KR20040037245A - 다중 반도체 기판용 고압 처리 챔버 - Google Patents

다중 반도체 기판용 고압 처리 챔버 Download PDF

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KR20040037245A
KR20040037245A KR10-2004-7004965A KR20047004965A KR20040037245A KR 20040037245 A KR20040037245 A KR 20040037245A KR 20047004965 A KR20047004965 A KR 20047004965A KR 20040037245 A KR20040037245 A KR 20040037245A
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cassette
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KR10-2004-7004965A
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비버거맥시밀리언에이
레이맨프레드릭피
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수퍼크리티컬 시스템 인코포레이티드
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Abstract

다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버는 챔버 하우징과, 카세트와, 챔버 폐쇄부를 포함한다. 카세트는 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성되어 있다. 상기 챔버 폐쇄부는 챔버 하우징에 연결되어 있다. 챔버 폐쇄부는 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리용 밀폐체를 제공하도록 구성되어 있다.

Description

다중 반도체 기판용 고압 처리 챔버{HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES}
최근에, 포토레지스트 제거, 린스제 건조 및 포토레지스트 현상과 같은 처리를 위해 반도체 기판용 초임계 처리가 개발되어 유리하다. 초임계 처리(supercritical processing)는 압력 및 온도가 임계 압력 및 임계 온도이거나 그 이상인 고압 처리이다. 임계 온도 및 임계 압력 이상에서, 액체 또는 가스 위상은 없다. 대신에, 초임계 위상이 있다.
전형적인 반도체 기판은 반도체 웨이퍼이다. 반도체 웨이퍼는 얇은 단면 및 대경을 갖고 있다. 현재, 반도체 웨이퍼는 300㎜까지의 직경을 갖고 있다. 반도체 개발 및 반도체 처리 기구 양자를 위한 자본 지출로 인해서, 반도체 처리는 효율적이고, 신뢰성이 있고 경제적이어야 한다.
따라서, 다중 반도체 기판의 반도체 처리용으로 의도하는 초임계 처리 시스템은 효율적이고, 신뢰성이 있고 경제적인 고압 처리 챔버를 구비해야 한다.
효율적이고, 신뢰성이 있고 경제적인 다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버가 필요하다.
발명의 요약
본 발명은 다중 반도체 처리를 위한 고압 처리 챔버에 관한 것이다. 고압 처리 챔버는 챔버 하우징, 카세트 및 챔버 폐쇄부를 포함한다. 카세트는 챔버 하우징에 제거가능하게 결합된다. 카세트는 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성된다. 챔버 폐쇄부는 챔버 하우징에 결합되어 있다. 챔버 폐쇄부는 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리용 밀폐체를 제공하도록 구성되어 있다.
본 발명은 반도체 기판용 고압 처리 챔버의 분야에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은, 고압 처리 챔버가 다중 반도체 기판의 동시 처리를 위한 처리 능력을 제공하는 반도체 기판용 고압 처리 챔버의 분야에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 고압 처리 챔버 및 리프팅 장치를 도시한 도면,
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 로킹 링을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 바람직한 고압 처리 챔버를 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 바람직한 카세트를 도시한 도면,
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 챔버 하우징, 제 1 및 제 2 카세트 및 로봇을 도시한 도면,
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치를 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 초임계 처리 시스템을 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 제 1 변형 고압 처리 챔버를 도시한 도면,
도 9는 본 발명의 제 1 변형 카세트를 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 제 2 변형 카세트를 도시한 도면.
바람직하게, 본 발명의 바람직한 고압 처리 챔버는 다중 반도체 기판을 동시에 처리한다. 바람직하게, 반도체 기판은 반도체 웨이퍼를 포함한다. 선택적으로, 반도체 기판은 반도체 퍽(semiconductor puck)과 같은 다른 반도체 기판을 포함한다. 또한, 선택적으로 반도체 기판은 트레이들을 구비하며, 각 트레이는 다중 반도체 장치를 유지할 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 바람직한 고압 처리 챔버는 초임계 처리 환경을 제공한다. 보다 바람직하게, 바람직한 고압 처리 챔버는 초임계 CO2처리 환경을 제공한다. 바람직하게, 초임계 CO2처리 환경은 린싱되지만 건조되지 않은 현상된 포토레지스트를 건조시키기 위한 건조 환경을 포함한다. 선택적으로, 초임계 CO2처리 환경은 건조 MEMS 장치와 같은 다른 반도체 건조 처리를 위한 선택적인 건조 환경을 포함한다. 선택적으로, 초임계 CO2처리 환경은 포토레지스트 현상 환경을 포함한다. 또한, 선택적으로 초임계 CO2처리 환경은 예를 들면 포토레지스트 및 잔류물 클리닝 또는 CMP(화학 기계적 평탄화 : chemical mechanical planarization) 잔류물 클리닝을 위한 반도체 클리닝 환경을 포함한다.
본 발명의 고압 처리 챔버 조립체가 도 1에 도시되어 있다. 고압 처리 챔버 조립체(10)는 바람직한 고압 처리 챔버(12) 및 뚜껑 리프팅 장치(14)를 포함한다. 바람직한 고압 처리 챔버(12)는 챔버 하우징(16), 챔버 뚜껑(18), 로킹 링(20), 바람직한 카세트(22) 및 제 2 O-링 시일(26)을 포함한다. 바람직하게, 챔버 하우징(16) 및 챔버 뚜껑(18)은 스테인리스 스틸로 구성된다. 바람직하게, 로킹 링(20)은 고인장 강도 스틸로 구성된다. 바람직하게, 바람직한 카세트(22)는 스테인리스 스틸로 구성된다. 선택적으로, 바람직한 카세트(22)는 내부식성 금속으로 구성된다. 또한, 선택적으로 바람직한 카세트(22)는 내부식성 폴리머 재료로 구성된다.
뚜껑 리프팅 장치(14)는 챔버 뚜껑(18)에 연결된다. 로킹 링(20)은 챔버 하우징(16)에 연결된다. 바람직한 고압 처리 챔버(12)가 폐쇄될 때, 로킹 링(20)은 챔버 하우징(16)을 챔버 뚜껑(18)에 연결하여 처리 밀폐체(24)를 형성한다. 바람직한 카세트(22)는 챔버 하우징(16)의 내부에 연결된다.
사용시에, 로킹 링(20)은 챔버 뚜껑(18)을 챔버 하우징(16)에 로킹한다. 또한, 로킹 링(20)은 챔버 뚜껑(18)과 챔버 하우징(16) 사이에 밀봉력을 유지하여, 처리 밀폐체(24)내의 고압 유체가 제 1 O-링 시일(26)을 통과하여 누출되는 것을방지한다. 로킹 링(20)이 챔버 뚜껑(18)으로부터 분리될 때, 뚜껑 리프팅 장치(14)는 뚜껑(18)을 들어올리고, 챔버 하우징(16)으로부터 뚜껑(18)을 연다.
또한, 본 발명의 로킹 링(20)이 도 2a 및 도 2b에 도시되어 있다. 로킹 링(20)은 절단 나사(broken thread) 및 립(21)을 포함한다. 절단 나사는 챔버 하우징(16)(도 1)상의 대응하는 특징부와 맞물리는 맞물림 표면(23)을 포함한다.
고압 처리 챔버(10)가 도 3에 또한 도시되어 있다. 작동시에, 바람직하게 바람직한 카세트(22)는 반도체 웨이퍼(28)를 보유한다. 바람직하게, 로봇(도시하지 않음)은 바람직한 카세트(16)를 챔버 하우징(16)내로 장전하고, 후퇴시킨다. 다음에, 뚜껑 리프팅 장치(14)(도 1)는 챔버 뚜껑(18)을 챔버 하우징(16)내로 하강시킨다. 그후에, 로킹 링(20)은 챔버 뚜껑(18)을 챔버 하우징(16)에 로킹 및 밀봉한다. 따라서, 바람직하게 반도체 웨이퍼는 초임계 환경에서 처리된다. 다음에, 뚜껑 리프팅 장치(14)는 챔버 뚜껑(18)을 들어올린다. 마지막으로, 로봇은 챔버 하우징(16)으로부터 바람직한 카세트(22)를 제거한다.
본 발명의 바람직한 카세트(22)가 도 4에 또한 도시되어 있다. 바람직한 카세트(22)는 카세트 프레임(30) 및 유지 바아(32)를 포함한다. 카세트 프레임(30)은 웨이퍼 보유 슬롯(34) 및 리프팅 특징부(36)를 포함한다. 바람직하게, 유지 바아(32)는 힌지(38)를 거쳐서 카세트 프레임(30)에 연결된다. 바람직하게, 사용시에, 반도체 웨이퍼(28)(하나가 점선으로 도시됨)는 바람직한 카세트(22)내로 장전된다. 보다 바람직하게, 반도체 웨이퍼는 FOUP(전방 개구 일체형 포드 : front opening unified pod)로부터 바람직한 카세트(22)로 반도체 웨이퍼(28)의 트랜스퍼에 의해 바람직한 카세트(22)내로 장전된다. 반도체 웨이퍼(28)가 일단 바람직한 카세트(22)내로 장전되면, 바람직하게 유지 바아(32)는 카세트 프레임(30)내의 유지 슬롯(40)내로 잠겨진다.
본 발명의 자동화 처리 장치가 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있다. 자동화 처리 장치(41)는 챔버 하우징(16), 로봇(42), 및 제 1 및 제 2 카세트(44, 46)를 포함한다. 로봇(42)은 로봇 기부(48), 수직방향 운동 유닛(49), 로봇 아암(50) 및 포크형 카세트 계면(52)을 포함한다. 로봇 기부(48)는 로봇 아암(50)을 위한 회전 운동(A)을 제공한다. 수직방향 운동 유닛(49)은 로봇 아암(50)을 위한 수직방향 운동(A)을 제공한다. 처리하기 전에, 제 1 및 제 2 카세트(44, 46)에는 반도체 웨이퍼(28)가 장전된다. 작동시에, 로봇 아암(50)은 제 1 카세트(44)의 리프팅 특징부(36)를 통해 포크형 카세트 계면(52)을 연장시키고, 제 1 카세트(44)를 들어올리고, 챔버 하우징(16)을 중심으로 제 1 카세트를 일정 위치로 이동시키고, 제 1 카세트를 챔버 하우징(16)내로 하강시키고, 포크형 카세트 계면(52)을 후퇴시킨다. 다음에, 제 1 카세트(44)내의 반도체 웨이퍼(28)가 처리된다. 다음에, 로봇(42)은 제 1 카세트(44)의 리프팅 특징부(36)를 통해 포크형 카세트 계면(52)을 연장시키고, 챔버 하우징(16)으로부터 제 1 카세트(44)를 제거한다. 따라서, 로봇(42)은 제 1 카세트(44)의 취급과 유사한 형태로 반도체 웨이퍼(28)를 더 보유하도록 제 2 카세트(46)를 취급한다.
본 발명의 분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치는 도 6a 및 도 6b에 도시되어 있다. 바람직하게, 분사 노즐 장치(54) 및 유체 출구 장치(56)는 챔버 하우징(16)내에 위치된다. 선택적으로, 분사 노즐 장치(54)는 바람직한 카세트(22)(도 4)의 일부분을 형성한다. 또한, 선택적으로 유체 출구 장치(56)는 바람직한 카세트(22)(도 4)의 일부분을 형성한다. 또한, 선택적으로 유체 출구 장치(56)는 바람직한 카세트(22)(도 4)의 일부분을 형성한다. 분사 노즐 장치(54)는 저장소(58) 및 분사 노즐(60)을 포함한다. 유체 출구 장치(56)는 유체 출구(62) 및 배수구(64)를 포함한다. 작동시에, 분사 노즐 장치(54) 및 유체 출구 장치(56)는 연합하여 반도체 웨이퍼(28)를 가로질러 처리 유체 흐름(66)을 제공한다.
본 발명의 초임계 처리 시스템이 도 7에 도시되어 있다. 초임계 처리 시스템(200)은 바람직한 고압 처리 챔버(12), 압력 챔버 히터(204), 이산화탄소 공급 장치(206), 순환 루프(208), 순환 펌프(210), 화학제 및 린스제 공급 장치(212), 분리 용기(214), 액체/고체 폐기물 수집 용기(217) 및 액화/정련 장치(219)를 포함한다. 이산화탄소 공급 장치(206)는 이산화탄소 공급 용기(216), 이산화탄소 펌프(218) 및 이산화탄소 히터(220)를 포함한다. 화학제 및 린스제 공급 장치(212)는 화학제 공급 용기(222), 린스제 공급 용기(224), 및 제 1 및 제 2 고압 분사 펌프(226, 228)를 포함한다.
이산화탄소 공급 용기(216)는 이산화탄소 펌프(218) 및 이산화탄소 배관(230)을 거쳐서 고압 처리 챔버(12)에 연결된다. 이산화탄소 배관(230)은 이산화탄소 펌프(218) 및 고압 처리 챔버(12) 사이에 위치된 이산화탄소 히터(220)를 포함한다. 압력 챔버 히터(204)는 고압 처리 챔버(12)에 연결된다. 순환 펌프(210)는 순환 루프(208)상에 위치된다. 순환 루프(208)는 순환 입구(232) 및순환 출구(234)에서 고압 처리 챔버(12)에 연결된다. 화학제 공급 용기(222)는 화학제 공급 라인(236)을 거쳐서 순환 루프(208)에 연결된다. 린스제 공급 용기(224)는 린스제 공급 라인(238)을 거쳐서 순환 루프(208)에 연결된다. 분리 용기(214)는 배출 가스 배관(240)을 거쳐서 고압 처리 챔버(12)에 연결된다. 액체/고체 폐기물 수집 용기(217)는 분리 용기(214)에 연결된다.
바람직하게, 분리 용기(214)는 리턴 가스 배관(241)을 거쳐서 액화/정련 장치(219)에 연결된다. 액화/정련 장치(219)는 액체 이산화탄소 배관(243)을 거쳐서 이산화탄소 공급 용기(216)에 연결되는 것이 바람직하다. 선택적으로, 이격된 위치에 액화/정련 장치(219)가 내장되며, 이 장치(219)는 가스 수집 용기내의 배출 가스를 수용하고, 액체 이산화탄소 용기내의 액체 이산화탄소를 리턴시킨다.
압력 챔버 히터(204)는 고압 처리 챔버(12)를 가열한다. 바람직하게, 압력 챔버 히터(204)는 가열 블랭킷이다. 선택적으로, 압력 챔버 히터는 다른 형태의 히터의 일부이다.
바람직하게, 제 1 및 제 2 필터(221, 223)는 순환 루프(208)에 연결된다. 바람직하게, 제 1 필터(221)는 미세 필터를 포함한다. 보다 바람직하게, 제 1 필터(221)는 0.05㎛ 그리고 보다 큰 입자를 여과하도록 구성된 미세 필터를 포함한다. 바람직하게, 제 2 필터(223)는 조악한 필터를 포함한다. 보다 바람직하게, 제 2 필터(223)는 2 내지 3㎛ 및 보다 큰 입자를 여과하도록 구성된 조악한 필터를 포함한다. 바람직하게, 제 3 필터(225)는 이산화탄소 공급 용기(216)를 이산화탄소 펌프(218)에 연결한다. 바람직하게, 제 3 필터(225)는 미세 필터를 포함한다.보다 바람직하게, 제 3 필터(225)는 0.05㎛ 및 보다 큰 입자를 여과하도록 구성된 미세 필터를 포함한다.
당 업자들이 이해할 수 있는 바와 같이, 초임계 처리 시스템(200)은 밸브와, 제어 전자장치와, 초임계 유체 처리 시스템에서 통상적인 다용도 접속장치를 포함한다.
본 발명의 제 1 변형 고압 처리 챔버가 도 8에 도시되어 있다. 제 1 변형 고압 처리 챔버(12A)는 변형 챔버 하우징(16A), 변형 챔버 뚜껑(18A) 및 볼트(66)를 포함한다. 제 1 변형 고압 챔버에 있어서, 볼트(66)는 바람직한 고압 처리 챔버(12)의 로킹 링(20)(도 3)을 대체한다.
본 발명의 제 2 변형 고압 처리 챔버는, 바람직한 고압 처리 챔버(12)의 축이 수평방향이 되도록 배향된 바람직한 고압 처리 챔버(12)를 포함한다. 따라서, 제 2 변형 고압 처리 챔버에 있어서, 챔버 뚜껑(18)은 챔버 도어이다.
본 발명의 제 1 변형 카세트가 도 9에 도시되어 있다. 제 1 변형 카세트(80)는 변형 카세트 프레임(82) 및 변형 유지 바아(84)를 포함한다. 제 1 변형 카세트에 있어서, 변형 유지 바아(84)는 제 1 및 제 2 구멍(86, 88)에서 변형 카세트 프레임(82)에 연결된다. 바람직하게, 변형 유지 바아(84)는 제 2 구멍(88)내로 나사결합된 나사형성 영역(90)을 포함한다.
본 발명의 제 2 변형 카세트가 도 10에 도시되어 있다. 제 2 변형 카세트(100)는 웨이퍼 보유 섹션(102) 및 웨이퍼 유지 섹션(104)을 포함한다. 웨이퍼 보유 섹션(102)은 웨이퍼를 보유한다. 웨이퍼 유지 섹션(104)은 반부힌지(106) 및 돌기(108)를 포함한다. 웨이퍼 보유 섹션(102)은 힌지 맞물림 영역(110) 및 돌기 맞물림 특징부(112)를 포함한다. 작동시에, 웨이퍼 보유 섹션(102) 및 웨이퍼 유지 섹션은 별개이다. 웨이퍼(28)는 바람직하게 FOUP로부터 웨이퍼 유지 섹션(102)내로 장전된다. 다음에, 웨이퍼 유지 섹션(104)의 반부 힌지(106)는 웨이퍼 유지 섹션(102)의 힌지 맞물림 영역(110)에 연결된다. 마지막으로, 웨이퍼 유지 섹션(104)의 돌기(108)는 웨이퍼 보유 섹션(102)의 돌기 맞물림 특징부(112)내로 잠겨진다.
첨부된 특허청구범위에 규정된 바와 같은 본 발명의 정신 및 영역을 벗어남이 없이 바람직한 실시예에 대한 다른 다양한 변형이 이뤄질 수 있다는 것을 당 업자들은 쉽게 이해할 수 있다.

Claims (21)

  1. 다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버에 있어서,
    ① 챔버 하우징과,
    ② 상기 챔버 하우징에 제거가능하게 연결되고, 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성된 제 1 카세트와,
    ③ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 작동시에 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리를 위한 밀폐체를 제공하도록 구성되는 챔버 폐쇄부를 포함하는
    고압 처리 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징과 도어로 형성된 밀폐체는 초임계 처리 환경을 제공하는
    고압 처리 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징과 도어로 형성된 밀폐체는 초임계 상태 이하의 고압 처리 환경을 제공하는
    고압 처리 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    반도체 기판중 적어도 하나는 반도체 웨이퍼를 포함하며, 또한 상기 챔버 하우징 및 제 1 카세트는 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된
    고압 처리 챔버.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판중 적어도 하나는 반도체 퍽을 포함하며, 또한 상기 챔버 하우징 및 제 1 카세트는 반도체 퍽을 수용하도록 구성된
    고압 처리 챔버.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판중 적어도 하나는 다중 반도체 장치를 보유하기 위한 트레이를 포함하며, 또한 상기 챔버 하우징 및 제 1 카세트는 트레이를 수용하도록 구성된
    고압 처리 챔버.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 카세트는 제 2 카세트로 대체가능한
    고압 처리 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서,
    로봇을 더 포함하며, 작동시에 상기 로봇은 제 1 및 제 2 카세트를 장전 및 제거하는
    고압 처리 챔버.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 카세트는 분사 노즐 장치를 더 포함하는
    고압 처리 챔버.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 카세트는 유체 출구 장치를 더 포함하는
    고압 처리 챔버.
  11. 제 1 항에 있어서,
    분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치를 더 포함하는
    고압 처리 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    작동시에, 상기 분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치는 반도체 기판의 근방에서 처리 유체 흐름을 제공하는
    고압 처리 챔버.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 처리 유체 흐름은 반도체 기판의 각각을 가로지르는 흐름을 포함하는
    고압 처리 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    특정 반도체 기판을 가로지르는 흐름은 특정 반도체 기판의 제 1 측면에서의 가스 분사 흐름과, 특정 반도체 기판의 대향 측면에서의 가스 수집 흐름을 포함하는
    고압 처리 챔버.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 제 1 및 제 2 단부를 구비하는 대략 원통형 길이부를 포함하는
    고압 처리 챔버.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 대략 원통형 길이부의 제 1 단부에 돔형 표면을 포함하는
    고압 처리 챔버.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 챔버 폐쇄부는 챔버 하우징의 원통형 길이부의 제 2 단부를 밀봉하는
    고압 처리 챔버.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 챔버 폐쇄부는 돔형 표면을 포함하는
    고압 처리 챔버.
  19. 다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버에 있어서,
    ① 챔버 하우징과,
    ② 상기 챔버 하우징에 제거가능하게 연결되고, 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성된 제 1 카세트와,
    ③ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 작동시에 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리를 위한 밀폐체를 제공하도록 구성되는 챔버 폐쇄부와,
    ④ 상기 챔버 하우징의 내부에 연결되고, 작동시에 반도체 기판의 근방에 처리 유체 흐름을 제공하는 분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치를 포함하는
    고압 처리 챔버.
  20. 다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버에 있어서,
    ① 챔버 하우징과,
    ② 상기 챔버 하우징에 제거가능하게 연결되고, 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성된 제 1 카세트와,
    ③ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 작동시에 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리를 위한 밀폐체를 제공하도록 구성되는 챔버 폐쇄부와,
    ④ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 고압 처리 전에 챔버 하우징내로 제 1 카세트를 장전하도록 구성되고, 고압 처리에 이어서 제 1 카세트를 제거하도록 구성된 로봇을 포함하는
    고압 처리 챔버.
  21. 다중 반도체 기판을 처리하기 위한 고압 처리 챔버에 있어서,
    ① 챔버 하우징과,
    ② 상기 챔버 하우징에 제거가능하게 연결되고, 적어도 2개의 반도체 기판을 수용하도록 구성된 제 1 카세트와,
    ③ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 작동시에 챔버 하우징을 밀봉하여 반도체 기판의 고압 처리를 위한 밀폐체를 제공하도록 구성되는 챔버 폐쇄부와,
    ④ 상기 챔버 하우징의 내부에 연결되고, 작동시에 반도체 기판의 근방에 처리 유체 흐름을 제공하는 분사 노즐 장치 및 유체 출구 장치와,
    ⑤ 상기 챔버 하우징에 연결되고, 고압 처리 전에 챔버 하우징내로 제 1 카세트를 장전하도록 구성되고, 고압 처리에 이어서 제 1 카세트를 제거하도록 구성된 로봇을 포함하는
    고압 처리 챔버.
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