JP2005311200A - シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板 - Google Patents
シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005311200A JP2005311200A JP2004128841A JP2004128841A JP2005311200A JP 2005311200 A JP2005311200 A JP 2005311200A JP 2004128841 A JP2004128841 A JP 2004128841A JP 2004128841 A JP2004128841 A JP 2004128841A JP 2005311200 A JP2005311200 A JP 2005311200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitrogen
- heat treatment
- wafer
- rta
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 330
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 167
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 94
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 14
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 144
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 118
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 26
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 17
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 16
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 201000006935 Becker muscular dystrophy Diseases 0.000 description 1
- 208000037663 Best vitelliform macular dystrophy Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N 2 V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- VJTAZCKMHINUKO-UHFFFAOYSA-M chloro(2-methoxyethyl)mercury Chemical compound [Cl-].COCC[Hg+] VJTAZCKMHINUKO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 208000020938 vitelliform macular dystrophy 2 Diseases 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 表面近傍に無欠陥層を有するシリコンウェーハを製造するために所定のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、該熱処理用シリコンウェーハの深さ方向の窒素濃度分布を制御することにより所望の内部欠陥密度分布を形成させる熱処理方法を提供する。
【選択図】 図13
Description
12 表面
14 表面
Claims (9)
- 表面近傍に無欠陥層を有するシリコンウェーハにあって、
窒素若しくは窒素を含んだ雰囲気ガスを用いた熱処理後に、該シリコンウェーハ表面から10μmの位置で窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 表面近傍に無欠陥層を有するシリコンウェーハを製造するために所定のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、
該熱処理用シリコンウェーハの深さ方向の窒素濃度分布を制御することにより所望の内部欠陥密度分布を形成させる熱処理方法。 - 前記熱処理方法は、
所定の分圧を有する窒素若しくは窒素を含む雰囲気ガス中で行うものであり、
所定の昇温速度で昇温し、
所定の保持温度範囲で所定の保持時間保持した後、
所定の降温速度で降温する請求項2記載の熱処理方法。 - 前記熱処理方法は、
予め深さ方向の所望の内部欠陥密度分布を決定し、
該内部欠陥密度分布と前記窒素濃度分布をマッチングさせた後、前記窒素濃度分布を達成するように、前記窒素分圧、前記昇温速度、前記保持温度範囲、前記保持時間、前記降温速度を決定する請求項3記載の熱処理方法。 - 前記窒素濃度の分布は、深さ方向においてほぼM字型となる請求項2から4いずれか記載の熱処理方法。
- 表面付近には十分な深さの無欠陥層が形成され、かつ表面に近い位置に高密度の欠陥が形成されたシリコンウェーハであって、前記無欠陥層の深さやこれに近接するウェーハ内部の深さ方向欠陥密度分布を任意に制御することを特徴とする熱処理方法。
- 窒素若しくは窒素を含む雰囲気ガスを用いた、熱処理後に該シリコンウェーハ表面から10μmの位置で窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上浸透させることを特徴とする請求項6に記載の熱処理方法。
- 酸素濃度が9〜17×1017atoms/cm3のシリコン単結晶より採取したシリコンウェーハを用いて行なう熱処理であって、急速昇降温熱処理工程を含み、該急速昇降温熱処理工程は所定の保持温度に所定の保持時間保持する保持工程を含み、前記所定の保持温度は1100〜1300℃であり、前記保持時間は1〜300秒であり、前記雰囲気ガス中の窒素の分圧が0.1〜1%であり、前記保持温度範囲からの降温速度が1〜100℃/秒である請求項7記載の熱処理方法。
- 請求項2から8いずれか記載の熱処理方法により処理されたシリコンウェーハ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128841A JP4794137B2 (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
TW094107680A TWI261299B (en) | 2004-04-23 | 2005-03-14 | Method for heat-treating silicon semiconductor substrate, and the silicon semiconductor substrate treated thereby |
CN2005800118820A CN1943022B (zh) | 2004-04-23 | 2005-04-22 | 硅半导体衬底的热处理方法以及使用该方法处理的硅半导体衬底 |
DE112005000863.0T DE112005000863B4 (de) | 2004-04-23 | 2005-04-22 | Verfahren zur Hitzebehandlung eines Siliziumhalbleitersubstrats |
PCT/JP2005/007716 WO2005104208A1 (ja) | 2004-04-23 | 2005-04-22 | シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板 |
US11/578,814 US7759227B2 (en) | 2004-04-23 | 2005-04-22 | Silicon semiconductor substrate heat-treatment method and silicon semiconductor substrate treated by the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128841A JP4794137B2 (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311200A true JP2005311200A (ja) | 2005-11-04 |
JP4794137B2 JP4794137B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=35197267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004128841A Expired - Lifetime JP4794137B2 (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7759227B2 (ja) |
JP (1) | JP4794137B2 (ja) |
CN (1) | CN1943022B (ja) |
DE (1) | DE112005000863B4 (ja) |
TW (1) | TWI261299B (ja) |
WO (1) | WO2005104208A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251704A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
JP2008294112A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sumco Corp | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
JP2009049256A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2011171402A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2012015298A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2013232668A (ja) * | 2008-06-10 | 2013-11-14 | Sumco Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハ |
JP2014034513A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 |
WO2017187752A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ |
WO2017208582A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JPWO2020213230A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | ||
JP2021090006A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2021090007A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその熱処理方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080292523A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Sumco Corporation | Silicon single crystal wafer and the production method |
JP2010199411A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
EP2412849B1 (en) * | 2009-03-25 | 2016-03-23 | SUMCO Corporation | Silicon wafer and method for manufacturing same |
JP5051331B1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-17 | パナソニック株式会社 | 赤外発光素子の製造方法 |
CN102605433A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法 |
US9945048B2 (en) * | 2012-06-15 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure and method |
US9029243B2 (en) | 2012-10-08 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a semiconductor device and field-effect semiconductor device |
DE102014208815B4 (de) * | 2014-05-09 | 2018-06-21 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium |
US9425063B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-23 | Infineon Technologies Ag | Method of reducing an impurity concentration in a semiconductor body, method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
US10026816B2 (en) * | 2015-03-30 | 2018-07-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor wafer and manufacturing method |
JP6299835B1 (ja) | 2016-10-07 | 2018-03-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
EP3653761B1 (en) | 2016-12-28 | 2024-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited | Silicon wafers with intrinsic gettering and gate oxide integrity yield |
US10020203B1 (en) * | 2017-01-06 | 2018-07-10 | Sumco Corporation | Epitaxial silicon wafer |
DE102017219255A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium |
JP6897598B2 (ja) * | 2018-02-16 | 2021-06-30 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 |
KR102562239B1 (ko) | 2018-04-27 | 2023-07-31 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 반도체 도너 기판으로부터의 층 전이를 용이하게 하는 광 지원형 소판 형성 |
JP7014694B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-02-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP7173082B2 (ja) * | 2020-04-17 | 2022-11-16 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用のシリコン単結晶基板、気相成長基板及びこれらの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110683A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
JP2003007711A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハ |
JP2003051504A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Ar/NH3急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ及び単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキープーラ |
JP2003077925A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
JP2004111732A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW589415B (en) * | 1998-03-09 | 2004-06-01 | Shinetsu Handotai Kk | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
CN1155064C (zh) | 1998-09-02 | 2004-06-23 | Memc电子材料有限公司 | 制备理想析氧硅晶片的工艺 |
TW541581B (en) * | 2001-04-20 | 2003-07-11 | Memc Electronic Materials | Method for the preparation of a semiconductor substrate with a non-uniform distribution of stabilized oxygen precipitates |
-
2004
- 2004-04-23 JP JP2004128841A patent/JP4794137B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-14 TW TW094107680A patent/TWI261299B/zh active
- 2005-04-22 US US11/578,814 patent/US7759227B2/en active Active
- 2005-04-22 WO PCT/JP2005/007716 patent/WO2005104208A1/ja active Application Filing
- 2005-04-22 CN CN2005800118820A patent/CN1943022B/zh active Active
- 2005-04-22 DE DE112005000863.0T patent/DE112005000863B4/de active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110683A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
JP2003007711A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハ |
JP2003051504A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Ar/NH3急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ及び単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキープーラ |
JP2003077925A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
JP2004111732A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251704A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
JP2008294112A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sumco Corp | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
JP2009049256A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2013232668A (ja) * | 2008-06-10 | 2013-11-14 | Sumco Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハ |
JP2011171402A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2012015298A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
JP2014034513A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 |
US9458554B2 (en) | 2012-08-08 | 2016-10-04 | Siltronic Ag | Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it |
KR20190002461A (ko) * | 2016-04-27 | 2019-01-08 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼 |
CN109075076A (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片 |
WO2017187752A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ |
US10648101B2 (en) | 2016-04-27 | 2020-05-12 | Globalwafers Japan Co., Ltd. | Silicon wafer |
KR102162948B1 (ko) | 2016-04-27 | 2020-10-07 | 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼 |
JP2017199788A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ |
CN109075076B (zh) * | 2016-04-27 | 2023-03-24 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片 |
WO2017208582A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
US11162191B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-11-02 | Globalwafers Japan Co., Ltd. | Thermal processing method for silicon wafer |
JP7388434B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-11-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
JPWO2020213230A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | ||
WO2020213230A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
US11959191B2 (en) | 2019-04-16 | 2024-04-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
JP2021090006A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP7282019B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-05-26 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその熱処理方法 |
JP7252884B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-04-05 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2021090007A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその熱処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1943022B (zh) | 2010-12-22 |
TWI261299B (en) | 2006-09-01 |
DE112005000863T5 (de) | 2007-03-15 |
WO2005104208A1 (ja) | 2005-11-03 |
DE112005000863B4 (de) | 2020-04-09 |
JP4794137B2 (ja) | 2011-10-19 |
CN1943022A (zh) | 2007-04-04 |
TW200535965A (en) | 2005-11-01 |
US7759227B2 (en) | 2010-07-20 |
US20070252239A1 (en) | 2007-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4794137B2 (ja) | シリコン半導体基板の熱処理方法 | |
KR100581305B1 (ko) | 저결함 밀도 단결정 실리콘으로부터의 soi 구조체 | |
KR102384041B1 (ko) | 질소 도핑 및 공공 지배 실리콘 잉곳 및 그로부터 형성된, 반경방향으로 균일하게 분포된 산소 석출 밀도 및 크기를 갖는 열 처리 웨이퍼 | |
KR20010006202A (ko) | 저결함밀도, 이상적 산소침전 실리콘 | |
US10177008B2 (en) | Silicon wafer and method for manufacturing the same | |
KR20000075744A (ko) | 이상적인 산소 침전 실리콘 웨이퍼 및 그에 대한 산소 외부확산이 없는 방법 | |
JP2002524852A (ja) | 理想的な酸素析出シリコンウエハの製造方法 | |
JP2004533125A (ja) | イオン注入によるイントリンシックゲッタリングを有するシリコン・オン・インシュレータ構造体を製造する方法 | |
JP5251137B2 (ja) | 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP6671436B2 (ja) | 熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造 | |
US8298926B2 (en) | Silicon wafer with controlled distribution of embryos that become oxygen precipitates by succeeding annealing and its manufacturing method | |
KR100973393B1 (ko) | 질소/탄소 안정화된 산소 침전물 핵형성 중심을 가진 이상적인 산소 침전 실리콘 웨이퍼 | |
JP4733029B2 (ja) | 安定化された理想的酸素析出シリコンウエハを製造する方法 | |
TWI553172B (zh) | 由矽構成的半導體晶圓和其製造方法 | |
JP2003297839A (ja) | シリコンウエーハの熱処理方法 | |
JP2003115491A (ja) | シリコン半導体基板の熱処理方法 | |
JP5572091B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2010003922A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
KR102528850B1 (ko) | 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법 | |
KR102162948B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4794137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |