JP4314669B2 - バンドギャップリファレンス回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種リニア回路に用いられるバイポーラICに関するものであり、特に、簡単な構造で温度特性が良い任意な電圧を出力できるバンドギャップリファレンス回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、バイポーラICは、民生用や産業用の機器の電気信号処理に広く使用されている。このバイポーラICの定電圧源としては温度特性の良いバンドギャップリファレンス回路が広く使われている。このようなバンドギャップリファレンス回路の一例を図3に示す。
【0003】
トランジスタ101のエミッタは接地され、そのベースはコレクタと抵抗110とトランジスタ102のベースに接続される。トランジスタ102はn個のNPNを並列接続したもので、そのエミッタは抵抗109を介して接地され、そのコレクタは抵抗111とトランジスタ103のベースに接続される。トランジスタ103のエミッタは接地され、そのコレクタはトランジスタ104のベースとトランジスタ106のコレクタとトランジスタ107のコレクタに接続される。
【0004】
トランジスタ104のエミッタは抵抗110と抵抗111とオペアンプ117の正入力に接続され、そのコレクタはトランジスタ105のベースとコレクタとトランジスタ106のベースに接続される。トランジスタ105は2個のPNPを並列接続したもので、そのエミッタは抵抗112を介して電源118の正極へ接続される。トランジスタ106のエミッタはトランジスタ107のエミッタと抵抗113を介して電源118の正極へ接続される。トランジスタ107のベースは、トランジスタ108のベースとそのコレクタに接続され、さらに抵抗114を介して接地される。トランジスタ108のエミッタは、電源118の正極に接続される。
【0005】
オペアンプ117の負入力は、抵抗115を介して接地され、また抵抗116を介して当該オペアンプ117の出力に接続される。
【0006】
つぎに、この回路の動作原理について説明する。なお、トランジスタのベース電流は無視するものとする。
【0007】
トランジスタ101に流れる電流をI1とし、そのベースとエミッタ間の電圧をVbe1とする。また、トランジスタ102に流れる電流をI2とし、そのベースとエミッタ間の電圧をVbe2とする。これらの電流I1とI2を加算した電流を2Iとすると、トランジスタ105とトランジスタ106および抵抗112と抵抗113で構成されるカレントミラー回路によって、トランジスタ103に流れる電流はIとなる。このトランジスタ103のベースとエミッタ間の電圧をVbe3とする。また、抵抗109の抵抗値をReとし、抵抗110と抵抗111の抵抗値をRとし、トランジスタ104のエミッタ電圧をVoとする。
【0008】
すると、電圧Voは下記式(1−1)のように表され、電流Iは下記式(1−2)のように表される。
Vo=Vbe1+R・I1=Vbe3+R・I2 (1−1)
2I=I1+I2 (1−2)
【0009】
また、ショックレイのダイオードの式により、Vbe1とVbe3は下記式(1−3)と(1−4)のように表される。ただし、Vtはサーマルボルテージで、Isはトランジスタで決まる比例定数である。
Vbe1=Vt・ln(I1/Is) (1−3)
Vbe3=Vt・ln(I/Is) (1−4)
【0010】
式(1−2)と(1−3)と(1−4)を式(1−1)に代入し計算すると、下記式(1−5)が得られ、各トランジスタ101,102,103に流れる電流は等しくなることがわかる。
【0011】
I=I1=I2 (1−5)
【0012】
この式により、電圧Vbe1とVbe2は下記式(1−6)のように表される。 Vbe1=Vbe2+Re・I (1−6)
【0013】
また、ショックレイのダイオードの式により、Vbe2は下記式(1−7)のように表される。
Vbe2=Vt・ln{I/(n・Is)} (1−7)
【0014】
上記式(1−3)と(1−5)と(1−7)を上記式(1−6)に代入し計算すると、各トランジスタ101,102,103に流れる電流Iと他の定数の関係を表す下記(1−8)が得られる。
I=(ln(n)/Re)・Vt (1−8)
【0015】
上記式(1−3)と(1−5)と(1−8)を上記式(1−1)に代入し計算すると、電圧Voを表す下記式(1−9)が得られる。
Vo=Vbe1+(R/Re)・ln(n)・Vt (1−9)
【0016】
この電圧Voが温度に依存しないための条件は、電圧Voを温度Tで微分したものが0になることである。したがって、下記式(1−10)が成り立てば良い。なお、kはボルツマン定数で、qは電子の電荷である。
dVo/dT=(dVbe1/dT)+(R/Re)・ln(n)・k/q=0 (1−10)
【0017】
シリコントランジスタのベースとエミッタ間の電圧Vbeは、温度が1℃上昇すると1.7mV小さくなることが広く知られている。したがって、下記式(1−11)が成り立つように各定数を決定すれば、電圧Voは温度に依存しない電圧となる。
(R/Re)・ln(n)=−(q/k)・(dVbe1/dT)=19.7 (1−11)
【0018】
また、シリコントランジスタのベースとエミッタ間の電圧Vbeは、室温付近で約0.7Vであることも広く知られている。この値と上記式(1−11)の値を上記式(1−9)に代入し計算すると、バンドギャップリファレンス回路によって得られる温度特性(以下、「温特」と略す。)の良い電圧Voは1.21Vとなる。
【0019】
換言すれば、電圧Vbeの負の温特をサーマルボルテージVtの正の温特によってキャンセルしたときに生じる電圧Voが1.21Vとなるのである。
【0020】
ここで、上記バンドギャップリファレンス回路の他の構成部分の動作についても簡単に説明する。トランジスタ104は、電圧Voを安定させるための負帰還回路の一部として働く。すなわち、電圧Voが高くなろうとすると、トランジスタ103のベース電圧も高くなり、トランジスタ104のベース電圧は下がろうとするので、電圧Voは安定した電圧となる。
【0021】
トランジスタ107とトランジスタ108と抵抗114は、上述したバンドギャップリファレンス回路の電源立ち上がり時における起動用回路である。正常動作後に、トランジスタ107はオフとなる。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
上述した電圧Voを任意の大きさに変えるためには、直流増幅器を通すことによる電圧変換が必要となる。
【0023】
直流増幅器の一例としては、図3に示すように、オペアンプ117と抵抗115と抵抗116によって構成できる。抵抗115の抵抗値をRiとし、抵抗116の抵抗値をRoとすると、直流増幅率はRo/Riとなる。したがって、任意の定電圧Vo’は、下記(1−12)のように表される。
Vo’=(Ro/Ri)・Vo (1−12)
【0024】
しかしながら、バイポーラIC内に直流増幅器を構成しなければいけないため、回路素子数が増えてしまい、抵抗比Ro/Riのばらつきによって電圧Vo’の精度が悪化するという問題が生じることになる。
【0025】
このように、従来から知られているバンドギャップリファレンス回路を使った定電圧源では、素子数が増えたり、抵抗比によって精度が悪化して正確に所望の電圧を得ることができないという問題があった。
【0026】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、素子数を大きく増やすことなく、精度の良好な所望の定電圧を得ることができるバンドギャップリファレンス回路を提供することを目的としている。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために完成された本発明に係るバンドギャップリファレンス回路は、N個のトランジスタを並列接続した構造の第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのエミッタに第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが第2の抵抗を介して接地され、N個のトランジスタを並列接続した構造の第2のトランジスタ、上記第1のトランジスタのエミッタに第3の抵抗を介してコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第2のトランジスタのベースに接続され、エミッタが接地された第3のトランジスタと、上記第2のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが接地された第4のトランジスタと、上記第4のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが上記第1のトランジスタのベースに接続されるとともに第4の抵抗を介して接地された第5のトランジスタと、上記第4のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、エミッタが第5の抵抗を介して電源に接続され、上記第4のトランジスタと異なる導電型の第6のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第6のトランジスタのベースに接続され、エミッタが第6の抵抗を介して電源に接続され、上記第1のトランジスタと異なる導電型のN個のトランジスタを並列接続した構造の第7のトランジスタとを備え、上記第1のトランジスタのベースとエミッタ間の電圧をNVbe1、上記第2の抵抗の抵抗値をRe、上記第1の抵抗及び第3の抵抗の各抵抗値をNR、サーマルボルテージをVtとし、上記第5のトランジスタのエミッタ電圧Vo’として得られる
Vo’=NVbe1+N(R/Re)・ln(n)・Vt
にて表される定電圧を出力することを特徴とする。すなわち、N個のトランジスタを並列接続した構造の第1のトランジスタのベース・エミッタ間電圧は、上記N個のトランジスタのベース・エミッタ間電圧を重ね合わせたものであって、負の温特を持ち、また、上記トランジスタの数Nに比例する係数を掛けたサーマルボルテージVtは正の温特を持つので、これらを加算することによって温度特性の良い定電圧回路構成することができる。さらに、トランジスタをいくつ並列接続した構造とするかによって任意の電圧を出力することができる。
【0028】
また、本発明に係るバンドギャップリファレンス回路は、(m−1)個のトランジスタを直列接続した第1のトランジスタ群と、上記第1のトランジスタ群の最終段のトランジスタのエミッタに第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが第2の抵抗を介して接地され、m個のトランジスタを並列接続した構造の第2のトランジスタ、上記第1のトランジスタ群の最終段のトランジスタのエミッタに第3の抵抗を介してコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第2のトランジスタのベースに接続され、エミッタが接地された第3のトランジスタと、上記第2のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが接地された第4のトランジスタと、上記第4のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが上記第1のトランジスタのベースに接続されるとともに第4の抵抗を介して接地された第5のトランジスタと、上記第4のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、エミッタが第5の抵抗を介して電源に接続され、上記第4のトランジスタと異なる導電型の第6のトランジスタと、上記第1のトランジスタ群の初段のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第6のトランジスタのベースに接続され、エミッタが第6の抵抗を介して電源に接続され、上記第1のトランジスタ群と異なる導電型のm個のトランジスタを並列接続した構造の第7のトランジスタとを備え、上記第1のトランジスタ群の1個のトランジスタのベースとエミッタ間の電圧をVbe1、上記第2の抵抗の抵抗値をRe、上記第1の抵抗及び第3の抵抗の各抵抗値をmR、サーマルボルテージをVtとし、上記第5のトランジスタのエミッタ電圧Vo’として得られる
Vo’=mVbe1+m(R/Re)・ln(n)・Vt
にて表される定電圧を出力することを特徴とする。このような構成のバンドギャップリファレンス回路では、上記第1のトランジスタ群を構成するトランジスタの個数と上記第1の抵抗及び第3の抵抗の各抵抗値を所定の値に設定することで、温度特性がよく精度の良好な所定の定電圧を出力することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能であることは言うまでもない。
【0030】
本発明は、例えば図1に示す構成のバンドギャップリファレンス回路に適用することができる。
【0031】
上記バンドギャップリファレンス回路において、第3のトランジスタ19のエミッタは接地され、ベースはコレクタと第3の抵抗29と第2のトランジスタ20のベースに接続される。第2のトランジスタ20はn個のNPNを並列接続したもので、そのエミッタは第2の抵抗28を介して接地され、そのコレクタは第1の抵抗30と第4のトランジスタ21のベースに接続される。第4のトランジスタ21のエミッタは接地され、そのコレクタは第5のトランジスタ23のベースと第6のトランジスタ25のコレクタとトランジスタ26のコレクタに接続される。第5のトランジスタ23のエミッタは第4の抵抗31と第1のトランジスタ22のベースに接続され、そのコレクタは電源35の正極に接続される。
【0032】
第1のトランジスタ22は2個のNPNを並列接続したもので、そのエミッタは第3の抵抗29と第1の抵抗30に接続され、そのコレクタは第7のトランジスタ24のベースとコレクタと第6のトランジスタ25のベースに接続される。第7のトランジスタ24は2個のPNPを並列接続したもので、エミッタは第6の抵抗32を介して電源35の正極へ接続される。第6のトランジスタ25のエミッタはトランジスタ26のエミッタと第5の抵抗33を介して電源35の正極へ接続される。トランジスタ26のベースはトランジスタ27のベースとコレクタに接続されるとともに抵抗34を介して接地される。トランジスタ27のエミッタは電源35の正極に接続される。
【0033】
つぎに、このバンドギャップリファレンス回路の動作原理について説明する。なお、トランジスタのベース電流は無視するものとする。
【0034】
従来の技術で述べたバンドギャップリファレンス回路との違いは、第1のトランジスタ22と第4の抵抗31を追加した点である。
【0035】
第5のトランジスタ23と第4の抵抗31は、電圧Voを安定させるための負帰還回路の一部として働くとともに、電圧Vo’を低インピーダンスで出力するためのエミッタフォロア回路としての働きも兼用している。
【0036】
上述したように、第3のトランジスタ19と第2のトランジスタ20と第4のトランジスタ21に流れる電流は等しくなり、その電流をIとする。電流Iは、既に上述した式(1−8)で表される。
【0037】
また、第1のトランジスタ22のベースとエミッタ間の電圧は、2個のNPNを並列接続したものに2Iの電流が流れるので、第3のトランジスタ19のベースとエミッタ間の電圧と等しくなる。この電圧をVbe1とする。第2の抵抗28の抵抗値をReとし、第3の抵抗29と第1の抵抗30の抵抗値を2Rとし、第5のトランジスタ23のエミッタ電圧をVo’とすると、この電圧Vo’は、下記式(2−1)のように表される。
【0038】
Vo’=2Vbe1+2RI
=2Vbe1+2(R/Re)・ln(n)・Vt (2−1)
【0039】
この電圧Vo’と上述した式(1−9)を比較すると、電圧Vo’は電圧Voの2倍の値であることが判る。すなわち、上記バンドギャップリファレンス回路は、2個のトランジスタのベースとエミッタ間電圧を重ね合わせたものと、トランジスタ数(2個)に比例する係数を掛けたサーマルボルテージと加算することによって、電圧Voの2倍の値の電圧を出力している。さらに、上記バンドギャップリファレンス回路は、上記式(1−11)が成り立つように各定数が決定されていれば、電圧Vo’として温度に依存しない精度の良い定電圧を出力することができる。
【0040】
つぎに、本発明に係るバンドギャップリファレンス回路の他の実施の形態について、図2を用いて説明する。なお、図1に示す素子と同じ素子については同じ符号を付し、詳細な説明は省略するものとする。
【0041】
上記バンドギャップリファレンス回路は、図2に示すように、図1に示す第1のトランジスタ22に代えて(m−1)個のトランジスタ40a,・・・,40bを備えると共に、第3の抵抗29及び第1の抵抗30の抵抗値をmRとしている。これにより、式(2−2)が成立する。
【0042】
Vo’=mVbe1+m(R/Re)・ln(n)・Vt (2−2)
【0043】
すなわち、m個のトランジスタのベースとエミッタ間電圧を重ね合わせたもと、そのトランジスタの数に比例する係数を掛けたサーマルボルテージとを加算することによって、電圧Voのm倍の電圧を出力することができる。換言すると、トランジスタ数と抵抗値を所定のものにすることで、所望の定電圧を出力することができる。
【0044】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るバンドギャップリファレンス回路では、N個のトランジスタを並列接続した構造の第1のトランジスタのベース・エミッタ間電圧NVbe1と、上記トランジスタの数Nに比例する係数を掛けたサーマルボルテージVtとを加算して定電圧を出力することにより、素子数を増やしたり、増幅器を設けることなく、常に安定した精度の良い定電圧を出力することができる。
【0045】
また、本発明に係るバンドギャップリファレンス回路では、第1のトランジスタ群を構成するトランジスタの個数と、上記第1のトランジスタ群の最終段のトランジスタのエミッタに接続された第1の抵抗、及び、第3の抵抗の各抵抗値を所定の値に設定することで、温度特性がよく、常に安定した精度の良い定電圧を出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るバンドギャップリファレンス回路の一構成を示す回路図である。
【図2】 上記バンドギャップリファレンス回路の他の構成を示す回路図である。
【図3】 従来のバンドギャップリファレンス回路の一構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
19 第3のトランジスタ、20 第2のトランジスタ、21 第4のトランジスタ、22 第1のトランジスタ、23 第5のトランジスタ、24 第7のトランジスタ、25 第6のトランジスタ、28 第2の抵抗、29 第3の抵抗、30 第1の抵抗、31 第4の抵抗、32 第6の抵抗、33 第5の抵抗
Claims (2)
- N個のトランジスタを並列接続した構造の第1のトランジスタと、
上記第1のトランジスタのエミッタに第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが第2の抵抗を介して接地され、N個のトランジスタを並列接続した構造の第2のトランジスタと、
上記第1のトランジスタのエミッタに第3の抵抗を介してコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第2のトランジスタのベースに接続され、エミッタが接地された第3のトランジスタと、
上記第2のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが接地された第4のトランジスタと、
上記第4のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが上記第1のトランジスタのベースに接続されるとともに第4の抵抗を介して接地された第5のトランジスタと、
上記第4のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、エミッタが第5の抵抗を介して電源に接続され、上記第4のトランジスタと異なる導電型の第6のトランジスタと、
上記第1のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第6のトランジスタのベースに接続され、エミッタが第6の抵抗を介して電源に接続され、上記第1のトランジスタと異なる導電型のN個のトランジスタを並列接続した構造の第7のトランジスタと
を備え、
上記第1のトランジスタのベースとエミッタ間の電圧をNVbe1、上記第2の抵抗の抵抗値をRe、上記第1の抵抗及び第3の抵抗の各抵抗値をNR、サーマルボルテージをVtとし、上記第5のトランジスタのエミッタ電圧Vo’として得られる
Vo’=NVbe1+N(R/Re)・ln(n)・Vt
にて表される定電圧を出力することを特徴とするバンドギャップリファレンス回路。 - (m−1)個のトランジスタを直列接続した第1のトランジスタ群と、
上記第1のトランジスタ群の最終段のトランジスタのエミッタに第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが第2の抵抗を介して接地され、m個のトランジスタを並列接続した構造の第2のトランジスタと、
上記第1のトランジスタ群の最終段のトランジスタのエミッタに第3の抵抗を介してコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第2のトランジスタのベースに接続され、エミッタが接地された第3のトランジスタと、
上記第2のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが接地された第4のトランジスタと、
上記第4のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタが上記第1のトランジスタのベースに接続されるとともに第4の抵抗を介して接地された第5のトランジスタと、
上記第4のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、エミッタが第5の抵抗を介して電源に接続され、上記第4のトランジスタと異なる導電型の第6のトランジスタと、
上記第1のトランジスタ群の初段のトランジスタのコレクタにコレクタが接続され、ベースがコレクタに接続されるとともに上記第6のトランジスタのベースに接続され、エミッタが第6の抵抗を介して電源に接続され、上記第1のトランジスタ群と異なる導電型のm個のトランジスタを並列接続した構造の第7のトランジスタと
を備え、
上記第1のトランジスタ群の1個のトランジスタのベースとエミッタ間の電圧をVbe1、上記第2の抵抗の抵抗値をRe、上記第1の抵抗及び第3の抵抗の各抵抗値をmR、サーマルボルテージをVtとし、上記第5のトランジスタのエミッタ電圧Vo’として得られる
Vo’=mVbe1+m(R/Re)・ln(n)・Vt
にて表される定電圧を出力することを特徴とするバンドギャップリファレンス回路。
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