KR20040111176A - 정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기 - Google Patents

정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20040111176A
KR20040111176A KR1020040045615A KR20040045615A KR20040111176A KR 20040111176 A KR20040111176 A KR 20040111176A KR 1020040045615 A KR1020040045615 A KR 1020040045615A KR 20040045615 A KR20040045615 A KR 20040045615A KR 20040111176 A KR20040111176 A KR 20040111176A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
transistor
circuit
voltage
constant voltage
Prior art date
Application number
KR1020040045615A
Other languages
English (en)
Inventor
나카타겐이치
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20040111176A publication Critical patent/KR20040111176A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/901—Starting circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

정전압 발생기(10)는 밴드갭 기준 회로(11)와, 전류 공급 회로(12)와, 시동 회로(13)와, 전압 전류 변환 회로(14)를 구비하고, 시동 회로(13)는 제1 및 제2 부하 소자(29, 30)와, 제1 부하 소자(29)에 접속되는 제1 트랜지스터(31)와, 제1 트랜지스터(31)보다 전류 능력이 크고 제1 트랜지스터(31)와 베이스 전압을 공통으로 하여 제2 부하 소자(30)에 접속되는 제2 트랜지스터(32)와, 제1 트랜지스터(31)에 접속되는 제1 저항(33)과, 제2 트랜지스터(32)에 접속되는 제2 저항(34)으로 구성되고, 제2 트랜지스터(32)와 제2 저항(34)과의 접속부에 전압 전류 변환 회로(14)의 출력이 입력되고, 제2 부하 소자(30)와 제2 트랜지스터(32)와의 접속부의 전류가 전류 공급 회로(12)를 제어한다.

Description

정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기 {CONSTANT VOLTAGE GENERATION AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME}
본 발명은 정전압을 출력하는 정전압 발생기, 특히 이를 구성하는 시동 회로를 개량한 정전압 발생기와, 이 발생기를 사용한 전자 기기에 관한 것이다.
정전압 발생기는 아날로그 회로의 정밀도를 확보하거나 또는 회로의 소비 전력을 절감하기 위한 용도로 전자 회로에 폭넓게 사용되고 있다. 그리고, 정전압 발생기으로는 밴드갭 기준 회로를 사용하는 구성이 공지되어 있다(예로서, 특개평 3-164916호 공보, 특개평 7-230332호 공보). 밴드갭 기준 회로는 반도체 집적 회로 상에서 정합성이 우수한 트랜지스터를 조합하여 구성되며, 온도 의존성을 갖지 않는 장점을 갖고 있다.
밴드갭 기준 회로를 사용한 정전압 발생기는 출력에 연결되는 부하에 전류를 공급하는 트랜지스터를 필요로 한다. 이 트랜지스터의 회로 형식으로는 정전압 발생기의 출력에 이미터가 접속된 이미터 폴로워 형식도 존재하지만, 이미터와 베이스와의 사이에 순바이어스 전압(Vf) 부분만큼 높은 전원 전압을 필요로 하기 때문에, 후술할 과제인 전원 전압의 저전압화에는 적합하지 않다. 그 때문에, 이와 관련한 기술의 설명에서는 정전압 발생기의 출력에 컬렉터가 접속되는 트랜지스터가 전류의 공급을 행한다. 또한, 바이폴라 트랜지스터 대신에 M0S 트랜지스터로 구성하면, 정전압 발생기의 출력에 드레인이 접속되는 P형 M0S 트랜지스터가 전류의 공급을 위해 사용된다.
도 6은 특개평 3-164916호 공보에 기재된 제1 종래예의 정전압 발생기의 회로도이다.
제1 종래예의 정전압 발생기(110)는 밴드갭 기준 회로(111)와, 전류 공급 회로(112)와, 시동 회로(113)과, 전압 전류 변환 회로(114)와, 시동 검출 회로(115)로 구성된다.
밴드갭 기준 회로(111)는 정전압 발생기(110)가 출력 단자(VREF)로부터 출력하는 정전압(Vref)을 발생한다. 전류 공급 회로(112)는 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하와 상술한 밴드갭 기준 회로(111)에 전류를 공급한다. 시동 회로(113)는 전원 전압(VCC)의 작동시에, 전류 공급 회로(112)에 전류를 강제적으로 흐르게 하여 밴드갭 기준 회로(111)를 시동한다. 전압 전류 변환 회로(114)는 출력 단자(VREF)의 전압을 전류로 변환하고, 그 전류를 전류 공급 회로(112)에 출력한다. 그리고, 시동 검출 회로(115)는 전원 전압(VCC)이 상승하였음을 검출하고, 후술하는 바와 같이 시동 회로(113)가 정전압 발생기(110)에 영향을 미치지 않도록 한다.
밴드갭 기준 회로(111)는 출력 단자(VREF)에 병렬로 접속되는 동일한 저항치의 저항(124, 125)과, 저항(124)의 다른 단부에 접속되는 다이오드 접속의 트랜지스터(121)와, 트랜지스터(121)보다 이미터ㆍ베이스 면적이 크고(전류 능력이 큼), 또한 트랜지스터(121)와 베이스 전압을 공통으로 하여 저항(125)의 다른 단부에 접속되는 트랜지스터(122)와, 트랜지스터(122)의 이미터에 접속되는 저항(120)과, 저항(125)과 트랜지스터(122)의 접속부에 베이스가 접속되고, 또한, 이미터가 접지되어 있는 트랜지스터(123)로 구성된다. 이 구성에 의해, 출력 단자(VREF)로부터 정전압(Vref)을 출력하기 위한 전압을 생성한다.
전류 공급 회로(112)는 커런트 미러로 되는 저항(128) 및 트랜지스터(126)와, 저항(129) 및 트랜지스터(127)로 구성된다. 이들 트랜지스터(126, 127)는 PNP 형이다. 트랜지스터(126)는 출력 단자(VREF)에 전류를 공급하고, 그 전류는 트랜지스터(127)에 흐르는 전류를 조정함으로써 제어된다.
시동 회로(113)는 전원 전압(VCC)에 접속되는 저항(130)과, 저항(130)에 접속되는 2 단 다이오드(131, 132)와, 저항(130)과 다이오드(131)의 접속부에 베이스가 접속되는 트랜지스터(133)와, 트랜지스터(133)의 이미터에 접속되는 저항(134)으로 구성된다.
이 시동 회로(113)는 전원 전압(VCC)이 작동하면, 2 단 다이오드(131, 132)에 의해 트랜지스터(133)의 베이스 전압이 순바이어스 전압(Vf)의 2 배의 전압으로 되어 트랜지스터(133)가 온 상태로 된다. 이 트랜지스터(133)에는 저항(134)의 저항치에 의해 결정되는 전류가 흐르고, 상술한 전류 공급 회로(112)의 트랜지스터(127)에 그 전류가 흐른다. 그 결과, 트랜지스터(126)로부터 출력 단자(VREF)라고 상술한 밴드갭 기준 회로(111)에 전류가 공급되어 밴드갭 기준 회로(111)가 시동하게 된다.
시동 검출 회로(115)는 전원 전압(VCC)이 작동한 후에 트랜지스터(143)의 온 전류에 의해 시동 회로(113)의 트랜지스터(133)의 베이스 전압을 하강시켜서, 트랜지스터(133)를 오프로 하는 구성으로 되어 있다.
전압 전류 변환 회로(114)는 출력 단자(VREF)에 베이스가 접속되는 트랜지스터(139)와, 트랜지스터(139)의 이미터에 접속되는 저항(140)으로 구성된다. 트랜지스터(139)의 이미터의 전압은 출력 단자(VREF)의 정전압(Vref)보다 순바이어스 전압(Vf)만큼 낮으며, 이 전압이 저항(140)에 걸린다. 따라서, 상술한 전류 공급회로(112)는 전원 전압이 작동한 후에는 이 저항(140)의 저항치로 결정되는 크기의 전류로 제어된다.
제1 종래예의 정전압 발생기에서는 전압 전류 변환 회로(114)를 상술한 구성에 의해 출력 단자(VREF)의 정전압(Vref)에 따른 전류를 전류 공급 회로(112)로부터 출력 단자(VREF)에 공급할 수 있도록 한다.
도 7은 특개평 7-230332호 공보에 기재된 제2 종래예의 정전압 발생기의 회로도이다. 제2 종래예의 정전압 발생기(150)는 밴드갭 기준 회로(151)와, 전류 공급 회로(152)와, 시동 회로(153)로 구성된다. 이 밴드갭 기준 회로(151)는 제1 종래예의 밴드갭 기준 회로(111)와 실질적으로 동일한 구성이다.
전류 공급 회로(152)는 제1 종래예의 전류 공급 회로(112)와 실질적으로 동일한 기능을 행하며, 커런트 미러로 되는 트랜지스터(166, 167)로 구성된다. 이 트랜지스터(166, 167)도 PNP형이다. 트랜지스터(166)는 출력 단자(VREF)에 전류를 공급하고, 그 전류는 트랜지스터(167)에 흐르는 전류를 밴드갭 기준 회로(151)의 트랜지스터(163)로 조정함으로써 제어된다.
시동 회로(153)는 전원 전압(VCC)에 접속되는 저항(170)과, 저항(170)에 접속되는 2 단 다이오드(171, 172)와, 저항(170)과 다이오드(171)의 접속부에 접속되는 다이오드(173)로 구성된다. 이 시동 회로(153)는 제1 종래예의 시동 회로(113)과 실질적으로 동일한 기능을 행하지만, 트랜지스터는 이용하지 않고 직접 저항(170)으로부터 밴드갭 기준 회로(151)에 전류를 공급하여 시동을 행하고 있다.
시동 회로(153)의 다이오드(173)는 전원 전압(VCC)이 작동한 후에, 시동 회로(153)가 정전압 발생기(150)에 영향을 미치지 않도록 한다. 또, 밴드갭 기준 회로(151)의 트랜지스터(163)의 출력은 직접 전류 공급 회로(152)에 입력된다.
따라서, 제2 종래예의 정전압 발생기(150)는 제1 종래예에 있어서 전압 전류 변환 회로(114)와 시동 검출 회로(115)를 생략할 수 있게 됨에 따라 구성을 간단히 할 수 있다.
이와 같이, 상기의 정전압 발생기(110, 150)는 전류 공급 회로(112, 152)에 커런트 미러 구성의 PNP 트랜지스터를 설치하고, 이 커런트 미러 구성의 입력을 제어함으로써 출력(VREF)에 안정된 전류를 공급하고 있다. 또, 상기의 정전압 발생기(110, 150)는 2 단 다이오드를 갖는 시동 회로(113, 153)가 설치되어 있으나, 밴드갭 기준 회로(111, 151)가 시동한 후에는 정전압 발생기(110, 150)에 영향을 미치지 않도록 되어 있다.
그러나, 이러한 정전압 발생기(110, 150)는 저전압의 전원 전압(VCC)으로 동작하도록 의도되어 있지 않으므로, 예를 들면 1.3V 정도의 저전압인 전원 전압(VCC)에 적용하는 것이 곤란하다. 즉, 순바이어스 전압(Vf)은 약 0.7V이고, 2 단 다이오드를 직렬로 접속하는 데에만 약 1.4V의 전압이 필요하기 때문이다. 또한, 이 순바이어스 전압(Vf)은 통상 저온으로 되면 높아지기 때문에, 온도 환경을 고려하였을 때 상기의 적용이 더욱 곤란하게 된다.
최근, 저소비 전력 지향의 관점에서 휴대 전자 기기뿐만 아니라 거치(据置)형 전자 기기에 있어서도 정전압 발생기의 전원 전압(VCC)의 저전압화의 요구가 강해지고 있다. 한편, 그 전원 전압(VCC)이 1.3V 정도의 저전압으로도 그 출력 전류가 1mA 이상의 대전류로 요구되는 경우가 많아지고 있다.
또, 이러한 정전압 발생기(110, 150)는 출력 단자(VREF)에는 전류 공급 회로로부터 정해진 전류를 흘리는 것을 전제로 하고 있고, 출력 단자(VREF)에 연결된 부하의 대소에 대해 부귀환을 거는 것으로서, 전류 공급 회로에 의해 보상되는 것은 아니다.
또한, 이러한 정전압 발생기(110, 150)는 전류 공급 회로의 트랜지스터가 커런트 미러 구성으로 되어 있으므로, 출력측의 트랜지스터와 쌍을 이루는 제어측의 트랜지스터에도 큰 전류가 흐른다. 여기서, 쌍의 사이즈비를 크게 하여 이 전류를 가능한 한 억제하는 것도 고려할 수 있으나, 여기에는 실질적으로 한계가 있다. 예를 들면, 이 사이즈비를 1:100 정도로 하고, 제어측을 소정의 레이아웃 룰에 맞도록 설계하는 경우, 출력측은 실질적으로 실현이 곤란할 정도로 면적이 커진다.
본 발명의 목적은 전원 전압(VCC)의 저전압화를 도모하면서, 소비 전력를 절감하고, 필요한 전류 출력을 가능하게 하는 정전압 발생기를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 정전압 발생기의 회로도.
도 2는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 정전압 발생기의 회로도.
도 3은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 정전압 발생기의 회로도.
도 4는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 정전압 발생기의 시동 회로의 회로도.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 정전압 발생기의 출력의 특성도.
도 6은 제1 종래예의 정전압 발생기의 회로도.
도 7은 제2 종래예의 정전압 발생기의 회로도.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 정전압 발생기는 출력 단자에 접속되고, 정전압을 발생하는 밴드갭 기준 회로와, 출력 단자에 접속되어 이에전류를 공급하는 전류 공급 회로와, 시동시 및 시동 후에 전류 공급 회로로 흐르는 상기 전류를 제어하는 시동 회로와, 출력 단자의 전압의 변동을 전류의 변동으로 변환하는 전압 전류 변환 회로를 구비하고, 상기 시동 회로는 예를 들면 정전류원인 제1 및 제2 부하 소자와, 제1 부하 소자에 접속되는 제1 트랜지스터와, 제1 트랜지스터보다 전류 능력이 크고 제1 트랜지스터와 제어 단자의 전압을 공통으로 하여 제2 부하 소자에 접속되는 제2 트랜지스터와, 제1 트랜지스터에 접속되는 제1 저항과, 제2 트랜지스터에 접속되는 제2 저항으로 구성되고, 제2 트랜지스터와 제2 저항과의 접속부에 상기 전압 전류 변환 회로의 출력이 입력되고, 제2 부하 소자와 제2 트랜지스터와의 접속부의 전류가 상기 전류 공급 회로를 제어하는 것을 특징으로 한다.
이 정전압 발생기는 전원 전압(VCC)에서부터 접지 전위까지의 전류 경로에 있어서, 트랜지스터의 순바이어스 전압(Vf)이 1개만 발생하는 구성으로 되어 있기 때문에, 전원 전압(VCC)이 1.3V으로도 충분히 동작할 수 있다. 또, 전류 공급 회로가 공급하는 전류를 부귀환을 통해 제어하고 있기 때문에, 부하에 따라 전류를 공급할 수 있다.
본 발명에 의하면, 전원 전압(VCC)이 1.3V 정도의 저전압으로도 동작할 수 있고, 출력 단자(VREF)의 부하에 따라 전류 출력을 행하며, 여분의 전류를 소비하지 않고 약 1mA 이상의 전류 출력을 가능하게 하는 정전압 발생기를 제공할 수 있고, 전원 전압(VCC)이 저전압인 경우에도 대전류가 소비되도록 동작할 수 있는 전자 기기를 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시형태인 정전압 발생기의 회로도이다. 정전압 발생기(10)는 밴드갭 기준 회로(11)와, 전류 공급 회로(12)와, 시동 회로(13)와, 전압 전류 변환 회로(14)로 구성된다.
밴드갭 기준 회로(11)는 출력 단자(VREF)로부터 출력하는 정전압(Vref)을 발생한다. 전류 공급 회로(12)는 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하와 밴드갭 기준 회로(11)에 전류(Iref)를 공급한다. 시동 회로(13)는 전원 전압(VCC)의 작동시, 즉 시동시에, 전류 공급 회로(12)에 전류를 강제적으로 흐르게 하고, 밴드갭 기준 회로(11)를 시동한다. 밴드갭 기준 회로(11)는 정전압(Vref) 이외에도 전압이 O인 경우에도 안정되지만, 이 시동에 의해 밴드갭 기준 회로(11)로부터 정전압(Vref)이 정상적으로 발생한다.
전압 전류 변환 회로(14)는 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하의 대소를 검출하고, 정전압(Vref)의 근소한 변동을 귀환 전류(Icomp)로 변환하여 시동 회로(13)에 출력한다.
즉, 전압 전류 변환 회로(14)는 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하가 많은 전류를 소비하여 전압이 조금이라도 저하되면, 귀환 전류(Icomp)를 감소시킨다. 그리고, 시동 회로(13)는 전압 전류 변환 회로(14)로부터의 귀환 전류(Icomp)가 감소하면, 전류 공급 회로(12)를 제어하는 제어 전류(I5)를 증가시킨다. 전류 공급 회로(12)에서 이 제어 전류(I5)가 증가하면, 정전압 발생기(1O)의 출력 단자(VREF)에 공급하는 전류(Iref)를 증가시켜서 그 전압을 상승시킨다. 이로 인해, 정전압 발생기(10)의 출력 단자(VREF)는 정전압(Vref)으로 유지된다.
다음에, 각 회로를 상세히 설명한다.
밴드갭 기준 회로(11)는 정전압 발생기(10)의 출력 단자(VREF)에 병렬로 접속되는 동일한 저항치의 저항(24, 25)과, 저항(24)의 다른 단부에 접속되는 다이오드 접속의 트랜지스터(21)와, 트랜지스터(21)보다 이미터ㆍ베이스 면적이 크고(전류 능력이 큼) 트랜지스터(21)와 베이스 전압을 공통으로 하여 저항(25)의 다른 단부에 접속되는 트랜지스터(22)와, 트랜지스터(22)의 이미터에 접속되는 저항(20)과, 저항(25)과 트랜지스터(22)의 접속부에 베이스가 접속되어 이미터가 접지되는 트랜지스터(23)로 구성된다. 트랜지스터(21, 22, 23)는 NPN형이다.
트랜지스터(22)와 트랜지스터(21)에서는 트랜지스터(22)의 이미터ㆍ베이스 면적의 트랜지스터(21)에 대한 비율에 따라, 이미터ㆍ베이스 전압에 차가 생긴다. 이 차이가 저항(20)의 양 단부의 전압으로 되고, 저항(20)의 저항치에 반비례하는 전류가 저항(20)에 흐른다. 이 전류가 저항(25)에도 흐르게 되어, 저항(25)의 양 단부에는 이 전류에 비례하는 전압이 생성한다. 한편, 저항(25)과 트랜지스터(22)의 접속부의 전압은 트랜지스터(23)의 이미터ㆍ베이스 전압이다. 따라서, 정전압 발생기(10)의 출력 단자(VREF)의 전압은 상술된 바와 같이 하여 결정되는 저항(25)의 양 단부의 전압과 트랜지스터(23)의 이미터ㆍ베이스 전압의 합으로 된다. 양자는 반대의 온도 계수를 가지므로 적당한 저항치를 선택함으로써, 밴드갭 기준 회로(11)가 발생하는 전압(Vref)을 온도 의존성이 없는 것으로 할 수 있다. 그 조건에서 전압(Vref)은 1.25V 정도로 된다.
전류 공급 회로(12)는 전원 전압(VCC)에 이미터가 접속되고, 제어 단자인 베이스가 제어 전류(I5)에 의해 제어되는 PNP형 트랜지스터(26)와, 발진 중지 콘덴서(27)로 구성된다.
시동 회로(13)는 같은 전류(I1)를 공급하는 제1 및 제2 부하 소자(29, 30)와, 제1 부하 소자(29)에 접속되는 다이오드 접속의 (베이스와 컬렉터가 접속되어 있음) 제1 트랜지스터(31)와, 이와 베이스의 전압을 공통으로 하여 제2 부하 소자(30)와 컬렉터가 접속되는 제2 트랜지스터(32)와, 양 트랜지스터(31, 32)에 각각 접속되며 저항치가 같은 제1 및 제2 저항(33, 34)으로 구성된다. 트랜지스터(31, 32)는 NPN형이고, 제2 트랜지스터(32)는 제1 트랜지스터(31)의 N 배의 이미터ㆍ베이스 면적이므로, 전류 용량은 N 배로 된다. 제2 트랜지스터(32)에는 제2 부하 소자(30)로부터의 전류(I1)와 전류 공급 회로(12)의 트랜지스터(26)의 베이스 전류(I5)를 채운 전류(I2)가 흐른다. 또한, 양 부하 소자(29, 30)는 같은 전류(I1)를 공급할 수 있는 것, 즉 정전류원 또는 저항이다.
전압 전류 변환 회로(14)는 발진 중지 콘덴서(35)와, 밴드갭 기준 회로(11)의 트랜지스터(23)의 출력 전류(I3)를 전달하는 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(36, 37)와, 저항치에 의해 소정의 전류(I4)의 값을 결정하는 저항(40)과, 이 전류(I4)를 전달하는 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(38, 39)와, 트랜지스터(37, 38)와의 접속부를 베이스에 접속하는 트랜지스터(41)로 구성된다. 트랜지스터(41)의 이미터는 전압 전류 변환 회로(14)의 출력으로 되고, 시동 회로(13)의 트랜지스터(32)와 저항(34)의 접속부에 귀환 전류(Icomp)를 출력한다.
다음에, 시동 회로(13)를 중심으로 하여 동작을 설명한다.
전원 작동시(시동시)에, 출력 단자(VREF)의 전압이 0으로 되면, 전압 전류 변환 회로(14)로부터의 귀환 전류(Icomp)는 0이 된다. 이 경우, 시동 회로(13)에 있어서, 다음 식이 성립된다.
I1×R + VT×In(N×I1/ I2) = I2×R ㆍㆍㆍ (1)
여기서, VT는 열전압이며, 상온에서 약 26mV이다. 또, R은 저항(33, 34)의 저항값이다.
구체적으로, N의 값을 4로 하고 R을 1KΩ로 하면, I1이 100㎂의 경우에는 (1)식으로부터 도출되는 I2의 값이 129㎂이다. I1이 500㎂의 경우에는 (1)식으로부터 도출되는 I2의 값이 534㎂이다.
I2와 I1과의 차이가 트랜지스터(26)의 베이스 전류(I5)로 되기 때문에, 그 hfe(전류 증폭율)배의 전류가 시동 전류(Iref)로서 출력 단자(VREF)와 밴드갭 기준 회로(11)에 공급되고, 밴드갭 기준 회로(11)가 발생하는 전압이 상승하여 정전압(Vref)에 이른다.
상술한 (1)식의 구체예의 수치에 의하면, I5는 약 3O㎂로 되기 때문에, hfe를 100으로 하면 시동 전류(Iref)는 약 3mA로 된다. 전원 작동 후(시동 후)에는 후술하는 바와 같이, I5이 상기 값 이하로 조정되므로, 공급 전류(Iref)의 값으로는 최대 약 3mA의 대전류 출력이 가능하게 된다.
밴드갭 기준 회로(11)의 발생 전압이 정전압(Vref)에 이르면, 트랜지스터(23)는 온 상태로 되고, 그 전류(I3)는 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(36, 37)를 통과하여 트랜지스터(37, 38)의 접속부에 공급된다. 이 전류(I3)와 소정의 전류(I4)와의 차 전류가 트랜지스터(41)의 베이스에 흐르고, 트랜지스터(41)는 온 상태로 되어 귀환 전류(Icomp)가 흐르게 된다.
그리고, 시동 회로(13)의 저항(34)에 걸리는 전압이 상승하고, 트랜지스터(32)에 흐르는 전류(I2)가 감소한다. 그 결과, 트랜지스터(26)의 베이스전류(I5)도 감소하기 때문에, 트랜지스터(26)로부터 출력 단자(VREF)에 공급되는 전류도 감소하여 부하에 따른 전류치로 안정된다.
귀환 전류(Icomp)가 흐르는 경우에는 시동 회로(13)에 있어서 다음 식이 성립된다.
I1R + VT×In(NI1/I2) =I2R + IcompRㆍㆍㆍ(2)
따라서, I1=I2, 즉 I5=O의 경우는,
Icomp= (VT/R) X In(N)ㆍㆍㆍ(3)
으로 된다. 따라서 Icomp는 0으로부터 (3)식의 값까지가 전류치가 움직이는 범위로 된다.
출력 단자(VREF)에 연결되는 부하의 크기에 변동이 있는 경우에는 귀환 전류(Icomp)의 변화를 통하여 부귀환이 걸려서 공급 전류(Iref)가 변한다.
구체적으로, 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하에 의한 전류 소비가 많아지고, 출력 단자(VREF)의 전압이 약간 하강하면, 밴드갭 기준 회로(11)의 트랜지스터(23)의 전류(I3)가 감소하기 때문에, 귀환 전류(Icomp)도 감소한다. 그 결과, 시동 회로(13)의 트랜지스터(32)의 전류(I2)는 증가하여, 공급 전류(Iref)도 증가한다. 이와 같이, 출력 단자(VREF)의 전압의 저하가 공급 전류(Iref)의 증가에 의해 보상되어정전압(Vref)이 안정적으로 출력된다.
본 실시형태의 정전압 발생기(10)에 있어서는 시동 회로(13)를 상술한 구성으로 함으로써, 전원 전압(VCC)에부터 접지 전위까지의 모든 전류 경로에서 순바이어스 전압(Vf)이 2 단으로 존재하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 정전압 발생기(10)는 전원 전압(VCC)이 저전압으로도 정전압(Vref)을 정상적으로 출력시킬 수 있다.
도 5는 본 실시형태에 있어서 전원 전압(VCC)과 출력 단자(VREF)의 관계를 나타내는 특성도이다. 전원 전압(VCC)이 순바이어스 전압(Vf)인 0.7V보다 크면, 출력 단자(VREF)의 상한은 전원 전압(VCC)으로부터 전류 공급 회로(12)의 트랜지스터(26)의 포화 전압(Vsat)인 0.05V만 내려간 전압으로 된다. 전원 전압(VCC)이 1.3V으로 출력 단자(VREF)에는 안정 전압(Vref)인 1.25V가 출력된다.
다음에, 본 발명의 제2 실시형태인 정전압 발생기를 설명한다. 이 정전압 발생기(50)는 상술한 제1 실시형태의 전압 전류 변환 회로가 간략화된 것이고, 도 2는 그 회로도이다.
전압 전류 변환 회로(54)는 발진 중지 콘덴서(35)와, 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(36, 37)와, 트랜지스터(38)와, 트랜지스터(41)로 구성된다. 트랜지스터(38)의 베이스는 밴드갭 기준 회로(11)의 트랜지스터(21)의 베이스와 공통 접속되고, 커런트 미러로 되어 있으므로, 트랜지스터(38)에는 트랜지스터(21)에 흐르는 전류에 비례하는 전류가 흐른다. 이 전류와 트랜지스터(37)에 흐르는 전류가 비교되고, 상술한 제1 실시형태와 실질적으로 동일하게 동작한다.
다음에, 본 발명의 제3 실시형태인 정전압 발생기를 설명한다. 이 정전압 발생기(60)는 상술한 제1, 제2 실시형태의 밴드갭 기준 회로와 전압 전류 변환 회로가 다른 것이고, 도 3은 그 회로도이다.
밴드갭 기준 회로(61)는 다이오드 접속의 트랜지스터(71)와, 이에 접속되는 저항(74)과, 이미터ㆍ베이스 면적이 트랜지스터(71)의 소정 배이고, 다이오드 접속의 트랜지스터(72)와, 이에 접속되는 저항(70)과, 저항(70)의 다른 단부에 접속되는 저항(75)으로 구성된다. 출력 단자(VREF)가 정전압(Vref)을 출력하고 있으면, 트랜지스터(71)와 저항(74)과의 접속부의 전압과, 저항(70)과 저항(75)과의 접속부의 전압은 일치한다.
전압 전류 변환 회로(62)는 차동 증폭 회로와, 그 신호를 출력하는 트랜지스터(86)로 구성된다. 전압 전류 변환 회로(62)는 트랜지스터(71)와 저항(74)과의 접속부로부터의 신호와, 저항(70)과 저항(75)과의 접속부로부터의 신호를 입력하고, 그 차이에 대응하는 귀환 전류(Icomp)를 출력한다.
상술한 제1, 제2 실시형태의 밴드갭 기준 회로 및 전압 전류 변환 회로와 동일하게 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하의 크기에 변동이 있는 경우에는 귀환 전류(Icomp)의 변화를 통하여 부귀환이 걸려서, 공급 전류(Iref)가 변한다. 그리고, 트랜지스터(71)와 저항(74)과의 접속부의 전압과, 저항(70)과 저항(75)과의 접속부의 전압은 일치하게 된다. 그 결과, 출력 단자(VREF)는 정전압(Vref)에 유지되는 것이다.
다음에, 본 발명의 제4 실시형태인 정전압 발생기를 설명한다. 이는 상술한 3개의 실시형태의 시동 회로만이 다른 것이고, 도 4는 그 시동 회로의 회로도이다.
시동 회로(90)는 커런트 미러 구성에 의해 정전류원를 이루는 트랜지스터(93, 98)와, 이들과 제어 단자인 베이스의 전압를 공통으로 하여 이미터ㆍ베이스 면적이 N 배(전류 능력이 N 배)인 트랜지스터(94)와, 저항치가 같은 저항(95, 96, 99)과, 정전류원 또는 저항인 제3 부하 소자(97)와, 제 1, 제2 부하 소자로서 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(91, 92)로 구성된다. 제3 부하 소자(97), 트랜지스터(98), 저항(99)으로 이루어진 그룹과, 트랜지스터(91, 93), 저항(95)으로 이루어지는 그룹과, 트랜지스터(92, 94), 저항(96)으로 이루어지는 그룹은 각각 전원 전압(VCC)으로부터 접지 전위까지 전류 경로를 형성한다.
제3 부하 소자(97)는 전류(I1)를 공급하고, 이와 동일한 전류치의 전류(I1)가 트랜지스터(91, 92)에 흐른다. 트랜지스터(94)에는 트랜지스터(92)의 전류와 전류 공급 회로를 제어하는 전류(I5)가 채워진 전류(I2)가 흐른다.
전원 작동시(시동시)에는 상술한 바와 동일하게 (1)식이 성립하고, 그 결과로서 밴드갭 기준 회로(11)가 발생하는 전압은 상승하여, 정전압(Vref)에 이르게 된다.
또, 상술한 제1 실시형태에서 설명한 바와 동일하게, 귀환 전류(Icomp)가 흐르면 시동 회로(90)에 있어서 (2)식이 성립되고, 출력 단자(VREF)에 연결되는 부하의 크기에 변동이 있는 경우에 부귀환이 걸리도록 동작한다.
본 시동 회로(90)는 트랜지스터(91, 92)의 컬렉터가 함께 전원 전압(VCC)으로부터 순바이어스 전압(Vf)만큼 내려간 전압으로 되므로, 이러한 효과에 의해 트랜지스터(91, 92)에 흐르는 전류의 미소한 차를 제거할 수 있게 된다. 이로 인해, 시동시에 전류 공급 회로를 제어하는 전류(I5)를 설정하는 것 등이 용이해진다.
이상, 본 발명의 실시형태인 정전압 발생기에 대하여 설명하였다. 이 정전압 발생기를 이용하면, 전원 전압(VCC)이 저전압으로 대전류가 소비되어도 동작할 수 있는 전자 기기를 실현할 수 있다. 또, 본 발명은 실시형태에 한정되지 않으며, 특허 청구의 범위에 기재된 사항의 범위내에서 다양한 설계 변경이 가능하다. 예를 들면, 상술한 실시형태에서는 트랜지스터를 바이폴라형의 것으로서 설명하였으나, 일부를 M0S형으로 대체해도 된다.

Claims (9)

  1. 출력 단자로부터 정전압을 출력하는 정전압 발생기에 있어서,
    출력 단자에 접속되고, 정전압을 발생하는 밴드갭 기준 회로와,
    출력 단자에 접속되고, 이에 전류를 공급하는 전류 공급 회로와,
    시동시 및 시동후에 전류 공급 회로에 흐르는 상기 전류를 제어하는 시동 회로와,
    출력 단자의 전압의 변동을 전류의 변동으로 변환하는 전압 전류 변환 회로를 구비하고,
    상기 시동 회로는 제1 및 제2 부하 소자와, 제1 부하 소자에 접속되는 제1 트랜지스터와, 제1 트랜지스터보다 전류 능력이 크고 제1 트랜지스터와 제어 단자의 전압을 공통으로 하여 제2 부하 소자에 접속되는 제2 트랜지스터와, 제1 트랜지스터에 접속되는 제1 저항과, 제2 트랜지스터에 접속되는 제2 저항으로 구성되고,
    제2 트랜지스터와 제2 저항과의 접속부에 상기 전압 전류 변환 회로의 출력이 입력되고, 제2 부하 소자와 제2 트랜지스터의 접속부의 전류가 상기 전류 공급 회로를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전류 공급 회로는 제2 부하 소자와 제2 트랜지스터와의 접속부의 상기 전류에 의해 베이스가 제어되는 PNP형 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는정전압 발생기.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 트랜지스터는 다이오드 접속인 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  4. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 트랜지스터는 NPN형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  5. 제4항에 있어서,
    제1 트랜지스터는 다이오드 접속인 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 부하 소자는 정전류원인 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트랜지스터와 제어 단자의 전압을 공통으로 하는 다이오드 접속의 제3 트랜지스터와,
    상기 제3 트랜지스터에 접속되는 제3 저항과,
    제3 트랜지스터에 전류를 공급하는 제3 부하 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  8. 제7항에 있어서,
    제 1, 제 2 및 제3 트랜지스터는 NPN형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전압 발생기.
  9. 낮은 전원 전압으로 대전류를 소비하는 전자 기기로서,
    청구항 1에 기재된 정전압 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020040045615A 2003-06-19 2004-06-18 정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기 KR20040111176A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00174572 2003-06-19
JP2003174572A JP4212036B2 (ja) 2003-06-19 2003-06-19 定電圧発生器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040111176A true KR20040111176A (ko) 2004-12-31

Family

ID=33549486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040045615A KR20040111176A (ko) 2003-06-19 2004-06-18 정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7023181B2 (ko)
JP (1) JP4212036B2 (ko)
KR (1) KR20040111176A (ko)
CN (1) CN100476681C (ko)
TW (1) TWI332141B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763328B1 (ko) * 2005-01-26 2007-10-05 가부시키가이샤 리코 정전압 회로 및 정전압 회로를 구비하는 반도체 장치
CN102385405A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 杭州中科微电子有限公司 一种通用的带隙基准启动电路

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4212036B2 (ja) * 2003-06-19 2009-01-21 ローム株式会社 定電圧発生器
JP4167201B2 (ja) * 2004-04-21 2008-10-15 株式会社日立製作所 周波数出力回路
US8315588B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-20 Lsi Corporation Resistive voltage-down regulator for integrated circuit receivers
US7265529B2 (en) 2004-08-19 2007-09-04 Micron Technologgy, Inc. Zero power start-up circuit
US7508165B2 (en) * 2004-10-19 2009-03-24 Denso Corporation Cell voltage equalization apparatus for combined battery pack including circuit driven by power supplied by the combined battery pack
JP4721726B2 (ja) * 2005-02-25 2011-07-13 富士通セミコンダクター株式会社 差動増幅器
JP2007334761A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Rohm Co Ltd 電圧生成回路及びそれを備えた電源回路
US20080003462A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 More Energy Ltd. Digital logic control DC-to-DC converter with controlled input voltage and controlled power output
KR100870159B1 (ko) * 2007-03-13 2008-11-24 삼성전자주식회사 기준 전압 생성기, 이를 포함하는 집적 회로 및 기준전압을 생성하는 방법
TWI365282B (en) * 2008-01-22 2012-06-01 Feature Integration Technology Inc Current control apparatus applied to transistor
US7636057B2 (en) * 2008-05-02 2009-12-22 Analog Devices, Inc. Fast, efficient reference networks for providing low-impedance reference signals to signal converter systems
US7830288B2 (en) * 2008-05-02 2010-11-09 Analog Devices, Inc. Fast, efficient reference networks for providing low-impedance reference signals to signal processing systems
US7652601B2 (en) * 2008-05-02 2010-01-26 Analog Devices, Inc. Fast, efficient reference networks for providing low-impedance reference signals to signal processing systems
US7911261B1 (en) * 2009-04-13 2011-03-22 Netlogic Microsystems, Inc. Substrate bias circuit and method for integrated circuit device
JP5554081B2 (ja) * 2010-02-16 2014-07-23 ローム株式会社 基準電圧回路
US8704506B2 (en) * 2010-12-20 2014-04-22 Lsi Corporation Voltage regulator soft-start circuit providing reference voltage ramp-up
US20130033245A1 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Bandgap circuit for providing stable reference voltage
US10095259B1 (en) * 2013-03-08 2018-10-09 Skyworks Solutions, Inc. Circuit arrangement for compensating current variations in current mirror circuit
CN104635836B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信（上海）有限公司 带隙基准电路
CN104635835B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信（上海）有限公司 带隙基准电路
JP6369793B2 (ja) * 2015-10-07 2018-08-08 Smk株式会社 ケーブル接続用コネクタ
JP6846248B2 (ja) * 2017-03-24 2021-03-24 エイブリック株式会社 定電圧出力回路
JP7058942B2 (ja) 2017-03-30 2022-04-25 株式会社Ｇｓユアサ 無停電電源供給装置
US10739808B2 (en) * 2018-05-31 2020-08-11 Richwave Technology Corp. Reference voltage generator and bias voltage generator
CN117707278B (zh) * 2024-02-01 2024-05-07 苏州萨沙迈半导体有限公司 基准电压生成电路和并联电压基准芯片

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3770836A (en) * 1970-06-15 1973-11-06 Philip Morris Inc Cyclopropyl cyclohexanes
ES218173Y (es) * 1976-01-14 1977-03-01 Jane, S. A. Coche-silla plegable para ninos.
US4064448A (en) * 1976-11-22 1977-12-20 Fairchild Camera And Instrument Corporation Band gap voltage regulator circuit including a merged reference voltage source and error amplifier
USRE30586E (en) * 1979-02-02 1981-04-21 Analog Devices, Incorporated Solid-state regulated voltage supply
US4302718A (en) * 1980-05-27 1981-11-24 Rca Corporation Reference potential generating circuits
US4325017A (en) * 1980-08-14 1982-04-13 Rca Corporation Temperature-correction network for extrapolated band-gap voltage reference circuit
US4325018A (en) * 1980-08-14 1982-04-13 Rca Corporation Temperature-correction network with multiple corrections as for extrapolated band-gap voltage reference circuits
US4368420A (en) * 1981-04-14 1983-01-11 Fairchild Camera And Instrument Corp. Supply voltage sense amplifier
FR2516076B1 (fr) * 1981-11-10 1986-05-16 Roussel Uclaf Nouveaux derives du cyclopropane, leur procede de preparation et leur application a la preparation de compositions parfumantes
US4396883A (en) * 1981-12-23 1983-08-02 International Business Machines Corporation Bandgap reference voltage generator
US4439637A (en) * 1981-12-28 1984-03-27 Mostek Corporation Low loop current switch latch circuit
US4525663A (en) * 1982-08-03 1985-06-25 Burr-Brown Corporation Precision band-gap voltage reference circuit
US4435428A (en) * 1982-09-23 1984-03-06 International Flavors & Fragrances Inc. Use in augmenting or enhancing the aroma or taste of foodstuff or chewing gum with the methyl carbonate of 1-hydroxymethyl-2-heptanoyl cyclopropane
US4490670A (en) * 1982-10-25 1984-12-25 Advanced Micro Devices, Inc. Voltage generator
US4491780A (en) * 1983-08-15 1985-01-01 Motorola, Inc. Temperature compensated voltage reference circuit
US4524318A (en) * 1984-05-25 1985-06-18 Burr-Brown Corporation Band gap voltage reference circuit
DE3577952D1 (de) * 1984-11-12 1990-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Geschwindigkeitsregelgeraet fuer einen gleichstrommotor.
FR2588431B1 (fr) * 1985-10-08 1987-11-20 Radiotechnique Circuit regulateur de tension
US4654545A (en) * 1986-02-28 1987-03-31 Rca Corporation Overvoltage comparator
US4684880A (en) * 1986-12-09 1987-08-04 Trw Inc. Reference current generator circuit
US4769589A (en) * 1987-11-04 1988-09-06 Teledyne Industries, Inc. Low-voltage, temperature compensated constant current and voltage reference circuit
US4839535A (en) * 1988-02-22 1989-06-13 Motorola, Inc. MOS bandgap voltage reference circuit
US4906863A (en) * 1988-02-29 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Wide range power supply BiCMOS band-gap reference voltage circuit
GB2222497A (en) * 1988-09-05 1990-03-07 Philips Electronic Associated Operational amplifier
US4857823A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Ncr Corporation Bandgap voltage reference including a process and temperature insensitive start-up circuit and power-down capability
IT1227488B (it) * 1988-11-23 1991-04-12 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di riferimento di tensione ad andamento in temperatura linearizzato.
US5087830A (en) * 1989-05-22 1992-02-11 David Cave Start circuit for a bandgap reference cell
US4999516A (en) * 1989-07-17 1991-03-12 At&E Corporation Combined bias supply power shut-off circuit
JP2682175B2 (ja) 1989-11-24 1997-11-26 松下電器産業株式会社 定電圧回路
US5084665A (en) * 1990-06-04 1992-01-28 Motorola, Inc. Voltage reference circuit with power supply compensation
US5126653A (en) * 1990-09-28 1992-06-30 Analog Devices, Incorporated Cmos voltage reference with stacked base-to-emitter voltages
NL9002392A (nl) * 1990-11-02 1992-06-01 Philips Nv Bandgap-referentie-schakeling.
GB2264573B (en) * 1992-02-05 1996-08-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit
US5604466A (en) * 1992-12-08 1997-02-18 International Business Machines Corporation On-chip voltage controlled oscillator
US5352973A (en) * 1993-01-13 1994-10-04 Analog Devices, Inc. Temperature compensation bandgap voltage reference and method
US5367249A (en) * 1993-04-21 1994-11-22 Delco Electronics Corporation Circuit including bandgap reference
US5519308A (en) * 1993-05-03 1996-05-21 Analog Devices, Inc. Zero-curvature band gap reference cell
US5384739A (en) * 1993-06-10 1995-01-24 Micron Semiconductor, Inc. Summing circuit with biased inputs and an unbiased output
US5349286A (en) * 1993-06-18 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits
JP3304539B2 (ja) * 1993-08-31 2002-07-22 富士通株式会社 基準電圧発生回路
JP2540753B2 (ja) * 1993-09-01 1996-10-09 日本電気株式会社 過熱検出回路
US5574047A (en) * 1993-12-21 1996-11-12 Eli Lilly And Company Methods of inhibiting imperfect tissue repair
DE4344447B4 (de) * 1993-12-24 2009-04-02 Atmel Germany Gmbh Konstantstromquelle
JPH07230332A (ja) 1994-02-18 1995-08-29 Hitachi Ltd バンドギャップ型定電圧発生回路
DE69423742T2 (de) * 1994-04-29 2000-08-31 Sgs Thomson Microelectronics Bandabstands-Referenzschaltung
US5453679A (en) * 1994-05-12 1995-09-26 National Semiconductor Corporation Bandgap voltage and current generator circuit for generating constant reference voltage independent of supply voltage, temperature and semiconductor processing
US5545978A (en) * 1994-06-27 1996-08-13 International Business Machines Corporation Bandgap reference generator having regulation and kick-start circuits
US5506496A (en) * 1994-10-20 1996-04-09 Siliconix Incorporated Output control circuit for a voltage regulator
DE4439707A1 (de) * 1994-11-05 1996-05-09 Bosch Gmbh Robert Spannungsreferenz mit Prüfung und Eigenkalibrierung
US5668467A (en) * 1995-02-17 1997-09-16 National Semiconductor Corporation Current regulator having start-up circuitry which is turned off after start-up
KR0141157B1 (ko) * 1995-04-24 1998-07-15 김광호 기준전압발생회로
EP0778510B1 (en) * 1995-12-06 1999-11-03 International Business Machines Corporation Highly symmetrical bi-directional current sources
US5757210A (en) * 1995-08-30 1998-05-26 Cherry Semiconductor Corporation Comparator with latch
US5621308A (en) * 1996-02-29 1997-04-15 Kadanka; Petr Electrical apparatus and method for providing a reference signal
DE19621110C1 (de) * 1996-05-24 1997-06-12 Siemens Ag Ein-/Ausschaltbare Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
DE19624676C1 (de) * 1996-06-20 1997-10-02 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
US5686823A (en) * 1996-08-07 1997-11-11 National Semiconductor Corporation Bandgap voltage reference circuit
US5811993A (en) * 1996-10-04 1998-09-22 International Business Machines Corporation Supply voltage independent bandgap based reference generator circuit for SOI/bulk CMOS technologies
JP3068482B2 (ja) * 1997-01-30 2000-07-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 定電圧回路
JP2000509906A (ja) * 1997-02-19 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 温度センサ回路を有する出力半導体装置
JP3185698B2 (ja) * 1997-02-20 2001-07-11 日本電気株式会社 基準電圧発生回路
US5986481A (en) * 1997-03-24 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Peak hold circuit including a constant voltage generator
US5867012A (en) * 1997-08-14 1999-02-02 Analog Devices, Inc. Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ
IT1296030B1 (it) * 1997-10-14 1999-06-04 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di riferimento a bandgap immune da disturbi sulla linea di alimentazione
US5949277A (en) * 1997-10-20 1999-09-07 Vlsi Technology, Inc. Nominal temperature and process compensating bias circuit
KR100302589B1 (ko) * 1998-06-05 2001-09-22 김영환 기준전압발생기의스타트업회로
JP3484349B2 (ja) * 1998-07-23 2004-01-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧レギュレータ
US6181122B1 (en) * 1998-08-28 2001-01-30 Globespan, Inc. System and method for starting voltage and current controlled elements
US6084388A (en) * 1998-09-30 2000-07-04 Infineon Technologies Corporation System and method for low power start-up circuit for bandgap voltage reference
US6124753A (en) * 1998-10-05 2000-09-26 Pease; Robert A. Ultra low voltage cascoded current sources
US6051548A (en) * 1998-11-05 2000-04-18 International Flavors & Fragrances Inc. Trimethylcyclohexenylcyclopropyl ketones perfume composition
JP2000151442A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Sony Corp Ａｇｃ回路
JP4314669B2 (ja) * 1999-03-31 2009-08-19 ソニー株式会社 バンドギャップリファレンス回路
IT1313386B1 (it) * 1999-06-09 2002-07-23 St Microelectronics Srl Metodo per ottenere un riferimento di tensione e di corrente costanteal variare della temperatura con un unico stadio band-gap.
JP3338814B2 (ja) * 1999-11-22 2002-10-28 エヌイーシーマイクロシステム株式会社 バンドギャップレファレンス回路
US6529066B1 (en) * 2000-02-28 2003-03-04 National Semiconductor Corporation Low voltage band gap circuit and method
US6259240B1 (en) * 2000-05-19 2001-07-10 Agere Systems Guardian Corp. Power-up circuit for analog circuit
US6531911B1 (en) * 2000-07-07 2003-03-11 Ibm Corporation Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit
US6657480B2 (en) * 2000-07-21 2003-12-02 Ixys Corporation CMOS compatible band gap reference
EP1178383B1 (en) * 2000-08-03 2012-10-03 STMicroelectronics Srl Circuit generator of a voltage signal which is independent from temperature and a few sensible from manufacturing process variables
US6359427B1 (en) * 2000-08-04 2002-03-19 Maxim Integrated Products, Inc. Linear regulators with low dropout and high line regulation
EP1184954A1 (en) * 2000-08-31 2002-03-06 STMicroelectronics S.r.l. Integrated and self-supplied voltage regulator and related regulation method
US6271652B1 (en) * 2000-09-29 2001-08-07 International Business Machines Corporation Voltage regulator with gain boosting
US6288525B1 (en) * 2000-11-08 2001-09-11 Agere Systems Guardian Corp. Merged NPN and PNP transistor stack for low noise and low supply voltage bandgap
JP3638530B2 (ja) * 2001-02-13 2005-04-13 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 基準電流回路及び基準電圧回路
KR100439024B1 (ko) * 2001-03-08 2004-07-03 삼성전자주식회사 기준전압 발생회로
US6563370B2 (en) * 2001-06-28 2003-05-13 Maxim Integrated Products, Inc. Curvature-corrected band-gap voltage reference circuit
JP3669307B2 (ja) * 2001-08-03 2005-07-06 ソニー株式会社 起動回路
US6972550B2 (en) * 2001-10-10 2005-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bandgap reference voltage generator with a low-cost, low-power, fast start-up circuit
JP3696145B2 (ja) * 2001-10-25 2005-09-14 株式会社東芝 温度依存型定電流発生回路
US6600302B2 (en) * 2001-10-31 2003-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Voltage stabilization circuit
US6710586B2 (en) * 2001-11-22 2004-03-23 Denso Corporation Band gap reference voltage circuit for outputting constant output voltage
JP3963258B2 (ja) * 2001-11-27 2007-08-22 富士通株式会社 Ｄｃ／ｄｃコンバータ制御回路、及びｄｃ／ｄｃコンバータシステム
US6630859B1 (en) * 2002-01-24 2003-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low voltage supply band gap circuit at low power process
TW574782B (en) * 2002-04-30 2004-02-01 Realtek Semiconductor Corp Fast start-up low-voltage bandgap voltage reference circuit
US6720755B1 (en) * 2002-05-16 2004-04-13 Lattice Semiconductor Corporation Band gap reference circuit
US6815941B2 (en) * 2003-02-05 2004-11-09 United Memories, Inc. Bandgap reference circuit
US6894473B1 (en) * 2003-03-05 2005-05-17 Advanced Micro Devices, Inc. Fast bandgap reference circuit for use in a low power supply A/D booster
US6954058B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Denso Corporation Constant current supply device
US6841982B2 (en) * 2003-06-09 2005-01-11 Silicon Storage Technology, Inc. Curved fractional CMOS bandgap reference
JP4212036B2 (ja) * 2003-06-19 2009-01-21 ローム株式会社 定電圧発生器
US6867573B1 (en) * 2003-11-07 2005-03-15 National Semiconductor Corporation Temperature calibrated over-current protection circuit for linear voltage regulators

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763328B1 (ko) * 2005-01-26 2007-10-05 가부시키가이샤 리코 정전압 회로 및 정전압 회로를 구비하는 반도체 장치
CN102385405A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 杭州中科微电子有限公司 一种通用的带隙基准启动电路
CN102385405B (zh) * 2010-08-27 2013-09-25 杭州中科微电子有限公司 一种通用的带隙基准启动电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN100476681C (zh) 2009-04-08
US7151365B2 (en) 2006-12-19
JP2005011067A (ja) 2005-01-13
US20050001671A1 (en) 2005-01-06
US7023181B2 (en) 2006-04-04
US20060125461A1 (en) 2006-06-15
TW200502728A (en) 2005-01-16
JP4212036B2 (ja) 2009-01-21
CN1573638A (zh) 2005-02-02
TWI332141B (en) 2010-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040111176A (ko) 정전압 발생기 및 이를 사용한 전자 기기
EP0826167B1 (en) Circuit arrangement for producing a d.c. current
US6836160B2 (en) Modified Brokaw cell-based circuit for generating output current that varies linearly with temperature
CN107305403B (zh) 一种低功耗电压产生电路
CN1042269C (zh) 使用cmos晶体管的基准电压发生器
US6958643B2 (en) Folded cascode bandgap reference voltage circuit
US4906863A (en) Wide range power supply BiCMOS band-gap reference voltage circuit
US6972549B2 (en) Bandgap reference circuit
KR100361715B1 (ko) 전압기준회로용보정회로
US7944272B2 (en) Constant current circuit
CN102385413A (zh) 低压带隙基准电压产生电路
US20050093530A1 (en) Reference voltage generator
US11531365B2 (en) Bandgap reference circuit, corresponding device and method
US6570437B2 (en) Bandgap reference voltage circuit
US6392470B1 (en) Bandgap reference voltage startup circuit
US6144250A (en) Error amplifier reference circuit
JPH0730334A (ja) 降圧回路及びこれを内蔵した半導体集積回路
CN115903987A (zh) 一种新型Zener基准电路
CN115617115A (zh) 基准电压产生电路、芯片及电子设备
US4820967A (en) BiCMOS voltage reference generator
US7362166B2 (en) Apparatus for polarity-inversion-protected supplying of an electronic component with an intermediate voltage from a supply voltage
US4374356A (en) Constant voltage circuit
KR100228354B1 (ko) 전원전압 및 온도변화에 무관한 기준전압 발생기
KR20000047587A (ko) 중간 전원 기준 전압 발생기
JPH1195850A (ja) 定電圧発生回路

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid