KR20040062587A

KR20040062587A - 배선판용 시트재 및 그 제조 방법과 다층판 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20040062587A
Application number: KR10-2004-7006162A
Authority: KR
Inventors: 다이조우 바바; 나오히토 후쿠야; 타츄오 히라바야쉬
Original assignee: 마츠시타 덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2002-10-28
Publication date: 2004-07-07
Also published as: WO2003037050A1; JP4392157B2; US7080446B2; EP1445994A4; CN1575627A; US20050118750A1; CN100442955C; ATE548891T1; JP2003204167A; EP1445994A1; KR101045554B1; EP1445994B1

Abstract

본 발명은 배선판용 시트재 및 그 제조 방법과 다층판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 절연층(4)내에 전기부품(10)을 탑재함으로써 전기부품의 탑재량을 증대시켜 배선판의 소형화를 가능하게 함과 동시에 신뢰성이 높고 또한 번잡한 제조 공정을 거치지 않고 배선판을 제조할 수 있는 배선판용 시트재 및 그 제조 방법을 제공한다. 또한 이러한 배선판용 시트재로 제조되어 일괄 성형에 의해 다층화를 수행함으로써 복수의 각 층에서의 성형시의 열이력 차이를 해소함과 동시에 제조 공정을 간소화할 수 있고, 아울러 도체회로의 미세화·고밀도화에 의한 소형화와 신뢰성의 향상을 달성할 수 있는 다층판 및 그 제조 방법을 제공한다.

Description

배선판용 시트재 및 그 제조 방법과 다층판 및 그 제조 방법 {WIRING BOARD SHEET AND ITS MANUFACTURING METHOD, MULTILAYER BOARD, AND ITS MANUFACTURING METHOD}

최근 전자기기의 고기능화, 소형 박형화의 요구에 따라 반도체의 고집적화, 배선 거리의 단축화, 프린트 배선판의 소형화가 요구되고 있다. 이러한 프린트 배선판에는 전기부품으로서, 반도체장치나, 베어칩, 칩형 콘덴서, 칩형 인덕터 등의 칩형의 전기부품이 실장된다.

그러나 이러한 전기부품은 프린트 배선판의 외층 도체회로에만 실장되므로 프린트 배선판에 대한 전기부품의 실장량에는 한계가 있으며 또한 이러한 전기부품은 프린트 배선판의 외면으로부터 돌출되도록 실장되므로 프린트 배선판의 소형화를 방해하는 원인이 되기도 했다. 또한 전기부품의 실장 위치가 배선판의 최외층에 한정될 경우에는 배선 설계의 자유도가 떨어지는 결점이 있었다.

이러한 문제는, 프린트 배선판을 다층화할수록 더욱 현저하게 나타난다. 즉, 프린트 배선판을 다층화할수록 배선량이 증가하지만 전기부품은 외층에만 실장되므로 배선량에 대한 전기부품의 실장량이 감소하고 이로 인해 프린트 배선판의 다층화에 의한 소형화는 탑재하는 전기 부품량에 의해 제한을 받을 수 밖에 없었다.

이에 종래의 일본특허공개공보 평11-126978호에서는 절연층에 공극을 마련하여 이 공극에 반도체 소자 등을 실장한 후 나아가 감광성 수지로 이루어지는 절연층과 배선 회로를 순차적으로 적층 성형하여 다층의 배선 기판을 제조하는 것이 제안되었다. 이에 따르면, 절연층 내에 전기부품을 실장하는 것이 가능해져 전기부품의 실장량 증가, 배선판의 소형화, 배선 자유도의 향상이 어느 정도 달성되지만 공극의 내면과 전기부품 사이에 틈이 생겨 공기가 잔존하게 되므로 열에 의한 부하를 받을 경우 공극 내의 공기의 열팽창에 의해 절연층의 갈라짐, 전기부품의 파손, 단선 등의 불량이 발생할 우려가 있고 또한 전기부품의 크기나 탑재량에 맞게 절연층에 공극을 형성해야 하기 때문에 제조 공정이 번잡하게 된다. 또한, 다층판을 제조할 경우에는 절연층과 도체회로를 순차적으로 적층 성형해야 하므로 절연층의 형성과 도체회로 형성을 반복적으로 수행해야 하며 따라서 다층판의 제조가 매우 번잡하게 되어 많은 수고와 시간을 필요로 했다. 또한 절연층과 도체회로를 한 층씩 형성할 때마다 절연층의 경화 성형 등을 위한 가열을 필요로 하게 되는데 이로 인해 형성되는 각 층의 도체회로는 각기 다른 열이력을 갖게 되어 각 도체회로 패턴의 수축률이 달라지게 되므로 이에 대한 보정이 필요했다. 또한 도체회로 패턴 상에 절연층을 형성할 경우에는 절연층의 성형시 절연성 수지가 용융한 후 경화됨으로써 도체회로가 절연층에 매설되지만, 배선판이 다층화될수록 절연층에의 도체회로 매설시에 발생하는 요철이 증폭되어 절연층의 형성시에 도체회로의 요철을 전부 흡수할 수 없게 되고 그 결과 절연층에 두께가 과도하게 얇아지는 부분이 형성되는 등으로 인해 절연 신뢰성이 저하될 우려가 있었다.

또한, 이러한 종래 공법의 경우에는 패드 온 비아나 비아 온 비아 등의 접속 구조를 형성할 수 없으므로 도체회로의 고밀도화의 한계 및 이로 인한 기판 면적의 소형화에 한계가 있으며 신호 경로의 단축이 불가능한 문제도 있었다.

또한 절연층에 부품이 삽입됨으로 인해 그 절연층에서의 비아의 길이가 극단적으로 길어져 비아의 도통저항 신뢰성에 큰 문제가 발생하게 된다.

이와 같이 종래 공법의 경우에는 부품을 효율적으로 매설하여 회로의 요철을 흡수하고 나아가 부품 실장시의 접속 신뢰성이나 실장성을 확보함에 있어 몇가지 과제를 안고 있었다.

본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것으로서 절연층 내에 전기부품을 탑재함으로써 전기부품의 탑재량을 증대시켜 배선판의 소형화를 가능하게 함과 동시에 신뢰성이 높고 또한 번잡한 제조 공정을 거치지 않고 배선판을 제조할 수 있는 배선판용 시트재 및 그 제조 방법과, 이러한 배선판용 시트재로 제조되어 절연층 내에 전기부품을 탑재함으로써 전기부품의 탑재량을 증대시켜 배선판의 소형화를 가능하게 함과 동시에 신뢰성을 향상시키고 또한 일괄 성형에 의해 다층화를 실시함으로써 복수의 각 층에서의 성형시의 열이력의 차이를 해소함과 동시에 제조 공정을 간소화할 수 있고 나아가 도체회로의 미세화·고밀도화에 의한 소형화와 신뢰성의 향상을 달성할 수 있는 다층판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명은, 배선판의 제조를 위해 사용되는 배선판용 시트재 및 그 제조 방법, 이 배선판용 시트재에 의해 제조되는 다층판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

도 1(a) 내지 도 1(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 일 예를 도시한 단면도이고,

도 2(a) 내지 도 2(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 3(a) 내지 도 3(d)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 4(a) 내지 도 4(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 5(a) 내지 도 5(d)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 6(a) 및 도 6(b)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도7(a) 및 도 7(b)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 8(a) 내지 도 8(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도9(a) 내지 도 9(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도10(a) 내지 도 10(d)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도11(a) 내지 도 11(c)는, 배선판용 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도12(a)는 전사용 기재에 도체회로를 형성한 모습을 나타낸 단면도, 도 12(b)는 상기 도체회로에 전기부품을 실장한 모습을 나타낸 단면도이고,

도 13(a) 및 도 13(b)는, 각각 전사용 기재에 도체회로를 형성한 다른 예의 모습을 나타낸 평면도 및 단면도이고,

도 14(a) 및 도 14(b)는, 수지 시트의 형성 공정을 도시한 단면도이고,

도 15(a) 내지 도 15(d)는, 도전성 재료가 충진된 관통홀을 갖는 수지층의 형성 공정을 도시한 단면도이고,

도 16(a) 내지 도 16(c)는 시트재의 제조 공정의 일 예를 도시한 단면도이고,

도 17(a) 내지 도 17(c)는 시트재의 제조 공정의 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 18(a) 및 도 18(b)는 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 19(a) 내지 도 19(c)는 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 20(a) 내지 도 20(e)는 시트재의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 21(a) 내지 도 21(c)는 도 20에 도시된 공정에 후속하는 공정을 도시한단면도이고,

도 22(a) 내지 도 22(c)는, 다층판의 제조공정의 일 예를 도시한 단면도이고,

도 23(a) 내지 도 23(c)는, 다층판의 제조 공정의 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 24(a) 및 도 24(b)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 25(a) 및 도 25(b)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 26(a) 및 도 26(b)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 27(a) 내지 도 27(c)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 28(a) 내지 도 28(c)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 29(a) 내지 도 29(c)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 30(a) 및 도 30(b)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 31(a) 내지 도 31(c)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 32(a) 내지 도 32(c)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이고,

도 33(a) 내지 도 33(d)는, 다층판의 제조 공정의 또 다른 예를 도시한 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1:배선판용 시트재

3:관통홀

4:수지층

5:도체회로

5a:기저층

6:전사용 기재

7:캐리어 기재

8:도전성 페이스트

9:금속박

10:전기부품

11:다층판

12:보호 필름

13:시트재,

17:수지 부착 금속박

18:홀 도금막

19:관통홀

20:수지 페이스트

본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, B스테이지 상태의 수지층(4)의 일면 또는 양면에, 표면에 도체회로(5)가 마련되어짐과 아울러 이 도체회로(5)에 전기부품(10)이 실장 또는 인쇄 형성된 전사용 기재(6)를, 도체회로(5) 및 전기부품(10)과 수지층(4)이 대향하도록 적층함과 동시에 도체회로(5) 및 전기부품(10)을 수지층(4)에 매설하고 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)측에 잔존시켜 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사함으로써 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층(4)의 일면에만 전사용 기재(6)를 사용하여 도체회로(5)를 전사시켜 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되도록 형성함과 동시에 수지층(4)의 다른 면에 금속박(9) 또는 수지 부착 금속박(17)을 적층 일체화하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 전사용 기재(6)의 표면에 도체회로(5)를 마련함과 동시에 전기부품(10)을 실장할 때, 전사용 기재(6)로서 스텐레스 기재를 이용하고 전사용 기재(6)의 표면에 레지스트를 형성한 후 도금 처리를 실시함으로써 도체회로(5)를 마련하고 전기부품(10)을 실장 또는 인쇄 형성하고 전기부품(10)의 실장면측에 언더필을 충진하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 도체회로(5)가 전사된 후의 수지층(4)의 일면 또는 양면에 보호 필름(12)을 적층하고 수지층(4), 도체회로(5) 및 보호 필름(12)을 관통하는 관통홀(3)을 형성하여 보호 필름(12)의 외면측에서 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3) 내에 도전성 페이스트(8)를 충진한 후, 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리하여 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 의해 얻어지는, 일면에만 도체회로가 형성된 배선판용 시트재(1)의 도체회로(5)가 형성된 면과는 반대측의 면에 금속박(9)을 적층 일체화하거나 회로가 마련된 전사용 기재를 도체회로와 수지층이 대향하도록 적층 일체화하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 일면 또는 양면에 도체회로(5)가 전사된 후의 수지층(4)의 일면 또는 양면에 보호 필름(12)을 적층하고 수지층(4), 도체회로(5) 및 보호 필름(12)을 관통하는 관통홀(3)을 형성하고 관통홀(3) 내면에 홀 도금막(18)을 형성하고 보호 필름(12)의 외면측에서 수지 페이스트(20) 또는 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3) 내에 수지 페이스트(20) 또는 도전성 페이스트(8)를 충진한 후, 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의제조 방법에 있어서, 전사용 기재(6)로서, 두께가 50∼150㎛이고 도체회로(5)가 형성되는 면의 표면 거칠기 Ra가 2㎛이하가 되도록 표면 조화 처리(roughing)가 이루어진 스텐레스 기재를 사용하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층(4)을, 실리카, 산화알미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 산화티타늄, 붕산알루미늄 및 산화마그네슘으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기 필러를 함유함과 동시에 이 무기 필러의 최대입경이 10㎛이하인 수지조성물로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층(4)을, 무기 필러의 함유량이 70∼95중량%이며, 또한 커플링제 및 분산제 중 적어도 하나가 함유된 수지조성물로 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층(4)을, 부직포에 수지조성물을 함침 건조함으로써 얻어지는 수지 시트(4a)로 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 형성 후의 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 배선판용 시트재는, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 의해 제조되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 복수의 배선판용 시트재(1)를 일체로 적층 성형하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 적어도 1개의 배선판용 시트재(1)와 B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층(4)을 가짐과 동시에 내부에 전기부품(10)이 매설되지 않은 적어도 1개의 시트재(13)를 일체로 적층 성형하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 다층판의 제조 방법에 있어서, 상기한 적어도 1개의 배선판용 시트재(1)와 B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층을 가짐과 동시에 내부에 전기부품이 매설되지 않은 적어도 1개의 시트재(13)를 적층하여 배치하고, 이 상태에서 일괄 성형하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기의 다층판의 제조 방법에 있어서, 상기한 적어도 1개의 배선판용 시트재(1)를 사용하고 빌드업 공법에 의해 다층화와 비아홀 형성을 수행하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 다층판의 제조 방법에 있어서, 적층 일체화 후의 적층체를 관통하는 관통홀(19)을 형성하고 관통홀(19) 내면에 홀 도금막(18)을 형성한 후, 이 관통홀(19) 내에 수지 페이스트(20) 또는 도전성 페이스트(8)를 충진하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다층판은, 상기한 다층판의 제조 방법에 의해 제조되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시의 형태를 설명하고자 한다.

배선판용 시트재(1)는, B스테이지 상태의 수지층(4)에, 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)를 전사함과 동시에 이 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)을 수지층(4) 내에 매설함으로써 제조된다.

도12(a)에, 전사용 기재(6)의 일면에 도체회로(5)를 마련한 모습을 나타냈다. 도체회로(5)를 전사용 기재(6)에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 전사용 기재(6)에 동박 등의 금속박을 점착한 후 에칭 처리를 실시하여 도체회로(5)를 형성하는 것도 가능한데 특별히 도체회로(5)를 전해 동도금 등에 의한 패턴도금에 의해 형성하면 미세한 도체회로(5)를 용이하게 형성할 수 있고 또한 양면이 평활한 도체회로(5)를 용이하게 형성할 수 있어 최종적으로 얻어지는 배선판의 고주파 손실을 저감시켜 고주파 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이 도체회로(5)는 5∼35㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.

도금 처리에 의한 도체회로의 형성은, 예를 들어 전사용 기재의 표면에 도금 레지스트를 형성한 후 도금 처리를 실시하여 전사용 기재에 도체회로를 형성한 후 도금 레지스트를 박리함으로써 이루어진다.

도금 레지스트는 감광성의 드라이 필름이나 레지스트 잉크 등을 이용한 일반적인 방법에 의해 형성될 수 있다. 또한 도금 처리에 의한 도체회로의 형성은, 구리, 니켈, 금 등으로 이루어지는 도금 피막을 일반적인 방법에 의해 형성함으로써 이루어질 수 있다.

이와 같이 도체회로(5)를 도금 처리에 의해 형성하는 경우에는, 후술하는 도체회로(5) 전사시의 수지층(4)이나 절연층(16)과 도체회로(5)와의 밀착성을 향상시키기 위해 고주파특성을 손상하지 않을 정도로 표면 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이러한 표면처리로는, 예를 들어 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화(粗面化) 처리를 들 수 있다.

이와 같이 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)에는, 도12(b)에 도시된 바와 같이, 그 소정위치에 전기부품(10)을 실장한다. 이 전기부품(10)으로는, 칩형 저항체, 칩형 콘덴서, 칩형 인덕터 등과 같은 수동부품을 실장할 수 있으며, 이 때 칩형 부품은 땜납(14)에 의해 도체회로(5)에 접속시켜 실장할 수 있다. 또한 전기부품(10)으로서는, 실리콘 베어칩 등의 반도체 베어칩과 같은 능동부품을 실장할 수도 있으며 이 경우에는 반도체 베어칩을 땜납 볼 등에 의해 도체회로(5)에 접속시키고 언더필을 충진 경화시켜 실장할 수 있다. 언더필로는, 일반적으로 사용되는 에폭시 수지 조성물 등으로 이루어지는 것을 사용할 수 있다.

한편, 전기부품(10)의 실장은 땜납(14)에 의한 실장에 한정되지 않고 도전성 페이스트를 이용하여 실장할 수도 있으나 땜납(14)에 의해 접속하는 것이 실장 신뢰성면에 있어서 유리하다.

또한, 전기부품(10)을 실장함에 있어서 도체회로(5)가 형성된 전사용기재(6) 상의 소정부분에 전기부품(10)으로서 저항 소자 및 콘덴서 소자 중 적어도 어느 하나를 인쇄 형성할 수도 있다. 예를 들어 저항 소자(인쇄 저항)를 인쇄 형성할 경우에는 열경화성 수지 내에 금속 분말을 혼입한 페이스트상의 저항 재료를 인쇄한 후 가열함으로써 고용량의 소자를 형성할 수 있다. 또한 콘덴서 소자를 인쇄 형성할 경우에는 열경화성 수지 내에 고유전율 필러로서, 바륨 티타네이트 등을 혼입한 페이스트상의 유전재료를 인쇄한 후 가열함으로써 고용량의 소자를 형성할 수 있다. 특히, 페이스트의 수지분을 소성시켜 휘산시킴으로써 세라믹 상태로 만들어 보다 높은 유전소자를 형성할 수 있다.

이와 같이 전기부품(10)을 인쇄 형성할 경우에는 매우 얇은 소자를 형성할 수 있게 되어 박형화를 실현할 수 있다. 또한, 전기부품을 땜납에 의해 실장할 필요가 없으므로 프린트 배선판 가공을 위한 기존 실시에서의 가공이 가능해진다.

또한, 인쇄 형성된 전기부품에 대해서는 레이저에 의한 트리밍 등에 의해 용량값이나 저항값의 조정이 이루어지는데 이 경우, FR-4 타입 등의 배선판 상에 직접 인쇄 형성하면 열에 의한 기판의 파손이나, 열수축, 열열화 등에 의한 기판의 신뢰성 저하 등 악영향이 발생할 우려가 있다. 이에 반해 전기부품(10)을 전사용 기재(6) 상에 인쇄 형성하면 전기부품(10)을 전사용 기재(6) 상에 실장한 상태로 레이저 가공을 실시할 수 있고 하부층의 파손이나 배선판 시트재 본체에 대한 열에 의한 악영향 등을 고려할 필요없이 가공을 실시할 수 있다.

상기의 도체회로(5)는, 전사용 기재(6)와 도체회로(5) 간의 밀착 강도(박리 강도)가 바람직하게는 0.098∼1.96mN/cm(10∼200gf/cm), 더욱 바람직하게는 0.294∼0.882mN/cm(30∼909f/cm)가 되도록 형성하며, 이와 같이 하면 전사용 기재(6)와 도체회로(5) 간에 충분한 밀착성을 얻을 수 있음과 동시에 수지층(4)이나 절연층(16)에 도체회로(5)를 전사할 때의, 전사용 기재(6)의 도체회로(5)에 대한 박리성을 향상시킬 수 있다. 또한, 땜납(14)을 이용한 접속을 실시할 경우 전사용 기재(6)의 내열성이 높고 또한 땜납(14)에 의한 접속시 가열에 의해 전사용 기재(6)로부터 도체회로(5)가 박리되는 것이 방지되므로 땜납(14)에 의한 실장을 용이하게 수행할 수 있고, 전기부품(10)과 도체회로(5) 간에 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 상기 밀착 강도가 과도하게 작으면, 도체회로(5)와 전사용 기재(6) 간의 밀착성이 불충분하게 되고, 또한 상기 밀착 강도가 너무 크면 전사용 기재(6)로부터 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사할 때 도체회로(5)와 전사용 기재(6)를 완전히 박리할 수 없게 되는 문제가 발생한다.

상기한 전사용 기재(6)로는 금속 기재를 이용하는 것이 바람직한데 특히 스텐레스 기재를 이용할 경우, 스텐레스는 구리 등의 금속으로 이루어지는 도체회로(5)나 수지층(4)과의 밀착성이 낮으므로 도체회로(5) 전사시의 수지층(4) 및 도체회로(5)와의 박리성이 높아 도체회로(5)를 수지층(4)에 용이하게 전사할 수 있다. 스텐레스 기재로는, SUS304, SUS301이 바람직한데 그 중에서도 SUS301는 도금 밀착성 면에서 뛰어나 특히 바람직하다.

스텐레스 기재를 사용할 경우 그 두께는 50∼200㎛가 바람직하고, 특히 100㎛정도면 취급성이 우수하다. 즉 두께 50∼200㎛, 특히 두께 100㎛의 스텐레스 기재를 이용할 경우, 전사용 기재(6)는 높은 인성(靭性)을 가짐과 동시에 적절한 휨성을 가지므로 후술하는 바와 같이 도체회로(5)의 전사시에 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리시킬 경우 전사용 기재(6)를 휘게하여 수지층(4)을 만곡시키지 않으면서 전사용 기재(6)를 용이하게 박리할 수 있어 취급성이 양호하다. 또한 이와 같이 스텐레스 기재를 이용하면 전사용 기재(6)의 인성이 높아져서, 전기부품(10)을 다수 실장하는 경우에도 취급성이 양호하게 되어 예를 들어 전기부품(10)을 도체회로(5)에 다수 실장할 경우 리플로우 로(爐)에 반입하거나 꺼내는 등의 작업이 용이하게 이루어진다. 또한, 도체회로(5)의 형성이나 전기부품(10)의 실장시 표면이 오염된 경우에도 도체회로(5) 형성후 혹은 전기부품(10)의 실장 후에 탈지 등에 의해 용이하게 세정을 할 수 있어 수지층(4)에 오염이 전사되지 않도록 하여 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다.

이러한 스텐레스 기재를 이용하면 도금 처리 등에 의해 전사용 기재(6)에 도체회로(5)를 형성할 때의 전사용 기재(6)와 도체회로(5)와의 밀착성을 어느 정도 확보하여 땜납 리플로우 가열시 등의 경우에 전사용 기재(6)로부터 도체회로(5)가 부주의하게 박리되지 않도록 함과 동시에, 도체회로(5)의 전사시 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리할 때에는 전사용 기재(6)로부터 도체회로(5)를 박리시켜 도체회로(5)를 수지층(4) 측에 확실하게 잔존시키기 위해, 전사용 기재(6)에 대하여, 도체회로(5)가 형성되는 면에, 질산과 불산의 혼산 혹은 염화제이철 용액 등의 에칭액에 의해 소프트 에칭 처리를 실시하는 등의 화학 연마에 의한 조화 처리(roughing)를 실시하여 전사용 기재(6)와 도체회로(5) 간의 밀착 강도를 조정하는 것이 바람직하고, 이러한 처리에 의해 바람직하게는 전사용 기재(6)의 표면거칠기Ra를 2㎛이하, 특히 바람직하게는 표면 거칠기Ra를 0.1∼0.5㎛로 형성한다.

또한, 전기 공급용 또는 접지용의 도체회로(5)를 형성할 경우에는, 전사용 기재(6)에 대하여 도체회로(5)를 시트상으로 형성해도 좋지만, 도체회로(5)를 망목상으로 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 하면, 스텐레스 기재 등으로 이루어지는 전사용 기재(6)와 구리 등으로 이루어지는 도체회로(5)의 열팽창율이 서로 달라도 열에 의한 부하를 받았을 때의 열 응력이 완화되어 전사용 기재(6)로부터 도체회로(5)가 부주의하게 박리되는 것을 방지할 수 있다. 마찬가지로 하나의 배선판을 여러 개의 작은 조각으로 자를 경우 미리 조각 수만큼 독립적인 도체회로를 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 수지층(4)을 형성하기 위한 수지 조성물은, 수지성분과 무기 필러를 함유하고 있으며, 수지성분으로서는 열경화성 수지를 함유함과 동시에, 필요에 따라 경화제, 경화 촉진제, 표면 처리제 등이 배합된다. 또한 점도 조정을 위해 용제를 배합할 수도 있다.

열경화성수지로서는 특별한 제약은 없으나 이미 알려진 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지 등을 들 수 있으며, 이 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 또한, 난연성을 부여하기 위해서는, 열경화성 수지와는 달리 첨가형 난연제를 부가할 수도 있으나 특히 열경화성 수지의 일부 또는 전부가 브롬화된 것이나, 인 변성된 것을 이용하면 충분한 내열성이나 기계적 강도를 유지하면서 난연성을 향상시킬 수 있다.

경화제나 경화 촉진제를 배합할 경우에는 특별한 제한은 없으며 사용하는 열경화성수지에 맞는 적절한 것이 적당량 배합된다. 예를 들어 열경화성수지로서 에폭시 수지를 배합할 경우에는 경화제로서 페놀 노볼락 수지나 디시안디아미드 등과 같은 공지의 에폭시수지의 경화제를 배합할 수 있고, 또한 경화 촉진제로서 2-에틸-4-메틸이미다졸이나 트리페닐포스핀 등과 같은 공지의 경화 촉진제를 배합할 수 있다.

또한 표면처리제로서는, 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등의 적당한 커플링제나, 인산 에스테르계 분산제, 에틸 아민계 분산제 등의 적당한 분산제 등을 배합할 수 있다.

또한 용제는 저비점의 것을 사용하는 것이 바람직하며 이 경우, 수지조성물 내에 혼합하는 혼합 용제로서 사용함으로써, 수지조성물로 형성되는 건조 후의 수지층(4)의 표면형상이 양호하게 된다. 이러한 용제로서는 특히 메틸에틸케톤, 아세톤 등을 사용하는 것이 바람직하다. 고비점 용제를 이용할 경우에는, 건조시에 충분히 휘발되지 못하고 잔류할 가능성이 높아 수지층(4)을 경화시켜 형성되는 절연층(16)의 전기 절연성이나 기계적 강도의 저하 원인이 될 우려가 있다.

무기 필러는 수지조성물 내에 고밀도로 충진함으로써, 수지 조성물로 형성되는 수지층(4) 및 이 수지층(4)을 경화 형성하여 얻어지는 절연층(16)의 열팽창율을 저감시켜 배선판 형성시의 도체회로(5)를 구성하는 금속이나 전기부품(10)과의 열팽창계수의 정합성을 향상시킬 수 있다. 이 때 무기 충진제의 배합량은, 바람직하게는 조성물 내의 용제를 제외한 전량에 대하여 80∼95질량%으로 하며 이 와 같이 할 경우 절연층(16)의 열팽창계수가 20ppm/t이하가 되어 양호한 저열팽창성을 가지게 되어 도체회로(5)를 구성하는 금속이나 전기부품(10)과의 열팽창계수의 정합성이 더욱 양호해져 열에 의한 부하를 받았을 때 절연층(16)과 도체회로(5)와의 박리나 전기부품(10)의 파손, 단선 등의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

무기 필러로는 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 실리카(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 붕산알루미늄(9Al2O3·2B2O3)등을 사용할 수 있고, 이것을 1종 단독 혹은 2종이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 무기 필러들은 열전도성, 유전율, 입도 분포, 색조의 자유도가 높으므로, 원하는 기능을 선택적으로 발휘시킬 경우 적절히 입도 설계를 수행하여 용이하게 고충진화를 이룰 수가 있으며 특히 무기 필러로서 최대입경이 10㎛이하인 것을 사용하면, 관통홀(3)의 형성을 위한 레이저 가공, 드릴 가공 시의 홀 형상이나 마모를 양호하게 유지할 수 있다. 또한, 수지 시트를 50㎛이하의 얇은 막으로 하는 경우에도 양호한 외관을 얻을 수 있다.

또한, 조성물 내의 무기 필러의 분산성을 향상시키기 위해 에폭시 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등의 적당한 커플링제나, 인산 에스테르계 분산제, 에틸 아민계 분산제 등의 적당한 분산제 등을 첨가하는 것이 바람직하다.

또한, 유동성을 조정하거나, 수지층(4)이나 그 경화물인 절연층의 갈라짐 방지를 위해 페녹시 수지 등의 열가소성 수지를 배합할 수도 있다.

열경화성 수지 조성물은 상기와 같은 각 성분을 혼련기를 이용하여 슬러리화하여 최적의 점도로 조정함으로써 얻을 수 있다.

수지층(4)을 형성하기 위한 캐리어 기재(7)로서는, PET필름 등의 합성 수지필름을 이용할 수 있고 또한 금속박을 이용하는 것도 가능하다. 금속박을 이용하는 경우에는 캐리어 기재(7)를 수지층(4)으로부터 박리할 때의 박리성을 향상시키기 위해 수지층(4)이 형성되는 면을 경면상(鏡面狀)으로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 금속박으로서는 레이저 가공시 관통홀(3)의 형성이 가능한 재질이 선택되며 압연동박, 전해동박, 알루미늄박, 금속합금박, 금속클래드박 등을 이용하는 것이 바람직하다.

이 캐리어 기재(7)의 일면에, 수지층(4) 형성용 수지 시트(4a)를 형성한다. 수지 시트(4a)를 형성할 때에는 우선 도14 (a)에 도시된 바와 같이, 캐리어 기재(7)의 일면에 상기의 수지 조성물을 도포하고 가열 건조함으로써 반경화 상태(B스테이지 상태)로서 수지 시트(4a)를 형성한다. 이 때의 가열 건조 조건은 수지조성물의 조성에 따라서도 달라지지만 130∼170℃에서 2∼10분간 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 시트(4a)의 두께는 50∼300㎛로 형성하는 것이 바람직하다.

그리고 도14(b)에 도시된 바와 같이, 형성된 수지 시트(4a)로부터 캐리어 기재(7)를 박리한다.

또한, 수지 시트(4a)로서는, 부직포에 슬러리상의 수지조성물을 함침 건조시켜 형성한 것을 사용할 수도 있다. 부직포로서는 적절한 유리 부직포, 유기 섬유 부직포 등을 사용할 수 있다.

상기와 같은 수지 시트(4a)와, 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 이 도체회로(5)에 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)를 이용하여 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 전사함으로써 양면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 이 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설된 배선판용 시트재(1)를 얻을 수 있다.

도 1에 배선판용 시트재(1)의 제조 공정의 일 예를 도시한다. 여기서는, 우선 도 1 (a)에 도시된 바와 같이, 도체회로(5)의 형성이 이루어짐과 아울러 이 도체회로(5)에 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)를, 도체회로(5)가 형성된 면이 서로 대향하도록 배치함과 동시에, 그 사이에 수지 시트(4a)를 배치하여 적층한다. 수지 시트(4a)는, 전기부품(10)의 도체회로(5)로부터의 돌출 크기에 따라 한 개 또는 여러 개가 배치된다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다.

상기 성형 과정에서는, 우선 수지 시트(4a)가 용융 연화된다. 이 때 복수의 수지 시트(4a)가 적층되어 있으면 이 수지 시트(4a)들이 일체화되고 또한 상기 용융 연화된 수지 시트(4a)가 유동함으로써 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5) 및 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이, 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4) 내에 매설된다. 이 때 전기부품(10)의 하면에 언더필을 충진하지 않고 있는 경우에는 용융 연화된 수지층(4)이 충분히 유동하여 전기부품(10)과 전사용 기재(6) 사이에도 충분히 수지가 충진될 수 있는 조건에서 실시하며 또한 형성시의 압력은 용융 연화시의 수지층(4)의 유동성에 따라 설정할 필요가 있는데, 예를 들어 상기 용융 연화시의 유동성이 높을 경우에는 진공 라미네이터에 의해 용이하게 성형 가능하며 또한 용융 연화시의 유동성이 작을 경우에는 2.94MPa(30kgf/cm2) 정도까지가압하여 성형할 수 있다. 또한, 전기부품(10)을 수지층(4) 내에 매설시키기 위해서는 수지 시트(4a)가 용융 연화된 시점부터 서서히 승압되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 가열 가압 성형은, 감압하 또는 진공하에서 수행하는 것이 바람직하고, 이 경우에는 내부에 보이드가 쉽게 혼입되지 못하므로 신뢰성이 향상된다.

이어서, 도 1(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리시킴과 아울러 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키며, 이에 의해 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1a))가 얻어진다. 이 배선판용 시트재(1a)는, 수지층(4)의 양측 표층에, 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있어 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되므로 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한, 수지층(4) 내에는 양면의 도체회로(5)에 각각 접속되는 전기부품(10)이 매설되어 있다.

전사용 기재(6)의 박리는, 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 실시할 수 있다. 이와 같이 박리된 전사용 기재(6)는 산 세정 등에 의한 세정 후 다시 도체회로(5)를 형성시켜 배선판용 시트재(1)의 제조에 이용할 수 있다.

상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 양면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 각 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설된 배선판 (양면판)을 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는, 수지층(4)을 구성하는 수지조성물의 조성에 따라 달라지는데 160∼180℃의 조건에서 실시하는 것이 바람직하다.

또한, 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 얻어지는 배선판용 시트재(1a)를, 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은, 수지층(4)을 구성하는 수지조성물의 조성에 따라 달라지는데 100∼140℃의 온도로 2∼10분 정도 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 배선판용 시트재(1a)를 다층판 형성시의 코어재로 사용할 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우에도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

도 2는 배선판용 시트재(1)의 제조 공정의 다른 예를 도시한 것으로서, 수지 시트(4a)와, 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와, 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장되지 않은 전사용 기재(6)를 이용하여 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 전사함으로써 양면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 일면의 도체회로(5)에만 실장된 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설된 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1g))를 형성하고 있다.

여기서는, 먼저 도 2 (a)에 도시된 바와 같이, 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와, 도체회로(5)가 형성되고 전기부품(10)은 실장되지 않은 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 형성된 면이 서로 대향하도록 배치함과 아울러 그 안에 수지 시트(4a)를 배치시켜 적층한다. 수지 시트(4a)는, 전기부품(10)의 크기에 따라 1개 또는 복수개 배치된다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다. 이 가열 가압 성형은 상술한 경우와 동일한 조건에서 실시할 수 있다.

이 성형 과정에서는 수지 시트(4a)가 용융 연화된다. 이 때 복수의 수지 시트(4a)가 적층되어 있으면 이 수지 시트(4a)들이 일체화되고 또한 이와 같이 용융 연화된 수지 시트(4a)가 유동함으로써 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5) 및 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4) 내에 매설된다.

이어서, 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 아울러 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키며, 이에 의해 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1g))가 얻어진다. 이 배선판용 시트재(1g)는 수지층(4)의 양측의 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한 수지층(4) 내에는 일면의 도체회로(5)에만 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있다. 전사용 기재(6)의 박리는, 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 이루어질 수 있다.

상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 일면에 도체회로(5)가 마련됨과 아울러, 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설된 배선판(양면판)을 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다.

또한, 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면, 얻어지는 배선판용 시트재(1g)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한 배선판용 시트재(1g)를 다층판 형성시의 코어재로 사용할 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

또한 도1(c), 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 수지층(4)으로부터 전사용 기재(6)를 박리한 후 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 형성하여 배선판용 시트재(1)(배선판 시트재1b)을 얻을 수도 있다. 이러한 공정의 일 예를 도시하면 도 3과 같다.

여기서는, 도1(c)와 같이 얻어진 배선판용 시트재에 대해, 먼저 도 3 (a)와 같이 도체회로(5)가 전사된 수지층(4)의 일면에 보호 필름(12)을 적층 배치한다. 보호 필름(12)으로는 PET필름 등의 합성 수지 필름을 이용할 수 있고 또한 금속박을 이용할 수도 있다. 금속박을 이용할 경우에는 보호 필름(12)을 수지층(4)으로부터 박리할 때의 박리성을 향상시키기 위해 수지층(4)이 형성되는 면을 경면상으로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 금속박으로서는 레이저 가공시 관통홀(3)의 형성이 가능한 재질이 선택되고 압연동박, 전해동박, 알루미늄박, 금속합금박, 금속클래드박 등을 이용하는 것이 바람직하고 그 표면에 접착제가 도포되어 있는 것이 바람직하다.

이어서 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 레이저 가공에 의해 수지층(4)의 소정의 비아홀의 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)은, 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 양면의 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하도록 형성된다. 이 때 레이저광을 보호 필름(12) 측에서 조사함으로써 수지층(4)이나 도체회로(5)에 직접 레이저광이 조사되지 않도록 하여 레이저광에 의한 보호 필름(12)과 수지층(4)의 층간 박리를 방지할 수 있다.

관통홀(3)의 형성 후에는 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 보호 필름(12)의 외면측으로부터 관통홀(3) 내에 도전성 재료(2)를 충진한다. 이러한 도전성 재료(2)로는 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있고, 예를 들면 은가루나 구리분말 등의 도전성 분말체를 열경화성 수지조성물 내에 혼합한 것을 사용할 수 있다. 도전성 페이스트(8) 충진시에는 캐리어 기재(7)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 캐리어 기재(7)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않도록 보호되며, 이어서 도전성 페이스트(8)의 충진 후, 도 3(d)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 보호 필름(12)을 수지층(4)측으로부터 박리함으로써 관통홀(3) 내에 도전성 페이스트(8)가 충진됨과 아울러 수지층(4) 및 도체회로(5)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 캐리어 기재(7)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하므로 보호 필름(12)이 점착되어 있던 쪽의 면에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출 형성된다.

여기서, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사한 후 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 형성하는 것은, 전기부품(10)이 실장된도체회로(5)를 수지층(4)에 전사할 때에는 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설됨에 따라 수지층(4)이 유동하게 되는데 이 때 관통홀(3)이 형성되어 있으면 그 관통홀(3)의 형상이 크게 변형될 우려가 있기 때문이며, 따라서 이러한 비아홀 형성용 관통홀(3)의 변형을 방지하기 위해 수지층(4)에 전기부품(10)이 매설된 후에 관통홀(3)을 형성하는 것이다.

이와 같이 형성되는 배선판용 시트재(1b)는, 수지층(4)의 양측의 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 또한 수지층(4) 내에는 양면의 도체회로(5)에 각각 접속되는 전기부품(10)이 매설되어 있다. 또한 수지층(4)과 도체회로(5)를 관통함과 아울러 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)이 형성되어 있다. 이 배선판용 시트재(1b)의 표면은 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되어 있어 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 것을 제외하고는 요철없이 평탄하게 형성된다.

이와 같이 얻어지는 배선판용 시트재(1b)는 단독으로 배선판의 제조에 이용될 수 있다. 이 경우에는 전술한 수지층(4)에 대하여 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 전사할 때의 가열 가압 성형을, 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건 혹은 경화 반응이 진행되지 않는 조건 중 어느 조건에서 실시해도 무방하며 또한 얻어진 배선판용 시트재(1b)에 대하여 추가로 가열 가압 성형을 실시함으로써 수지층(4)이 B스테이지 상태인 채로 있을 경우 이를 경화시킴과 아울러 도전성 페이스트(8)를 경화시켜 양면에 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 각 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 실장되고또한 양면의 도체회로(5)가 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)가 경화됨으로써 형성되는 비아홀에 의해 접속된 배선판(양면판)을 얻을 수 있다.

이 성형 과정에서, 도전성 페이스트(8)의 돌출 부분이 가압에 의해 관통홀(3) 내로 밀려들어가 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀에 의한 접속 신뢰성이 향상된다.

또한, 전술한 수지층(4)에 대하여 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 전사할 때의 가열 가압 성형을 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면, 얻어지는 배선판용 시트재(1b)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 경우, 상기한 바와 같이 도전성 페이스트(8)가 돌출됨으로써 후술하는 다층판(11)에서의 비아홀(15)의 도전성을 향상시키는 데에 기여하게 된다. 또한, 배선판용 시트재(1b)를 다층판 형성시의 코어재로 사용할 경우에는, 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

도 4는, 배선판용 시트재(1)의 제조 공정의 다른 예를 도시한 것으로서, 수지 시트(4a)와, 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하고, 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 전사함으로써, 일면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 이 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설된 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1c))를 형성하고 있다.

여기서는, 우선 도 4 (a)에 도시된 바와 같이, 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 이 도체회로(5)에 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)에 대하여, 상기 도체회로(5)가 형성되어 있는 면쪽에 수지 시트(4a)를 배치하여 적층한다. 수지 시트(4a)는, 전기부품(10)의 크기에 따라 1개 또는 복수개가 배치된다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다. 이 가열 가압 성형은 상술한 경우와 동일한 조건에서 실시할 수 있다.

이 성형 과정에서는 수지 시트(4a)가 용융 연화된다. 이 때 복수의 수지 시트(4a)가 적층되어 있으면 이 수지 시트(4a)들이 일체화되고 또한 이 용융 연화된 수지 시트(4a)가 유동함으로써 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5) 및 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4) 내에 매설된다.

이어서 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 아울러 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 따라 배선판용 시트재(1c)가 얻어진다. 이 배선판용 시트재(1c)는 수지층(4)의 한쪽 표층에, 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설되어 형성된다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한, 수지층(4) 내에는 일면의 도체회로(5)에 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있다. 전사용 기재(6)의 박리는 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 이루어질 수 있다.

상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 일면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설된 배선판(편면판)을 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다.

또한, 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면, 얻어지는 배선판용 시트재(1)를 후술하는 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

또한, 도 4(c)에 도시된 바와 같은, 수지층(4)에 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 전사한 배선판용 시트재에 대해, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 추가로 형성하여 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1d))를 얻을 수도 있다. 이 공정의 일 예를 도 5에 도시하기로 한다.

여기서는 먼저 도 5(a)와 같이, 도체회로(5)가 전사된 수지층(4)의, 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 일면에 보호 필름(12)을 적층 배치한다. 보호 필름(12)으로는 상술한 바와 동일한 것을 이용할 수 있다.

이어서 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 레이저 가공에 의해 수지층(4)의 소정의 비아홀 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)은 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 일면의 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하도록 형성된다. 이 때 레이저광을 보호 필름(12)측에서 조사함으로써 레이저광에 의해 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.

관통홀(3)을 형성한 후에는, 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 보호 필름(12)의 외면측으로부터 관통홀(3) 내에 도전성 재료(2)를 충진한다. 이 도전성 재료(2)로는, 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있으며 예를 들어 은가루나 구리분말 등의 도전성 분말체를 열경화성 수지 조성물 내에 혼합시킨 것을 사용할 수 있다. 상기 도전성 재료(2)의 충진을 위해 캐리어 기재(7)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포하여 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 캐리어 기재(7)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않도록 보호되며 이어서 도전성 페이스트(8)의 충진 후 도 5(d)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 보호 필름(12)을 수지층(4)측으로부터 박리함으로써 관통홀(3) 내에 도전성 페이스트(8)가 충진됨과 아울러 수지층(4) 및 도체회로(5)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 캐리어 기재(7)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하므로 보호 필름(12)이 점착되어 있던 측의 면(도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 면)에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출하게 된다.

이와 같이 하여 얻어지는 배선판용 시트재(1d)는 수지층(4)의 한쪽 표층에, 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설되고 또한 수지층(4) 내에는 일면의 도체회로(5)에 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있고, 또한 수지층(4)과 일면의 도체회로(5)를 관통함과 동시에 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)이 형성되어 있다. 이 배선판용 시트재(1d)의 표면은, 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치되어 있으므로 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 것을 제외하고는 요철없이 평탄하게 형성된다.

여기서, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사한 후에 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 형성하는 것은, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사할 때 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설됨에 따라 수지층(4)이 유동하게 되는데 이 때 관통홀(3)이 형성되어 있으면 관통홀(3)의 형상이 크게 변형될 우려가 있기 때문으로 이러한 비아홀(15) 형성용 관통홀(3)의 변형을 방지하기 위해 수지층(4)에 전기부품(10)이 매설된 후에 관통홀(3)을 형성하도록 한 것이다.

여기서, 상기한 가열 가압 성형을, 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 그 배선판용 시트재(1d)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1d)를 다층판 형성시의 코어재로 사용할 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

또한, 도 5(d)에 도시된 바와 같은, 수지층(4)에 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 전사한 배선판용 시트재에 대해, 도체회로(5)가 형성되지 않은 면에 금속박(9)을 적층하여 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1e))을 얻을 수도 있다. 이 공정의 일 예를 도 6에 도시하였다.

여기서는 우선 도 6(a)와 같이 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 수지층(4)의 일면에 금속박(9)을 적층 배치한다. 금속박(9)으로는 적당한 것을 이용하면 되는데 예를 들면 동박을 사용할 수 있다. 그 두께는 10∼150㎛의 것이 바람직하다. 또한 이 금속박(9)의 수지층(4)이 형성되는 면은, 수지층(4)과의 밀착성을 향상시키기 위해 조면(粗面)으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 금속박(9)으로서 전해동박을 사용하는 경우에는 전해동박에 원래부터 형성되어 있는 조면에 수지층(4)을 형성할 수 있다. 또한 금속박(9)에 대하여 표면 처리를 실시할 수도 있으며 이러한 표면처리로서는 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화 처리 등이 있다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 도 6(b)에 도시된 바와 같이 적층 일체화한다.

이 성형 과정에서는, 금속박(9)이 관통홀(3) 내에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)로부터 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내에 조밀하게 충진되며 이에 의해 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)의 도전성이 향상된다.

이와 같은 과정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1e)는, 수지층(4)의 일면 표층에, 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설되고 다른 면에는 금속박(9)이 적층되어 있으며 또한 수지층(4) 내에는 일측의 도체회로(5)에 접속되는 전기부품(10)이 매설되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면은 일치하게 되어 배선판용 시트재(1e)의 표면은 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한 수지층(4)과 도체회로(5)를 관통함과 동시에 금속박(9)에 접속되고 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)이 형성되어 있다.

상기한 금속박(9)의 적층 성형시의 가열 가압 성형을 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면, 일면에는 금속박(9)이, 다른 면에는 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설되고 또한 도전성 페이스트(8)가 경화되어 형성되는 도전층이 충진된 관통홀(3)로 이루어지는 비아홀에 의해 도체회로(5)와 금속박(9)이 접속된 배선판을 얻을 수 있다. 이때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한 본 배선판의 금속박(9)에 에칭 처리 등을 실시하여 회로 형성을 실시할 수도 있다.

또한, 상기한 금속박(9)의 적층 성형시의 가열 가압 성형을 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 얻어지는 배선판용 시트재(1)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

또한, 도 5(d)에 도시된 바와 같은, 수지층(4)에 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 전사한 배선판용 시트재에 대해, 도체회로(5)가 형성되지 않은 면에 추가로 도체회로(5)를 전사에 의해 형성하여 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1f))를 얻을 수도 있다. 이 공정의 일 예를 도7에 도시하였다.

여기서는 먼저 도7 (a)에 도시된 바와 같이 수지층(4)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 면에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 관통홀(3)과 도체회로(5)의 위치를 정합시킨 상태로 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 적층 배치한다. 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상술한 바와 같은 방법을 통해 형성된 것이 사용된다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 적층 일체화하는데, 이 때 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 도체회로(5)와 관통홀(3)이 위치된다.

이 성형 과정에서는, 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 관통홀(3) 내에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내에 조밀하게 충진되며 이에 의해 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)의 도전성이 향상된다.

이어서 도7(b)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리시킴과 아울러 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 의해 배선판용 시트재(1f)가 얻어진다.

이와 같은 과정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1f)는 수지층(4)의 양측 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 또한 수지층(4) 내에는 일측 도체회로(5)에 접속되는 전기부품(10)이 매설되어 있다. 또한 수지층(4)과 일면에 형성된 도체회로(5)를 관통함과 동시에 다른 면에 형성된 도체회로(5)에 접속된, 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)이 형성되어 있다. 본배선판용 시트재(1f)는 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다.

상기한 도체회로(5)의 전사에 의한 성형시의 가열 가압 성형을 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 양면에 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 일측의 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설되고 또한 도전성 페이스트(8)가 경화되어 형성되는 도전층이 충진된 관통홀(3)로 이루어지는 비아홀에 의해 도체회로(5) 사이가 접속된 배선판을 얻을 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다.

또한, 상기한 금속박(9)의 적층 성형시의 가열 가압 성형을 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 얻어지는 배선판용 시트재(1)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

도 8은, 배선판용 시트재(1)의 제조 공정의 다른 예를 도시한 것으로서, 수지 시트(4a)와 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와, 동박 등의 금속박(9)을 이용하고, 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 전사함으로써 일면에 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 이 일면의 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이수지층(4)에 매설되며 또한 다른 면에는 금속박(9)이 일체로 적층 성형된 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1h))를 형성하고 있다.

금속박(9)으로서는 적당한 것을 이용하면 되는데 일 예로 동박을 사용할 수 있다. 그 두께는 10∼150㎛의 것이 바람직하다. 또한 이 금속박(9)의 수지층(4)이 형성되는 면은 수지층(4)과의 밀착성을 향상시키기 위해 조면으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 금속박(9)으로서 전해동박을 사용할 경우에는 전해동박에 원래부터 형성되어 있는 조면에 수지층(4)을 형성할 수 있다. 또한 금속박(9)에 대하여 표면 처리를 실시할 수도 있는데 그 표면처리로서는, 예를 들어 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화 처리를 들 수 있다.

여기서는, 우선 도 8(a)에 도시된 바와 같이 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와 금속박(9)을, 전사용 기재(6)의 도체회로(5)가 형성된 면과 금속박(9)(의 조면)이 서로 대향하도록 배치함과 아울러 그 사이에 수지 시트(4a)를 배치하여 적층한다. 수지 시트(4a)는, 전기부품(10)의 크기에 따라1개 또는 복수개 배치된다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화한다. 이때의 가열 가압 성형은 상술한 경우와 동일한 조건에서 실시할 수 있다.

이 성형 과정에서는, 수지 시트(4a)가 용융 연화된다. 이 때 복수의 수지 시트(4a)가 적층되어 있으면 이 수지 시트(4a)들이 일체화되고 또한 이 용융 연화된 수지 시트(4a)가 유동함으로써 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5) 및 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4) 내에 매설된다.

이어서 도 8(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리시킴과 아울러 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 의해 배선판용 시트재(1h)가 얻어진다. 이 배선판용 시트재(1h)는, 수지층(4)의 일면 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되고 다른 면의 표면에는 전면에 금속박(9)이 일체로 형성되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한, 수지층(4) 내에는 일면의 도체회로(5)에 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있다. 전사용 기재(6)의 박리는, 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 이루어질 수 있다.

상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 일면에 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 다른 면의 전면에 금속박(9)이 형성되고 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설된 배선판을 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다.

또한 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면, 얻어지는 배선판용 시트재(1h)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1h)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의제조에 이용할 수 있다.

도 9는 배선판용 시트재(1)의 제조 공정의 다른 예를 도시한 것으로, 수지 시트(4a)와 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와 수지 부착 금속박(17)을 이용하여 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 전사함으로써, 일면에 도체회로(5)를 형성시킴과 동시에 이 일면의 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설되고 또한 다른 면에 금속박(9)이 일체로 적층 성형된 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1i))를 형성하고 있다.

수지 부착 금속박(17)을 구성하는 금속박(9)으로서는 적당한 것을 사용하면 되는데 일 예로 동박을 사용할 수 있다. 그 두께는 10∼150㎛의 것이 바람직하다. 또한 이 금속박(9)의 수지층(4)이 형성되는 면은, 수지층(4)과의 밀착성을 향상시키기 위해 조면으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 금속박(9)으로서 전해동박을 사용할 경우에는, 전해동박에 원래부터 형성되어 있는 조면에 수지층(4)을 형성할 수 있다. 또한 금속박(9)에 대하여 표면 처리를 실시할 수도 있는데 그 표면처리로서는 예를 들어 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화 처리를 들 수 있다.

또한 수지 부착 금속박(17)을 구성하는 수지층(4b)은 상술한 수지층(4)을 형성하기 위한 수지조성물과 같은 수지조성물을 사용하여 형성할 수 있으며 예를 들어 상기한 수지조성물을 금속박(9)의 일면(조면)에 도포하고 건조시켜 B스테이지화함으로써 수지층(4b)을 형성함으로써 수지 부착 금속박(17)을 얻을 수 있다.

여기서는 먼저 도9(a)에 도시된 바와 같이, 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 전기부품(10)이 실장된 전사용 기재(6)와 수지 부착 금속박(17)을, 전사용 기재(6)의 도체회로(5)가 형성된 면과 수지 부착 금속박(17)의 수지층(4b)이 서로 대향하도록 배치함과 동시에 그 사이에 하나 또는 복수개의 수지 시트(4a)를 배치하여 적층한다. 수지 시트(4a)는 전기부품(10)의 크기에 따라1개 또는 복수개 배치된다. 이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화한다. 이 가열 가압 성형은 상술한 경우와 동일한 조건에서 실시할 수 있다.

이 성형 과정에서는, 수지 시트(4a) 및 수지 부착 금속박(17)의 수지층(4b)이 용융 연화되어 일체화되어 수지층(4)이 형성된다. 이 때 복수의 수지 시트(4a)가 적층되어 있으면 이 수지 시트(4a)들은 일체화되고 또한 이 용융 연화된 수지 시트(4a)가 유동함으로써 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5) 및 도체회로(5)에 실장된 전기부품(10)이 수지 시트(4a)에 의해 형성되는 수지층(4) 내에 매설된다.

이어서 도9(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며, 이에 의해 배선판용 시트재(1i)가 얻어진다. 이 배선판용 시트재(1i)는 수지층(4)의 일면 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되고 또한 다른 면의 표면에는 전면에 걸쳐 금속박(9)이 일체로 형성되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한 수지층(4) 내에는 일면의 도체회로(5)에 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있다. 전사용 기재(6)의 박리는 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 이루어질 수 있다.

상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 실시하면 일면에 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 다른 면의 전면에 걸쳐 금속박(9)이 형성되고 수지층(4)이 경화되어 형성되는 절연층 내에 도체회로(5)에 전기적으로 접속된 전기부품(10)이 매설된 배선판을 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다.

또한 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면, 얻어지는 배선판용 시트재(1)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한 배선판용 시트재(1)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는, 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

이와 같이 형성된 배선판용 시트재(1h), (1i)에서는, 전기부품(10)을 매설한 수지층(4)을 갖는 배선판용 시트재(1)들을 적층하여 다층화할 경우, 배선판용 시트재(1h), (1i)의 금속박(9)을 층간의 어스층으로서 형성하여 층 사이에 인접하는 전기부품(10)간의 상호작용의 발생을 방지하여 전기부품(10)이 소정 규격값의 성능을 발휘하도록 할 수 있다. 또한 특히 배선판용 시트재(1i)의 경우에는 적층 성형 과정에 있어서 적층 전의 수지 부착 금속박(17)의 수지층(4b)의 경화를 어느 정도 진행시켜 두면 수지층(4b)의 유동을 억제시켜 전기부품(10)과 금속박(9)간의 거리를 용이하게 확보할 수 있게 되고 상기한 배선판용 시트재(1)들의 적층 성형시에는 전기부품(10)과 금속박(9)으로 이루어지는 어스층간의 거리를 확보할 수 있어 층 사이에 인접하는 전기부품(10)간의 상호작용의 발생을 더욱 확실하게 방지할 수 있는 것이다. 수지 부착 금속박(17)의 수지층(4b)의 경화를 어느 정도 진행시키기 위해서는 예를 들어 그 수지층(4b)을 미리 160℃에서 5분 정도 예비 건조시킨다.

또한 도 8(c) 또는 도9(c)에 도시된 바와 같은 배선판용 시트재(1)에 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 추가로 형성한 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1j))를 얻을 수도 있다. 이 공정의 일 예를 도10에 도시하였다.

여기서는, 우선 도10(a)과 같이 일면에 도체회로(5)가 전사됨과 아울러 다른 면에 금속박(9)이 형성된 수지층(4)의, 도체회로(5)가 전사된 일면에 보호 필름(12)을 적층 배치한다. 보호 필름(12)으로서는 상술한 바와 동일한 것을 이용할 수 있다.

이어서 도10(b)에 도시된 바와 같이 레이저 가공에 의해 수지층(4)의 소정의 비아홀 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)은 수지층(4), 보호 필름(12), 및 수지층(4)의 일면의 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하고 금속박(9)은 관통하지 않도록 형성된다. 이 때 레이저광을 보호 필름(12)측에서 조사함으로써 금속박(9)을 관통하지 않도록 함과 아울러 레이저광에 의해 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.

관통홀(3)을 형성한 후에는 도10(c)에 도시된 바와 같이 보호 필름(12)의 외면측으로부터 관통홀(3) 내로 도전성 재료(2)를 충진한다. 이 도전성 재료(2)로는 상술한 바와 같은 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있다. 도전성 페이스트(8)의충진시에는 캐리어 기재(7)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 캐리어 기재(7)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않도록 보호되며 계속해서 도전성 페이스트(8)가 충진된 후에는 도10(d)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 보호 필름(12)을 수지층(4)측으로부터 박리함으로써 관통홀(3) 내에 도전성 페이스트(8)가 충진됨과 동시에 수지층(4) 및 도체회로(5)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 보호 필름(12)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하므로 보호 필름(12)이 점착되어 있던 측의 면(도체회로(5)가 형성되어 있는 측의 면)에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출 형성된다.

이와 같은 과정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1j)는 수지층(4)의 일면 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되고 다른 면의 표면에는 전면에 걸쳐 금속박(9)이 일체로 형성되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한 수지층(4) 내에는, 일면의 도체회로(5)에 접속된 전기부품(10)이 매설되어 있다. 또한 수지층(4)과 일면의 도체회로(5)를 관통하고 동시에 금속박(9)은 관통하지 않는 관통홀(3)이 형성되며 이 관통홀(3)에는 도전성 페이스트(8)가 충진되어 있다. 이 배선판용 시트재(1j)의 도체회로(5)가 형성된 면은 수지층(4)의 외면과 일치하게 되어 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 것을 제외하고는 요철없이 평탄하게형성된다.

여기서, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사한 후에 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 형성하는 것은, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사할 때에는 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설됨에 따라 수지층(4)이 유동하게 되는데 이 때 관통홀(3)이 형성되어 있으면 관통홀(3)의 형상이 크게 변형될 우려가 있기 때문이며 따라서 이러한 비아홀(15) 형성용의 관통홀(3)의 변형을 방지하기 위해 수지층(4)에 전기부품(10)이 매설된 후에 관통홀(3)을 형성하는 것이다.

여기서, 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 상기 배선판용 시트재(1j)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 배선판용 시트재(1j)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

또한, 관통홀(3)이 형성되지 않은 배선판용 시트재(1)에 대해 도전성 재료(2)가 추가로 충진되고 홀 도금막(18)이 형성된 관통홀(3)을 마련하여 배선판용 시트재(1)(배선판용 시트재(1k))를 얻을 수도 있다. 이 공정의 일 예를 도 11에 도시하였다.

도시된 예에서는, 도1(c)에 도시된 바와 같은 배선판용 시트재(1a)에 도전성 재료(2)가 충진되고 홀 도금막(18)이 형성된 관통홀(3)을 형성하고 있으나 이러한형태에 한정되지 않고, 도 2(c), 도 4(c), 도 8(c), 도9(c) 등과 같이 본 발명에 따른 배선판용 시트재(1) 중에서 관통홀(3)이 형성되지 않은 것에 대해 동일한 방법을 통해 도전성 재료(2)가 충진되고 홀 도금막(18)이 형성된 관통홀(3)을 형성할 수 있다.

여기서는 먼저 도11(a)와 같이 수지층(4)의 도체회로(5)가 전사된 일면 또는 양면(도면에서는 양면)에 보호 필름(12)을 적층 배치한다. 보호 필름(12)으로는 상술한 바와 동일한 것을 이용할 수 있다.

이어서 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 레이저 가공에 의해 수지층(4)의 소정의 비아홀 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)은 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4)의 양면의 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하도록 형성된다. 이 때 레이저광을 보호 필름(12)측에서 조사함으로써 레이저광에 의해 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.

관통홀(3)을 형성한 후에는 보호 필름(12)이 점착된 상태에서 관통홀(3)의 내면에 홀 도금막(18)을 형성한 후 보호 필름(12)의 외면측에서 관통홀(3) 내로 도전성 재료(2)를 충진한다. 이 도전성 재료(2)로서는 상술한 바와 같은 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있다. 도전성 페이스트(8)의 충진시에는 보호 필름(12)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 보호 필름(12)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되어지지 않도록 보호된다.

계속해서 도전성 페이스트(8)의 충진 후, 도11(c)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 보호 필름(12)을 수지층(4)측으로부터 박리시킴으로써 관통홀(3) 내에 홀 도금막(18)이 형성됨과 아울러 도전성 페이스트(8)가 충진되고 또한 수지층(4) 및 도체회로(5)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 보호 필름(12)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하므로 보호 필름(12)이 점착되어 있던 측의 면(도체회로(5)가 형성되어 있는 측의 면)에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출 형성된다.

이와 같은 과정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1k)는 수지층(4)의 양면의 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되고 일면 또는 양면의 도체회로(5)에 수지층(4)에 매설된 전기부품(10)이 실장되어 있다. 또한 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다. 또한 수지층(4)과 도체회로(5)를 관통하는 관통홀(3)이 형성되고 이 관통홀(3)에는 홀 도금막(18)이 형성됨과 아울러 도전성 페이스트(8)가 충진되어 있다. 특히 부품을 내장한 수지층(4)은 두께가 두꺼워 도전성 페이스트(8)만으로는 도통 신뢰성이 불충분해지는 경우가 있는데 홀 도금막(18)을 마련함으로써 두께가 두꺼운 수지층(4)의 경우에도 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있다. 이 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)가 형성된 면은 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 것을 제외하고는 요철없이 평탄하게 형성된다.

상기의 홀 도금막(18)으로서는 동도금 등을 형성할 수 있고 또한 무전해 도금 처리 및 전해 도금 처리를 적당히 조합하여 형성할 수 있다. 특히 홀 도금막(18)을 무전해 도금 처리만으로 형성하면 홀 도금막(18)의 후막화(厚膜化)를 억제하고 보호 필름(12)을 수지층(4)으로부터 박리할 때 보호 필름(12)에 형성된 도금막과 함께 홀 도금막(18)이 벗겨지는 것을 방지하여 도통 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이 때 홀 도금막(18)이 무전해 도금 처리만을 통해 박막으로 형성되어 있어도 관통홀(3)에 도전성 페이스트(8)가 충진되어 있으므로 홀 도금막(18)과 도전성 페이스트(8)에 의해 우수한 도통 신뢰성이 확보된다.

또한, 상기와 같은 보호 필름(12)의 박리시 홀 도금막(18)이 벗겨질 우려가 없는 경우에는 무전해 도금 처리 후 전해 도금 처리를 실시하여 홀 도금막(18)을 형성함으로써 홀 도금막(18)에서의 도통 신뢰성을 향상시킬 수도 있다. 이와 같이 무전해 도금 처리 및 전해 도금 처리에 의해 홀 도금막(18)을 후막화하는 경우에는 도11에 도시된 실시 형태에 있어서, 상기 도전성 페이스트(8) 대신에 은가루나 구리분말 등의 도전성 분말체가 함유되지 않는 열경화성 수지조성물로 이루어지는 수지 페이스트(20)를 사용하여 홀 도금막(18)만으로 비아의 도통 신뢰성을 확보할 수 있다.

여기서 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사한 후에 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 형성하는 것은, 전기부품(10)이 실장된 도체회로(5)를 수지층(4)에 전사할 경우에는 전기부품(10)이 수지층(4)에 매설됨에 따라 수지층(4)이 유동하게 되는데 이 때 관통홀(3)이 형성되어 있으면 관통홀(3)의 형상이 크게 변형될 우려가 있기 때문이며 이러한 비아홀(15) 형성용의관통홀(3)의 변형을 방지하기 위해 수지층(4)에 전기부품(10)이 매설된 후에 관통홀(3)을 형성하는 것이다.

여기서, 상기한 가열 가압 성형을 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 실시하면 상기 배선판용 시트재(1k)를 후술하는 바와 같이 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다. 이 때의 성형 조건은, 상술한 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한 배선판용 시트재(1k)를 다층판 형성시의 코어재로 사용하는 경우에는 수지층(4)이 C스테이지 상태가 되도록 형성한 경우일지라도 다층판(11)의 제조에 이용할 수 있다.

상기와 같은 각 배선판용 시트재(1)는, 수지층(4)에 대하여 도체회로(5)를 전사에 의해 형성함과 동시에 도체회로(5)에 실장되어 있는 전기부품(10)을 수지층의 용융 연화에 따른 수지층(4)의 유동에 의해 수지층(4) 내부에 매설하여 배치한 것이므로 수지층(4)의 유동에 의해 전기부품(10)의 주위에 공극이 발생하지 않는 상태로 수지층(4) 내에 전기부품(10)을 배치할 수 있다. 따라서, 수지층(4)을 경화 성형하여 절연층을 형성하면 절연층 내에 전기부품(10)이 설치된 배선판을 얻을 수 있으며 배선판의 부품 실장량을 증대시킬 수 있는 동시에 배선판으로부터의 전기부품(10)의 돌출을 억제하여 소형화를 도모할 수 있으며 또한 전기부품(10)의 실장 가능 위치가 확대됨으로써 배선 설계의 자유도 또한 증대된다. 또한 전기부품(10)이 그 주위에 공극이 발생하지 않는 상태로 절연층 내에 배치되므로 전기부품(10) 주위에 공기가 잔존하는 등의 문제가 발생하지 않아 열에 의한 부하를 받은 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기 부품의 파손,단선 등의 불량 발생을 억제할 수 있다. 또한 전기부품(10)의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 수지층(4)을 용융 연화시켜 유동시킴으로써 임의의 위치에 전기부품(10)을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 수지층(4) 혹은 수지층(4)을 경화시킨 절연층 내부의 임의의 부분에 전기부품(10)을 마련할 수 있다.

또한 배선판을 제조할 경우 상기와 같은 각 배선판용 시트재(1)는 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 채로 성형하고 복수의 배선판용 시트재(1)를 적층한 상태에서 각 수지층을 경화시킴으로써 일괄 성형하여 다층판(11)을 얻을 수 있다. 또한 수지층(4)을 C스테이지 상태로 한 배선판용 시트재(1)를 코어재로 사용하고 여기에 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 다른 배선판용 시트재(1)를 적층하여 각 수지층(4)을 경화시킴으로써 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 또한 수지층(4)을 C스테이지 상태로 한 배선판용 시트재(1)에 대하여, 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 배선판용 시트재(1)의 적층, 수지층(4)의 경화 및 필요에 따라 도체회로 및 비아의 형성을 반복 수행함으로써 다층화시키는 빌드업 공법에 의해서도 다층판(11)을 얻을 수 있다.

또한 상기와 같은 배선판용 시트재(1)와 수지층(4)을 가지며 이 수지층(4) 내에 전자재료가 매설되어 있지 않은 시트재(13)를 이용하여 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 이 경우 1개 또는 복수개 배선판용 시트재(1)와 B스테이지 상태의 수지층(4)을 갖는 1개 또는 복수개의 다른 시트재(13)를 적층하여 배치하고 이 상태에서 각 수지층을 경화시킴으로써 일괄 성형하여 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 또한 수지층(4)을 C스테이지 상태로 한 배선판용 시트재(1) 또는 다른 시트재(13)를 코어재로 사용하고 여기에 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 다른 배선판용 시트재(1)나, 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 다른 시트재(13)를 적층하여 각 수지층(4)을 경화시킴으로써 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 또한 수지층(4)을 C스테이지 상태로 한 배선판용 시트재(1) 또는 시트재(13)에 대하여, 수지층(4)을 B스테이지 상태로 유지한 배선판용 시트재(1) 또는 시트재(13)의 적층, 수지층(4)의 경화 및 필요에 따라 도체회로나 비아의 형성을 반복 수행함으로써 다층화시키는 빌드업 공법에 의해서도 다층판(11)을 얻을 수 있다.

시트재(13)로서는 다층판을 제조할 때에 사용되는 공지의 수지 부착 금속박, 프리프레그, 수지 시트, 언클래드판 등을 사용할 수 있지만 이 밖에도 회로 형성된 수지 시트나 비아 형성된 수지 시트를 사용할 수 있다.

특히 시트재(13)로서 수지층(4)에 도체회로(5)나 금속박(9), 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3) 등이 마련된 것을 사용하면 시트재(13)를 이용해 절연층과 도체회로(5), 비아홀 등을 형성할 수 있다. 이러한 시트재(13)에 대해 설명하면 다음과 같다.

도 15는 시트재(13)의 제조에 사용할 수 있는 수지층(4)의 형성 공정을 도시한 것으로서, 우선 도15 (a)에 도시된 바와 같이 캐리어 기재(7)의 일면에 상기한 수지조성물을 도포하고 가열 건조하여 반경화 상태(B스테이지 상태)로서 캐리어 기재(7)의 일면에 수지층(4)을 형성한다.

수지조성물로는 상술한 바와 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한 캐리어 기재(7)로서는 PET필름 등의 합성 수지 필름을 이용할 수 있고 또한 금속박을 이용할 수도 있다. 금속박을 이용하는 경우에는 캐리어 기재(7)를 수지층(4)으로부터 박리할 때의 박리성을 향상시키기 위해 수지층(4)이 형성되는 면을 경면상으로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 금속박으로서는 레이저 가공시에 관통홀(3) 형성이 가능한 재질이 선택되며 압연동박, 전해동박, 알루미늄박, 금속합금박, 금속클래드박 등을 이용하는 것이 바람직하다.

이 때의 가열 건조 조건은 수지 시트(4a)의 형성의 경우와 동일한 조건으로 설정할 수 있다. 또한 수지층(4)의 두께는 50∼300㎛로 형성하는 것이 바람직하다.

이와 같이 형성된 수지층(4)은 캐리어 기재(7)에 지지된 상태로서, YAG레이저나 탄산 가스 레이저 등의 레이저광의 조사에 의한 레이저 가공에 의해 도 15(b)에 도시된 바와 같이 소정의 비아홀(15)의 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)들은 수지층(4)과 캐리어 기재(7)를 동시에 관통하도록 형성되며 이 때 레이저광을 캐리어 기재(7)측에서 조사하면 수지층(4)과 캐리어 기재(7)의 층간 박리를 방지할 수 있다.

관통홀(3)을 형성한 후에는 도 15(c)에 도시된 바와 같이 캐리어 기재(7)의 외면측을 통해 관통홀(3) 내로 도전성 재료(2)를 충진한다. 이 도전성 재료(2)로서는 상술한 바와 같은 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있다. 도전성 페이스트(8)의 충진시에는 캐리어 기재(7)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내부에 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 캐리어 기재(7)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않도록 보호되며, 계속해서 도전성 페이스트(8)의 충진 후 도 15(d)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 캐리어 기재(7)를 수지층(4)으로부터 박리함으로써 수지층(4)의 관통홀(3) 내부에는 도전성 페이스트(8)가 충진되고 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 캐리어 기재(7)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하게 되므로 캐리어 기재(7)가 점착되어 있던 측의 면에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출 형성된다.

이를 통해 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13)(시트재(13f))가 얻어진다.

또한 수지층(4)으로서는 부직포에 슬러리상의 수지조성물을 함침 건조시켜 형성한 것을 채용할 수도 있다. 부직포로서는 적당한 유리 부직포, 유기섬유 부직포 등을 사용할 수 있다. 이와 같이 형성되는 수지층(4)을 사용할 경우에는 도 15에 있어서 수지층(4)의 일면에 캐리어 기재(7) 대신 보호 필름(12)을 점착하고 그 밖에는 상기와 동일하게 하여 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13)(시트재(13f))를 얻을 수 있다.

이 시트재(13f)에서의 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)은 다층판 제조시에 수지층(4)의 양면의 도체회로(5)를 도통시키는 비아(비아홀)로서 형성된다. 여기서 시트재(13f)의 수지층(4)은 B스테이지 상태이기 때문에 다층판 제조시의 적층 성형시에 쉽게 압축되고 이로 인해 도전성 재료(2)(도전성 페이스트(8))가관통홀(3) 내부에서 조밀하게 충진됨과 아울러 양면의 도체회로(5)와의 전기적 접속이 충분히 확보되어 양호한 도통 신뢰성을 유지할 수 있다.

상기와 같은 시트재(13)는 수지층(4)이 B스테이지 상태로 형성되나 이 시트재(13)를 다층판(11) 제조시의 코어재로 사용하는 등의 경우에는 수지층(4)을 C스테이지 상태로 형성해도 된다.

상기 시트재(13)에는 수지층(4) 내부에 전기부품(10)이 매설되지 않아 수지층(4)의 두께를 얇게 형성할 수 있으므로 비아가 형성되는 관통홀(3)에는 홀 도금막(18)을 형성하지 않고 도전성 페이스트(8)만으로 층간의 도통을 확보할 수 있다. 여기서, 관통홀(3)의 내면에는 도전성 재료(2)(도전성 페이스트(8))의 충진에 앞서 홀 도금막을 형성할 수도 있다.

또한, 특히 수지층(4)을 C스테이지 상태로 형성할 경우에는 도통 신뢰성을 더욱 확보하기 위해 도 15(b)과 같이 관통홀(3)을 형성한 후에 관통홀(3)의 내면에 홀 도금막(18)을 형성하고 이어서 도15(c)에 도시된 바와 같이 관통홀(3) 내부에 도전성 재료(2)(도전성 페이스트(8))를 충진시켜 도15(d)에 도시된 바와 같은 시트재(13f)를 얻을 수도 있다.

또한 상기와 같은, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13f)와 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하여 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 시트재(13f)의 수지층(4)에 전사함으로써 한면에만 도체회로(5)가 형성된 시트재(13)(회로 편면장착 시트재(13a))을 얻을 수 있다.

도 16에 회로 편면장착 시트재(13a)의 제조 공정의 일 예를 도시하였다. 여기서는 우선 도 16(a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)으로 이루어지는 시트재(13f)의 일면에, 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 관통홀(3)과 도체회로(5)의 위치를 정합시킨 상태로 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 적층 배치하여 열가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다. 이 때 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 도체회로(5)와 관통홀(3)의 위치 정합이 이루어진다.

도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상술한 바와 동일한 방법을 통해 형성된 것이 사용된다. 이 때 전사용 기재(6)로서는 배선판용 시트재(1)의 제조에 사용하는 것과 동일하게 스텐레스 재료 등의 금속재료로 형성하는 것도 가능하지만 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성할 수도 있다. 즉, 배선판용 시트재(1)의 제조시에 특히 전사용 기재(6)에 전사용의 도체회로(5)를 형성함과 동시에 전기부품(10)을 실장할 경우에는 전기부품(10)의 실장시에 필요한 납땜 가공 등에 의해 전사용 기재(6)가 고온으로 되고 또한 전기부품(10)을 수지층(4)에 매설할 때에는 수지층(4)을 충분히 용융 연화시키기 위해 고온을 가해야만 하는 경우가 발생하기 때문에 전사용 기재(6)에는 높은 내열성이 요구되지만 시트재(13)의 성형시에는 전사용 기재(6)에는 전기부품(10)이 실장되지 않으므로 배선판용 시트재(1) 제조시 정도의 내열성을 요구하지는 않게 되며 이에 의해 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성할 수 있는 것이다. 이 경우 수지 필름으로는 예를 들어 이미 알려진 PET필름, 불소계 필름 등으로서, 가열이나 UV광 등에 의해 도체회로(5)와 박리될 수 있는 접착제를 갖는 수지 필름을 사용할 수 있다.

이러한 가열 가압 성형은, 성형 후의 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건 또는 수지층(4)이 C스테이지 상태로 형성되는 조건에서 이루어지며 또한 바람직하게는 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 이루어진다.

이 성형 과정에서는 수지층(4)이 용융 연화됨으로써 유동하여 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5)가 수지층(4) 내에 매설된다. 또한, 이 때 도체회로(5)의 소정 부분이 관통홀(3)의 형성 위치에서 수지층(4) 내에 매설됨으로써 관통홀(3) 내에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내부로 밀려들어감과 동시에 관통홀(3)의 배치 위치에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨으로써 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 도전성 페이스트(8)에 의해 형성되는 관통홀(3) 내의 도전층의 도전성이 향상되어 다층판(11)의 제조시 비아홀에 의한 도체회로(5) 간의 접속 신뢰성이 향상된다.

상기한 회로 편면장착 시트재(13a)의 가열 가압 성형은, 감압하 또는 진공하 에서 실시하는 것이 바람직하며 이 경우 내부에 보이드가 쉽게 혼입될 수 없게 되므로 신뢰성이 향상된다. 또한 상기 가열 가압 성형을, 성형 후의 수지층(4) 및 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되도록 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되지 않는 조건에서 수행할 경우에는 그 조건은 수지층(4)을 구성하는 수지조성물의 조성 및 도전성 페이스트(8)의 조성에 따라 달라지는데 100∼140℃의 온도로 10분 정도 가열하는 것이 바람직하다. 또한 성형시의 압력은 용융 연화시의 수지층(4)의 유동성에 따라 설정할 필요가 있으나 예를 들어 상기 용융 연화시의 유동성이 높을 경우에는 진공 라미네이터에 의해 용이하게 형성가능하며 또한 용융 연화시의 유동성이 작을 경우에는 2.94MPa(30kgf/cm2) 정도까지 가압하여 성형할 수 있다.

이어서 도16(c)에 도시된 바와 같이 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 의해 회로 편면장착 시트재(13a)가 얻어진다. 이 회로 편면장착 시트재(13a)는 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 B스테이지 상태 또는 C스테이지 상태의 수지층(4)의 일측 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다.

전사용 기재(6)의 박리는 전사용 기재(6)를 휘게하면서 수지층(4)의 끝부분부터 떼어냄으로써 이루어질 수 있다. 이 때 두께 50∼200㎛, 특히 두께 100㎛의 스텐레스 기재를 사용하면 전사용 기재(6)는 높은 인성(靭性)을 가짐과 동시에 적당한 휨성을 가지므로 전사용 기재(6)를 휘게하여 수지층(4)이 만곡되지 않으면서 전사용 기재(6)를 용이하게 박리할 수 있어 취급성이 양호하다. 이 박리 후의 전사용 기재(6)는 탈지 등에 의한 세정 후에 다시 도체회로(5)를 형성시켜 회로 편면장착 시트재(13a)의 제조에 이용할 수 있다.

또한, 상기와 같은, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)으로 이루어지는 시트재(13f)와 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하여 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 수지층(4)에 전사함으로써 양면에 도체회로(5)가 형성된 시트재(13)(회로 양면부착 시트재(13b))를 얻을 수도 있다.

회로 양면부착 시트재(13b)의 제조 공정의 일 예를 도 17에 도시하였다. 여기서는, 우선 도 17(a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)으로 이루어지는 시트재(13f)의 양면에 상기와 같은 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 관통홀(3)과 도체회로(5)의 위치를 정합시킨 상태로 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 각각 적층 배치하고 상기한 회로 편면장착 시트재(13a)의 제조시와 같은 조건에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시키는 것으로서, 이 때 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 도체회로(5)와 관통홀(3)이 위치된다. 이 가열 가압 성형은 성형 후의 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건 또는 수지층(4)이 C스테이지 상태로 형성되는 조건에서 수행하며 바람직하게는 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 수행한다.

이 성형 과정에서는 수지층(4)이 용융 연화됨으로써 유동하여 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5)가 수지층(4) 내에 매설된다. 또한 이 때 도체회로(5)의 소정 부분이 관통홀(3)의 형성 위치에서 수지층(4) 내에 매설됨에 따라, 관통홀(3) 내에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출한 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어감과 동시에 관통홀(3)의 배치 위치에서 관통홀(3)의 양측에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨에 따라 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 도전성 페이스트(8)로 형성되는 관통홀(3) 내의 도전층의 도전성이 향상되어 다층판(11)의 제조시의 비아홀에 의한 도체회로(5) 간의 접속 신뢰성이 향상된다.

이어서 도17(c)에 도시된 바와 같이, 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 따라 회로 양면부착 시트재(13b)가 얻어진다. 이 회로 양면부착 시트재(13b)는 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 B스테이지 상태 또는 C스테이지 상태의 수지층(4)의 양측 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다.

도 18에 도시된 시트재(13)(금속박 부착 시트재(13c))의 제조 공정에서는 상기와 같은, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)으로 이루어지는 시트재(13f)와 금속박(9)을 이용하여 수지층(4)의 일면에 금속박(9)이 부착된 금속박 부착 시트재(13c) 얻을 수 있다.

여기서는, 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)으로 이루어지는 시트재(13f)의 일면에 금속박(9)을 수지층(4)과 대향하도록 적층 배치하고 상기한 경우와 동일한 조건에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다. 이 가열 가압 성형은 성형 후의 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건 또는 수지층(4)이 C스테이지 상태로 형성되는 조건에서 수행하며 더욱 바람직하게는 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8) 또한 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 수행한다.

금속박(9)으로서는 상술한 바와 동일한 것을 사용할 수 있다. 또한 이 금속박(9)의 수지층(4)이 형성되는 면은 수지층(4)과의 밀착성을 향상시키기 위해 조면으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 금속박(9)으로서 전해동박을 사용할 경우에는 전해동박에 원래부터 형성되어 있는 조면에 수지층(4)을 형성할 수 있다. 또한 금속박(9)에 대하여 표면 처리를 실시할 수도 있는데 그 표면처리로서는 예를 들어 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화 처리를 들 수 있다.

이 성형 과정에서는 금속박(9)이 관통홀(3) 내에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는, 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출한 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 조밀하게 충진되며 이에 따라 도전성 페이스트(8)로 형성되는 관통홀(3) 내의 도전층의 도전성이 향상되어 다층판(11) 제조시의 비아홀(15)에 의한 도체회로(5) 간의 접속 신뢰성이 향상된다.

도 19에 시트재(13)의 제조 공정의 또 다른 예가 도시되어 있다. 도 19의 시트재(13)(금속박·회로 부착 시트재(13d))는 금속박(9)의 일면에 B스테이지 상태 또는 C스테이지 상태의 수지층(4)을 형성하고 이 수지층(4)에 도체회로(5)를 전사하여 형성된다.

여기서는 우선 금속박(9)의 표면에 B스테이지 상태의 수지층(4)을 형성한다.이 수지층(4)은 상술한 바와 동일한 수지조성물을 금속박(9)에 도포하고 가열 건조함으로써 형성된다.

금속박(9)으로서는, 상술한 바와 동일한 것을 사용할 수 있으며 또한 수지층(4)이 형성되는 면은 수지층(4)과의 밀착성을 향상시키기 위해 조면으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 금속박(9)으로서 전해동박을 사용할 경우에는 전해동박에 원래부터 형성되어 있는 조면에 수지층(4)을 형성할 수 있다. 또한 금속박(9)에 대하여 표면 처리를 실시할 수도 있는데 그 표면처리로서는, 예를 들어 흑화 처리, 알마이트 처리 등에 의한 조면화 처리를 들 수 있다. 또한 이 금속박(9)은 두께 10∼150㎛의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 수지층(4)의 두께는 50∼300㎛로 하는 것이 바람직하다.

이어서 상술한 바와 같은 표면에 전사용의 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하여 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 수지층(4)에 전사한다. 이 때 도 19(a) 및 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 수지층(4)의 일면(금속박(9)이 부착되지 않은 측의 면)에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 각각 적층 배치하고 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시킨다. 이 가열 가압 성형은 성형 후의 수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건 또는 수지층(4)이 C스테이지 상태로 형성되는 조건에서 수행한다.

이 성형 과정에서는 수지층(4)이 용융 연화됨으로써 유동하여 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5)가 수지층(4) 내에 매설된다.

이어서 도19(c)에 도시된 바와 같이 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 따라 금속박·회로 부착 시트재(13d)가 얻어진다. 금속박·회로 부착 시트재(13d)는 B스테이지 상태 또는 C스테이지 상태의 수지층(4)의 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 그 표면은 요철없이 평탄하게 형성된다.

도 20 및 도 21에 도시된 시트재(13)(금속박·회로 부착 시트재(13e))의 제조 공정에서는, 우선 상기한 경우와 동일한 방법에 의해 금속박(9)의 표면에 수지층(4)을 형성한 후 도체회로(5)를 형성하기 전에 도 20(b)에 도시된 바와 같이 금속박(9)이 배치되어 있는 면과 반대측 면에서 수지층(4)의 표면에 보호 필름(12)을 배치한다. 보호 필름(12)으로서는 상술한 바와 동일한 것을 이용할 수 있다.

이어서 도 20(c)에 도시된 바와 같이 레이저 가공에 의해 수지층(4)의 소정의 비아홀(15) 형성 위치에 관통홀(3)이 형성된다. 이 관통홀(3)들은 수지층(4)과 보호 필름(12)을 동시에 관통하도록 형성되며 이 때 레이저광을 보호 필름(12)측에서 조사함으로써 수지층(4)과 보호 필름(12)의 층간 박리를 방지할 수 있다. 동시에 금속박(9)에는 개구가 형성되지 않도록 레이저광이 조사된다.

관통홀(3)을 형성한 후에는 도 20(d)에 도시된 바와 같이 보호 필름(12)의 외면측에서 관통홀(3) 내부로 도전성 재료(2)를 충진한다. 도전성 재료(2)의 충진에 앞서 관통홀(3)의 내면에 홀 도금막을 형성하는 것도 가능하다. 이러한 도전성 재료(2)로서는 상기한 경우와 같은 도전성 페이스트(8)를 사용할 수 있다. 도전성페이스트(8)의 충진시에는 보호 필름(12)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(3)의 개구를 통해 관통홀(3) 내부로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다. 이 때 보호 필름(12)에 의해 수지층(4)의 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않도록 보호된다.

이어서 도전성 페이스트(8)의 충진 후 도 20(e)에 도시된 바와 같이 외면에 도전성 페이스트(8)가 부착된 보호 필름(12)을 수지층(4)으로부터 박리함으로써 수지층(4)은 관통홀(3) 내부에는 도전성 페이스트(8)가 충진되고 외면에는 도전성 페이스트(8)가 부착되지 않은 상태가 된다. 또한 보호 필름(12)의 관통홀(3)에 충진되어 있던 도전성 페이스트(8)가 잔존하므로 보호 필름(12)이 점착되어 있던 측의 면에서는 수지층(4)의 관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 밖으로 돌출 형성된다.

이와 같은 표면에 대해 도 21에 도시된 바와 같이 전사용의 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하여 도체회로(5)를 전사용 기재(6)로부터 수지층(4)에 전사한다. 이 때 도 21(a) 및 도 21(b)에 도시된 바와 같이 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 수지층(4)의 일면(금속박(9)이 부착되지 않은 측의 면)에 상기와 같은 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 관통홀(3)과 도체회로(5)의 위치를 정합시킨 상태로 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 각각 적층 배치하고 상기한 경우와 동일한 조건에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 일체화시키는데 이 때 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 도체회로(5)와 관통홀(3)이 위치된다. 이 가열 가압 성형은 성형 후의수지층(4)이 B스테이지 상태로 유지되는 조건 또는 수지층(4)이 C스테이지 상태로 형성되는 조건에서 수행하며 더욱 바람직하게는 관통홀(3) 내의 도전성 페이스트(8)가 B스테이지 상태로 유지되는 조건에서 수행한다.

이 성형 과정에서는 수지층(4)이 용융 연화됨으로써 유동하여 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5)가 수지층(4) 내에 매설된다. 또한, 이 때 도체회로(5)의 소정 부분이 관통홀(3)의 형성 위치에서 수지층(4) 내에 매설됨으로서 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)와 전기적으로 접속된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출한 부분이 관통홀(3) 내부로 밀려들어감과 동시에 관통홀(3)의 배치 위치에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨에 따라 더욱 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 도전성 페이스트(8)로 형성되는 관통홀(3) 내의 도전층의 도전성이 향상되어 다층판(11) 제조시의 비아홀(15)에 의한 도체회로(5) 간의 접속 신뢰성이 향상된다.

이어서 도 21(c)에 도시된 바와 같이 전사용 기재(6)를 수지층(4)으로부터 박리함과 동시에 도체회로(5)를 수지층(4)에 잔존시키게 되며 이에 따라 금속박·회로 부착 시트재(13e)가 얻어진다. 이 금속박·회로 부착 시트재(13e)는 도전성 재료(2)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 B스테이지 상태 또는 C스테이지 상태의 수지층(4)의 표층에 도체회로(5)가 수지층(4)의 표면에 노출되도록 매설 형성되어 있고 수지층(4)의 외면과 도체회로(5)의 노출면이 일치하게 되어 그 표면이 요철없이 평탄하게 형성된다.

이하, 상기와 같은 배선판용 시트재(1) 및 시트재(13)를 이용한 다층판(11)의 구체적인 제조 공정이 설명되는데 본 발명의 다층판(11)은 이하와 같은 공정으로 제조되는 것에 한정되지 않고 복수의 배선판용 시트재(1) 혹은 적어도 1개의 배선판용 시트재(1)와 상술한 기타 시트재(13)를 적절히 조합하고 이것들을 적층 일체화함으로써 다양한 구성의 다층판을 얻을 수 있다. 이 때 배선판용 시트재(1)나 기타 시트재(13)를 도체회로(5) 또는 금속박(9)이 형성되어 있는 면과, 금속박(9) 또는 도체회로(5)가 형성되어 있는 면, 관통홀(3)의 개구가 형성되어 있는 면, 혹은 금속박(9) 및 도체회로(5) 모두 형성되지 않은 면을 대향시켜 적층할 수 있다.

도 22에 도시된 예에서는, 도 5에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1d)와, 도 6에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1e)와, 도18에 도시된 공정을 통해 얻어지는 금속박 부착 시트재(13c)를 1개씩 사용하고 이것들을 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 먼저 배선판용 시트재(1e)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면과 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면을 대향시킴과 아울러 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면과 금속박 부착 시트재(13c)의 금속박(9)이 부착되지 않은 면을 대향시킨 상태로 적층 배치시킨다. 이 때 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1d), (1e) 및 금속박 부착 시트재(13c)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화시킴으로써 배선판용 시트재(1e)와 (1d) 사이 및 배선판용 시트재(1d)와 금속박 부착 시트재(13c) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 동시에 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진시킨 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이 혹은 금속박(9)과 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 이 때 시트재(1e)의 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)는 이미 언급한 바와 같이 미리 도체회로(5)와 금속박(9) 사이를 접속시키고 있으므로 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되어 비아홀(15)이 형성된다. 또한 시트재(1e) 및 (1d) 사이의 계면에서는 상기 일체 성형시에 시트재(1e)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(1d)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5)사이를 접속시키고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한, 시트재(1d)와 금속박 부착 시트재(13c) 사이의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 시트재(1d)의 도체회로(5)의 소정 부분이 금속박 부착 시트재(13c)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5)와 금속박(9) 사이를 접속시키고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

이 때, 배선판용 시트재(1e) 및 금속박 부착 시트재(13c)의 경우 상술한 바와 같이 관통홀(3) 내부에는 미리 도전성 페이스트(8)가 조밀하게 충진되어 있기때문에 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다. 또한, 배선판용 시트재(1d)의 경우에는 도전성 페이스트(8)는 관통홀(3)의 개구를 통해 돌출되어 있으며 이 도전성 페이스트(8)의 돌출 부분은, 상기한 일괄 성형시에 가압에 의해 관통홀(3) 내에 밀려들어가 조밀하게 충진되며 이에 따라 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다.

이러한 가열 가압 성형은 B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 수지층(4)을 구성하는 수지조성물의 조성에 따라 달라지는데 가열 온도 160∼185℃, 가압력 0.3∼5MPa의 조건으로 60∼90분간 성형을 실시하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은, 도 22(b)에 도시된 바와 같이, 양측의 최외층에 각각 금속박(9)이 마련됨과 아울러 내층에는 2층의 도체회로(5)가 마련되고 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 중 2층의 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

또한 외면의 금속박(9)에 대하여 에칭 처리 등을 추가로 실시하여 양측의 외층에 각각 도체회로(5)를 형성하여 도 22(c)에 도시된 바와 같이 4층의 도체회로(5)를 갖는 다층판(11)을 얻을 수도 있다.

도 23에 도시된 예에서는, 도7에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1f)와, 도16에 도시된 공정을 통해 얻어지는 회로 편면장착 시트재(13a)와, 도18에 도시된 공정을 통해 얻어지는 금속박 부착 시트재(13c)를 1개씩 사용하고 이것들을 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 먼저 금속박 부착 시트재(13c)의 금속박(9)이 형성되지 않은 면과 배선판용 시트재(1f)의 일면(전기부품(10)이 실장되어 있지 않은 도체회로(5)가 형성되어 있는 면)을 대향시킴과 동시에 배선판용 시트재(1f)의 다른 면(전기부품(10)이 실장되어 있는 도체회로(5)가 형성되어 있는 면)과 회로 편면장착 시트재(13a)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면을 대향시킨 상태로 이것들을 적층 배치한다. 이 때 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1f), 회로 편면장착 시트재(13a) 및 금속박 부착 시트재(13c)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 금속박 부착 시트재(13c)와 배선판용 시트재(1f) 사이 및 배선판용 시트재(1f)와 회로 편면장착 시트재(13a) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 동시에 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이 혹은 금속박(9)과 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 이 때 시트재(1f)의 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)는 이미 언급한 바와 같이 미리 도체회로(5) 사이를 접속시키고 있으므로 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1f)와 금속박 부착 시트재(13c) 사이의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1f)의 도체회로(5)의 소정 부분이금속박 부착 시트재(13c)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한, 배선판용 시트재(1f)와 회로 편면장착 시트재(13a) 사이의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1f)의 도체회로(5)의 소정 부분이 회로 편면장착 시트재(13a)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5)와 금속박(9) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

또한 이 때, 배선판용 시트재(1f), 회로 편면장착 시트재(13a) 및 금속박 부착 시트재(13c)의 경우에는 상술한 바와 같이 관통홀(3) 내부에 미리 도전성 페이스트(8)가 조밀하게 충진되어 있으므로 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다.

이러한 가열 가압 성형은 B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 23(b)에 도시된 바와 같이 일측의 최외층에 금속박(9)이 타측의 최외층에 도체회로(5)가 각각 마련됨과 아울러 내층에는 2층의 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 중 한 층의 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

또한 외면의 금속박(9)에 대하여 에칭 처리 등을 추가로 실시하여 양측의 외층에 각각 도체회로(5)를 형성하여 도 23(c)에 도시된 바와 같이 4층의 도체회로(5)를 갖는 다층판(11)을 얻을 수도 있다.

도 24에 도시된 예에서는 도 5에 도시된 공정을 통해 얻어지는 2개의 배선판용 시트재(1d)와 도7에 도시된 공정을 통해 얻어지는 1개의 배선판용 시트재(1f)를 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 우선 일측의 배선판용 시트재(1d)와 배선판용 시트재(1f)를, 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면과 배선판용 시트재(1f)의 일면(전기부품(10)이 실장되지 않은 도체회로(5)가 형성되어 있는 측의 면)을 대향시킴과 동시에 배선판용 시트재(1f)와 타측의 배선판용 시트재(1d)를, 배선판용 시트재(1f)의 다른 면(전기부품(10)이 실장되어 있는 도체회로(5)가 형성되어 있는 측의 면)과 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 면을 대향시킨 상태로 상호 적층 배치한다. 이 때 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 2개의 배선판용 시트재(1d)와 1개의 배선판용 시트재(1f)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 일측의 배선판용 시트재(1d)와 배선판용 시트재(1f) 사이 및 배선판용 시트재(1f)와 타측의 배선판용 시트재(1d) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 동시에 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 이 때 배선판용 시트재(1f)의 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)는 이미 언급한 바와 같이 미리 도체회로(5) 사이를 접속시키고 있으며 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트 시트재(1f)와 각 배선판용 시트재(1d) 각각의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1f)의 도체회로(5)의 소정 부분이 각 배선판용 시트재(1d)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

또한 이 때 배선판용 시트재(1f)의 경우에는 상술한 바와 같이 관통홀(3) 내부에 미리 도전성 페이스트(8)가 조밀하게 충진되어 있으므로 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다. 또한, 배선판용 시트재(1d)의 경우에는 도전성 페이스트(8)가 관통홀(3)의 개구를 통해 돌출되어 있고 이 도전성 페이스트(8)의 돌출 부분은 상기한 일괄 성형시에 가압에 의해 관통홀(3) 내부로 밀려들어가 조밀하게 충진되며 이에 따라 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 24(b)에 도시된 바와 같이, 양측의 최외층에 각각 도체회로(5)가 형성됨과 동시에 내층에도 2층의 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 모두 내부에 전기부품(10)이 배치되어 있다.

도 25에 도시된 예에서는 도 3에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1b)와, 도 5에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1d)와, 도16에 도시된 공정을 통해 얻어지는 회로 편면장착 시트재(13a)를 각각 1개씩 사용하여 이것들을 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 우선 배선판용 시트재(1d)와 배선판용 시트재(1b)를, 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면과 배선판용 시트재(1b)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시킴과 아울러 배선판용 시트재(1b)와 회로 편면장착 시트재(13a)를, 배선판용 시트재(1b)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 회로 편면장착 시트재(13a)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 면을 대향시킨 상태로 상호 적층 배치한다. 이 때 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1d), 배선판용 시트재(1b) 및 회로 편면장착 시트재(13a)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1d)와 배선판용 시트재(1b) 사이 및 배선판용 시트재(1b)와회로 편면장착 시트재(13a) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러, 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5)사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 이 때 배선판용 시트재(1b)의 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)는 이미 언급한 바와 같이 미리 도체회로(5) 사이를 접속시키고 있으며 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1d)와 배선판용 시트재(1b)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1b)의 도체회로(5)의 소정 부분이 배선판용 시트재(1d)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한, 배선판용 시트재(1b)와 회로 편면장착 시트재(13a)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1b)의 도체회로(5)의 소정 부분이 회로 편면장착 시트재(13a)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트(8)가 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

또한 이 때 회로 편면장착 시트재(13a)의 경우에는 상술한 바와 같이 관통홀(3) 내부에 미리 도전성 페이스트(8)가 조밀하게 충진되어 있기 때문에 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1b) 및 배선판용 시트재(1d)의 경우에는 도전성 페이스트(8)가 관통홀(3)의 개구를 통해 돌출되어 있고 이 도전성 페이스트(8)의 돌출 부분은, 상기한 일괄 성형시에 가압에 의해 관통홀(3) 내부로 밀려들어가 조밀하게 충진되며 이에 의해 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다.

이러한 가열 가압 성형은, B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 25(b)에 도시된 바와 같이, 양측의 최외층에 각각 도체회로(5)가 형성됨과 동시에 내층에도 2층의 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 중 2층의 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

도 26에 도시된 예에서는, 도7에 도시된 공정을 통해 얻어지는 1개의 배선판용 시트재(1f)와, 도16에 도시된 공정을 통해 얻어지는 2개의 회로 편면장착 시트재(13a)를 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 우선 일측의 회로 편면장착 시트재(13a)와 배선판용 시트재(1f)를, 회로 편면장착 시트재(13a)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면과 배선판용 시트재(1f)의 일면(전기부품(10)이 실장되어 않지 않은 도체회로(5)가 형성되어 있는 측의 면)을 대향시킴과 아울러 배선판용 시트재(1f)와 타측의 회로 편면장착 시트재(13a)를, 회로 편면장착 시트재(1f)의 다른 면(전기부품(10)이 실장되어 있는 도체회로(5)가 형성되어 있는 면)과 회로 편면장착 시트재(13a)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면을 대향시킨 상태로 상호 적층 배치한다. 이 때 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 2개의 회로 편면장착 시트재(13a)와 1개의 배선판용 시트재(1f)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 일측의 회로 편면장착 시트재(13a)와 배선판용 시트재(1f) 사이 및 배선판용 시트재(1f)와 타측의 회로 편면장착 시트재(13a) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 이 때 배선판용 시트재(1f)의 관통홀(3) 내부에 충진된 도전성 페이스트(8)는 이미 언급한 바와 같이 미리 도체회로(5) 사이를 접속시키고 있으며 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 각 회로 편면장착 시트재(13a)와 배선판용 시트재(1f)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1f)의 도체회로(5)의 소정 부분이 각 회로 편면장착 시트재(13a)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 이 도전성 페이스트가 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

또한 이 때, 배선판용 시트재(1f) 및 각 회로 편면장착 시트재(13a)의 경우에는 상술한 바와 같이 관통홀(3) 내부에 미리 도전성 페이스트(8)가 조밀하게 충진되어 있으므로 도전성이 높고 접속 신뢰성이 높은 비아홀(15)이 형성된다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 26(b)에 도시된 바와 같이 양측의 최외층에 각각 도체회로(5)가 형성됨과 아울러 내층에도 2층의 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 중 한 층의 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

이와 같은 과정을 통해 다층판(11)을 제조하면 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층함으로써 성형 과정 중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)에 변형이 발생하지 않게 되어 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아지게 된다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함으로써 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형에 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시에 각 층의 도체회로(5)에 열이력 차이가 발생하지 않게 되어 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한, 비아홀(15)이 형성된 절연층(16)에 대하여 임의의 부분에 도체회로(5)를 형성할 수 있어 배선 설계의 자유도가 높아지게 되고 비아 온 비아 구조나 패드 온 비아 구조를 용이하게 형성할 수 있고 회로의 미세화·고밀도화가 용이해져 배선판의 소형화, 박형화를 달성할 수 있고 또한 신호 경로의 단축화를 도모할 수 있다.

또한, 양면에 도체회로가 형성된 배선판용 시트재(1)와, 시트재(13)와, 금속박(9)을 이용하여 배선판용 시트재(1)의 양면에 적어도 1개의 시트재(13)를 적층 함과 동시에 최외층에 금속박(9)을 배치하여 적층 일체화한 후, 경화 후의 적층체를 관통하는 관통홀을 형성함과 동시에 관통홀 내에 홀 도금막(18)을 형성하고 이어서 최외층의 금속박(9)의 표면에 에칭 처리를 실시함으로써 도체회로(5)를 형성하여 다층판(11)을 제조할 수도 있다. 그 일 예를 도 27에 도시하였다.

도 27에 도시된 예에서는, 도1에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1a) 1개와, 도15에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13f) 2개와, 금속박(9)을 2개 사용하며 이것들을 적층 일체화시킨다.

금속박(9)으로서는 동박 등 적당한 것을 이용하면 되는데 일 예로 도 6에 도시된 배선판용 시트재(1e)를 제조하는 경우와 동일한 것을 이용할 수 있다.

도시된 예에서는, 우선 배선판용 시트재(1a)의 양측에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에, 각 시트재(13f)의 외측에 각각 금속박(9)을, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 금속박(9)의 조면이 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 각 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1a), 시트재(13f) 및 금속박(9)이 일괄적으로 적층 성형된다.

이 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f) 사이 및 시트재(13f)와 금속박(9) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨과 아울러 시트재(13f)와 금속박(9)의 계면에서는 금속박(9)이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5)와 금속박 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다.

이어서 얻어진 적층체의 소정 부분에 레이저 가공 등에 의해 그 적층 방향으로 관통하는 관통홀(19)을 형성한다. 이 관통홀(19)은 각 수지층(4)(절연층(16))과 금속박(9)을 관통하도록 형성되며 필요에 따라 내층의 도체회로(5)(배선판용 시트재(1a)에 전사된 도체회로(5))의 소정 부분을 관통하도록 형성된다.

계속해서, 형성된 관통홀(19)의 내면에 무전해 도금 처리를 실시함과 동시에 필요에 따라 전해 도금 처리를 실시하여 동도금 등의 홀 도금막(18)을 형성한 후 최외층의 금속박(9)에 에칭 처리를 실시하여 최외층에 도체회로(5)를 형성한다(도 27(c)).

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 27(c)에 도시된 바와 같이 양측의 최외층에 각각 금속박(9)의 에칭 처리에 의한 도체회로(5)가 형성됨과 동시에 내층에도 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 2층의 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 3층의 절연층(16) 중 한 층의 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

상기한 바와 같이 다층판(11)을 제조하면 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)에 변형이 발생하지 않게 되어 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아지게 된다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형에 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로(5)에 열이력 차이가 발생하지 않게 되어 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한, 비아홀(15)이 형성된 절연층(16)에 대하여 임의의 부분에 도체회로(5)를 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 높게 되므로 비아 온 비아 구조나 패드 온 비아 구조를 용이하게 형성할 수 있고 회로의 미세화·고밀도화가 용이해져 배선판의 소형화, 박형화를 달성할 수 있으며 또한 신호 경로의 단축화도 도모할 수 있다.

또한 외층의 도체회로(5)를 수지층(4)의 경화에 의한 절연층(16) 형성 후의 금속박(9)의 에칭 처리에 의해 형성함으로써 상기 외층의 도체회로(5)의 박리 강도가 향상되고 랜드 강도가 커져 상기 외층의 도체회로(5)에 부품을 실장할 경우 유지 능력이 향상된다.

또한 적층 성형 후에 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀을 형성할 수 있어 배선 설계의 자유도 또한 향상된다.

이러한 적층 성형 후의, 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀의 형성은 본 실시의 형태에 한정되지 않고 다층판(11)을 제조하는 모든 배선판용 시트재(1) 및 시트재(13)의 조합시에 쓰루홀을 형성할 수 있다.

또한, 적층 일체화 후 적층체를 관통하는 관통홀(19)을 형성하고, 관통홀(19) 내면에 홀 도금막(18)을 형성한 후 이 관통홀(19) 내부에 도전성 페이스트(8)를 충진함으로써 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀을 형성할 수도 있다. 이 경우, 예를 들어 양면에 도체회로(5)가 형성된 배선판용 시트재(1)와, 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13)와, 표면에 도체회로(5)가 마련된 전사용 기재(6)를 사용하고 적어도 1개의 시트재(13)를 배선판용 시트재(1)의 일면 또는 양면에 적층함과 동시에 또한 그 외층에 전사용 기재(6)를 도체회로(5)와 시트재(13)가 대향하도록 적층하여 적층 일체화한 후 전사용 기재(6)를 박리하고 이어서 적층체의 양면에 보호 필름(12)을 적층한 상태에서 경화 후의 적층체를 관통하는 관통홀(19)을 형성하고 관통홀(19) 내부에 홀 도금막(18)을 형성함과 동시에 도전성 페이스트(8)를 충진시킨 후 보호 필름(12)을 박리함으로써 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 그 일예를 도 28에 도시하였다.

도 28에 도시된 예에서는, 양면에 도체회로(5)가 형성된 배선판용 시트재(1)(도 28의 예에서는 도1에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1a))와 도15에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13f)와, 표면에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하고 이것들을 적층 일체화시킨다.

도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상술한 바와 같은 방법을 통해 형성된 것이 사용된다. 이 때 전사용 기재(6)로서는 배선판용 시트재(1)의 제조에 사용되는 것과 동일하게 스텐레스 재료 등의 금속재료로 형성하는 것도 가능하지만 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성할 수도 있다. 즉, 배선판용 시트재(1)의 제조시에 특히 전사용 기재(6)에 전사용 도체회로(5)를 형성함과 동시에 전기부품(10)을 실장할 경우에는 전기부품(10)의 실장시에 필요한 납땜 가공 등에 의해 전사용 기재(6)가 고온으로 되고 또한 전기부품(10)을 수지층(4)에 매설할 경우에는 수지층(4)을 충분히 용융 연화시키기 위해 고온을 가해야만 하는 경우가 발생하므로 전사용 기재(6)에는 높은 내열성이 요구되지만 본 다층판(11)의 형성시에는 전사용 기재(6)에는 전기부품(10)이 실장되지 않으므로 배선판용 시트재(1)의 제조시 정도의 내열성을 요구하지는 않게 되며 이에 의해 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성할 수 있는 것이다. 이 경우, 수지 필름으로서는, 예를 들어 이미 알려진 PET필름, 불소계 필름 등으로서, 가열이나 UV광 등에 의해 도체회로(5)와 박리될 수 있는 접착제를 갖는 수지 필름을 이용할 수 있다.

도시된 예에서는, 먼저 배선판용 시트재(1a)의 일측 또는 양측(도면에서는 일측)에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에, 시트재(13f)의 외측에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어짐과 동시에 시트재(13f)와 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)의 대향면에서도 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1a), 시트재(13f) 및 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f) 사이 및 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 이 때, 전사용 기재(6)에 마련된도체회로(5)는 시트재(13f)의 수지층(4)이 용융 연화되어 유동함으로써 이 수지층(4) 내에 매설된다.

또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨과 아울러 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5)의 계면에서는 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출한 부분이 관통홀(3) 내에 밀려들어감과 동시에 관통홀(3)의 배치 위치에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨에 따라 더욱 밀려들어가 관통홀(3) 내에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀(15)의 도전성이 향상된다.

이어서, 얻어진 적층체로부터 전사용 기재(6)를 박리한 후, 양면에 보호 필름(12)을 적층하여 배치하고 그 상태에서 소정 부분에 레이저 가공 등에 의해 그적층 방향으로 관통하는 관통홀(19)을 형성한다. 이 관통홀(19)은 각 수지층(4)(절연층(16))을 관통하도록 형성되며 또한 필요에 따라 배선판용 시트재(1a)에 전사되어 있던 도체회로(5)나 최외층에 새롭게 전사한 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하도록 형성된다.

이어서, 형성된 관통홀(19)의 내면에 무전해 도금 처리를 실시함과 동시에 필요에 따라 전해 도금 처리를 실시하여 동도금 등의 홀 도금막(18)을 형성한 후 보호 필름(12)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(19)의 개구를 통해 관통홀(19) 내부로 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다.

이어서 양면의 보호 필름(12)을 박리한 후 필요에 따라 가열을 실시함으로써 관통홀(19) 내에 도전성 페이스트(8)를 경화시켜 쓰루홀을 형성한다.

이와 같이 하여 얻어진 다층판(11)은 도 28(c)에 도시된 바와 같이 양측의 최외층에 각각 수지층(4)(절연층(16))에 매설되고 그 표면에 노출되는 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 내층에도 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 도체회로(5)가 마련되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 한 층의 절연층(16) 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

상기한 바와 같이 다층판(11)을 제조하면 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)에 변형이 발생하지 않아 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이걸리지 않게 되고 또한 성형시 각 층의 도체회로(5)에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한, 비아홀(15)이 형성된 절연층(16)에 대하여 임의의 부분에 도체회로(5)를 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 높아져 비아 온 비아 구조나 패드 온 비아 구조를 용이하게 형성할 수 있고 회로의 미세화·고밀도화가 용이하게 되어 배선판의 소형화, 박형화를 달성할 수 있으며 또한 신호 경로의 단축화를 도모할 수 있다.

또한 적층 성형 후에 다층판 전체를 관통하는 쓰루홀을 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 더욱 향상된다. 또한 특히 이 쓰루홀은 홀 도금막(18)과 도전성 페이스트(8)에 의해 도전성이 확보되므로 도통 신뢰성이 높아진다.

이러한 적층 성형 후에 다층판(11) 전체를 관통하도록 형성되는 쓰루홀은 본 실시의 형태의 것에 한정되지 않고 다층판(11)을 제조하는 모든 배선판용 시트재(1) 및 시트재(13)의 조합시에 이것들를 적층 일체화한 적층체의 전체를 관통하는 관통홀(19)을 형성하고 관통홀(19) 내면에 홀 도금막(18)을 형성한 후 이 관통홀(19) 내부에 도전성 페이스트(8)를 충진함으로써 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀을 형성할 수 있다. 이 때 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀은 경로는 길어지지만 홀 도금막(18)과 도전성 페이스트(8)를 병용함으로써 우수한 도통 신뢰성을 확보할 수 있다.

또한, 도 28에 도시된 실시 형태에 있어서, 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하지 않도록 함과 동시에 시트재(13f) 대신 도16에 도시된 시트재(13a)를 사용할 수도 있다. 또한 배선판용 시트재(1)의 양면에 시트재(13)를 적층할 경우에는 배선판용 시트재(1)의 일면에 시트재(13f)와 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 적층하고 배선판용 시트재(1)의 다른 면에는 도 16에 도시된 시트재(13a)를 적층할 수도 있다. 그 일 예를 도 29에 도시하였다.

도 29에 도시된 예에서는 양면에 도체회로(5)가 형성된 배선판용 시트재(1)(도 29의 예에서는 도1에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1a))와, 도15에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13f)와, 도16에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13a)와, 표면에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하고, 이것들을 적층 일체화시킨다.

도시된 예에서는, 먼저 배선판용 시트재(1a)의 일면에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에 시트재(13f)의 외측에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어짐과 동시에 시트재(13f)와 전사용 기재(6)에 형성된 도체회로(5)의 대향면에서도 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

또한, 배선판용 시트재(1a)의 다른 면에 시트재(13a)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13a)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 하여 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13a)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합을 수행한다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1a), 시트재(13a), 시트재(13f) 및 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f) 사이의 계면, 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5) 사이의 계면, 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13a)의 계면이 각각 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 이 때, 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)는 시트재(13f)의 수지층(4)이 용융 연화되어 유동됨에 따라 이 수지층(4) 내에 매설된다.

또한 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 계면 및 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13a)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f), (13a)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속되고 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5)의 계면에서는 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 도전성 페이스트(8)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출한 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어감과 동시에 특히 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 계면에서는 관통홀(3)의 배치 위치에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨에 따라 더욱 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀(15)의 도전성이 향상된다.

이 가열 가압 성형은 B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이어서, 얻어진 적층체로부터 전사용 기재(6)를 박리한 후 양면에 보호 필름(12)을 적층하여 배치하고 그 상태에서 소정 부분에 레이저 가공 등에 의해 그 적층방향으로 관통되는 관통홀(19)을 형성한다. 이 관통홀(19)은 각 수지층(4)(절연층(16))을 관통하도록 형성되며 또한 필요에 따라 배선판용 시트재(1a)나 시트재(13a)에 전사되어 있던 도체회로(5)나 외층에 새롭게 전사한 도체회로(5)의 소정 부분을 관통하도록 형성된다.

이어서, 형성된 관통홀(19)의 내면에 무전해 도금 처리를 실시함과 동시에 필요에 따라 전해 도금 처리를 실시하여 동도금 등의 홀 도금막(18)을 형성한 후, 보호 필름(12)의 외면에 도전성 페이스트(8)를 도포함으로써 관통홀(19)의 개구를통해 관통홀(19)내에 도전성 페이스트(8)가 충진되도록 한다.

이어서 양면의 보호 필름(12)을 박리한 후, 필요에 따라 가열을 실시함으로써 관통홀(19) 내부에 도전성 페이스트(8)를 경화시켜 쓰루홀을 형성한다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 29(c)에 도시한 바와 같이 양측의 최외층에 각각 수지층(4)(절연층(16))에 매설되고 그 표면으로 노출되는 도체회로(5)가 마련됨과 동시에 내층에도 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 한 층의 절연층(16) 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

또한, 도 11에 도시된 공정을 통해 얻어진 배선판용 시트재(1)와, 도 15(c)에 도시된 바와 같은 시트재(13f)와, 도체회로(5)가 마련된 전사용 기재(6)를 사용하여 배선판용 시트재(1)의 일면 또는 양면에 적어도 1개의 시트재(13f)를 적층 함과 동시에 또한 그 외층에 전사용 기재(6)를, 그 도체회로(5)와 시트재(13f)가 대향하도록 적층하여 적층 일체화한 후 전사용 기재(6)를 박리함으로써 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 또한 이 때 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하지 않도록 함과 동시에 시트재(13f) 대신 도16에 도시된 시트재(13a)를 사용하여 시트재(13a) 및 배선판용 시트재(1)와 시트재(13a)에 마련된 도체회로(5)가 외면측에 배치되도록 적층할 수도 있다. 또한, 배선판용 시트재(1)의 양면에 시트재(13)를 적층할 경우에는 배선판용 시트재(1)의 일면에 시트재(13f)와 도체회로(5)를 마련한 전사용 기재(6)를 적층하고, 배선판용 시트재(1)의 다른 면에는 도 16에 도시된 시트재(13a)를 적층할 수도 있다. 그 일 예를 도 30에 도시하였다.

도 30에 도시된 예에서는 도11에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1k)와, 도15에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13f)와, 도16에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13a)와, 표면에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 사용하고 이것들을 적층 일체화시킨다. 도시된 예에서는 배선판용 시트재(1k)로서 양면의 도체회로(5) 중 일측의 도체회로(5)에만 전기부품(10)이 실장되어 있는 것을 사용하고 있으나 물론 양측의 도체회로(5)에 각각 전기부품(10)이 실장되어 있는 것을 사용할 수도 있다.

도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상술한 바와 같은 방법을 통해 형성된 것이 사용된다. 이 때 전사용 기재(6)로서는 배선판용 시트재(1)의 제조에 사용하는 것과 동일하게 스텐레스 재료 등의 금속재료로 형성할 수도 있으나 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 배선판용 시트재(1)의 제조시 특히 전사용 기재(6)에 전사용의 도체회로(5)를 형성함과 동시에 전기부품(10)을 실장할 경우에는 전기부품(10) 실장시의 납땜 가공 등에 의해 전사용 기재(6)가 고온이 되며 또한 전기부품(10)을 수지층(4)에 매설할 때에는 수지층(4)을 충분히 용융 연화시키기 위해 고온을 가해야만 하는 경우가 발생할 수 있으며 이로 인해 전사용 기재(6)에는 높은 내열성이 요구되지만, 본 다층판(11)의 형성시에는 전사용 기재(6)에는 전기부품(10)이 실장되지 않으므로 배선판용 시트재(1)의 제조시 정도의 내열성이 요구되지는 않으며 이에 의해 전사용 기재(6)를 수지 필름으로 형성할 수 있는 것이다. 이 경우 수지 필름으로서는 예를 들어 이미 알려진 PET필름, 불소계 필름 등으로서, 가열이나 UV광 등에 의해 도체회로(5)로부터 박리될 수 있는 접착제를 갖는 수지 필름을 이용할 수 있다.

도시된 예에서는, 우선 배선판용 시트재(1k)의 일면에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에 시트재(13f)의 외측에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어짐과 동시에 시트재(13f)와 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)의 대향면에서도 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

또한, 배선판용 시트재(1k)의 다른 면에 시트재(13a)를, 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13a)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 하여 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13a)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합을 수행한다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1k), 시트재(13a), 시트재(13f) 및 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)가 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f) 사이의 계면, 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5) 사이의 계면, 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13a)의 계면이 각각 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 이 때, 전사용 기재(6)에 마련된 도체회로(5)는 시트재(13f)의 수지층(4)이 용융 연화되어 유동됨에 따라 이 수지층(4) 내에 매설된다.

또한 시트재(13f), (13a)의 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f)의 계면 및 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13a)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f), (13a)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨과 아울러 시트재(13f)와 (전사용 기재(6)에 마련된)도체회로(5)의 계면에서는 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 이 도전성 페이스트(8)는, 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어감과 동시에 특히 배선판용 시트재(1a)와 시트재(13f)의 계면에서는 관통홀(3)의 배치 위치에서 도체회로(5)의 소정 부분이 수지층(4)에 매설됨에 따라 더욱 밀려들어가 관통홀(3) 내에서 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀(15)의 도전성이 향상된다.

또한 배선판용 시트재(1k)의, 내면에 홀 도금막(18)이 형성된 관통홀(3)에충진된 도전성 페이스트(8) 또는 수지 페이스트(20)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내에 더욱 조밀하게 충진됨과 아울러 경화되어 비아홀(15)이 형성된다. 이 비아홀(15)에 수지 페이스트(20)가 충진되어 있을 경우에는 홀 도금막(18)에 의해, 또한 도전성 페이스트(8)가 충진되어 있을 경우에는 홀 도금막(18)과 도전성 페이스트(8)의 경화물에 의해 배선판용 시트재(1k)의 양측의 도체회로(5)를 도통 접속시킨다.

이 가열 가압 성형은 B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8) (및 수지 페이스트(20))의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이어서, 얻어진 적층체로부터 전사용 기재(6)를 박리함으로써 다층판(11)이 얻어진다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 30(b)에 도시된 바와 같이 양측의 최외층에 각각 수지층(4)(절연층(16))에 매설됨과 아울러 그 표면에 노출되는 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 내층에도 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 도체회로(5)가 마련되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 한 층의 절연층(16) 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다. 또한 특히 전기부품(10)이 매설된 절연층(16)에서는 비아홀(15)의 도통이 홀 도금막(18)에 의해 확보되므로 우수한 도통 안정성을 가지게 된다.

상기한 바와 같이 다층판(11)을 제조하면 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)에 변형이 발생하지 않아 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로(5)에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한, 비아홀(15)이 형성된 절연층(16)에 대해 임의의 부분에 도체회로(5)를 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 높아져 비아 온 비아 구조나 패드 온 비아 구조를 용이하게 형성할 수 있고 회로의 미세화·고밀도화가 용이하게 되어 배선판의 소형화, 박형화를 달성할 수 있으며 또한 신호 경로의 단축화를 도모할 수 있다.

또한 도 30에 도시된 실시의 형태로 있어서, 특히 배선판용 시트재(1k)로서 홀 도금막(18)을 갖는 관통홀(3)에 수지 페이스트(20)를 충진한 것을 사용하고, 이 배선판용 시트재(1k)에 적층되는 시트재(13f), (13a) 등과 같은 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13)로서 그 관통홀(3) 내에 홀 도금막을 형성하지 않고 도전성 페이스트(8)만으로 도통을 확보하는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 얻어지는 다층판(11)에서는 수지층(4)(절연층(16))에 전기부품(10)이 매설되면 전기부품(10)의 두께만큼 절연층(16)의 두께가 두꺼워져 비아홀(15)의 경로가 길어지는데 이 비아홀(15)의 도통을 홀 도금막(18)을 형성하여 확보함으로써 비아홀(15)의 도통 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 때 홀도금막(18)은 무전해 도금 처리에 이어 전해 도금 처리를 실시함으로써 후막(厚膜)으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 전기부품(10)이 매설되지 않는 수지층(4)(절연층(16))의 경우에는 절연층(16)을 박막으로 형성할 수 있어 비아홀(15)의 경로를 짧게 할 수 있고 이에 의해 도전성 페이스트만으로 비아홀(15)의 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 것이다.

또한, 도11에 도시된 공정을 통해 얻어진 배선판용 시트재(1)와, 도15(c)에 도시된 바와 같은 시트재(13f)와, 동박 등의 금속박(9)을 이용하여 배선판용 시트재(1)의 일면 또는 양면에 적어도 1개의 시트재(13f)를 적층함과 동시에 그 외층에 금속박(9)을 적층하여 적층 일체화한 후 전사용 기재(6)를 박리함으로써 다층판(11)을 얻을 수도 있다. 또한 이 때, 금속박(9)을 사용하지 않도록 함과 동시에 시트재(13f) 대신 도18(b)에 도시된 시트재(13c)를 사용하여 시트재(13c)와 배선판용 시트재(1)를 시트재(13c)의 금속박(9)이 외측에 배치되도록하여 적층할 수도 있다. 또한 배선판용 시트재(1)의 양면에 시트재(13)를 적층할 경우에는 배선판용 시트재(1)의 일면에 시트재(13f)와 금속박(9)을 적층하고 배선판용 시트재(1)의 다른 면에는 도18(b)에 도시된 시트재(13c)를 적층할 수도 있다. 그 일 예를 도 31에 도시하였다.

도 31에 도시된 예에서는, 도11에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1k)와, 도15에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13f)와, 도18에 도시된 공정을 통해 얻어지는 시트재(13c)와, 금속박(9)을 이용하고 이것들을 적층 일체화시킨다.

금속박(9)으로서는 동박 등 적당한 것을 사용하면 되는데 일 예로 도 6에 도시된 배선판용 시트재(1e)를 제조하는 경우와 동일한 것을 사용할 수 있다.

도시된 예에서는, 배선판용 시트재(1k)로서는 양면의 도체회로(5)에 전기부품(10)이 실장되어 있는 것을 사용하고 있으나 일면의 도체회로(5)에만 전기부품(10)이 실장되어 있는 것 또한 사용할 수 있음은 물론이다.

도시된 예에서는, 먼저 배선판용 시트재(1k)의 일면에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1a)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에 시트재(13f)의 외측에 금속박(9)을, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은 면)과 금속박(9)의 일면(조면)이 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

또한, 배선판용 시트재(1k)의 다른 면에 시트재(13c)를, 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13c)의 일면(금속박(9)이 부착되지 않은 면)을 대향시키도록 하여 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13c)의 대향면에서는, 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합을 수행한다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1k), 시트재(13c), 시트재(13f) 및 금속박(9)이 일괄적으로 적층 성형된다.

이 성형 과정에서는, B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f) 사이의 계면, 시트재(13f)와 금속박(9) 사이의 계면, 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13c)의 계면이 각각 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다.

또한 시트재(13f), (13c)의 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13f)의 계면 및 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13c)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f), (13c)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨과 아울러 시트재(13f)와 금속박(9)의 계면에서는 금속박(9)이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5)와 금속박(9) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 이 도전성 페이스트(8) 특히 시트재(13f)에 형성된 것은, 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀(15)의 도전성이 향상된다.

또한, 배선판용 시트재(1k)의, 내면에 홀 도금막(18)이 형성된 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8) 또는 수지 페이스트(20)는 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내에 더욱 조밀하게 충진됨과 아울러 경화되어 비아홀(15)이 형성된다. 이 비아홀에서는, 수지페이스트(20)가 충진되어 있을 경우에는 홀 도금막(18)에 의해, 또한 도전성 페이스트(8)가 충진되어 있을 경우에는 홀 도금막(18)과 도전성 페이스트(8)의 경화물에 의해, 배선판용 시트재(1k)의 양측 도체회로(5)를 도통 접속시킨다.

이러한 가열 가압 성형은, B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)(및 수지 페이스트(20))의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이어서, 얻어진 적층체의 외층에 마련된 금속박(9)에 에칭 처리를 실시함으로써 최외층의 도체회로(5)를 형성하여 다층판(11)을 얻을 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은, 도 31(c)에 도시한 바와 같이 양측의 최외층에 각각 금속박(9)의 에칭 처리에 의해 형성된 도체회로(5)가 형성됨과 동시에 내층에는 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 도체회로(5)가 형성되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 한 층의 절연층(16) 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다. 또한 특히 전기부품(10)이 매설된 절연층(16)에서는 비아홀(15)의 도통이 홀 도금막(18)에 의해 확보되므로 우수한 도통 안정성을 갖게된다.

상기한 바와 같이 다층판(11)을 제조하면, 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)의 변형이 발생하지 않아 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로(5)에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한 외층의 도체회로(5)를, 수지층(4)의 경화에 의한 절연층(16) 형성 후의 금속박(9)의 에칭 처리에 의해 형성함에 따라 이 외층의 도체회로의 박리 강도가 향상되고 랜드 강도가 증가하여 상기 외층의 도체회로(5)에의 부품 실장시의 유지 능력이 향상된다.

또한, 도 31에 도시된 실시의 형태에 있어서도 도 30에 도시된 경우와 마찬가지로 특히 배선판용 시트재(1k)로서 홀 도금막(18)을 갖는 관통홀(3)에 수지 페이스트(20)를 충진시킨 것을 사용하고 이 배선판용 시트재(1k)에 적층되는 시트재(13f), (13c) 등과 같은 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13)로서 그 관통홀(3) 내부에 홀 도금막(18)을 형성시키지 않고 도전성 페이스트(8)만으로 도통을 확보하는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 얻어지는 다층판(11)에서는 수지층(4)(절연층(16))에 전기부품(10)이 매설되면 전기부품(10)의 두께만큼 절연층(16)의 두께가 두꺼워져 비아홀(15)의 경로가 길어지게 되는데그 비아홀(15)의 도통을 홀 도금막(18)에 의해 확보함으로써 비아홀(15)의 도통 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 때 홀 도금막(18)은 무전해 도금 처리에 이어 전해 도금 처리를 실시함으로써 후막으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 전기부품(10)이 매설되지 않는 수지층(4)(절연층(16))에서는 절연층(16)을 박막으로 형성할 수 있어 비아홀(15)의 경로를 짧게 할 수 있으며 이에 의해 도전성 페이스트(8)만으로 비아홀(15)의 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 것이다.

또한 도 32에 도시된 실시의 형태에서는 도 8에 도시된 공정 또는 도9에 도시된 공정을 통해 얻어진 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))와, 도15에 도시된 공정을 통해 얻어진 시트재(13f)와, 금속박(9)을 이용하여 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))의 도체회로(5)가 형성된 면에 적어도 1개의 시트재(13)를 적층하며 또한 그 외층에 금속박(9)을 적층하여 적층 일체화한 후 적층체를 관통하는 관통홀을 형성하고 관통홀의 내면에 홀 도금막(18)을 형성함과 동시에 양측 외층의 금속박에 에칭 처리를 실시하여 도체회로(5)를 형성함으로써 다층판(11)을 얻는다.

금속박(9)으로서는 동박 등 적당한 것을 이용하면 되는데 일 예로 도 6에 도시된 배선판용 시트재(1e)를 제조할 경우와 동일한 것을 이용할 수 있다.

도시된 예에서는, 먼저 배선판용 시트재(1h) (또는 (1i))의 도체회로(5)가 형성된 일면측에 시트재(13f)를, 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))의 도체회로(5)가 형성된 면과 시트재(13f)의 일면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있는 면)을 대향시키도록 배치함과 동시에 시트재(13f)의 외측에 금속박(9)을, 시트재(13f)의 다른 면(관통홀(3)을 통해 도전성 페이스트(8)가 돌출되어 있지 않은면)과 금속박(9)의 일면(조면)이 대향하도록 하여 상호 적층 배치한다. 이 때 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))와 시트재(13f)의 대향면에서는 관통홀(3)의 개구 위치에 도체회로(5)의 소정 부분이 배치되도록 위치 정합이 이루어진다.

이 상태에서 가열 가압 성형을 실시함으로써 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i)), 시트재(13f) 및 금속박(9)이 일괄적으로 적층 성형된다.

이러한 성형 과정에서는, B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))와 시트재(13f) 사이의 계면, 시트재(13f)와 금속박(9) 사이의 계면이 각각 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다.

또한 시트재(13f)의 도전성 페이스트(8)를 충진한 관통홀(3)에서는 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성되며 이에 의해 비아홀(15)이 형성된다. 또한 배선판용 시트재(1h)(또는 (1i))와 시트재(13f)의 계면에서는 상기한 일체 성형시에 배선판용 시트재(1k)의 도체회로(5)의 소정 부분이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨과 아울러 시트재(13f)와 금속박(9)의 계면에서는 금속박(9)이 시트재(13f)의 관통홀(3)에 충진된 도전성 페이스트(8)와 접속됨에 따라 도체회로(5)와 금속박(9) 사이를 접속시키게 되고 이 상태에서 도전성 페이스트(8)가 경화되어 도체층이 형성됨으로써 비아홀(15)이 형성된다. 또한 이 도전성 페이스트(8) 특히 시트재(13f)에 형성된 것은, 가압에 의해 관통홀(3)을 통해 돌출된 부분이 관통홀(3) 내로 밀려들어가 관통홀(3) 내부에 더욱 조밀하게 충진되며 이에 의해 비아홀(15)의 도전성이 향상된다.

이 가열 가압 성형은 B스테이지 상태의 수지층(4) 및 도전성 페이스트(8)(및 수지 페이스트(20))의 경화 반응이 진행되는 조건에서 이루어지며 그 조건은 상술한 경우와 동일하게 할 수 있다.

이어서, 얻어진 적층체의 소정 부분에 레이저 가공 등에 의해 그 적층방향으로 관통되는 관통홀(19)을 형성한다. 이 관통홀(19)은 각 수지층(4)(절연층(16))과 금속박(9)을 관통하도록 형성되며 또한 필요에 따라 내층의 도체회로(5)(배선판용 시트재(1h) 또는 (1i)에 전사된 도체회로(5))의 소정 부분을 관통하도록 형성된다.

이어서 형성된 관통홀(19)의 내면에 무전해 도금 처리를 실시함과 동시에 필요에 따라 전해 도금 처리를 실시하여 동도금 등의 홀 도금막(18)을 형성한 후 최외층의 금속박(9)에 에칭 처리를 실시하여 최외층에 도체회로(5)를 형성한다 (도 32(c)).

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 도 31(c)에 도시된 바와 같이, 양측의 최외층에 각각 금속박(9)의 에칭 처리에 의해 형성된 도체회로(5)가 마련됨과 아울러 내층에는 전사용 기재(6)에 의한 전사에 의해 형성된 도체회로(5)가 마련되며 또한 각 층간을 도통시키는 비아홀(15)이 형성된다. 또한 한 층의 절연층(16) 내부에는 전기부품(10)이 배치되어 있다.

상기한 바와 같이 다층판(11)을 제조하면 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층(4)으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로(5)가 형성되어 있는 부분에서의 절연층(16)의 변형이 발생하지 않아 절연층(16)의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로(5)에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다.

또한 외층의 도체회로(5)를, 수지층(4)의 경화에 의한 절연층(16) 형성 후의 금속박(9)의 에칭 처리에 의해 형성함에 따라 그 외층의 도체회로의 박리 강도가 향상되고 랜드 강도가 증가하여 이 외층의 도체회로(5)에의 부품 실장시의 유지 능력이 향상된다.

또한 적층 성형 후에 다층판(11) 전체를 관통하는 쓰루홀을 더 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 더욱 향상된다.

도 33에 도시된 실시의 형태는 빌드업 공법에 의해 다층화를 수행하는 예를 도시한 것이다. 빌드업 공법에 의해 다층화를 수행할 경우에는 코어재로서, 상기와 같은 각종의 배선판용 시트재(1) 혹은 배선판용 시트재(1)를 이용하여 제조된 다층판(11)을 사용할 수 있다. 도 33에 도시된 예에서는 코어재로서 도 11에 도시된 공정을 통해 얻어지는 배선판용 시트재(1k)를 사용하고 있다.

도시된 예에서는 먼저 도 33 (a)에 도시된 바와 같이 코어재(배선판용 시트재(1k))의 일측 또는 양측(도면에서는 양측)에 수지층(4)을 갖는 시트재(13)로서 수지 부착 금속박(17)을 배치하고 외면측에 금속박(9)이 배치되도록 적층하여 가열 가압 성형에 의해 적층 일체화한다.

이 때, 일체 성형 전의 코어재는 그 수지층(4)이 B스테이지 상태일 수도 있고 C스테이지 상태로 형성되어 있는 것도 가능하다. 또한 수지 부착 금속박(17)은 동박 등의 금속박(9)의 일면에 B스테이지 상태의 수지층(4)을 형성한 것으로서 예를 들어 도 9에 도시된 배선판용 시트재(1i)의 제조에 사용한 것과 동일한 방법을 통해 형성되는 것을 이용할 수 있다.

이 성형 과정에서는 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 코어재인 배선판용 시트재(1k)와 시트재(13)(수지 부착 금속박(17)) 사이의 계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 각 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다.

이어서 최외층의 금속박(9)에 레이저광을 조사하는 등의 방법을 통해 상기 금속박(9)과 그 하층의 수지층(4)만을 관통하는 비관통홀(21)을 형성한다. 이 비관통홀(21)은 코어재인 배선판용 시트재(1)(1ｋ)에 형성된 도체회로(5)에 대하여 소정의 위치에 형성하며 또한 비관통홀(21)의 저면에서는 이 배선판용 시트재(1)(1ｋ)에 형성된 도체회로(5)의 표면이 노출되도록 형성한다.

이어서 비관통홀(21)의 내면에 홀 도금막(18)을 형성한다. 홀 도금막(18)은 동도금 등을 통해 형성할 수 있으며 예를 들어 무전해 도금을 실시한 후 필요에 따라 전해 도금을 실시함으로써 형성할 수 있다.

이어서 외층의 금속박(9)에 에칭 처리를 실시하는 등의 방법을 통해 도체회로(5)를 형성한다. 이 때, 홀 도금막(18)이 형성된 비관통홀(21)은 도체회로(5) 사이를 도통시키는 비아홀(15)로서 형성된다.

이에 따라, 도시된 예에서는 도 33(b)에 도시된 바와 같이, 4층의 도체회로(5)와 3층의 절연층(16)을 갖는 다층판(11)이 얻어진다. 이와 같이 형성되는 다층판(11)의 경우 전기부품(10)이 매설된 절연층(16)에서의 층간 도통은 내면에 홀 도금막(18)이 형성됨과 아울러 도전성 페이스트(8) 또는 수지 페이스트(20)가 충진된 관통홀(3)로 이루어지는 비아홀(15)에 의해 확보된다. 또한 전기부품(10)이 매설되어 있지 않은 절연층(16)에서의 층간 도통은 내면에 홀 도금막(18)이 형성된 비관통홀(21)로 이루어지는 비아홀(15)에 의해 확보된다.

또한 그 내면에 홀 도금막(18)이 형성된 비관통홀(21)에는 도전성 페이스트 또는 수지 페이스트를 더 충진시켜 경화시키는 것도 가능하다.

나아가 이와 같이 형성된 다층판(11)을 다층화할 수도 있다. 이 경우 예를 들어 도 33(c)에 도시된 바와 같이, 다층판(11)의 일측 또는 양측(도면에서는 양측)에 시트재(13)로서 상기한 바와 같은 수지 부착 금속박(17)을 배치하고 외측에 금속박(9)이 배치되도록 하여 적층한 후 가열 가압 성형 등을 통해 적층 일체화한다.

이 성형 과정에서는, 수지 부착 금속박(17)의 B스테이지 상태의 수지층(4)이 용융된 후 경화됨으로써 다층판(11)과 시트재(13)(수지 부착 금속박(17)) 사이의계면이 접합되어 적층 일체화됨과 아울러 수지층(4)의 경화물에 의해 절연층(16)이 형성된다. 또한 이 때, 내층의 홀 도금막(18)이 형성된 비관통홀(21)로 이루어지는 비아홀(15)에 도전성 페이스트나 수지 페이스트가 충진되어 있지 않을 경우 그 비관통홀(21) 내부로 용융된 수지가 유입 충진되어 홀이 충진된다.

이어서 상술한 경우와 같이 비관통홀(21)의 형성, 홀 도금막(18)의 형성 및 외층의 도체회로(5)의 형성을 수행하여 도 33(d)에 도시된 바와 같이 더욱 다층화된 다층판(11)을 얻을 수 있다.

또한, 이러한 절연층(16)과 도체회로(5)의 형성을 반복 수행함으로써 더욱 다층화된 다층판(11)을 얻을 수도 있다.

빌드업 공법에 의한 다층화는 상술한 바와 같은 것에 한정되지 않고 절연층(16)을 수지 페이스트의 도포경화에 의해 적층 성형하거나 도체회로(5)를 도금 처리에 의해 적층 성형하는 등의 방법도 가능하다. 또한 코어재에 적층 성형된 절연층(16)에 비아홀(15)을 형성할 때에는 상기한 바와 같이 비관통홀(21)의 형성을 수행한 후 홀 도금막(18)을 형성하지 않고 도전성 페이스트를 충진·경화시킴으로써 비아홀(15)을 형성할 수도 있다. 또한 기타 빌드업 공법으로 이루어지고 있는 각종 방법을 채용할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 다층판(11)은 고도의 LCR기능을 내장한 다층의 배선판으로서 형성할 수 있어 RF 모듈이나 블루투스 모듈 등의 소형 고주파 모듈 등의 마이크로일렉트로닉스 분야에서 활용될 것으로 기대된다.

이하, 본 발명을 실시예를 통해 상세히 설명하기로 한다.

(실시예 1)

표 1에 도시된 각 성분을 함유하는 슬러리를 플레니타리 믹서로 혼련하여 용제의 배합량에 의해 점도를 3000cP로 조정하여 수지조성물을 얻었다.

이 수지조성물을 압연동박으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하고 140℃ 에서 5분간 가열 건조함으로써 캐리어 기재(7)의 일면에 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지 시트(4a)를 형성했다.

한편, 두께 100㎛의 SUS301로 이루어지는 스텐레스 기재에 대해 표면에 염화제이철 용액으로 소프트 에칭 처리를 실시하여 그 표면 거칠기Ra를 0.3㎛로 한 전사용 기재(6)를 얻었다. 이 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트를 형성하고 전해 동도금 처리를 실시한 후 도금 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성했다. 또한 이 도체회로(5)에, 전기부품(10)으로서 칩형 저항과 칩형 콘덴서를 땜납 리플로우 처리에 의해 땜납 접속시켜 도체회로(5)에 전기부품(10)을 실장하였다. 땜납 리플로우 처리는 최고온도 260℃에서 15초간 가열하여 수행했다.

이어서 먼저 전사용 기재(6)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면측에 캐리어 기재(7)를 제거한 상기 수지 시트(4a)를 6개 배치하여 적층하고 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0.294Mpa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다.

이어서 수지층(4)의, 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 일면에 PET로 이루어지는 두께 100㎛의 보호 필름(12)을 적층하여 배치하고 보호 필름(12)측으로부터YAG레이저를 15㎑, 1W, 15쇼트의 조건에서 조사함으로써 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 일면의 도체회로(5)를 관통하는 내경 300㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244))를 인두를 사용하여 보호 필름(12)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내부로 충진한 후 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리했다. 이를 통해 2개의 배선판용 시트재(1d)를 얻었다.

또한, 상기한 배선판용 시트재(1d)와 동일하게 형성된 시트재의, 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 수지층(4)의 표면에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를, 관통홀(3)과 도체회로(5)를 위치 정합한 상태로 도체회로(5)가 형성된 면이 수지층(4)과 대향하도록 적층 배치했다. 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상기의 배선판용 시트재(1d)의 경우와 동일하게 형성한 것을 사용했다.

이 상태에서 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0·490MPa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리하여 배선판용 시트재(1f)를 얻었다.

그리고, 상기한 배선판용 시트재(1d), (1f)를 도 24에 도시한 것과 동일하게 적층하고 진공하에서 가열 온도 175℃, 가압력 2.94MPa로 90분간 가열 가압 성형하여 적층 일체화시켜 다층판(11)을 얻었다.

(실시예2)

이 수지조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하고 130℃ 에서 8분간 가열 건조함으로써 캐리어 기재(7)의 일면에 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지 시트(4a)를 형성했다.

한편, 실시예 1의 경우와 동일한 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트를 형성하여 전해 동도금 처리를 실시한 후 도금 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성했다. 또한 이 도체회로(5)에 전기부품(10)으로서 칩형인덕터와 실리콘베어칩을 땜납 볼을 통해 접속시켰다. 땜납 볼에 의한 접속시 가열 조건은 260℃, 20초로 하였다. 또한 전기부품(10)의 실장 후 실리콘베어칩 아래에는 언더필을 충진하고 150℃에서 10분간 예비건조시켰다.

이어서 먼저 전사용 기재(6)의, 도체회로(5)가 형성되어 있는 면측에 캐리어 기재(7)를 제거한 상기 수지 시트(4a)를 5개 배치하여 적층하고, 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0.294Mpa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후, 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다.

이어서 실시예 1의 경우와 동일한 방법을 통해 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 일면의 도체회로(5)를 관통하는 내경 300㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244」)를 인두를 사용하여 보호 필름(12)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내부로 충진한 후 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리했다. 이를 통해 2개의 배선판용 시트재(1d)를 얻었다.

또한, 상기한 배선판용 시트재(1d)와 동일하게 형성된 시트재의, 도체회로(5)가 형성되지 않은 측의 수지층(4)의 표면에 두께 18㎛의 전해동박을 적층 배치하고, 이 상태에서 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0.490MPa로 10분간 가열 가압 성형을 실시하여 배선판용 시트재(1e)를 얻었다.

그리고, 상기한 2개의 배선판용 시트재(1d)와 1개의 배선판용 시트재(1e)를, 배선판용 시트재(1e)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면과 일측의 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되지 않은 면을 대향시킴과 아울러 일측의 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면과 타측의 배선판용 시트재(1d)의 도체회로(5)가 형성되어 있는 면을 대향시킨 상태로 적층 배치하고 진공하에서 가열 온도 175℃, 가압력 2.94MPa로 90분간 가열 가압 성형하여 적층 일체화시켜 다층판(11)을 얻었다.

(실시예3)

한편, 실시예 1의 경우와 동일한 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트를 형성하여 전해 동도금 처리를 실시한 후 도금 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성했다. 또한 이 도체회로(5)에 실시예 1과 동일한 방법을 통해 전기부품(10)을 실장했다.

이어서 먼저 전사용 기재(6)의, 도체회로(5)가 형성되어 있는 면측에 캐리어 기재(7)를 제거한 상기 수지 시트(4a)를 8개 배치하여 적층하고 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0.294MPa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244」)를 인두를 사용하여 보호 필름(12)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내부로 충진한 후 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리했다. 이를 통해 배선판용 시트재(1d)를 얻었다.

또한 상기와 바와 같이 얻어진 2개의 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 형성되어 있는 면을 대향시킴과 동시에 그 사이에 캐리어 기재(7)를 제거한 상기 수지 시트(4a)를 6개 배치하여 적층하고 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 0.294MPa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다. 이어서 그 일면에 PET로 이루어지는 두께 75㎛의 보호 필름(12)을 적층하여 배치하고 실시예 1과 동일한 레이저 조사 조건에 의해 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 양면의 도체회로(5)를 관통하는 내경 300㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244))를 인두를 사용하여 보호 필름(12)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내에 충진한 후 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리하여 배선판용 시트재(1b)를 얻었다.

또한, 상기 수지조성물을, 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하고, 130℃로 9분간 가열 건조함으로써 캐리어 기재(7)의 일면에 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지층(4)을 형성했다.

이어서 캐리어 기재(7)측에서 탄산 가스 레이저를 7.1mJ, 100㎐, 1쇼트, 펄스 폭 35㎲의 조건으로 조사함으로써 캐리어 기재(7)와 수지층(4)을 관통하는 내경 100㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호「AE1244))를 인두를 사용하여 캐리어 기재(7)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내에 충진한 후 수지층(4)으로부터 캐리어 기재(7)를 박리했다.

이어서 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)와 상기 수지층(4)을, 도체회로(5)와 수지층(4)이 대향됨과 동시에 관통홀(3)과 도체회로(5)를 위치 정합하여 적층 배치하고 진공하에서 가열 온도 130℃, 가압력 2.94MPa로 10분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리하여 회로 편면장착 시트재(13a)를 얻었다. 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)는 상기의 배선판용 시트재(1d)의 경우와 동일하게 형성한 것을 사용했다.

그리고, 상기 배선판용 시트재(1d), (1b) 및 회로 편면장착 시트재(13a)를 도 25에 도시된 것과 동일하게 적층하고 진공하에서 가열 온도 175℃, 가압력 2.94MPa로 90분간 가열 가압 성형하여 적층 일체화시켜 다층판(11)을 얻었다.

(실시예4)

이 수지조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하고 150℃ 에서 10분간 가열 건조함으로써 캐리어 기재(7)의 일면에 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지 시트(4a)를 형성했다.

한편, 두께 100㎛의 SUS304로 이루어지는 스텐레스 기재에 대해, 표면에 염화제이철 용액으로 소프트 에칭 처리를 실시하여 그 표면 거칠기 Ra를 0.25㎛으로 한 전사용 기재(6)를 얻었다. 이 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트를 형성하고 전해 동도금 처리를 실시한 후 도금 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성했다. 또한 이 전사용 기재(6)에 전기부품(10)으로서, 콘덴서페이스트(바륨티타네이트 분말을 에폭시 수지와 멜라민 수지와의 혼합 바인더에 혼련 분산시킨 일액성 폴리머형 유전체 페이스트, (주)아사히화학연구소:CX-16) 및 저항페이스트(페놀수지 바인더에 카본 분말이 균일에 분산된 카본저항페이스트, (주) 아사히화학연구소:TU-100-8)을 인쇄 도포하고 각각, 150℃, 30분, 170℃, 60분으로 가열 건조함으로써 경화시켰다. 또한, 콘덴서 소자의 전극으로서, 구리페이스트((주)아사히화학연구소:LS-504J)를 도포하여 150℃, 30분으로 가열 건조함으로써 경화시켜서 전극을 형성했다.

이어서 먼저 2개의 전사용 기재(6)를 그 도체회로(5)가 형성되어 있는 면이 대향하도록 배치함과 동시에 그 사이에 캐리어 기재(7)를 제거한 상기 수지 시트재(4a)를 7개 배치하여 적층하고 175℃, 0.294MPa로 15분간 가열 경화시킨 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다.

이어서 수지층(4)의 양면에 PET로 이루어지는 두께 50㎛의 보호 필름(12)을 적층하여 배치하고 보호 필름(12)측에서 YAG레이저를 15㎑, 1.8W, 50쇼트의 조건으로 조사함으로써, 수지층(4), 보호 필름(12) 및 수지층(4) 양측의 도체회로(5)를 관통하는 내경 300㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이 관통홀(3)의 내면에 무전해 동도금 처리를 실시하여 두께 0.2㎛의 홀 도금막(18)을 형성한 후 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244))를 인두를 사용하여 보호 필름(12)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내부에 충진하여 80℃에서 60분간 예비건조시킨 후 수지층(4)으로부터 보호 필름(12)을 박리했다. 이를 통해 배선판용 시트재(1k)를 얻었다.

또한, 상기 수지조성물을, 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하여 130℃에서 9분간 가열 건조함으로써 캐리어 기재(7) 일면에 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지층(4)을 형성했다.

이어서 캐리어 기재(7)측에서 탄산가스 레이저를 7.1mJ, 100㎐, 1쇼트, 펄스폭 35㎲의 조건으로 조사함으로써 캐리어 기재(7)와 수지층(4)을 관통하는 내경 100㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244))를 인두를 사용하여 캐리어 기재(7)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내에 충진한 후 수지층(4)으로부터 캐리어 기재(7)를 박리하여 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13f)를 얻었다.

또한, 두께 100㎛의 SUS304로 형성된 스텐레스 기재로 이루어지는 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트를 형성하고 전해 동도금 처리를 실시한 후에 도금 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성하여 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 얻었다.

그리고 배선판용 시트재(1k)의 양면에 시트재(13f)를, 도전성 페이스트(8)가 돌출된 면이 배선판용 시트재(1k)와 대향하도록 배치함과 동시에 그 외층에 도체회로(5)가 형성된 전사용 기재(6)를 그 도체회로(5)가 시트재(13f)와 대향하도록 배치하여 적층하고 가열 온도 175℃, 가압력 2·94MPa로 60분간 가열 가압 성형하여 적층 일체화시켜 다층판(11)을 얻었다.

(실시예5)

표 1에 도시된 각 성분을 함유하는 슬러리를 플레니터리 믹서로 혼련하여 용제의 배합량에 의해 점도를 3000Cp로 조정하여 수지조성물을 얻었다.

이 수지조성물을, 유리 부직포(오리베스트社:SAS시리즈, 평량 25g/cm2, 두께200㎛)에 함침시켜 160℃에서 5분간 건조시킴으로써 두께 200㎛의 수지 시트(4a)를 제조했다. 한편 두께 100㎛의 SUS304로 이루어지는 스텐레스 기재에 대하여, 표면에 질산과 불산의 혼합 용액으로 소프트 에칭을 실시하여 그 표면 거칠기 Ra를 0.3㎛으로 한 전사용 기재(6)를 얻었다. 이 전사용 기재(6)의 표면에 도금 레지스트로 패턴을 형성한 후 전해 동도금 처리에 의한 동도금을 형성하며 또한 니켈 도금, 도금의 순으로 도금 처리를 실시한 후, 레지스트를 박리하여 두께 15㎛의 도체회로(5)를 형성했다. 또한 이 도체회로(5)에 전기부품(10)으로서 IC(플립칩)와 칩형 저항과 칩형 콘덴서를 땜납 리플로우 처리에 의해 땜납 접속하여 도체회로(5)에 전기부품(10)을 실장했다. 땜납 리플로우 처리는, 최고온도 260℃에서 15초간 가열함으로써 실시했다. 또한 IC에는 하면측에 언더필(마쓰시타전공주식회사:CV5183)을 충진하고 150℃에서 30분간 가열 경화시켰다.

또한, 두께 18㎛의 동박에 대하여, 그 조면측에 상기한 수지조성물을 도포하고 130℃, 10분의 조건으로 건조시켜 두께 50㎛의 수지층(4b)을 갖는 수지 부착 금속박(17)을 얻었다.

이어서 먼저 전사용 기재(6)에 대하여, 그 도체회로(5)가 형성되어 있는 면측에 상기 수지 시트(4a)를 3개 배치하여 적층함과 동시에 그 외면측에 수지 부착 금속박(17)을 그 수지층(4b)이 수지 시트(4a)와 대향하도록 적층하여 배치하고 진공하에서 가열 온도 175℃, 가압력 0.294MPa로 15분간 가열 가압 성형을 실시한 후 전사용 기재(6)를 도체회로(5)가 수지층(4)에 잔존되는 상태로 박리했다. 이를 통해 배선판용 시트재(1i)를 얻었다.

또한, 상기한 수지조성물을 두께 100㎛의 PET필름으로 이루어지는 캐리어 기재(7)에 도포하고 130℃에서 5분간 가열 건조함으로써 두께 100㎛의 B스테이지 상태의 수지층(4)을 형성했다.

이어서 탄산 가스 레이저를 7.1mJ, 100㎐, 1쇼트, 펄스 폭 35㎲의 조건으로 조사함으로써 캐리어 기재(7)와 수지층(4)을 관통하는 내경 100㎛의 관통홀(3)을 형성했다.

이어서 도전성 페이스트(8)(다츠다전선주식회사, 제품번호 「AE1244」)를 인두를 사용하여 캐리어 기재(7)의 외면에 도포함과 동시에 이 도전성 페이스트(8)를 관통홀(3) 내에 충진한 후 수지층(4)으로부터 캐리어 기재(7)를 박리하여 도전성 페이스트(8)가 충진된 관통홀(3)을 갖는 시트재(13f)를 얻었다.

또한, 금속박(9)으로서 상기한 배선판용 시트재(1i)의 제조에 사용한 동박과 동일한 것을 준비했다.

그리고, 배선판용 시트재(1i)의 도체회로(5)가 형성된 면측에 시트재(13f)를, 도전성 페이스트(8)가 돌출된 면이 도체회로(5)와 대향하도록 배치함과 동시에 그 외면측에 금속박(9)을 그 조면이 시트재(13f)와 대향하도록 적층 배치하고 가열 온도 175℃에서 60분간 가열 성형하여 적층 일체화시켰다.

이어서, 얻어진 적층체에 YAG레이저를 15㎑, 1.8W, 50쇼트의 조건으로 조사함으로써 적층체 전체를 관통하는 관통홀을 형성한 후 관통홀의 내면에 디스미어 처리를 실시하고 무전해 도금과 전해 도금에 의해 두께 20㎛의 홀 도금막(18)을 형성했다. 또한, 양측의 외층의 금속박(9)에 에칭 처리를 실시하여 표층 패터닝을실시함으로써 양측의 외층에 도체회로(5)를 형성하여 다층판(11)을 얻었다.

[표 1]

	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5
크레졸노볼락형 에폭시수지	1.2	7.0	-	1.2	-
다관능비스페놀A형 에폭시수지	-	-	7	-	7.0
비스페놀A형에폭시수지	0.4	-	-	0.4	-
비스페놀F형에폭시수지	-	3.1	0.9	-	0.9
페녹시수지	0.3	0.8	1	0.3	1
브롬화에폭시수지	1.0	2.55	4	1.0	4
페놀노볼락수지(경화제)	1.0	-	-	1.0	-
디시안디아미드(경화제)	-	0.5	1	-	1
2E4MZ(경화촉진제)	0.1	0.05	0.1	0.1	0.1
트리페닐포스핀(경화촉진제)	0.1	-	-	0.1	-
알루미나	85	60	-	95	-
질화알루미늄	10	-	-	-	60
질화붕소	-	25	-	-	25
실리카	-	-	85	-	-
에폭시실란(커플링제)	1	0.8	0.8	1	0.8
M208F(분산제)	-	0.2	0.2	-	0.2
용제 종류	메틸에틸케톤	아세톤, 디메틸포름아미드	메틸에틸케톤,메틸포름아미드	메틸에틸케톤	메틸에틸케톤,디메틸포름아미드
캐리어기재	압연동박	PET	PET	PET	유리부직포
전사용기재	SUS301	SUS301	SUS304	SUS304	SUS304

표에 나타낸 각 성분을 상세히 설명하면 다음과 같다.

·크레졸노볼락형 에폭시수지:스미토모화학공업주식회사, 제품번호 「ESCN195XL4」

·다관능 비스페놀Ａ형 에폭시수지:미츠이화학주식회사, 제품번호「VG3101」

·비스페놀Ａ형 에폭시수지:유화쉘에폭시주식회사, 제품번호「에피코트828」

·비스페놀Ｆ형 에폭시수지:도쿄카세이공업주식회사제, 제품번호「YDF8170」

·페녹시수지:도쿄카세이공업주식회사, 제품번호 「YPP50」

·브롬화 에폭시수지:스미토모화학공업주식회사, 제품번호 「ESB400T」

·페놀노볼락수지:군에이화학공업주식회사, 제품번호 「타마놀752」

·2E4MZ:2-메틸4-메틸이미다졸

·산화알루미늄:평균입경 12㎛, 최대입경 50㎛

질화알루미늄:평균입경 2㎛, 최대입경 15㎛

·질화붕소:평균입경 1.5㎛, 최대입경 10㎛

·실리카:평균입경 2㎛, 최대입경 10㎛

·에폭시실란:일본유니카, 제품번호 「A-187」

·M208F:다이이치공업제약주식회사, 제품번호 「M208F」, 화합물명 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르모노에탄올염

본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, B스테이지 상태의 수지층의 일면 또는 양면에, 표면에 도체회로가 형성됨과 아울러 이 도체회로에 전기부품이 실장 또는 인쇄 형성된 전사용 기재를, 도체회로 및 전기부품과 수지층이 대향하도록 적층함과 동시에 도체회로 및 전기부품을 수지층에 매설하고 전사용 기재를 수지층으로부터 박리함과 동시에 도체회로를 수지층측에 잔존시켜 도체회로를 수지층에 전사함으로써 수지층의 외면과 도체회로의 노출면이 일치되도록 형성하므로 표면이평탄하게 형성되며, 또한 수지층 내에 전기부품을 배치함과 동시에 수지층의 유동에 의해 전기부품의 주위에 공극이 발생하지 않도록 전기부품을 배치할 수 있으며 따라서 수지층을 경화 성형하여 절연층을 형성하는 경우 절연층 내에 전기부품이 마련된 배선판을 얻을 수 있어 배선판에서의 부품실장량을 증대시킬 수 있을 뿐아니라 배선판으로의 전기 부품의 돌출을 방지하여 소형화를 도모할 수 있으며 또한 전기부품의 실장 가능위치가 확대됨에 따라 배선 설계의 자유도 또한 증대될 수 있으며 또한 전기부품이 그 주위에 공극이 존재하지 않는 상태로 절연층 내에 배치됨에 따라 전기부품의 주위에 공기가 잔존하지 않게 되어 열에 의한 부하를 받는 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기 부품의 파손, 단선 등의 불량의 발생을 억제할 수 있으며 또한 전기부품의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 수지층을 용융 연화시킴으로써 유동시켜 임의의 위치에 전기부품을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 수지층 혹은 수지층을 경화시킨 절연층 내부의 임의의 부분에 전기 부품을 마련할 수 있다. 또한, 부품을 매설한 다층판의 표면에도 다른 부품을 실장할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층의 일면에만 전사용 기재를 사용하여 도체회로를 전사시켜 수지층의 외면과 도체회로의 노출면이 일치되도록 형성함과 동시에 수지층의 다른 면에 금속박 또는 수지 부착 금속박을 적층 일체화시키므로 이 금속박을 다층판 형성시에 최외층에 배치함으로써 일반적인 에칭 공법에 의해 회로를 형성할 수 있다. 또한, 조화 처리된 동박 등을 사용함으로써 표층부에 실장되는 부품의 인장강도의 신뢰성을 용이하게 확보할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 전사용 기재의 표면에 도체회로를 마련함과 동시에 전기부품을 실장할 때 전사용 기재로서 스텐레스 기재를 사용하고 전사용 기재의 표면에 레지스트를 형성한 후 도금 처리를 실시함으로써 도체회로를 마련하고 전기부품을 실장 또는 인쇄 형성하여 전기부품의 실장면측에 언더필을 충진하므로 부품 면적이 큰, 예를 들어 IC 등의 능동부품, 용량이 크고 면적이 큰 LCR부품 등을 밀착 고정하여 안정적으로 실장할 수 있어 접속 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 전사용 기재 상에 전기부품으로서 저항 소자 및 콘덴서 소자의 적어도 어느 하나를 인쇄 형성함으로써 전기부품을 실장하므로 매우 얇은 전기부품용 소자의 형성이 가능해져 박형화를 실현할 수 있다. 또한 재가열시의 땜납의 재용융에 따른 땜납의 유출을 막을 수 있다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 도체회로가 전사된 후의 수지층의 일면 또는 양면에 보호 필름을 적층하고 수지층, 도체회로 및 보호 필름을 관통하는 관통홀을 형성하고 보호 필름의 외면측에서 도전성 페이스트를 도포함으로써 관통홀 내에 도전성 페이스트를 충진한 후 수지층으로부터 보호 필름을 박리하여 관통홀을 통해 도전성 페이스트가 밖으로 돌출되도록 형성하므로 도체회로간을 도통시키는 비아홀을 임의의 위치에 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의제조 방법에 의해 얻어진, 일면에만 도체회로가 형성된 배선판용 시트재의 도체회로가 형성된 면과는 반대측의 면에, 금속박을 적층 일체화시키거나 표면에 도체회로가 마련된 전사용 기재를 도체회로와 수지층이 대향하도록 적층 일체화시키므로 금속박과 도체회로를 형성함과 동시에 금속박과 도체회로 사이, 도체회로간을 도통시키는 비아홀을 임의의 위치에 형성할 수 있다. 또한, 적층 일체화시킬 때에 도통 비아홀을 압축시키므로 도통 저항을 저감시킬 수 있다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 일면 또는 양면에 도체회로가 전사된 후의 수지층의 일면 또는 양면에 보호 필름을 적층하고 수지층, 도체회로 및 보호 필름을 관통하는 관통홀을 형성하고 관통홀 내면에 홀 도금을 실시하고 보호 필름의 외면측에서 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 도포함으로써 관통홀 내에 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 충진한 후 수지층으로부터 보호 필름을 박리하기 때문에 전기부품이 매설됨에 따라 수지층의 두께가 두꺼워져 이 수지층에 형성되는 비아홀의 경로가 길어져도 홀 도금막에 의해 비아홀에 높은 도통 안정성을 부여할 수 있다. 또한 도전성 페이스트에 의해 비아홀에 더욱 높은 도통안정성을 부여할 수 있다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 전사용 기재로서, 두께가 50∼150㎛이고 도체회로가 형성되는 면의 표면 거칠기 Ra가 2㎛이하가 되도록 표면 조화 처리가 실시된 스텐레스 기재를 이용하므로 배선판용 시트재의 제조시 도체회로를 전사할 경우 전사용 기재를 휘게하면서 수지층으로부터 용이하게 박리할 수 있으며 또한 표면 조화 처리에 의해 전사용 기재와 도체회로의 밀착력을 조정하여 전사용 기재로부터 도체회로가 부주의하게 박리되지 않도록 할 수 있을 뿐 아니라 도체회로의 전사를 위해 전사용 기재를 수지층으로부터 박리할 때에는 전사용 기재로부터 도체회로를 박리시켜 도체회로를 수지층측에 확실하게 잔존시킬 수 있다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층을, 실리카, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 산화티타늄, 붕산알루미늄 및 산화마그네슘에서 선택된 적어도 1종의 무기 필러를 함유함과 동시에 이 무기 필러의 최대입경이 10㎛이하인 수지조성물로 형성하므로 이 무기 필러들은 열전도성, 유전율, 입도 분포, 색조의 자유도가 높아지게 되고 원하는 기능을 선택적으로 발휘시킬 경우 적절히 입도 설계를 수행하여 용이하게 고충진화를 이룰 수가 있으며 수지층 혹은 이 수지층에 의해 형성되는 절연층의 열팽창율을 저감시켜 내장 부품이나 도체회로를 구성하는 재료와의 열팽창율의 차이를 작게 하여 다층판의 제조시 또는 제조된 다층판이 열부하를 받아 가열되는 등의 경우의 휘어짐 등의 변형 발생을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층을, 무기필러의 함유량이 70∼95중량%이고 또한 커플링제 및 분산제 중 적어도 하나가 함유된 수지조성물로 형성하므로 무기 필러를 고밀도로 충진함과 동시에 그 분산성을 향상시켜 수지층 혹은 이 수지층에 의해 형성되는 절연층의 열팽창율을 저감시켜 내장 부품이나 도체회로를 구성하는 재료와의 열팽창율의 차이를 저감시켜 다층판의 제조시 또는 제조된 다층판이 열부하를 받아가열되는 등의 경우의 휘어짐 등의 변형 발생을 방지할 수 있다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 수지층을, 부직포에 수지조성물을 함침 건조함으로써 얻어지는 수지 시트로 형성하므로 매우 두꺼운 두께의 수지 시트를 형성할 수 있는 동시에 함침 건조시 양면에서 용제가 휘발되므로 건조 효율이 높고 가격적으로도 유리하다. 또한, 부직포를 이용한 수지 시트는 강성(질김성)이 있어 대면적 시트를 사용할 경우 인성(靭性)이 강하여 유리하다. 또한 부직포이기 때문에 적층 성형시에 부품 등의 요철을 따라 용이하게 수지가 유동하게 되어 특히 단차가 큰 요철을 흡수시키는 경우에 효과적이다.

또한 본 발명의 배선판용 시트재의 제조 방법은, 상기의 배선판용 시트재의 제조 방법에 있어서, 성형 후의 수지층을 B스테이지 상태로 유지하므로 다층판의 제조에 바람직하게 사용할 수 있으며 이 때 복수의 배선판용 시트재 혹은 적어도 1개의 시트재와 적어도 1개의 B스테이지 상태의 수지층에 도체회로 또는 금속박이 마련된 적어도 1개의 다른 시트재를 일괄적으로 적층 성형하여 다층판을 얻을 수 있다. 이 때, 표면이 평탄하고 또한 B스테이지 상태의 수지층으로 이루어지는 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로가 형성되어 있는 부분에서의 절연층의 변형이 발생하지 않아 절연층의 절연 신뢰성이 높으며 또한 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로 열이력 차이에 의한 도체회로(5)의 수축률에 따른 보정이 불필요하게 된다. 또한, 절연층의 임의의 부분에 도체회로를 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 높아지고 또한 비아홀이 형성된 배선판용 시트재나 다른 시트재를 이용하면 비아홀을 임의의 위치에 형성할 수 있어 비아 온 비아 구조나 패드 온 비아 구조를 용이하게 형성할 수 있고 회로의 미세화·고밀도화가 용이하게 되어 배선판의 소형화, 박형화를 달성할 수 있으며 또한 신호 경로의 단축화를 도모할 수 있다.

본 발명의 배선판용 시트재는 상기한 배선판용 시트재의 제조 방법에 의해 제조되므로 표면이 평탄하게 형성되고 또한 전기부품의 주위에 수지층의 유동에 의해 공극이 발생하지 않는 상태로 그 전기부품을 배치할 수 있으며 따라서 수지층을 경화 성형시켜 절연층을 형성함으로써 절연층 내에 전기부품이 마련된 배선판을 얻을 수 있고 배선판에서의 부품 실장량을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 배선판으로의 전기부품의 돌출을 억제하여 소형화를 도모할 수 있고 또한 전기부품의 실장 가능위치가 확대됨으로써 배선 설계의 자유도 또한 증대될 수 있으며 또한 전기부품이 그 주위에 공극이 존재하지 않는 상태로 절연층 내에 배치되므로 전기부품 주위에 공기가 잔존하지 않게 되어 열에 의한 부하를 받은 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기부품의 파손, 단선 등의 불량 발생을 억제할 수 있으며 또한 전기부품의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 수지층을 용융 연화시킴으로써 유동시켜 임의의 위치에 전기부품을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 수지층 혹은 수지층을 경화시킨 절연층의 내부의 임의의 부분에 전기부품을 마련할 수 있다. 나아가 부품을 매설한 다층판의 표면에도 다른 부품을 실장할 수 있다.

본 발명의 다층판의 제조 방법은 상기한 복수의 배선판용 시트재를 일체로 적층 성형하므로 절연층 내에 전기부품이 마련된 다층판을 얻을 수 있으며, 다층판에서의 부품실장량을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 다층판으로의 전기부품의 돌출을 억제하여 소형화를 도모할 수 있고 또한 전기부품의 실장 가능위치가 확대됨으로써 배선 설계의 자유도 또한 증대시킬 수 있으며 또한 전기부품이 그 주위에 공극이 존재하지 않는 상태로 절연층 내에 배치됨에 따라 전기부품 주위에 공기가 잔존하지 않게 되어 열에 의한 부하를 받은 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기부품의 파손, 단선 등의 불량 발생을 억제할 수 있으며 또한 전기부품의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 임의의 위치에 전기부품을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 절연층의 내부의 임의의 부분에 전기부품을 마련할 수 있다. 나아가 부품을 매설한 다층판의 표면에도 다른 부품을 실장할 수 있다. 또한 표면이 평탄한 시트상의 부재를 적층함에 따라 성형 과정 중에 도체회로가 형성되어 있는 부분에서의 절연층의 변형이 발생하지 않아 절연층에서의 절연신뢰성이 높아진다. 또한 얻어진 다층판은 고도의 LCR기능을 내장한 다층의 배선판으로서 형성할 수 있어 RF 모듈이나 블루투스 모듈 등의 소형고주파 모듈 등의 마이크로일렉트로닉스 분야에 활용될 것으로 기대된다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은 상기한 적어도 1개의 배선판용 시트재와 B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층을 가짐과 동시에 내부에 전기부품이 매설되지 않는 적어도 1개의 시트재를 일체로 적층 성형함에 따라 절연층 내에 전기부품이 마련된 다층판을 얻을 수 있으며 다층판에서의 부품실장량을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 다층판으로의 전기부품의 돌출을 억제하여 소형화를 도모할 수 있으며 또한 전기부품의 실장 가능위치가 확대됨으로써 배선 설계의 자유도 또한 증대될 수 있으며 또한 전기부품이 그 주위에 공극이 존재하지 않는 상태로 절연층 내에 배치됨에 따라 전기부품 주위에 공기가 잔존하지 않게 되어 열에 의한 부하를 받은 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기부품의 파손, 단선 등의 불량 발생을 억제시킬 수 있으며 또한 전기부품의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 임의의 위치에 전기부품을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 절연층의 내부의 임의의 부분에 전기부품을 마련할 수 있다. 또한, 부품을 매설한 다층판의 표면에도 다른 부품을 실장할 수 있다. 또한 표면이 평탄한 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로가 형성되어 있는 부분에서의 절연층의 변형이 발생하지 않아 절연층에서의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 얻어진 다층판은 고도의 LCR기능을 내장한 다층의 배선판으로서 형성할 수 있어 RF 모듈이나 블루투스 모듈등의 소형고주파 모듈 등의 마이크로일렉트로닉스 분야에 활용될 것으로 기대된다

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 다층판의 제조 방법에 있어서, 상기의 적어도 1개의 배선판용 시트재와 B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층을 가짐과 동시에 내부에 전기부품이 매설되지 않는 적어도 1개의 시트재를 적층 배치하고 이 상태에서 일괄 성형하므로 복수의 시트상의 부재를 일괄적으로 적층 성형함에 따라 성형 공정의 간략화가 가능해져 성형시 번잡한 수고나 시간이 걸리지 않게 되며 또한 성형시 각 층의 도체회로에 열이력의 차이가 발생하지 않게 되므로열이력 차이에 의한 도체회로의 수축률에 따른 보정이 불필요가 된다.

또한 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 다층판의 제조 방법에 있어서, 상기한 적어도 1개의 배선판용 시트재를 사용하고 빌드업 공법에 의해 다층화와 비아홀 형성을 수행하므로 코어부가 되는 시트재로 각종의 것을 이용하고 일반적인 빌드업 공법을 통해 적층 성형하고 레이저 가공, 도금 등에 의해 비아를 형성함으로써 접속 신뢰성이 높은 다층판을 제조할 수 있다. 예를 들어 코어부로서 전기부품이 내장된 배선판용 시트재를 이용할 경우 이를 코어재로 사용하고 빌드업 공법에 의해 용이하게 부품을 내장한 기판을 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 다층판의 제조 방법은, 상기한 다층판의 제조 방법에 있어서, 적층 일체화 후의 적층체를 관통하는 관통홀을 형성하고 관통홀 내면에 홀 도금을 실시한 후 이 관통홀 내에 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 충진하므로 적층 성형 후에 다층판 전체를 관통하는 쓰루홀을 더 형성할 수 있으므로 배선 설계의 자유도가 더욱 향상되며 또한 홀 도금막과 도전성 페이스트를 병용함으로써 쓰루홀의 높은 도통 안정성을 확보할 수 있다.

본 발명의 다층판은 상기한 다층판의 제조 방법에 의해 제조되므로 절연층 내에 전기부품이 마련된 다층판을 얻을 수 있으며 다층판에서의 부품실장량을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 다층판으로의 전기부품의 돌출을 억제하여 소형화를 도모할 수 있으며 또한 전기부품의 실장 가능위치가 확대됨으로써 배선 설계의 자유도 또한 증대될 수 있으며 또한 전기부품이 그 주위에 공극이 존재하지 않는 상태로 절연층내에 배치됨에 따라 전기부품 주위에 공기가 잔존하지 않게 되어 열에 의한부하를 받은 경우에도 공기의 열팽창에 의한 절연층의 갈라짐이나 전기부품의 파손, 단선 등의 불량 발생을 억제할 수 있으며 또한 전기부품의 실장량이나 실장 위치에 관계없이 임의의 위치에 전기부품을 배치할 수 있어 번잡한 공정을 거치지 않고 절연층의 내부의 임의의 부분에 전기부품을 마련할 수 있다. 또한, 부품을 매설한 다층판의 표면에도 다른 부품을 실장할 수 있다. 또한 표면이 평탄한 시트상의 부재를 적층하고 있으므로 성형 과정 중에 도체회로가 형성되어 있는 부분에서의 절연층의 변형이 발생하지 않아 절연층의 절연 신뢰성이 높아진다. 또한 얻어진 다층판은 고도의 LCR기능을 내장한 다층의 배선판으로서 형성할 수 있어 RF 모듈이나 블루투스 모듈등의 소형고주파 모듈 등의 마이크로일렉트로닉스 분야에 활용될 것으로 기대된다.

Claims

B스테이지 상태의 수지층의 일면 또는 양면에, 표면에 도체회로가 마련됨과 아울러 이 도체회로에 전기부품이 실장 또는 인쇄 형성된 전사용 기재를 도체회로 및 전기부품과 수지층이 대향하도록 적층함과 동시에 도체회로 및 전기부품을 수지층에 매설하고 전사용 기재를 수지층으로부터 박리함과 동시에 도체회로를 수지층측에 잔존시켜 수지층에 전사하여 수지층의 외면과 도체회로의 노출면이 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1항에 있어서,

수지층의 일면에만 전사용 기재를 사용하여 도체회로를 전사함으로써 수지층의 외면과 도체회로의 노출면이 일치되도록 형성함과 동시에 수지층의 다른 면에 금속박 또는 수지 부착 금속박을 적층 일체화하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 또는 2항에 있어서,

전사용 기재의 표면에 도체회로를 마련함과 동시에 전기부품을 실장함에 있어서, 전사용 기재로서 스텐레스 기재를 이용하고 전사용 기재의 표면에 레지스트 형성 후 도금 처리를 실시함으로써 도체회로를 마련하고 전기부품을 실장 또는 인쇄 형성한 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 3항의 어느 한 항에 있어서,

도체회로가 전사된 후의 수지층의 일면 또는 양면에 보호 필름을 적층하고 수지층, 도체회로 및 보호 필름을 관통하는 관통홀을 형성하여 보호 필름의 외면측에서 도전성 페이스트를 도포함으로써 관통홀 내에 도전성 페이스트를 충진한 후, 수지층으로부터 보호 필름을 박리하여 관통홀을 통해 도전성 페이스트가 밖으로 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
청구항 4에 기재한 방법에 의해 얻어지는, 일면에만 도체회로가 형성된 배선판용 시트재의 도체회로가 형성된 면과는 반대측의 면에 금속박을 적층 일체화시키거나 회로가 마련된 전사용 기재를 도체회로와 수지층이 대향하도록 적층 일체화하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 5항의 어느 한 항에 있어서,

일면 또는 양면에 도체회로가 전사된 후의 수지층의 일면 또는 양면에 보호 필름을 적층하고 수지층, 도체회로 및 보호 필름을 관통하는 관통홀을 형성하여 관통홀 내면에 홀 도금을 실시하고 보호 필름의 외면측에서 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 도포함으로써 관통홀 내에 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 충진한 후 수지층으로부터 보호 필름을 박리하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 6항의 어느 한 항에 있어서,

전사용 기재로서, 두께가 50∼150㎛이고 도체회로가 형성되는 면의 표면 거칠기Ra가 2㎛이하가 되도록 표면 조화 처리가 이루어진 스텐레스 기재를 사용하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 7항의 어느 한 항에 있어서,

수지층을, 실리카, 산화알미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 산화티탄, 붕산알루미늄 및 산화마그네슘으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기 필러를 함유함과 동시에 이 무기 필러의 최대입경이 10㎛이하인 수지조성물에 의해 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 8항의 어느 한 항에 있어서,

수지층을, 무기 필러의 함유량이 70∼95중량%이고 커플링제 및 분산제 중 적어도 하나가 함유된 수지조성물로 형성하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 9항의 어느 한 항에 있어서,

수지층을, 부직포에 수지조성물을 함침 건조함으로써 얻어지는 수지 시트로 형성하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
제 1 내지 10항의 어느 한 항에 있어서,

성형 후의 수지층을 B스테이지 상태로 유지하는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재의 제조 방법.
청구항 1 내지 11의 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 배선판용 시트재.
청구항 12에 기재된 복수의 배선판용 시트재를 일체로 적층 성형하는 것을 특징으로 하는 다층판의 제조 방법.
청구항 12에 기재된 적어도 1개의 배선판용 시트재와 B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층을 가짐과 동시에 내부에 전기부품이 매설되지 않은 적어도 1개의 시트재를 일체로 적층 성형하는 것을 특징으로 하는 다층판의 제조 방법.
제 14항에 있어서,

청구항 12에 기재된 적어도 1개의 배선판용 시트재와, B 및/또는 C스테이지 상태의 수지층을 가짐과 동시에 내부에 전기부품이 매설되지 않은 적어도 1개의 시트재를 적층하여 배치하고 이 상태에서 일괄 성형하는 것을 특징으로 하는 다층판의 제조 방법.
제 14항에 있어서,

청구항 12에 기재된 적어도 1개의 배선판용 시트재를 사용하고 빌드업 공법에 의해 다층화와 비아홀 형성을 수행하는 것을 특징으로 하는 다층판의 제조 방법.
제 13 내지 16항의 어느 한 항에 있어서,

적층 일체화 후의 적층체를 관통하는 관통홀을 형성하고 관통홀 내면에 홀 도금을 실시한 후 이 관통홀 내에 수지 페이스트 또는 도전성 페이스트를 충진하는 것을 특징으로 하는 다층판의 제조 방법.
청구항 13 내지 17의 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층판.