、デバ
イス形成に好適なＤＺ層を表層に有すると共に近接ゲッ
タリング効果を有する高ＢＭＤ密度領域を内部に有する
高機能シリコンウェーハを作製することができる。ま
た、このシリコンウェーハでは、シリコンウェーハ内部
に１×１０12／ｃｍ 3以上の空孔が導入されているの
で、この後の酸素析出のための熱処理を施せば、十分な
密度のＢＭＤ層を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。本発明にかかるシ
リコンウェーハは、例えば図１に示す熱処理装置１によ
って、熱処理前のシリコンウェーハＷに熱処理を施すこ
とによって得られる。この熱処理装置１は、石英チュー
ブ２内に支持具等を用いてその内面から離間させた状態
にしてシリコンウェーハＷを設置するとともに石英チュ
ーブ２内に雰囲気ガスＧを供給しながら外部から赤外線
ランプ３等を用いたランプ加熱による赤外線照射を行っ
て熱処理するものである。
いて、図面を参照しながら説明する。本発明にかかるシ
リコンウェーハは、例えば図１に示す熱処理装置１によ
って、熱処理前のシリコンウェーハＷに熱処理を施すこ
とによって得られる。この熱処理装置１は、石英チュー
ブ２内に支持具等を用いてその内面から離間させた状態
にしてシリコンウェーハＷを設置するとともに石英チュ
ーブ２内に雰囲気ガスＧを供給しながら外部から赤外線
ランプ３等を用いたランプ加熱による赤外線照射を行っ
て熱処理するものである。
【００１１】熱処理前のシリコンウェーハＷは、シリコ
ン原料が所定量入れられてさらに所定量のＳｉ3Ｎ4が添
加されたルツボ内のシリコン融液から引き上げられたシ
リコン単結晶をスライスしたものである。このシリコン
ウェーハＷ中の窒素濃度は、１×１０12個／ｃｍ3から
５×１０1 5個／ｃｍ3の範囲内に設定される。この窒素
濃度は、上記濃度範囲内で、必要とするＢＭＤ密度が低
い場合には低く設定され、必要とするＢＭＤ密度が高い
場合には高く設定され、析出熱処理の条件に即して適宜
調整されるものである。
ン原料が所定量入れられてさらに所定量のＳｉ3Ｎ4が添
加されたルツボ内のシリコン融液から引き上げられたシ
リコン単結晶をスライスしたものである。このシリコン
ウェーハＷ中の窒素濃度は、１×１０12個／ｃｍ3から
５×１０1 5個／ｃｍ3の範囲内に設定される。この窒素
濃度は、上記濃度範囲内で、必要とするＢＭＤ密度が低
い場合には低く設定され、必要とするＢＭＤ密度が高い
場合には高く設定され、析出熱処理の条件に即して適宜
調整されるものである。
【００１２】なお、上記シリコンウェーハとしては、図
３に示すように、シリコン単結晶インゴット内での格子
間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕と
し、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕と
し、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥
の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とする
ときに、パーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットか
ら切り出された点欠陥の凝集体が存在しないものを用い
ている。なお、空孔型点欠陥は、一つのシリコン原子が
シリコン結晶格子で正常な一つから離脱した空孔による
欠陥であり、また、格子間シリコン点欠陥は、原子がシ
リコン結晶の格子点以外の位置（インタースチシャルサ
イト）にある場合の欠陥をいう。すなわち、このパーフ
ェクト領域〔Ｐ〕からなるシリコンウェーハは、例えば
特開平１−１３９３号公報に提案されているように、Ｃ
Ｚ法によりホットゾーン内のシリコン融液からインゴッ
トをボロンコフ(Voronkov）理論に基づいた引上速度プ
ロファイルで引き上げられ、このインゴットをスライス
して作成される。
３に示すように、シリコン単結晶インゴット内での格子
間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕と
し、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕と
し、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥
の凝集体が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とする
ときに、パーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットか
ら切り出された点欠陥の凝集体が存在しないものを用い
ている。なお、空孔型点欠陥は、一つのシリコン原子が
シリコン結晶格子で正常な一つから離脱した空孔による
欠陥であり、また、格子間シリコン点欠陥は、原子がシ
リコン結晶の格子点以外の位置（インタースチシャルサ
イト）にある場合の欠陥をいう。すなわち、このパーフ
ェクト領域〔Ｐ〕からなるシリコンウェーハは、例えば
特開平１−１３９３号公報に提案されているように、Ｃ
Ｚ法によりホットゾーン内のシリコン融液からインゴッ
トをボロンコフ(Voronkov）理論に基づいた引上速度プ
ロファイルで引き上げられ、このインゴットをスライス
して作成される。
【００１３】このインゴットは、引上速度をＶ（ｍｍ／
分）とし、ルツボ中のシリコン融液とインゴットとの界
面近傍におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃
／ｍｍ）とするとき、熱酸化処理をした際にリング状に
発生するＯＳＦ（OxidationInduced Stacking Fault;酸
素誘起積層欠陥）がウェーハ中心部で消滅するように、
Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）の値を決めて作られる。上記
ボロンコフ理論では、図３に示すように、Ｖ／Ｇを横軸
にとり、空孔型点欠陥濃度と格子間シリコン型欠陥濃度
を同一の縦軸にとって、Ｖ／Ｇと点欠陥濃度との関係を
図式的に表現し、空孔領域と格子間シリコン領域の境界
がＶ／Ｇによって決定されることを説明している。より
詳しくは、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔型点欠陥濃度
が優勢なインゴットが形成される反面、Ｖ／Ｇ比が臨界
点以上では格子間シリコン型点欠陥濃度が優勢なインゴ
ットが形成される。図３において、〔Ｉ〕は格子間シリ
コン型点欠陥が支配的であって、格子間シリコン点欠陥
が存在する領域（（Ｖ／Ｇ）1以下）を示し、〔Ｖ〕は
インゴット内での空孔型点欠陥が支配的であって、空孔
型点欠陥の凝集体が存在する領域（（Ｖ／Ｇ） 2以下）
を示し、〔Ｐ〕は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリ
コン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域
（（Ｖ／Ｇ）1〜（Ｖ／Ｇ）2）を示す。領域〔Ｐ〕に隣
接する領域〔Ｖ〕にはＯＳＦ核を形成する領域〔ＯＳ
Ｆ〕（（Ｖ／Ｇ）2〜（Ｖ／Ｇ）3）が存在する。したが
って、シリコンウェーハに供されるインゴットの引上速
度プロファイルは、インゴットがホットゾーン内のシリ
コン融液から引き上げられるとき、温度勾配に対する引
上速度の比（Ｖ／Ｇ）が格子間シリコン型点欠陥の凝集
体の発生を防止する第１臨界比（（Ｖ／Ｇ）1）以上で
あって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にあ
る空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第
２臨界比（（Ｖ／Ｇ）2）以下に維持されるように決め
られる。この引上速度のプロファイルは、実験的に基準
インゴットを軸方向にスライスすることやシミュレーシ
ョンによって上記ボロンコフ理論に基づいて決定され
る。このようにパーフェクト領域〔Ｐ〕で作製されたシ
リコンウェーハは、ＯＳＦ、ＣＯＰ等を有しない無欠陥
のウェーハとなるものであるが、逆にＩＧ効果が低いた
め、上記実施形態による熱処理を施せば、十分に高密度
なＢＭＤ層を内部に形成でき、近接ゲッタリング効果を
備えることができる。なお、ＣＯＰ等の点欠陥の凝集体
が検出方法によって検出感度、検出下限値が異なる値を
示すことがある。そのため、本明細書において、「点欠
陥の凝集体が存在しない」の意味は、鏡面加工されたシ
リコン単結晶を無攪拌セコエッチングを施した後に光学
顕微鏡により、観察面積とエッチング取り代との積を検
査体積として観察した際に、フローパターン（空孔型欠
陥）及び転位クラスタ（格子間シリコン型点欠陥）の各
凝集体が１×１０-3ｃｍ3の検査体積に対して１個欠陥
が検出された場合を検出下限値（１×１０3個／ｃｍ3）
とするとき、点欠陥の凝集体の数が上記検出下限値以下
であることをいう。
分）とし、ルツボ中のシリコン融液とインゴットとの界
面近傍におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃
／ｍｍ）とするとき、熱酸化処理をした際にリング状に
発生するＯＳＦ（OxidationInduced Stacking Fault;酸
素誘起積層欠陥）がウェーハ中心部で消滅するように、
Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）の値を決めて作られる。上記
ボロンコフ理論では、図３に示すように、Ｖ／Ｇを横軸
にとり、空孔型点欠陥濃度と格子間シリコン型欠陥濃度
を同一の縦軸にとって、Ｖ／Ｇと点欠陥濃度との関係を
図式的に表現し、空孔領域と格子間シリコン領域の境界
がＶ／Ｇによって決定されることを説明している。より
詳しくは、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔型点欠陥濃度
が優勢なインゴットが形成される反面、Ｖ／Ｇ比が臨界
点以上では格子間シリコン型点欠陥濃度が優勢なインゴ
ットが形成される。図３において、〔Ｉ〕は格子間シリ
コン型点欠陥が支配的であって、格子間シリコン点欠陥
が存在する領域（（Ｖ／Ｇ）1以下）を示し、〔Ｖ〕は
インゴット内での空孔型点欠陥が支配的であって、空孔
型点欠陥の凝集体が存在する領域（（Ｖ／Ｇ） 2以下）
を示し、〔Ｐ〕は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリ
コン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域
（（Ｖ／Ｇ）1〜（Ｖ／Ｇ）2）を示す。領域〔Ｐ〕に隣
接する領域〔Ｖ〕にはＯＳＦ核を形成する領域〔ＯＳ
Ｆ〕（（Ｖ／Ｇ）2〜（Ｖ／Ｇ）3）が存在する。したが
って、シリコンウェーハに供されるインゴットの引上速
度プロファイルは、インゴットがホットゾーン内のシリ
コン融液から引き上げられるとき、温度勾配に対する引
上速度の比（Ｖ／Ｇ）が格子間シリコン型点欠陥の凝集
体の発生を防止する第１臨界比（（Ｖ／Ｇ）1）以上で
あって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にあ
る空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第
２臨界比（（Ｖ／Ｇ）2）以下に維持されるように決め
られる。この引上速度のプロファイルは、実験的に基準
インゴットを軸方向にスライスすることやシミュレーシ
ョンによって上記ボロンコフ理論に基づいて決定され
る。このようにパーフェクト領域〔Ｐ〕で作製されたシ
リコンウェーハは、ＯＳＦ、ＣＯＰ等を有しない無欠陥
のウェーハとなるものであるが、逆にＩＧ効果が低いた
め、上記実施形態による熱処理を施せば、十分に高密度
なＢＭＤ層を内部に形成でき、近接ゲッタリング効果を
備えることができる。なお、ＣＯＰ等の点欠陥の凝集体
が検出方法によって検出感度、検出下限値が異なる値を
示すことがある。そのため、本明細書において、「点欠
陥の凝集体が存在しない」の意味は、鏡面加工されたシ
リコン単結晶を無攪拌セコエッチングを施した後に光学
顕微鏡により、観察面積とエッチング取り代との積を検
査体積として観察した際に、フローパターン（空孔型欠
陥）及び転位クラスタ（格子間シリコン型点欠陥）の各
凝集体が１×１０-3ｃｍ3の検査体積に対して１個欠陥
が検出された場合を検出下限値（１×１０3個／ｃｍ3）
とするとき、点欠陥の凝集体の数が上記検出下限値以下
であることをいう。
【００１４】このシリコンウェーハＷに施される熱処理
は、１０００°Ｃから１３５０°Ｃの温度範囲で、スパ
イクアニールまたは５分以下で急速加熱、急速冷却（例
えば、５０°Ｃ／秒の昇温または降温）のＲＴＡ（Rapi
d Thermal Annealing）処理である。このＲＴＡ処理に
よりシリコンウェーハＷ内に空孔が注入される。この熱
処理は、希望する酸素析出核の析出形態に即して不活性
雰囲気下もしくは窒素雰囲気下で行われる。この熱処理
を施すことによって、シリコンウェーハＷ内部に１×１
０12／ｃｍ3以上の空孔を導入する。ここで、シリコン
ウェーハＷがパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴッ
トから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコ
ンウェーハであるので、熱処理時に注入される空孔を対
消滅させる格子間シリコン型点欠陥がほとんどなく、酸
素析出に必要な空孔が効率的に注入される。また、空孔
型点欠陥もほとんど存在しないため、ＲＴＡ処理により
十分な空孔密度を確保することができる。次に、ＤＺ層
形成及び酸素析出のための熱処理（例えば、８００°Ｃ
４時間の熱処理及びその後に１０００°Ｃ１６時間行う
熱処理）を行う。この熱処理は、上記ＲＴＡ処理の熱処
理よりも低い温度で行う、空孔への酸素析出のための熱
処理であって、この熱処理によって酸素析出核の安定化
を図り、析出物の成長を行うものである。この熱処理の
際、図２に示すように、表裏面からの空孔や酸素の外方
拡散、表層の酸化により注入された格子間のＳｉと空孔
との対消滅によりＤＺ層１１が形成され、またこれらの
ＤＺ層１１の内側に高いＢＭＤ（酸素析出物）濃度を有
するＢＭＤ層１２が形成される。ここで、シリコンウェ
ーハＷ内部に１×１０12／ｃｍ3以上の空孔が導入され
ているので、この酸素析出のための熱処理によって、十
分な密度のＢＭＤ層を得ることができる。
は、１０００°Ｃから１３５０°Ｃの温度範囲で、スパ
イクアニールまたは５分以下で急速加熱、急速冷却（例
えば、５０°Ｃ／秒の昇温または降温）のＲＴＡ（Rapi
d Thermal Annealing）処理である。このＲＴＡ処理に
よりシリコンウェーハＷ内に空孔が注入される。この熱
処理は、希望する酸素析出核の析出形態に即して不活性
雰囲気下もしくは窒素雰囲気下で行われる。この熱処理
を施すことによって、シリコンウェーハＷ内部に１×１
０12／ｃｍ3以上の空孔を導入する。ここで、シリコン
ウェーハＷがパーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴッ
トから切り出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコ
ンウェーハであるので、熱処理時に注入される空孔を対
消滅させる格子間シリコン型点欠陥がほとんどなく、酸
素析出に必要な空孔が効率的に注入される。また、空孔
型点欠陥もほとんど存在しないため、ＲＴＡ処理により
十分な空孔密度を確保することができる。次に、ＤＺ層
形成及び酸素析出のための熱処理（例えば、８００°Ｃ
４時間の熱処理及びその後に１０００°Ｃ１６時間行う
熱処理）を行う。この熱処理は、上記ＲＴＡ処理の熱処
理よりも低い温度で行う、空孔への酸素析出のための熱
処理であって、この熱処理によって酸素析出核の安定化
を図り、析出物の成長を行うものである。この熱処理の
際、図２に示すように、表裏面からの空孔や酸素の外方
拡散、表層の酸化により注入された格子間のＳｉと空孔
との対消滅によりＤＺ層１１が形成され、またこれらの
ＤＺ層１１の内側に高いＢＭＤ（酸素析出物）濃度を有
するＢＭＤ層１２が形成される。ここで、シリコンウェ
ーハＷ内部に１×１０12／ｃｍ3以上の空孔が導入され
ているので、この酸素析出のための熱処理によって、十
分な密度のＢＭＤ層を得ることができる。
【００１５】本実施形態のシリコンウェーハの熱処理で
は、予め窒素がドーピングされたシリコンウェーハＷを
熱処理するものであるので、シリコンウェーハ内部の窒
素と空孔とが相互作用を引き起こし、熱処理後の冷却の
際における空孔の消滅が抑制されることとなり、シリコ
ンウェーハ内のＢＭＤが増加しやすくなる。
は、予め窒素がドーピングされたシリコンウェーハＷを
熱処理するものであるので、シリコンウェーハ内部の窒
素と空孔とが相互作用を引き起こし、熱処理後の冷却の
際における空孔の消滅が抑制されることとなり、シリコ
ンウェーハ内のＢＭＤが増加しやすくなる。
【００１６】このため、この熱処理を従来と同じ時間、
温度で行った場合には、従来の製造方法よりもＢＭＤ密
度の高いシリコンウェーハを得ることができる。また、
このようにＢＭＤが形成されやすいので、酸素析出核の
生成のための熱処理を省くことも可能となる。さらに、
従来よりも短時間かつ低温の熱処理で従来と同程度のＢ
ＭＤ密度をもつシリコンウェーハを得ることができる。
温度で行った場合には、従来の製造方法よりもＢＭＤ密
度の高いシリコンウェーハを得ることができる。また、
このようにＢＭＤが形成されやすいので、酸素析出核の
生成のための熱処理を省くことも可能となる。さらに、
従来よりも短時間かつ低温の熱処理で従来と同程度のＢ
ＭＤ密度をもつシリコンウェーハを得ることができる。
【００１７】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記実施の形態では、シリコンウェーハＷに熱処
理を施す際に赤外線ランプ３を使ってシリコンウェーハ
Ｗに赤外線を照射して加熱したが、他の光線（可視光
等）により加熱しても構わない。また、上記ＤＺ層形成
または酸素析出のための熱処理をデバイス作成工程前に
特に行わず、その後のデバイス作成工程に伴って行われ
る熱処理で行っても構わない。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記実施の形態では、シリコンウェーハＷに熱処
理を施す際に赤外線ランプ３を使ってシリコンウェーハ
Ｗに赤外線を照射して加熱したが、他の光線（可視光
等）により加熱しても構わない。また、上記ＤＺ層形成
または酸素析出のための熱処理をデバイス作成工程前に
特に行わず、その後のデバイス作成工程に伴って行われ
る熱処理で行っても構わない。
【００１８】
【実施例】ここで、予め窒素を添加したシリコンウェー
ハ、すなわち本発明にかかるシリコンウェーハと、この
シリコンウェーハとは窒素を添加しなかった以外は同一
の製造条件で製造したシリコンウェーハ（従来のシリコ
ンウェーハ）のそれぞれに同一の条件でＤＺ層形成及び
酸素析出のための熱処理を施し、各ウェーハについて熱
処理後（二段の析出熱処理；８００°Ｃで４時間の熱処
理を施しさらに１０００°Ｃで１６時間の熱処理を施し
た後）における内部でのＢＭＤ密度を測定した。この結
果を図４のグラフに示す。この試験では、予め窒素を添
加したシリコンウェーハとして、それぞれ窒素濃度が１
×１０13個（ａｔｏｍｓ）／ｃｍ3、１×１０14個／ｃ
ｍ3、１×１０15個／ｃｍ3のものを用意した。
ハ、すなわち本発明にかかるシリコンウェーハと、この
シリコンウェーハとは窒素を添加しなかった以外は同一
の製造条件で製造したシリコンウェーハ（従来のシリコ
ンウェーハ）のそれぞれに同一の条件でＤＺ層形成及び
酸素析出のための熱処理を施し、各ウェーハについて熱
処理後（二段の析出熱処理；８００°Ｃで４時間の熱処
理を施しさらに１０００°Ｃで１６時間の熱処理を施し
た後）における内部でのＢＭＤ密度を測定した。この結
果を図４のグラフに示す。この試験では、予め窒素を添
加したシリコンウェーハとして、それぞれ窒素濃度が１
×１０13個（ａｔｏｍｓ）／ｃｍ3、１×１０14個／ｃ
ｍ3、１×１０15個／ｃｍ3のものを用意した。
【００１９】図４に示すように、窒素を添加しなかった
シリコンウェーハでは、上記熱処理の温度が１１００°
Ｃである場合にはＢＭＤ密度は約７×１０6個／ｃｍ3程
度であり、熱処理温度が１１５０°Ｃである場合にも同
様に約７×１０6個／ｃｍ3程度である（光学顕微鏡での
検出限界）。そして、さらに熱処理温度を上げても、Ｂ
ＭＤ密度は約３．５×１０7個／ｃｍ3程度とあまり増加
せず、熱処理温度が１２５０°Ｃとなることでようやく
ＢＭＤ密度を約７×１０9個／ｃｍ3程度まで高めること
ができた。
シリコンウェーハでは、上記熱処理の温度が１１００°
Ｃである場合にはＢＭＤ密度は約７×１０6個／ｃｍ3程
度であり、熱処理温度が１１５０°Ｃである場合にも同
様に約７×１０6個／ｃｍ3程度である（光学顕微鏡での
検出限界）。そして、さらに熱処理温度を上げても、Ｂ
ＭＤ密度は約３．５×１０7個／ｃｍ3程度とあまり増加
せず、熱処理温度が１２５０°Ｃとなることでようやく
ＢＭＤ密度を約７×１０9個／ｃｍ3程度まで高めること
ができた。
【００２０】これに対し、予め窒素を添加したシリコン
ウェーハにおいて、窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3、
１×１０14個／ｃｍ3のものでは、上記熱処理の温度が
１１００°Ｃである場合には、そのＢＭＤ密度は窒素を
添加しなかったシリコンウェーハと同じく約７×１０6
個／ｃｍ3程度であるが、窒素濃度が１×１０15個／ｃ
ｍ 3のものでは、ＢＭＤ密度は約６×１０7個／ｃｍ3程
度と、窒素を添加しなかったシリコンウェーハを１２０
０°Ｃで熱処理した場合よりも高いＢＭＤ密度を得るこ
とができた。そして、これら予め窒素を添加したシリコ
ンウェーハは、熱処理温度を１１５０°Ｃに上げると、
窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3のものではＢＭＤ密度
は約９×１０8個／ｃｍ3程度、窒素濃度が１×１０14個
／ｃｍ3のものではＢＭＤ密度は約６×１０9個／ｃｍ3
程度、窒素濃度が１×１０15個／ｃｍ3のものではＢＭ
Ｄ密度は約９×１０9個／ｃｍ3程度と、いずれも窒素を
添加しなかったシリコンウェーハを１２００°Ｃで熱処
理した場合よりも遙かに高いＢＭＤ密度を得ることがで
きた。さらに熱処理温度を１２００°Ｃまで上げると、
予め窒素を添加したシリコンウェーハのうち最もＢＭＤ
密度が低いものでもＢＭＤ密度は約９×１０9個／ｃｍ3
程度（窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3のもの）とな
り、窒素を添加しなかったシリコンウェーハを１２５０
°Ｃで熱処理した場合よりも高いＢＭＤ密度を得ること
ができた。そして、熱処理温度を１２５０°とした場合
にも、予め窒素を添加したシリコンウェーハのすべて
で、窒素を添加しなかったシリコンウェーハよりも高い
ＢＭＤ密度を得ることができた。このことから、予め窒
素を添加したシリコンウェーハでは、窒素を添加しなか
ったものに比べて低い熱処理温度でより高いＢＭＤ密度
を得ることができることがわかる。
ウェーハにおいて、窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3、
１×１０14個／ｃｍ3のものでは、上記熱処理の温度が
１１００°Ｃである場合には、そのＢＭＤ密度は窒素を
添加しなかったシリコンウェーハと同じく約７×１０6
個／ｃｍ3程度であるが、窒素濃度が１×１０15個／ｃ
ｍ 3のものでは、ＢＭＤ密度は約６×１０7個／ｃｍ3程
度と、窒素を添加しなかったシリコンウェーハを１２０
０°Ｃで熱処理した場合よりも高いＢＭＤ密度を得るこ
とができた。そして、これら予め窒素を添加したシリコ
ンウェーハは、熱処理温度を１１５０°Ｃに上げると、
窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3のものではＢＭＤ密度
は約９×１０8個／ｃｍ3程度、窒素濃度が１×１０14個
／ｃｍ3のものではＢＭＤ密度は約６×１０9個／ｃｍ3
程度、窒素濃度が１×１０15個／ｃｍ3のものではＢＭ
Ｄ密度は約９×１０9個／ｃｍ3程度と、いずれも窒素を
添加しなかったシリコンウェーハを１２００°Ｃで熱処
理した場合よりも遙かに高いＢＭＤ密度を得ることがで
きた。さらに熱処理温度を１２００°Ｃまで上げると、
予め窒素を添加したシリコンウェーハのうち最もＢＭＤ
密度が低いものでもＢＭＤ密度は約９×１０9個／ｃｍ3
程度（窒素濃度が１×１０13個／ｃｍ3のもの）とな
り、窒素を添加しなかったシリコンウェーハを１２５０
°Ｃで熱処理した場合よりも高いＢＭＤ密度を得ること
ができた。そして、熱処理温度を１２５０°とした場合
にも、予め窒素を添加したシリコンウェーハのすべて
で、窒素を添加しなかったシリコンウェーハよりも高い
ＢＭＤ密度を得ることができた。このことから、予め窒
素を添加したシリコンウェーハでは、窒素を添加しなか
ったものに比べて低い熱処理温度でより高いＢＭＤ密度
を得ることができることがわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法及びシリコ
ンウェーハによれば、予め窒素を添加したシリコンウェ
ーハを熱処理するので、内部の窒素と空孔との相互作用
によって熱処理後の冷却の際における空孔の消滅が抑制
されて、シリコンウェーハ内のＢＭＤが増加する。この
ため、この熱処理を従来と同じ時間、温度で行った場合
には、従来の製造方法よりもＢＭＤ密度の高いシリコン
ウェーハを得ることができる。また、このようにＢＭＤ
が形成されやすいので、酸素析出核の生成のための熱処
理を省くことも可能となる。さらに、従来よりも短時間
かつ低温の熱処理で従来と同程度のＢＭＤ密度をもつシ
リコンウェーハを得ることができる。従って、大口径化
されるウェーハの熱処理に好適であり、特に２００ｍｍ
よりも大きい径の３００ｍｍのウェーハにおいて、さら
に有効である。
本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法及びシリコ
ンウェーハによれば、予め窒素を添加したシリコンウェ
ーハを熱処理するので、内部の窒素と空孔との相互作用
によって熱処理後の冷却の際における空孔の消滅が抑制
されて、シリコンウェーハ内のＢＭＤが増加する。この
ため、この熱処理を従来と同じ時間、温度で行った場合
には、従来の製造方法よりもＢＭＤ密度の高いシリコン
ウェーハを得ることができる。また、このようにＢＭＤ
が形成されやすいので、酸素析出核の生成のための熱処
理を省くことも可能となる。さらに、従来よりも短時間
かつ低温の熱処理で従来と同程度のＢＭＤ密度をもつシ
リコンウェーハを得ることができる。従って、大口径化
されるウェーハの熱処理に好適であり、特に２００ｍｍ
よりも大きい径の３００ｍｍのウェーハにおいて、さら
に有効である。
【図１】 本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法
を概略的に示す図である。
を概略的に示す図である。
【図２】 本実施形態にかかるシリコンウェーハの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 ボロンコフ理論に基づいた、Ｖ／Ｇ比が臨界
点以上では空孔豊富インゴットが形成され、Ｖ／Ｇ比が
臨界点以下では格子間シリコン豊富インゴットが形成さ
れ、パーフェクト領域が第１臨界比（（Ｖ）／Ｇ）1）
以上第２臨界比（Ｖ／Ｇ）2）以下であることを示す図
である。
点以上では空孔豊富インゴットが形成され、Ｖ／Ｇ比が
臨界点以下では格子間シリコン豊富インゴットが形成さ
れ、パーフェクト領域が第１臨界比（（Ｖ）／Ｇ）1）
以上第２臨界比（Ｖ／Ｇ）2）以下であることを示す図
である。
【図４】 予め窒素を添加したシリコンウェーハと、窒
素を添加しなかったシリコンウェーハのそれぞれに施し
た熱処理の温度と熱処理後の各シリコンウェハ内部のＢ
ＭＤ密度との関係を示すグラフである。
素を添加しなかったシリコンウェーハのそれぞれに施し
た熱処理の温度と熱処理後の各シリコンウェハ内部のＢ
ＭＤ密度との関係を示すグラフである。
１ 熱処理装置 １１ ＤＺ層
１２ ＢＭＤ層 Ｗ シリコンウェーハ
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲
気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有す
るシリコンウェーハの製造方法であって、 予め窒素を添加したシリコンウェーハに前記熱処理を施
すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 前記シリコンウェーハの窒素濃度を、１
×１０12個／ｃｍ3から５×１０15個／ｃｍ3の範囲内と
したことを特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハ
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のシリコンウェ
ーハの製造方法において、前記熱処理されるシリコンウ
ェーハは、シリコン単結晶インゴット内での格子間シリ
コン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空
孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子
間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体
が存在しないパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、
パーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出
された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハで
あることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のシリ
コンウェーハの製造方法において、 前記熱処理後に、該熱処理よりも低い温度で前記シリコ
ンウェーハを熱処理して表層に無欠陥層を形成すると共
に内部の空孔に酸素を析出させる析出処理することを特
徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１から３のいずれかに記載のシリ
コンウェーハの製造方法によって製造されるシリコンウ
ェーハであって、前記熱処理の急速加熱、急速冷却によ
り、シリコンウェーハ内部に１×１０12／ｃｍ3以上の
空孔を導入してなることを特徴とするシリコンウェー
ハ。 - 【請求項６】 熱処理により内部に新たに空孔が形成さ
れたシリコンウェーハであって、 予め窒素を添加したシリコンウェーハに前記熱処理を施
してなることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 【請求項７】 請求項６に記載のシリコンウェーハにお
いて、窒素濃度を１×１０12個／ｃｍ3から５×１０15
個／ｃｍ3の範囲内としたことを特徴とするシリコンウ
ェーハ。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載のシリコンウェ
ーハにおいて、少なくとも表層に無欠陥層が形成されて
いるとともに内部の前記空孔に酸素が析出されているこ
とを特徴とするシリコンウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001265058A JP2003077925A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001265058A JP2003077925A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009149086A Division JP2009218620A (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077925A true JP2003077925A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19091574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001265058A Pending JP2003077925A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077925A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005104208A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板 |
| EP1959486A3 (en) * | 2007-02-16 | 2012-05-30 | Sumco Corporation | Silicon wafer and its manufacturing method |
| WO2018051728A1 (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001146498A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにｓｏｉウエーハ |
| JP2001509319A (ja) * | 1997-02-26 | 2001-07-10 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法 |
| JP2002043318A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001265058A patent/JP2003077925A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005311200A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板 |
| US7759227B2 (en) | 2004-04-23 | 2010-07-20 | Sumco Techxiv Corporation | Silicon semiconductor substrate heat-treatment method and silicon semiconductor substrate treated by the method |
| EP1959486A3 (en) * | 2007-02-16 | 2012-05-30 | Sumco Corporation | Silicon wafer and its manufacturing method |
| EP2587527A1 (en) * | 2007-02-16 | 2013-05-01 | Sumco Corporation | Silicon wafer and its manufacturing method |
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| JP2018046107A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 |
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