KR20040086306A - 이미지 형성상태 조정시스템, 노광방법 및 노광장치,그리고 프로그램 및 정보기록매체 - Google Patents
이미지 형성상태 조정시스템, 노광방법 및 노광장치,그리고 프로그램 및 정보기록매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040086306A KR20040086306A KR10-2004-7011623A KR20047011623A KR20040086306A KR 20040086306 A KR20040086306 A KR 20040086306A KR 20047011623 A KR20047011623 A KR 20047011623A KR 20040086306 A KR20040086306 A KR 20040086306A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- information
- imaging performance
- adjustment
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 366
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 52
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 925
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 569
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 454
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 140
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 119
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 101
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 179
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 157
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 145
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 95
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 68
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 51
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 35
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 32
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 30
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 42
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 16
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 3
- 101100333273 Phytophthora parasitica PARA1 gene Proteins 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 2
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000002939 conjugate gradient method Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012897 Levenberg–Marquardt algorithm Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000002922 simulated annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002945 steepest descent method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000341 volatile oil Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/18—Fire preventing or extinguishing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (152)
- 소정 패턴의 투영 이미지를 투영광학계를 사용하여 물체 상에 형성하는 노광 장치에서 사용되는 상기 투영 이미지의 물체 상에서의 형성 상태를 최적화하기 위한 이미지 형성상태 조정시스템으로서,상기 투영 이미지의 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치; 및상기 노광장치에 통신로를 통해 접속되고, 소정 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보를 사용하여, 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 컴퓨터;를 구비하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 조정 후의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 단체(單體)의 파면수차와 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상 성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 컴퓨터는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 소정의 목표치는, 외부로부터 입력된, 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 평가점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 6 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 선택된 대표점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 6 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 상기 투영광학계의 결상성능을 수차분해법에 의해 성분 분해하고, 그 분해 후의 분해 계수를 기초로 나쁜 성분을 개선하기 위해 설정된 계수의 목표치가 변환된 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중의 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 허용치를 경계로 하여 색분류 표시하는 동시에, 상기 가중치의 설정 화면을 표시하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 가중치는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능 중, 허용치를 초과하는 부분의 가중치가 높아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 목표 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 상기 목표 노광조건인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 14 항에 있어서,상기 실측 데이터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 임의의 결상성능의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 14 항에 있어서,상기 실측 데이터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 파면수차의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 컴퓨터는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영 광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 17 항에 있어서,상기 소정의 목표치는, 외부로부터 입력된, 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 평가점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 18 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 선택된 대표점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 18 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 상기 투영광학계의 결상성능을 수차분해법에 의해 성분 분해하고, 그 분해 후의 분해 계수를 기초로 나쁜 성분을 개선하기 위해 설정된 계수의 목표치가 변환된 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 17 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 21 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 허용치를 경계로 하여 색분류 표시하는 동시에, 상기 가중치의 설정화면을 표시하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 21 항에 있어서,상기 가중치는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능 중, 허용치를 초과하는 부분의 가중치가 높아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 17 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 목표 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 조정장치에 의한 조정량의 한계에 의해 정해지는 제약 조건을 추가로 고려하여 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 컴퓨터에는, 상기 투영광학계의 시야 내의 적어도 일부를 최적화 필드 범위로서 외부로부터 설정가능한 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 컴퓨터에는,적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상 성능에 관한 정보에 기초하여 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 제 1 모드와,상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터에 기초하여 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 제 2 모드와,상기 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여, 상기 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 제 3 모드 중, 적어도 2 개의 모드를 설정할 수 있는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 산출한 조정량에 기초하여, 상기 조정장치를 제어하는것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 소정 패턴의 투영 이미지를 투영광학계를 사용하여 물체 상에 형성하는 노광 장치에서 사용되는 상기 투영 이미지의 물체 상에서의 형성 상태를 최적화하기 위한 이미지 형성상태 조정시스템으로서,상기 투영 이미지의 물체 상에서의 형성 상태를 조정하는 조정장치; 및상기 노광장치에 통신로를 통해 접속되며, 상기 조정장치의 조정정보와, 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여, 상기 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 컴퓨터;를 구비하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 임의의 노광조건은, 상기 투영광학계에 의한 투영 대상으로 되는 패턴에 관한 제 1 정보 및 상기 패턴의 투영조건에 관한 제 2 정보에 따라 정해지는 조건인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 30 항에 있어서,상기 제 2 정보는, 상기 투영광학계의 개구수와 상기 패턴의 조명조건을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여 얻어지는 현재의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보와, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 임의의 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항 내지 제 27 항 및 제 29 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 통신로는, 로컬 에어리어 네트워크인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항 내지 제 27 항 및 제 29 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 통신로는, 공중회선을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태조정시스템.
- 제 1 항 내지 제 27 항 및 제 29 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 통신로는, 무선회선을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 1 항 내지 제 27 항 및 제 29 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컴퓨터는, 상기 노광장치의 구성 각 부를 제어하는 제어용 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 소정의 패턴을 투영광학계를 사용하여 물체 상에 전사하는 노광방법으로서,소정 노광조건 하에서의 상기 투영광학계에 의한 상기 패턴의 투영 이미지의 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보를 사용하여, 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 공정; 및상기 목표 노광조건 하에서, 상기 산출된 조정량에 기초하여 상기 조정장치를 조정한 상태로, 상기 패턴을 상기 투영광학계를 사용하여 상기 물체 상에 전사하는 공정;을 포함하는 노광방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건인 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 조정 후의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 단체(單體)의 파면수차와 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 산출하는 공정에서는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 상기 목표 노광조건인 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 43 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터인 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 44 항에 있어서,상기 실측 데이터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 파면수차의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 43 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 산출하는 공정에서는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 42 항 또는 제 46 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광방법으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 전사에서의 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하고, 상기 노광조건마다 산출되는 결상성능에 기초하여 상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건을 결정하는 노광방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴에 관한 정보를 포함하고, 상기 패턴에 관한 정보를 상기 주목하는 설정정보로 하여최적인 설정치를 결정하는 노광방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 복수의 정보를 포함하고, 상기 투영조건에 관한 복수의 정보 중 1 개를 상기 주목하는 설정정보로 하여 최적의 설정치를 결정하는 노광방법.
- 제 50 항에 있어서,상기 투영조건에 관한 복수의 정보는, 상기 투영광학계의 광학정보와 상기 패턴을 조명하는 조명광학계의 광학정보를 포함하는 노광방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 조명광학계의 광학정보는, 상기 패턴의 조명조건에 관한 복수의 정보를 포함하는 노광방법.
- 제 48 항 내지 제 52 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하여 각각 상기 결상성능을 산출하는 노광방법.
- 제 53 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 1 개는 그의 대응하는 제르니케 감도표가, 다른 복수의 노광조건에 대응하는 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성되는 노광방법.
- 제 48 항 및 제 50 항 내지 제 52 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 물체 상에서의 상기 투영광학계에 의한 패턴 이미지의 형성상태의 조정 장치에 의한 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파면수차 변화표와, 상기 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 55 항에 있어서,상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건에서 상기 물체에 패턴을 전사할 때, 상기 최적의 조정량에 따라 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 광학소자가 조정되는 노광방법.
- 제 55 항에 있어서,상기 제르니케 다항식 중 적어도 1 개의 항에 가중치를 부여하는 가중치 부여 함수를 사용하여 상기 최적의 조정량을 산출하는 노광방법.
- 제 55 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하여 각각 상기 결상성능을 산출하는 노광방법.
- 제 58 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 1 개는 그의 대응하는 제르니케 감도표가, 다른 복수의 노광조건에 대응하는 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성되는 노광방법.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광방법으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 물체 상에서의 상기 투영광학계에 의한 패턴 이미지의 형성상태의 조정장치에 의한 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파면수차 변화표에 기초하여, 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 60 항에 있어서,상기 결상성능이 최적으로 되는 노광조건에서 상기 물체에 패턴을 전사할 때, 상기 최적의 조정량에 따라 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 광학소자가 조정되는 노광방법.
- 제 60 항에 있어서,상기 제르니케 다항식 중 적어도 1 개의 항에 가중치를 부여하는 가중치 부여 함수를 사용하여 상기 최적의 조정량을 산출하는 노광방법.
- 제 60 항 내지 제 62 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전사에서의 복수의 설정정보 중 적어도 1 개에 관해서 설정치가 상이한 복수의 노광 조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 63 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하여 각각 상기 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 64 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 1 개는 그의 대응하는 제르니케 감도표가, 다른 복수의 노광조건에 대응하는 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성되는 노광방법.
- 제 63 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴에 관한 정보를 포함하고, 상기 패턴이 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 63 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 투영정보를 포함하고, 상기 투영정보에 관한 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 67 항에 있어서,상기 투영조건에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 광학정보와, 상기 패턴을 조명하는 조명광학계의 광학정보를 포함하고, 상기 2 개의 광학정보 중 적어도 일방에 관한 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 제 68 항에 있어서,상기 조명광학계의 광학정보는, 상기 패턴의 조명조건에 관한 복수의 조명정보를 포함하고, 상기 복수의 조명정보 중 적어도 1 개에 관한 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광방법.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광장치로서,상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 복수의 설정 정보 중 적어도 1 개로 설정치가 가변인 노광조건을 설정하는 설정장치; 및상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하고, 상기 노광조건마다 산출되는 결상성능에 기초하여 상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건을 결정하는 연산장치;를 구비하는 노광장치.
- 제 70 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하여 각각 상기 결상성능을 산출하는 노광장치.
- 제 71 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 1 개는 그의 대응하는 제르니케 감도표가,다른 복수의 노광조건에 대응하는 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성되는 노광장치.
- 제 70 항 내지 제 72 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 물체 상에서의 상기 투영광학계에 의한 패턴 이미지의 형성상태를 조정하는 조정장치를 더 구비하며, 상기 조정장치에 의한 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파면수차 변화표와, 상기 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광장치.
- 제 73 항에 있어서,상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건에서 상기 물체에 패턴을 전사할 때, 상기 최적의 조정량에 따라 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 광학소자가 조정되는 노광장치.
- 제 73 항에 있어서,상기 제르니케 다항식 중 적어도 1 개의 항에 가중치를 부여하는 가중치 부여 함수를 사용하여 상기 최적의 조정량을 산출하는 노광장치.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광장치로서,상기 물체 상에서의 상기 투영광학계에 의한 패턴 이미지의 형성상태를 조정하는 조정장치; 및상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치에 의한 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파면수차 변화표에 기초하여, 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 연산장치;를 구비하는 노광장치.
- 제 76 항에 있어서,상기 제르니케 다항식 중 적어도 1 개의 항에 가중치를 부여하는 가중치 부여 함수를 사용하여 상기 최적의 조정량을 산출하는 노광장치.
- 제 76 항 또는 제 77 항에 있어서,상기 전사에서의 복수의 설정정보 중 적어도 1 개에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상 성능이 최적으로 되는 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 노광장치.
- 제 78 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하여 각각 상기 최적의 조정량을 결정하는 노광장치.
- 제 79 항에 있어서,상기 복수의 노광조건 중 적어도 1 개는 그의 대응하는 제르니케 감도표가, 다른 복수의 노광조건에 대응하는 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성되는 노광장치.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광장치로서,상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 복수의 설정정보 중 적어도 1 개로 설정치가 가변인 노광조건을 설정하는 설정장치; 및상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관해 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하기 위하여 상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하는 동시에, 상기 상이한 제르니케 감도표 중 적어도 1 개를, 다른 복수의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 연산장치;를 구비하는 노광장치.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광방법으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상 성능을 산출하기 위하여 상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하는 동시에, 상기 상이한 제르니케 감도표 중 적어도 1 개를, 다른 복수의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 노광방법.
- 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법으로서,상기 리소그래피 공정에서는, 제 38 항 내지 제 46 항, 제 48 항 내지 제 52 항, 제 60 항 내지 제 62 항 및 제 82 항 중 어느 한 항에 기재된 노광방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
- 에너지빔에 의해 마스크를 조명하여 상기 마스크에 형성된 패턴을 투영광학계를 통해 물체 상에 전사하는 노광장치로서,상기 패턴의 투영 이미지의 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치; 및상기 조정장치에 신호선을 통해 접속되며, 소정 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보에 기초하여, 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하고, 그 산출한 조정량에 기초하여, 상기 조정장치를 제어하는 처리장치;를 구비하는 노광장치.
- 제 84 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 85 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 조정 후의 상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 85 항에 있어서,상기 결상 성능에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 단체의 파면수차와 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 85 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 처리장치는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 84 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 상기 목표 노광조건인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 89 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 90 항에 있어서,상기 실측 데이터는 상기 목표 노광조건 하에서의 임의의 결상성능의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 90 항에 있어서,상기 실측 데이터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 파면수차의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 92 항에 있어서,상기 투영광학계의 파면수차를 계측하는 파면계측기를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 93 항에 있어서,상기 물체를 유지하는 물체 스테이지; 및상기 파면계측기를 상기 물체 스테이지 상에 반입하고, 상기 물체 스테이지로부터 반출하는 반송계;를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 89 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 처리장치는, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 88 항 또는 제 95 항에 있어서,상기 소정의 목표치는, 외부로부터 입력된 상기 투영광학계의 적어도 1 개의 평가점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 이미지 형성상태 조정시스템.
- 제 96 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 선택된 대표점에서의 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 96 항에 있어서,상기 결상성능의 목표치는, 상기 투영광학계의 결상성능을 수차분해법에 의해 성분 분해하고, 그 분해 후의 분해 계수를 기초로 나쁜 성분을 개선하기 위해 설정된 계수의 목표치가 변환된 결상성능의 목표치인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 88 항 또는 제 95 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 99 항에 있어서,상기 처리장치는, 상기 소정 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 허용치를 경계로 하여 색분류 표시하는 동시에, 상기 가중치의 설정화면을 표시하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 88 항 또는 제 95 항에 있어서,상기 처리장치는, 목표 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 에너지빔에 의해 마스크를 조명하여 상기 마스크에 형성된 패턴을 투영광학계를 통해 물체 상에 전사하는 노광장치로서,상기 투영 이미지의 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치; 및상기 조정장치에 통신로를 통해 접속되고, 상기 조정장치의 조정정보와, 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여, 상기 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 처리장치;를 구비하는 노광장치.
- 제 102 항에 있어서,상기 임의의 노광조건은, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴에 관한 제 1 정보 및 상기 패턴의 투영조건에 관한 제 2 정보에 따라 정해지는 조건인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 103 항에 있어서,상기 제 2 정보는, 상기 투영광학계의 개구수와 상기 패턴의 조명조건을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 102 항에 있어서,상기 처리장치는, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여 얻어지는 현재의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보와, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 105 항에 있어서,상기 처리장치는, 상기 임의의 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 소정 패턴의 투영 이미지를 투영광학계를 사용하여 물체 상에 형성하는 동시에, 상기 투영 이미지의 상기 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치를 구비한 노광장치의 제어계의 일부를 구성하는 컴퓨터에 소정의 처리를 실행시키는 프로그램으로서,소정 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보의 입력에 응답하여, 이들 입력정보를 사용하여 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 수순을 상기 컴퓨터에 실행시키는 프로그램.
- 제 107 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 108 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 조정 후의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 108 항에 있어서,상기 결상성능에 관한 정보는, 상기 투영광학계 단체의 파면수차와 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과의 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 108 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 컴퓨터에, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여 상기 최적의 조정량을 산출시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 111 항에 있어서,상기 투영광학계의 시야 내의 각 평가점에서의 상기 목표치의 설정화면을 표시하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 111 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능을 수차분해법에 의해 성분 분해하고, 그 분해 후의 분해 계수와 함께 상기 목표치의 설정화면을 표시하는 수순; 및상기 설정화면의 표시에 응답하여 설정된 계수의 목표치를 상기 결상성능의 목표치로 변환하는 수순;를 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 111 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 114 항에 있어서,상기 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 허용치를 경계로 하여 색분류 표시하는 동시에, 상기 가중치의 설정화면을 표시하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 111 항에 있어서,상기 목표 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 수순을, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 108 항에 있어서,상기 조정장치에 의한 조정량의 한계에 의해 정해지는 제약 조건을 고려하여, 상기 산출된 최적의 조정량을 보정하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 107 항에 있어서,상기 소정 노광조건은, 상기 목표 노광조건인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 118 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 119 항에 있어서,상기 실측 데이터는 상기 목표 노광조건 하에서의 임의의 결상성능의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 119 항에 있어서,상기 실측 데이터는, 상기 목표 노광조건 하에서의 파면수차의 실측 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 118 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보는, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 그 결상성능의 소정의 목표치와의 차의 정보이고,상기 조정장치의 조정정보는, 상기 조정장치의 조정량의 정보이고,상기 컴퓨터에, 상기 차와, 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치의 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파라미터군으로 이루어지는 파면수차 변화표와, 상기 조정량과의 관계식을 사용하여, 상기 최적의 조정량을 산출시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 122 항에 있어서,상기 투영광학계의 시야 내의 각 평가점에서의 상기 목표치의 설정화면을 표시하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 122 항에 있어서,상기 투영광학계의 결상성능을 수차분해법에 의해 성분 분해하고, 그 분해 후의 분해 계수와 함께 상기 목표치의 설정화면을 표시하는 수순; 및상기 설정화면의 표시에 응답하여 설정된 계수의 목표치를 상기 결상성능의 목표치로 변환하는 수순;을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 122 항에 있어서,상기 관계식은, 상기 제르니케 다항식의 각 항 중 임의의 항에 가중치를 부여하기 위한 가중치 부여 함수를 포함하는 식인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 125 항에 있어서,상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 허용치를 경계로 하여 색분류 표시하는 동시에, 상기 가중치의 설정화면을 표시하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프포그램.
- 제 122 항에 있어서,상기 목표 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 수순을, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 118 항에 있어서,상기 조정장치에 의한 조정량의 한계에 의해 정해지는 제약조건을 고려하여 상기 산출된 최적의 조정량을 보정하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 107 항에 있어서,적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 결상성능에 관한 정보에 기초하여 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 제 1 모드와,상기 목표 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능의 실측 데이터에 기초하여 상기 목표 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 산출하는 제 2 모드와,상기 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 파면수차에 기초하여 상기 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 제 3 모드 중, 미리 정해진 적어도 2 개의 모드를 모드의 선택 지시에 따라 택일적으로 설정하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 107 항에 있어서,상기 산출한 조정량에 기초하여, 상기 조정장치를 제어하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 소정 패턴의 투영 이미지를 투영광학계를 사용하여 물체 상에 형성하는 동시에 상기 투영 이미지의 상기 물체 상에서의 형성상태를 조정하는 조정장치를 구비한 노광장치의 제어계의 일부를 구성하는 컴퓨터에 소정의 처리를 실행시키는 프로그램으로서,적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보와 상기 투영광학계의 파면수차의 정보를 사용하여, 상기 조정정보에 따르는 상기 조정장치의 조정상태 하에서의 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하는 수순; 및 그 산출결과를 출력하는 수순;을 상기 컴퓨터에 실행시키는 프로그램.
- 제 131 항에 있어서,상기 임의의 노광조건은, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴에 관한 제 1 정보 및 상기 패턴의 투영조건에 관한 제 2 정보에 따라 정해지는 조건인 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 132 항에 있어서,상기 제 2 정보는, 상기 투영광학계의 개구수와 상기 패턴의 조명조건을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 131 항에 있어서,상기 컴퓨터에, 적어도 1 개의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 조정정보 및 상기 투영광학계의 파면수차의 정보에 기초하여 얻어지는 현재의 상기 투영광학계의 파면수차의 정보와, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 임의의 노광조건 하에서의 상기 투영광학계의 결상성능을 산출시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 131 항에 있어서,상기 임의의 노광조건 하에서의 제르니케 감도표를, 복수의 기준으로 되는 노광조건 하에서의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 수순을 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광장치에 소정의 처리를 실행시키는 컴퓨터의 프로그램으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표의 입력에 응답하여, 상기 전사에서의 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하고, 상기 노광조건마다 산출되는 결상성능에 기초하여 상기 주목하는 설정정보에 관한 설정치가 최적으로 되는 노광조건을 결정하는 수순을 상기 컴퓨터에 실행시키는 프로그램.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하기 위해, 상기 물체 상에서의 상기 패턴의 투영 이미지의 형성상태를 조정하는 조정장치를 구비하는 노광장치에 소정의 처리를 실행시키는 컴퓨터의 프로그램으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표와, 상기 조정장치에 의한 조정과 상기 투영광학계의 파면수차의 변화와의 관계를 나타내는 파면수차 변화표와의 입력에 응답하여, 상기 투영광학계의 결상성능이 최적으로 되는 노광조건 하에서의 상기 조정장치의 최적의 조정량을 결정하는 수순을 상기 컴퓨터에 실행시키는 프로그램.
- 투영광학계를 통해 물체 상에 패턴을 전사하는 노광장치에 소정의 처리를 실행시키는 컴퓨터의 프로그램으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표의 입력에 응답하여, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 노광조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하기 위하여, 상기 복수의 노광조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하는 동시에, 상기 상이한 제르니케 감도표 중 적어도 1 개를, 다른 복수의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 수순을 상기 컴퓨터에 실행시키는 프로그램.
- 제 107 항 내지 제 138 항 중 어느 한 항에 기재된 프로그램이 기록된 컴퓨터에 의한 판독가능한 정보기록매체.
- 소정의 패턴을 물체 상에 투영하는 투영광학계의 제조방법으로서,경통에 복수의 광학소자를 소정의 위치관계로 장착하여 상기 투영광학계를 조립하는 공정;상기 조립 후의 상기 투영광학계의 파면수차를 계측하는 공정; 및상기 계측된 파면수차가 최적으로 되도록 상기 투영광학계를 조정하는 공정;을 포함하는 투영광학계의 제조방법.
- 제 140 항에 있어서,상기 조립공정에 앞서, 상기 각 광학소자의 면 형상에 관한 정보를 얻는 공정을 추가로 포함하고,상기 조립공정은, 조립 중인 각 광학소자의 광학면의 간격에 관한 정보를 얻는 공정을 포함하며,상기 조정하는 공정에 앞서, 상기 각 광학소자의 면형상에 관한 정보 및 상기 각 광학소자의 광학면의 간격에 관한 정보에 기초하여, 이미 알려진 광학 기본 데이터를 수정하여, 실제로 제작된 투영광학계의 제조과정에서의 광학 데이터를 재현하는 공정; 및상기 각 광학소자의 소정 자유도 방향 각각의 단위 구동량과 제르니케 다항식의 각 항의 계수의 변화량의 관계를, 상기 투영광학계의 설계치에 기초하여 산출한 파면수차 변화표를 포함하는 조정 기본 데이터베이스를, 상기 광학 기본 데이터에 기초하여 수정하는 공정;을 더 포함하며,상기 조정하는 공정에서는, 상기 수정 후의 상기 데이터베이스와 계측된 파면수차의 계측결과를 사용하여, 상기 렌즈 소자의 각 자유도 방향 각각의 조정량의 정보를 산출하고, 그 산출 결과에 기초하여 상기 적어도 1 개의 광학소자를 적어도 1 자유도 방향으로 구동하는 것을 특징으로 하는 투영광학계의 제조방법.
- 소정의 패턴을 투영광학계를 통해 물체 상에 전사하는 노광장치의 제조방법으로서,상기 투영광학계를 제조하는 공정;상기 제조 후의 상기 투영광학계를 노광장치 본체에 장착하는 공정;상기 노광장치 본체에 장착된 상태의 상기 투영광학계의 파면수차를 계측하는 공정; 및상기 각 광학소자의 소정의 자유도 방향 각각의 단위 구동량과 제르니케 다항식의 각 항의 계수의 변화량과의 관계를, 상기 투영광학계의 설계치에 기초하여 산출한 파면수차 변화표를 포함하는 데이터 베이스와, 계측된 파면수차를 사용하여, 상기 광학소자의 각 자유도 방향 각각의 조정량의 정보를 산출하고, 그 산출 결과에 기초하여 상기 적어도 1 개의 광학소자를 적어도 1 자유도 방향으로 구동하는 공정;을 포함하는 노광장치의 제조방법.
- 물체 상에 패턴을 투영하는 투영광학계의 결상성능 계측방법으로서,상기 투영광학계의 파면수차에 관한 정보와, 상기 투영광학계의 결상성능과 제르니케 다항식의 각 항의 계수와의 관계를 나타내는 제르니케 감도표에 기초하여, 상기 투영에서의 복수의 설정정보 중 주목하는 설정정보에 관하여 설정치가 상이한 복수의 조건에서 각각 상기 투영광학계의 결상성능을 산출하기 위하여, 상기 복수의 조건 중 적어도 일부에서 상이한 제르니케 감도표를 사용하는 동시에, 상기 상이한 제르니케 감도표 중 적어도 1 개를, 다른 복수의 제르니케 감도표에 기초하여 보간 계산에 의해 작성하는 투영광학계의 결상성능 계측방법.
- 제 143 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴의 투영조건에 관한 정보를 포함하는 투영광학계의 결상성능 계측방법.
- 제 144 항에 있어서,상기 투영조건에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 광학정보와, 상기 패턴을 조명하는 조명광학계의 광학정보를 포함하는 투영광학계의 결상성능 계측방법.
- 제 143 항 내지 제 145 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 설정정보는, 상기 투영광학계에 의한 투영대상으로 되는 패턴에 관한 정보를 포함하는 투영광학계의 결상성능 계측방법.
- 제 48 항, 제 60 항, 제 82 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 결상성능의 정보로부터 추정되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 48 항, 제 60 항, 제 82 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 이미지면 내에서의 패턴 이미지의 위치정보로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 70 항, 제 76 항, 제 81 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 결상성능의 정보로부터 추정되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 70 항, 제 76 항, 제 81 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 이미지면 내에서의 패턴 이미지의 위치정보로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 136 항 내지 제 138 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 결상성능의 정보로부터 추정되는 것을 특징으로 하는 프로그램.
- 제 136 항 내지 제 138 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파면수차에 관한 정보는, 상기 투영광학계의 이미지면 내에서의 패턴 이미지의 위치정보로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 프로그램.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002020712 | 2002-01-29 | ||
JPJP-P-2002-00020712 | 2002-01-29 | ||
JP2002158954 | 2002-05-31 | ||
JPJP-P-2002-00158954 | 2002-05-31 | ||
PCT/JP2003/000833 WO2003065428A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-01-29 | Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040086306A true KR20040086306A (ko) | 2004-10-08 |
KR100927560B1 KR100927560B1 (ko) | 2009-11-23 |
Family
ID=27667443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047011623A KR100927560B1 (ko) | 2002-01-29 | 2003-01-29 | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7230682B2 (ko) |
EP (1) | EP1478010A4 (ko) |
JP (1) | JP4415674B2 (ko) |
KR (1) | KR100927560B1 (ko) |
CN (1) | CN100345252C (ko) |
TW (1) | TWI223132B (ko) |
WO (1) | WO2003065428A1 (ko) |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TW591694B (en) * | 2001-02-13 | 2004-06-11 | Nikon Corp | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
AU2003211559A1 (en) | 2002-03-01 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, program, and device manufacturing method |
DE10224363A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen |
TWI234195B (en) * | 2003-04-16 | 2005-06-11 | Nikon Corp | Pattern determining method and system, method of manufacturing mask, adjusting method of imaging performance, exposure method and apparatus, information recording medium |
JP2005079834A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Pentax Corp | 色変換マトリクス算出方法および画像信号処理装置 |
WO2005043607A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007528125A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-10-04 | カール ツァイス エスエムテー アクチェンゲゼルシャフト | 少なくとも一つの光学部品で構成される機器 |
JP4351108B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2009-10-28 | 日本電子株式会社 | Semの収差自動補正方法及び収差自動補正装置 |
DE102004035595B4 (de) | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
DE102004020983A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Strukturbelichtung einer lichtempfindlichen Schicht |
TWI396225B (zh) | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
KR100639676B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 포토리소그라피 설비 제어시스템 및 그제어방법 |
JP4769448B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-09-07 | キヤノン株式会社 | 干渉計を備えた露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006165398A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 収差測定方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006216733A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Canon Inc | 露光装置、光学素子の製造方法及びデバイス製造方法 |
US7148954B2 (en) * | 2005-03-23 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for its use |
JP4888388B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-02-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5194799B2 (ja) | 2005-12-06 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1975981A1 (en) | 2005-12-28 | 2008-10-01 | Nikon Corporation | Pattern formation method, pattern formation device, and device fabrication method |
US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
JP4793683B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2011-10-12 | 株式会社ニコン | 算出方法、調整方法及び露光方法、並びに像形成状態調整システム及び露光装置 |
KR20080101865A (ko) | 2006-02-16 | 2008-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR20080102390A (ko) * | 2006-02-16 | 2008-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
WO2007094414A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101342765B1 (ko) | 2006-02-21 | 2013-12-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP5177674B2 (ja) | 2006-02-21 | 2013-04-03 | 株式会社ニコン | 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
EP2003680B1 (en) | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US20080013062A1 (en) | 2006-03-23 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
DE102006039895A1 (de) * | 2006-08-25 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Korrektur von durch Intensitätsverteilungen in optischen Systemen erzeugten Abbildungsveränderungen sowie entsprechendes optisches System |
US8326068B1 (en) * | 2006-08-30 | 2012-12-04 | Maxim Integrated Products, Inc. | Method and apparatus for modeling quantization matrices for image/video encoding |
EP2988320B1 (en) | 2006-08-31 | 2019-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
TWI422981B (zh) | 2006-08-31 | 2014-01-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method |
EP3418807A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-12-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5486189B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2008029757A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Mobile object driving method, mobile object driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method and calibration method |
KR101549709B1 (ko) | 2006-11-09 | 2015-09-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP4989279B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | パラメータ値調整方法、半導体装置製造方法およびプログラム |
JP4912205B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8194232B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
JP5489068B2 (ja) | 2007-07-24 | 2014-05-14 | 株式会社ニコン | 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法 |
KR101427071B1 (ko) | 2007-07-24 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US8867022B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
US9013681B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2009253210A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Canon Inc | 測定方法、測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
NL1036701A1 (nl) * | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Holding Nv | Apparatus for supporting an optical element, and method of making same. |
DE102008042356A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
US8773635B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8355116B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8355114B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8472008B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-06-25 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US8294878B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8446569B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US20110008734A1 (en) | 2009-06-19 | 2011-01-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI603155B (zh) | 2009-11-09 | 2017-10-21 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、曝光裝置之維修方法、曝光裝置之調整方法、以及元件製造方法 |
US8495528B2 (en) | 2010-09-27 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Method for generating a plurality of optimized wavefronts for a multiple exposure lithographic process |
JP5686567B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2015-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光条件及びマスクパターンを決定するプログラム及び方法 |
CN102540745B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-01-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基于空间像主成分控制的曝光系统 |
US9360772B2 (en) | 2011-12-29 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
NL2010262A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
DE102012204704A1 (de) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Abbildungsgüte eines EUV-Objektives |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
KR20230055404A (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치 |
KR101462848B1 (ko) * | 2013-03-18 | 2014-11-18 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 색정보를 측정할 수 있는 3차원 형상 측정 장치 |
CN107908083B (zh) * | 2013-04-18 | 2020-09-18 | 株式会社尼康 | 扫描曝光方法以及电子器件的制造方法 |
JP6478593B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-03-06 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の製造方法、および、デバイス製造方法 |
JP6162907B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2017-07-12 | 富士フイルム株式会社 | 形状測定装置及び形状測定方法 |
CN104568971B (zh) * | 2015-02-05 | 2018-02-02 | 昆山软龙格自动化技术有限公司 | 一种基于数据统计数据挖掘的图像检测装置 |
JPWO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP6955147B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2021-10-27 | 富士通株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム |
JP6841202B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-03-10 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN111492316B (zh) | 2017-12-19 | 2024-06-28 | Asml荷兰有限公司 | 光刻方法和设备 |
CN111273581B (zh) * | 2020-01-23 | 2021-11-09 | 深圳市大拿科技有限公司 | 一种智能衣柜的控制方法及相关产品 |
JP7426845B2 (ja) * | 2020-02-14 | 2024-02-02 | キヤノン株式会社 | 計測方法、露光方法、物品の製造方法、プログラム及び露光装置 |
JP7547185B2 (ja) | 2020-12-10 | 2024-09-09 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、露光装置、及び物品の製造方法。 |
CN113204113B (zh) * | 2021-05-20 | 2022-05-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 光学系统的自由曲面优化方法、装置和计算机存储介质 |
CN113891011B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-03-31 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于波前均方根值的远场观测相机曝光时间自动调节方法 |
WO2023144993A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 株式会社ニコン | 第1保持装置、第3保持装置、第5保持装置、搬送システム、露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0712012B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1995-02-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US4759626A (en) | 1986-11-10 | 1988-07-26 | Hewlett-Packard Company | Determination of best focus for step and repeat projection aligners |
US4786166A (en) * | 1987-06-01 | 1988-11-22 | Hewlett-Packard Company | Determination of focal plane for a scanning projection aligner |
CA1310205C (en) | 1988-03-31 | 1992-11-17 | Roger L. Barr | Quantitative lense analysis technique |
DE4215154A1 (de) | 1991-05-08 | 1992-11-12 | Unitika Ltd | Elektrode aus einer verbundwerkstoffbahn |
US5424552A (en) | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
JP2766575B2 (ja) * | 1992-01-23 | 1998-06-18 | 三菱電機株式会社 | 投影レンズの評価装置及び評価方法 |
JP3230536B2 (ja) | 1992-04-17 | 2001-11-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学性能測定方法及び装置 |
JP3259373B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2002-02-25 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及び露光装置 |
JPH06235619A (ja) | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Olympus Optical Co Ltd | 波面収差測定器 |
US5754299A (en) * | 1995-01-13 | 1998-05-19 | Nikon Corporation | Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus |
JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
JPH09167731A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法 |
JP3795998B2 (ja) * | 1996-04-30 | 2006-07-12 | パイオニア株式会社 | 波面収差補正ユニット、波面収差補正装置及び光ピックアップ |
US5807647A (en) * | 1996-07-03 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for determining phase variance and shifter stability of phase shift masks |
US5898501A (en) * | 1996-07-25 | 1999-04-27 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for measuring wavefront aberrations of a microlithography projection lens |
JP4192279B2 (ja) | 1996-09-27 | 2008-12-10 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法、該製造方法によって製造された投影光学系、投影露光装置および方法、並びに半導体装置の製造方法 |
US5978085A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Litel Instruments | Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system |
JPH11118613A (ja) | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Olympus Optical Co Ltd | 波面収差の測定装置及び測定方法 |
JP3673633B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の組立調整方法 |
JPH11233424A (ja) | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影光学装置、収差測定方法、及び投影方法、並びにデバイス製造方法 |
DE19820785A1 (de) | 1998-04-17 | 1999-10-21 | Johannes Schwider | Absolutprüfung von asphärischen Flächen unter Zuhilfenahme von diffraktiven Normalelementen und planen sowie sphärischen Referenzflächen |
EP1079223A4 (en) | 1998-05-19 | 2002-11-27 | Nikon Corp | INSTRUMENT AND METHOD FOR MEASURING ABERRATIONS, APPARATUS AND METHOD FOR PROJECTION SENSITIZATION INCORPORATING THIS INSTRUMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES THEREOF |
JP2000047103A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 投影光学系の調整方法 |
GB9820664D0 (en) * | 1998-09-23 | 1998-11-18 | Isis Innovation | Wavefront sensing device |
JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 光学系の評価方法 |
US6100978A (en) * | 1998-10-21 | 2000-08-08 | Naulleau; Patrick P. | Dual-domain point diffraction interferometer |
JP2000146757A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Hitachi Ltd | 投影レンズの収差測定方法 |
US6248486B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-06-19 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
JP3742242B2 (ja) | 1999-03-15 | 2006-02-01 | 株式会社東芝 | 収差評価方法 |
AU3193900A (en) * | 1999-03-18 | 2000-10-04 | Nikon Corporation | Exposure system and aberration measurement method for its projection optical system, and production method for device |
JP2000331923A (ja) | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 投影光学系およびその結像特性調整方法並びに投影露光装置 |
US6118535A (en) * | 1999-06-02 | 2000-09-12 | Goldberg; Kenneth Alan | In Situ alignment system for phase-shifting point-diffraction interferometry |
FR2797957B1 (fr) | 1999-08-24 | 2001-11-16 | Thomson Csf | Procede et dispositif pour la mesure d'impedance d'antenne |
JP2001230193A (ja) | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Canon Inc | 波面収差測定方法及び投影露光装置 |
EP1128217B1 (en) * | 2000-02-23 | 2007-08-29 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring aberration in an optical imaging system |
TWI256484B (en) * | 2000-02-23 | 2006-07-01 | Asml Netherlands Bv | Method of measuring aberration in an optical imaging system |
TW500987B (en) * | 2000-06-14 | 2002-09-01 | Asm Lithography Bv | Method of operating an optical imaging system, lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4005763B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法 |
EP1246014A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US6459480B1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Measurement method of Zernike coma aberration coefficient |
JP2002184667A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 補正部材の製造方法、投影光学系の製造方法および露光装置の調整方法 |
AU2002222663A1 (en) | 2000-12-18 | 2002-07-01 | Nikon Corporation | Wavefront measuring apparatus and its usage, method and apparatus for determining focusing characteristics, method and apparatus for correcting focusing characteristics, method for managing focusing characteristics, and method and apparatusfor exposure |
JP4552337B2 (ja) | 2000-12-28 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び露光装置の製造方法 |
WO2002054036A1 (fr) | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif |
JP4436029B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム |
TW591694B (en) * | 2001-02-13 | 2004-06-11 | Nikon Corp | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
AU2003211559A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, program, and device manufacturing method |
-
2003
- 2003-01-29 JP JP2003564921A patent/JP4415674B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-29 EP EP03734875A patent/EP1478010A4/en not_active Withdrawn
- 2003-01-29 KR KR1020047011623A patent/KR100927560B1/ko active IP Right Grant
- 2003-01-29 CN CNB038029316A patent/CN100345252C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-29 WO PCT/JP2003/000833 patent/WO2003065428A1/ja active Application Filing
- 2003-01-29 TW TW092101981A patent/TWI223132B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-07-29 US US10/901,209 patent/US7230682B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-04-17 US US11/736,134 patent/US7391497B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2007-04-17 US US11/736,177 patent/US7405803B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003065428A1 (fr) | 2003-08-07 |
JP4415674B2 (ja) | 2010-02-17 |
EP1478010A1 (en) | 2004-11-17 |
CN100345252C (zh) | 2007-10-24 |
TWI223132B (en) | 2004-11-01 |
WO2003065428B1 (fr) | 2004-05-13 |
CN1625798A (zh) | 2005-06-08 |
US7230682B2 (en) | 2007-06-12 |
JPWO2003065428A1 (ja) | 2005-05-26 |
TW200401961A (en) | 2004-02-01 |
US7405803B2 (en) | 2008-07-29 |
KR100927560B1 (ko) | 2009-11-23 |
US20050206850A1 (en) | 2005-09-22 |
US20070188727A1 (en) | 2007-08-16 |
US7391497B2 (en) | 2008-06-24 |
EP1478010A4 (en) | 2007-12-12 |
US20070188726A1 (en) | 2007-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100927560B1 (ko) | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 | |
KR100894238B1 (ko) | 사양결정방법, 투영광학계의 제조방법 및 조정방법, 노광 장치 및 그의 제조방법, 그리고 컴퓨터 시스템 | |
JP4352458B2 (ja) | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 | |
KR100893516B1 (ko) | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 | |
US20060285100A1 (en) | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
KR20050121728A (ko) | 패턴 결정 방법 및 시스템, 마스크의 제조 방법, 결상 성능조정 방법, 노광 방법 및 장치, 그리고 프로그램 및 정보기록 매체 | |
JP4436029B2 (ja) | 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム | |
JP2005513809A (ja) | イメージングシステムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 | |
JP2005327769A (ja) | 算出方法、調整方法及び露光方法、露光装置及び像形成状態調整システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 | |
JP2002319539A (ja) | 仕様決定方法及びコンピュータシステム | |
JP2007194551A (ja) | 算出方法、調整方法及び露光方法、並びに像形成状態調整システム及び露光装置 | |
JP2004253673A (ja) | 予測方法、評価方法、調整方法、露光方法、デバイス製造方法、並びにプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121023 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151016 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161019 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171018 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181030 Year of fee payment: 10 |