JP2000114218A - ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法 - Google Patents

ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法

Info

Publication number
JP2000114218A
JP2000114218A JP10287475A JP28747598A JP2000114218A JP 2000114218 A JP2000114218 A JP 2000114218A JP 10287475 A JP10287475 A JP 10287475A JP 28747598 A JP28747598 A JP 28747598A JP 2000114218 A JP2000114218 A JP 2000114218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
cleaning tank
cleaning liquid
peripheral wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10287475A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Aisaka
勉 逢坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10287475A priority Critical patent/JP2000114218A/ja
Publication of JP2000114218A publication Critical patent/JP2000114218A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オーバーフロー状態の洗浄液から洗浄槽の底
面を上昇させてウエハを露出させる場合、ウエハの振動
による摩擦でパーティクルが発生する。 【解決手段】 ウエハWが収納される洗浄槽2と、洗浄
槽2に接続された洗浄液供給管3とを備えたウエハ洗浄
装置1において、洗浄槽2の周壁21は、洗浄槽2内に
収納されたウエハWの上端よりも高い位置からウエハW
の下短よりも低い位置に掛けてその上縁が移動する範囲
で上下動自在に構成されていることを特徴としている。
そして、洗浄槽2の周壁21を下降させた状態で、ウエ
ハWを洗浄槽2の底面上に載置する。洗浄槽2の周壁2
1を上昇させると共に洗浄槽2内に洗浄液Lを供給し、
ウエハWを洗浄液L中に侵漬する。洗浄槽2の周壁21
を下降させることで、洗浄槽2の周壁21上方から洗浄
液Lをオーバーフロー排液すると共に、ウエハWを洗浄
液Lの液面から露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ洗浄装置及
びウエハ洗浄方法に関し、特には半導体装置の製造工程
において洗浄液中にウエハを侵漬して洗浄するためのウ
エハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程でウエハを侵漬洗
浄する場合には、洗浄槽内の洗浄液を排液した状態でこ
の洗浄槽内へのウエハの出し入れを行っている。そし
て、この洗浄が純水リンスである場合には、ウエハの洗
浄が終了した後に排液管から洗浄液(純水)を排液する
ことによって洗浄液の水面を低下させながら、洗浄液の
上方にIPA(イソプロピルアルコール)の蒸気または
IPAのミストを供給することで、ウエハを乾燥させて
いる。
【0003】ところが、上記ウエハ洗浄では、洗浄液中
からウエハを露出させる際には、当該洗浄液がオーバー
フローしないために、洗浄液の液面に浮かんでいるパー
ティクルがウエハの表面に付着すると言った問題が発生
する。さらに、この方法においては、洗浄槽内にウエハ
を出し入れする際、ウエハと共に搬送機構のアームが洗
浄槽内に挿入されるため、洗浄槽が大型化する。したが
って、ただ単に洗浄液の使用量が増加するだけではな
く、洗浄槽内における洗浄液の供給速度が低下して洗浄
効果(例えば洗浄液に純水を用いた場合のリンス洗浄の
効果)が落ちるため、洗浄時間が長引いてさらに多量の
洗浄液が必要となる。この結果、洗浄コストが高くなる
と共に、装置の専有面積が大きくなるという問題があ
る。
【0004】そこで、洗浄槽内におけるウエハ載置面を
上下動自在に構成したウエハ洗浄装置が提案された。こ
のウエハ洗浄装置を用いたウエハ洗浄では、上記ウエハ
載置面を上昇させることで、洗浄液の液面からウエハを
徐々に露出させる。この際、洗浄槽内の洗浄液をオーバ
ーフローさせながら、洗浄液の上方にIPAの蒸気また
はミストを供給しても良い。上記洗浄装置を用いた洗浄
方法によれば、洗浄液表面のパーティクルはオーバーフ
ローされる洗浄液と共に除去されるため、この洗浄液か
ら引き上げられるウエハの表面に上記パーティクルが付
着することはない。また、オーバーフロー状態の洗浄液
から露出させたウエハ表面はIPAに晒されるため、マ
ランゴニ効果によってウエハ表面の乾燥効率を向上させ
ることができる。しかも、ウエハ載置面を持ち上げるこ
とによって、洗浄槽からウエハを露出させることができ
るため、洗浄槽内に搬送機構のアームを挿入せずにウエ
ハの出し入れが行え、洗浄槽を小型化できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ウエハ洗
浄装置及びウエハ洗浄方法には、以下のような課題があ
る。すなわち、上記ウエハ洗浄装置及び洗浄方法では、
洗浄槽内においてウエハを上下に移動させているため、
振動によってウエハとウエハ保持具との間で摩擦が生
じ、パーティクルが発生する。これは、ウエハを汚染す
る要因になる。
【0006】そこで、本発明は、ウエハを移動すること
なく、洗浄液をオーバーフローさせた状態の洗浄槽に対
してウエハを出し入れ可能なウエハ洗浄装置及びウエハ
洗浄方法を提供し、洗浄工程においてウエハ表面の清浄
度を確保することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のウエハ洗浄装置は、ウエハが収納される洗浄
槽と、当該洗浄槽に接続された洗浄液供給管とを備えた
ウエハ洗浄装置において、洗浄槽の周壁が上下動自在に
構成されている。そして特に、上下動の範囲は、洗浄槽
内に収納されたウエハの上端よりも高い位置から当該ウ
エハの上端よりも低い位置に掛けてこの周壁の上縁が移
動する範囲であることを特徴としている。
【0008】上記構成のウエハ洗浄装置では、洗浄槽の
周壁が上下動自在であることから、ウエハを移動させる
ことなく、ウエハに対する洗浄槽の上縁の高さ位置が調
整される。このため、洗浄液をオーバーフローさせた状
態の洗浄槽に対して、ウエハを移動することなく当該ウ
エハの出し入れが行われる。この結果、洗浄液がオーバ
ーフロー状態にある洗浄槽に対してウエハを出し入れす
る際、ウエハの振動によって摩擦が引き起こされること
はない。
【0009】そして特に、洗浄槽の上縁が移動する範囲
のうちの前記ウエハの上端よりも低い位置を、当該ウエ
ハの下端よりも低くした場合には、ウエハを移動させる
ことなく、洗浄槽及びこの洗浄槽内の洗浄液から当該ウ
エハ全体が取り出される。
【0010】また、上記構成のウエハ洗浄装置は、上記
洗浄槽を覆う乾燥チャンバと、この乾燥チャンバに接続
されたガス供給管とを備えたものであっても良い。この
ような構成にすることで、オーバーフローさせた状態の
洗浄液の液面から露出されるウエハが、上記ガス供給管
から乾燥チャンバ内に供給された所定のガス雰囲気に晒
される。
【0011】また、本発明のウエハ洗浄方法は、先ず、
洗浄槽の周壁のを下降させた状態で、ウエハを当該洗浄
槽の底面上に載置する。次に、この洗浄槽の周壁を上昇
させると共に、この洗浄槽内に洗浄液を供給し、上記ウ
エハをこの洗浄液中に侵漬する。次いで、上記洗浄槽の
周壁を下降させることで、当該洗浄槽の周壁上方から上
記洗浄液をオーバーフロー排液すると共に、上記ウエハ
をこの洗浄液の液面から露出させる。しかる後、このウ
エハを上記洗浄槽から取り出す。
【0012】上記ウエハ洗浄方法では、洗浄槽の底面上
にウエハを載置した後に当該洗浄槽の周壁を上昇させる
ことで、ウエハを移動させることなく当該洗浄槽内にウ
エハが収納される。また、洗浄槽の周壁を下降させるこ
とで、ウエハを移動させることなく洗浄槽内からウエハ
が取り出される。この際、ウエハが侵漬される状態に洗
浄液が満たされた洗浄槽の周壁を下降させることで、当
該洗浄槽の周壁上方から洗浄液がオーバーフロー排液さ
れるので、ウエハを移動させることなく、オーバーフロ
ー状態の洗浄液からウエハが露出される。したがって、
ウエハを移動させることなく、オーバーフロー状態の洗
浄液からウエハが露出されると共に、ウエハを移動させ
ることなく洗浄槽内へのウエハの収納及び取り出しが行
われる。
【0013】そして特に、洗浄液の液面から露出させた
ウエハに、IPAの蒸気またはIPAのミストを含むガ
スを供給することで、オーバーフローさせた洗浄液の液
面から露出されるウエハ表面がIPAの蒸気またはIP
Aミストに晒される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明のウエハ洗浄装置及
びウエハ洗浄方法の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。
【0015】(第1実施形態)図1(1)は、本発明の
ウエハ洗浄装置の第1実施形態を示す平面図であり、図
1(2)は図1(1)のA−A’部の断面図である。こ
れら図に示すウエハ洗浄装置1は、洗浄槽2、洗浄槽2
に接続された洗浄液供給管3、洗浄槽2を覆う状態に設
けられた乾燥チャンバ4及び乾燥チャンバ4に接続され
た排液管5で構成されている。
【0016】上記洗浄槽2は、洗浄槽2内の水密性を確
保した状態で上下動自在な周壁21を備えている。ま
た、洗浄槽2の底部には、上記洗浄液供給管3が接続さ
れている。そして、洗浄槽2の底面上には整流板22が
設けられており、この整流板22上にはウエハWを立設
させた状態で保持するためのウエハ保持具23が設けら
れている。これによって、整流板22で整流された洗浄
液Lがウエハ保持具23上に保持されたウエハWに供給
されるように構成されているのである。
【0017】ここで、上記周壁21の上下動の範囲は、
ウエハ保持具23に保持された状態で洗浄槽2内に収納
されたウエハWの上端よりも高い位置から、このウエハ
Wの下端よりも低い位置の間で洗浄槽2の上縁がこの範
囲で移動自在であることとする。また、洗浄槽2の上縁
は、水平に限定されることはなく、例えばのこぎり歯の
ようにカットされた形状であっても良い。
【0018】図1におけるB部、すなわち周壁21の拡
大図を図2に示した。図2(1)に示すように、この周
壁21は、その対向する内壁面に、ウエハ保持具23に
立設させたウエハWの両側周が挿入される溝が形成され
たものであっても良い。周壁21の内周面をこのような
構成にした場合には、図2(2)に示す平坦な内壁面を
有する周壁21を用いた場合と比較して、洗浄槽2内に
おけるウエハWの固定を確実にすることができると共
に、洗浄槽2を小型化することができる。
【0019】さらに、図1に示したように、上記乾燥チ
ャンバ4は、洗浄槽2を覆う状態、すなわち洗浄槽2を
収納するように設けられている。この乾燥チャンバ4の
底面は、洗浄槽2の周壁21を最も低い位置に移動させ
た状態において、この洗浄槽2の上縁よりも十分低い位
置に設けられている。
【0020】そして、この乾燥チャンバ4の底面に、上
記排液管5が接続されている。これによって、周壁21
が最も低い位置にある洗浄槽2からオーバーフローされ
た洗浄液Lであっても、洗浄槽2内に逆流することなく
排液管5から排液されるように構成されているのであ
る。尚、この排液管5に、循環ポンプ、フィルタ及び温
度調節器を介して洗浄液供給管3に接続させることで、
洗浄液Lを廃液することなく循環利用させることが可能
になる。
【0021】上記構成のウエハ洗浄装置1によれば、洗
浄槽2の周壁21が上下動自在であることから、ウエハ
Wを移動させることなく、ウエハWに対する洗浄槽2の
上縁の高さ位置が調整される。このため、洗浄液Lをオ
ーバーフローさせた状態の洗浄槽2に対して、ウエハW
を移動することなく当該ウエハWの出し入れが行われ
る。この結果、洗浄槽2に対してウエハWを出し入れす
る際、ウエハWが振動してウエハ保持部23との間で摩
擦が引き起こされることがなくなり、この摩擦によるパ
ーティクルの発生を防止することが可能になる。したが
って、ウエハWの清浄度を確保した洗浄を行うことが可
能になる。
【0022】また、ウエハWを搬送する搬送機構のアー
ム(図示省略)を洗浄槽2内に挿入することなく、洗浄
槽2内にウエハWを出し入れすることが可能になるた
め、洗浄槽2を小型化することが可能になる。したがっ
て、洗浄液Lの使用量を削減することができると共に、
ウエハ洗浄装置1の設置面積を縮小することができる。
さらに、ウエハWを搬送する際、上記アームが洗浄液L
に侵漬されることがない。このため、アームに付着した
物質(前工程の洗浄液や純水を含む)による洗浄液Lの
汚染(洗浄液の希釈を含む)が防止される。
【0023】尚、洗浄槽2内には、ウエハキャリアに保
持させた状態のウエハWを収納するようにしても良い。
この場合、図3(1)、図3(2)に示すように、ウエ
ハWの直径よりも小さなウエハキャリア8を用いること
とする。このウエハキャリア8は、例えば皿状体の上面
にウエハWを立設させた状態で保持するための溝が切ら
れた保持部材を設けた構成であることとする。これによ
って、ウエハキャリア8の大きさに係わらず、洗浄槽2
を小型化することができる。このようなウエハキャリア
8を用いた場合には、搬送機構のアーム9によってウエ
ハキャリア8を保持することで、ウエハWを洗浄槽2内
(乾燥チャンバ4内)に出し入れすることとする。
【0024】図4は、上記構成のウエハ洗浄装置1を用
いたウエハ洗浄方法の一例を説明する図であり、以下に
この図を用いてウエハ洗浄方法の一実施形態を説明す
る。ここでは、一般的な自動侵漬式洗浄装置の洗浄槽に
本発明のウエハ洗浄装置を適用した場合の洗浄方法を説
明する。自動侵漬式洗浄装置では、一枚または複数枚の
ウエハWをローダにセットすると、各ウエハWは搬送機
構によって洗浄槽(すなわち実施形態で説明したウエハ
洗浄装置)内に出し入れされるのである。
【0025】すなわち、先ず、ここでは図示を省略した
ローダにウエハWをセットすると、図4(1)に示すよ
うに、搬送機構のアーム9によって周縁部分を保持され
た状態のウエハWが、ウエハ洗浄装置1に搬送されてく
る。尚、図3を用いて説明したウエハキャリア8を用い
た場合には、ウエハキャリア8に保持されたウエハWが
アーム9によってウエハ洗浄装置1に搬送されてくる。
【0026】そこで、先ず洗浄槽2の周壁21をウエハ
保持具23よりも下に下降させた状態で、アーム9によ
ってウエハWを乾燥チャンバ4内に搬入する。
【0027】そして、図4(2)に示すように、ウエハ
Wをウエハ保持具23に保持させ、アーム9によるウエ
ハWの保持を解除し、このアーム9を乾燥チャンバ4内
から引き上げる。これによって、洗浄液供給管3から供
給される洗浄液Lに対してアーム9を侵漬させることな
く、ウエハ保持具23にウエハWを保持させる。尚、以
上までの工程においては、洗浄液供給管3から洗浄液L
を供給していても、していなくても良い。
【0028】次に、図4(3)に示すように、アーム
(9)が乾燥チャンバ4内から引き上げられた後、洗浄
槽2の周壁21を上昇させる。この際、洗浄液供給管3
からの洗浄液Lの供給速度によって、洗浄槽2からの洗
浄液Lのオーバーフロー状態を調節する。尚、洗浄液供
給管3からの洗浄液Lの供給は、洗浄槽2の周壁21が
最上部にまで上昇した後に開始しても良く、また洗浄槽
2からオーバーフローしない範囲で周壁21の上昇と共
に洗浄液供給管3からの洗浄液Lの供給を行っても良
い。
【0029】その後、図4(4)に示すように、ウエハ
Wが侵漬される程度の洗浄液Lを洗浄液供給管3から洗
浄槽2内に供給した状態、またはこの状態からさらに洗
浄液Lをオーバーフローさせた状態で、ウエハWを洗浄
する。
【0030】次に、図5(1)に示すように、所定の洗
浄時間が終了した後、洗浄槽2の周壁21を下降させ
る。これによって、洗浄液Lを洗浄槽2からオーバーフ
ローさせて排液管5から排液すると共に、ウエハWを洗
浄液Lの液面から露出させる。
【0031】そして、図5(2)に示すように、周壁2
1が最も低い位置に下降した状態では、ウエハW全体が
洗浄液Lから露出される。この際、洗浄液供給管3から
は、洗浄液Lを供給し続けても停止しても良い。その
後、搬送機構のアーム9を乾燥チャンバ4内に挿入し、
このアーム9にウエハWを保持させる。尚、図3を用い
て説明したウエハキャリア8を用いた場合には、ウエハ
Wを保持したウエハキャリア8をアーム9に保持させ
る。
【0032】しかる後、図5(3)に示すように、アー
ム9に保持されたウエハWを、乾燥チャンバ4内から搬
出し、ウエハ洗浄装置1による洗浄を終了させる。
【0033】上記ウエハ洗浄方法では、洗浄槽2の底面
上のウエハ保持具23にウエハWを保持させて搬送機構
のアーム9を引き上げた後に洗浄槽2の周壁21を上昇
させることで、上記アーム9を洗浄槽21内に挿入させ
ることなく、かつウエハWを移動させることなく当該洗
浄槽2内にウエハWが収納される。また、洗浄槽2の周
壁21を下降させることで、ウエハWを洗浄液Lの液面
から露出させるので、ウエハWを移動させることなく、
かつウエハWの搬送装置を洗浄槽2内に挿入させること
なく当該洗浄液L中からウエハWが取り出される。しか
も、洗浄槽2の周壁21を下降させることで、当該洗浄
槽2の周壁21上方から洗浄液Lがオーバーフロー排液
されるので、ウエハWを移動させることなく、オーバー
フロー状態の洗浄液LからウエハWを露出させることが
できる。したがって、ウエハWを移動させることなく、
オーバーフロー状態の洗浄液L及び洗浄槽21からウエ
ハWが取り出されると共に、洗浄槽2内にウエハWが収
納される。この結果、洗浄槽21内においてウエハWが
振動してウエハ保持部23との間で摩擦が引き起こされ
ることがなくなり、この摩擦によるパーティクルの発生
を防止することが可能になる。したがって、ウエハの清
浄度を確保することが可能になる。
【0034】次に、上記構成のウエハ洗浄装置1を用い
て、異なる種類の洗浄液Lを用いて連続的にウエハを洗
浄する方法を説明する。
【0035】先ず、上記図4(1)〜図4(4)及び図
5(1)を用いて説明した工程までを行い、さらにウエ
ハW全体を洗浄液L(以降、この洗浄液Lを第1の洗浄
液Lと記す)から露出させ、この洗浄液Lによるウエハ
Wの洗浄を終了させる。
【0036】次に、図6(1)に示すように、洗浄液供
給管3から供給されていた第1の洗浄液Lを、第2の洗
浄液L’に変更する。
【0037】その後、図6(2)に示すように洗浄槽2
の周壁21を上昇させると共に、洗浄液供給管3から第
2の洗浄液L’を供給してウエハWを第2の洗浄液L’
中に侵漬させる。この際、洗浄液供給管3からの第2の
洗浄液L’の供給速度によって、洗浄槽2からの第2の
洗浄液L’のオーバーフロー状態を調節する。尚、洗浄
液供給管3からの第2の洗浄液L’の供給は、洗浄槽2
の周壁21が最上部にまで上昇した後に開始しても良
く、洗浄槽2からオーバーフローしない範囲で周壁21
の上昇と共に洗浄液供給管3からの第2の洗浄液L’の
供給を行っても良い。
【0038】そして、図6(3)に示すように、ウエハ
Wが侵漬される程度の第2の洗浄液L’を洗浄槽2内に
供給した状態、またはこの状態からさらに第2の洗浄液
L’をオーバーフローさせた状態で、ウエハWを洗浄す
る。
【0039】次に、図6(4)に示すように、所定の洗
浄時間が終了した後、洗浄槽2の周壁21を下降させ
る。これによって、第2の洗浄液L’を洗浄槽2からオ
ーバーフローさせて排液管5から排液すると共に、ウエ
ハWを第2の洗浄液L’の液面から露出させる。そし
て、図6(5)に示すように、周壁21が最も低い位置
に下降した状態では、ウエハW全体が第2の洗浄液L’
から露出される。この際、洗浄液供給管3からは、第2
の洗浄液L’を供給し続けても停止しても良い。
【0040】さらに、第3の洗浄液による洗浄を繰り返
す場合には、洗浄液を取り替えて上記図6(1)〜図6
(5)を用いて説明した工程を繰り返し行う。
【0041】一方、ウエハWの洗浄を終了させる場合に
は、図6(6)に示すように、搬送機構のアーム9を乾
燥チャンバ4内に挿入し、このアーム9にウエハWを保
持させる。
【0042】しかる後、図6(7)に示すように、アー
ム9に保持されたウエハWを、乾燥チャンバ4内から搬
出し、ウエハ洗浄装置1における洗浄を終了させる。
【0043】上記ウエハ洗浄方法によれば、洗浄槽2内
においてウエハを移動させることなく、2種類の洗浄液
によるウエハWの洗浄を行うことが可能になる。
【0044】上記洗浄方法においては、洗浄液Lを交換
する場合に、洗浄槽2の周壁を降下させて先の洗浄液L
が洗浄槽2内から全て排液されるようにしている。しか
し、第1の洗浄液Lを第2の洗浄液L’で徐々に置換し
ていく場合には、図4(4)に示した状態で、洗浄液供
給管3から供給されていた第1の洗浄液Lを第2の洗浄
液L’に交換するだけでも良い。
【0045】(第2実施形態)図7には、本発明の第2
実施形態のウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法を説明す
る図である。この図に示すウエハ洗浄装置1’は、上記
第1実施形態で説明したウエハ洗浄装置における乾燥チ
ャンバ4の上面に蓋41を設けてなり、乾燥チャンバ4
内が密閉可能に構成されている。また、乾燥チャンバ4
の側壁には、洗浄槽2内のウエハ保持具23よりも低い
位置に上記排気管6が接続されており、乾燥チャンバ4
の側壁における上部(蓋41の直下)には上記ガス供給
管7が接続されている。このガス供給管7は、例えば、
乾燥チャンバ4内に挿入されるものであり、ここでは図
示を省略した複数の吹出口を乾燥チャンバ4内に備えて
いるものである。これによって、ガス供給管7から供給
されたガスが、ウエハ保持具23に保持されたウエハW
に供給されるような構成になっている。
【0046】上記構成のウエハ洗浄装置1’を用いたウ
エハ洗浄方法の一例として、ウエハの純水リンスと乾燥
とを行う方法を説明する。先ず、図7(1)に示すよう
に、例えば上記第1実施形態で説明したと同様にして、
洗浄槽2内にウエハWを収納し、洗浄槽2の周壁21を
上昇させた状態で、薬液供給管3から洗浄液Lとして純
水を供給する。そして、薬液供給管3からの洗浄液(純
水)Lの供給を続け、洗浄槽2から洗浄液(純水)Lを
オーバーフローさせることによって、ウエハWの洗浄
(すなわち、ここでは純水によるリンス)を行う。
【0047】次に、図7(2)に示すように、ガス供給
管7から乾燥チャンバ4内にIPA蒸気と窒素ガスとを
混合させたガスGを供給し、かつ排気管6から乾燥チャ
ンバ4内のガスを排気することによって乾燥チャンバ4
内を上記ガスGで満たしておく。
【0048】そして、所定のリンス時間が経過した後、
薬液供給管3からの洗浄液(純水)Lの供給を続けた状
態、または停止させた状態で、洗浄槽2の周壁21を下
降させていく。これによって、純水をオーバーフローさ
せた状態の洗浄槽2から、上記ガスG中にウエハWを徐
々に露出させ、マランゴニ効果によって、ウエハWの露
出面に効果的にIPAを凝集させてウエハWを効率良く
乾燥させる。
【0049】この際、ガスGにおけるIPA蒸気と窒素
ガスとの混合比や供給量及び温度、純水の供給量及び温
度、洗浄槽2の周壁21の下降速度、排気管6からの排
気量は、ウエハWの乾燥具合が最適になるように調整す
る。また、この際ガス供給管7から供給するガスGは、
上記ガスに限定されることはなく、IPA蒸気のみ、I
PA蒸気と水蒸気との混合蒸気、IPA蒸気と不活性な
ガスとの混合ガスまたは上記の各IPA蒸気に換えてミ
スト状のIPAを含むガスでも良い。
【0050】そして、図7(3)に示すように、ウエハ
Wが完全に洗浄液(純水)Lから引き上げられ、ウエハ
Wの表面の純水が十分にIPAで置換されたた後、ガス
供給管7からの上記ガスGの供給を停止する。
【0051】その後、図7(4)に示すように、洗浄液
供給管3からの洗浄液(純水)Lの供給を停止した状態
で、ガス供給管7から窒素ガスG’を供給してウエハW
やウエハ洗浄装置1’の内壁に付着しているIPAを蒸
発乾燥させる。以上の後、乾燥チャンバ4の蓋41を外
してウエハWを取り出し、洗浄工程を終了させる。
【0052】上記ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法に
よれば、ウエハWを移動させることなく、オーバーフロ
ーさせた状態の洗浄液Lの液面から露出されるウエハW
を、IPAを含む雰囲気中に取り出すことができる。し
たがって、マランゴニ効果によってウエハ表面の乾燥効
率を向上させることができる。
【0053】尚、上記実施形態の図7(2)を用いて説
明した工程では、少なくともIPAの蒸気またはIPA
のミストを含むガス雰囲気中にウエハWを露出させるよ
うにした。しかし、ウエハWは、ガス供給管7から供給
された窒素ガス雰囲気中、または乾燥チャンバ4内の閉
じられた大気中に露出させるようにしても良い。この場
合、図7(3)を用いて説明した工程では、ウエハWが
完全に純水から引き上げられた後またはウエハWを純水
から引き上げながら、ガス供給管7から少なくとも高温
のIPA蒸気を供給することとする。これによって、I
PA蒸気が温度の低いウエハ表面で凝集してウエハ表面
の水分を溶解する。水分を溶解したIPAはウエハ表面
から流れ落ち、これによってウエハWが乾燥される。
【0054】この際、ガス供給管7から供給するIPA
蒸気の量、温度、供給時間は、ウエハWの乾燥具合に合
わせて予め調節しておく。また、ここではIPA蒸気を
供給することとしたが、IPA蒸気と窒素ガスの混合ガ
ス、IPA蒸気と不活性なガスとの混合ガス、または上
記IPA蒸気をIPAミストに換えたガスであっても良
い。そして、こらのIPA蒸気やIPAミストの温度
は、乾燥具合に応じて予め決めておく。
【0055】尚、上記第1実施形態及び第2実施形態で
は、洗浄槽2の周壁21全体が上下動自在であるものと
して説明を行った。しかし、本発明のウエハ洗浄装置
は、洗浄槽2の周壁21の一部分(例えば、周壁21を
構成する4面のうちの1面または複数の面またはさらに
その一部分)のみが上下動自在である構成であっても良
い。この場合、周壁21のうちの上下動自在な部分の上
縁からのみ洗浄液Lがオーバーフローする。また、洗浄
槽2の周壁21の一部分のみを上下動自在とした場合に
は、洗浄槽2のうちの対向する2面を上下動自在にす
る。これによって、洗浄槽2の底面にウエハWを載置す
るまたは洗浄槽2の底面からウエハWを引き上げるため
に、ウエハWの周縁を両側から挟み込むアーム(搬送機
構の)を用いることが可能になる。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
係るウエハ洗浄装置によれば、洗浄槽の周壁を上下動自
在に構成したことで、洗浄液をオーバーフローさせた状
態の洗浄槽に対して、ウエハを移動することなく当該ウ
エハの出し入れを行うことが可能になる。したがって、
マランゴニ効果の高い乾燥や液面からのパーティクルの
付着を防止したウエハ洗浄を、ウエハを振動させること
なく行うことが可能になる。この結果、ウエハの振動に
よる摩擦に起因したパーティクルの発生を防止でき、ウ
エハ表面の清浄度を確保したウエハ洗浄を行うことがで
きる。
【0057】また、本発明の請求項5に係るウエハ洗浄
方法によれば、洗浄槽の周壁を上下動させることによっ
て、当該洗浄槽内へのウエハの出し入れを行うようにし
たことで、ウエハを移動することなく、洗浄液をオーバ
ーフローさせた状態の洗浄槽に対して当該ウエハの出し
入れを行うことが可能になる。したがって、マランゴニ
効果の高い乾燥や液面からのパーティクルの付着を防止
したウエハ洗浄を、ウエハを振動させることなく行うこ
とが可能になる。この結果、ウエハの振動による摩擦に
起因したパーティクルの発生を防止したウエハ洗浄を行
い、ウエハ表面の清浄度を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(1)は第1実施形態のウエハ洗浄装置の構成
を示す平面図であり、(2)は図1(1)のA−A部の
断面図である。
【図2】本発明のウエハ洗浄装置における洗浄槽の周壁
の要部拡大図である。
【図3】本発明のウエハ洗浄装置の他の例を説明する図
である。
【図4】本発明のウエハ洗浄装置を用いたウエハ洗浄方
法の一例を説明する図(その1)である。
【図5】本発明のウエハ洗浄装置を用いたウエハ洗浄方
法の一例を説明する図(その2)である。
【図6】本発明のウエハ洗浄装置を用いたウエハ洗浄方
法の変形例を説明する図である。
【図7】第2実施形態のウエハ洗浄装置の構成及びこの
ウエハ洗浄装置を用いたウエハ洗浄方法を説明する図で
ある。
【符号の説明】
1、1’…ウエハ洗浄装置、2…洗浄槽、3…洗浄液供
給管、4…乾燥チャンバ、7…ガス供給管、21…周
壁、L…洗浄液,第1の洗浄液、L’…第2の洗浄液
(洗浄液)、W…ウエハ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハが収納される洗浄槽と、当該洗浄
    槽に接続された洗浄液供給管とを備えたウエハ洗浄装置
    において、 前記洗浄槽の周壁は、当該洗浄槽内に収納されたウエハ
    の上端よりも高い位置から当該ウエハの上端よりも低い
    位置に掛けてその上縁が移動する範囲で上下動自在に構
    成されていることを特徴とするウエハ洗浄装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のウエハ洗浄装置におい
    て、 前記洗浄槽の上縁が移動する範囲における前記ウエハの
    上端よりも低い位置は、当該ウエハの下端よりも低いこ
    とを特徴とするウエハ洗浄装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のウエハ洗浄装置におい
    て、 前記洗浄槽の周壁は、その一部分が上下動自在であるこ
    とを特徴とするウエハ洗浄装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のウエハ洗浄装置におい
    て、 前記洗浄槽を覆う乾燥チャンバと、 前記乾燥チャンバに接続されたガス供給管とを備えたこ
    とを特徴とするウエハ洗浄装置。
  5. 【請求項5】 洗浄槽の周壁を下降させた状態で、ウエ
    ハを当該洗浄槽の底面上に載置する工程と、 前記洗浄槽の周壁を上昇させると共に、当該洗浄槽内に
    洗浄液を供給し、前記ウエハを当該洗浄液中に侵漬する
    工程と、 前記洗浄槽の周壁を下降させることで、当該洗浄槽の周
    壁上方から前記洗浄液をオーバーフロー排液すると共
    に、前記ウエハを前記洗浄液の液面から露出させる工程
    と、 前記ウエハを前記洗浄槽から取り出す工程とを行うこと
    を特徴とするウエハ洗浄方法。
  6. 【請求項6】 請求項4記載のウエハ洗浄方法におい
    て、 前記洗浄液の液面から露出させた前記ウエハに、イソプ
    ロピルアルコールの蒸気またはイソプロピルアルコール
    のミストを含むガスを供給することを特徴とするウエハ
    洗浄方法。
JP10287475A 1998-10-09 1998-10-09 ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法 Pending JP2000114218A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10287475A JP2000114218A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10287475A JP2000114218A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000114218A true JP2000114218A (ja) 2000-04-21

Family

ID=17717830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10287475A Pending JP2000114218A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000114218A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509280A (ja) * 2001-10-03 2005-04-07 東京エレクトロン株式会社 複数の半導体基板の高圧加工用チャンバ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005509280A (ja) * 2001-10-03 2005-04-07 東京エレクトロン株式会社 複数の半導体基板の高圧加工用チャンバ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6374837B2 (en) Single semiconductor wafer processor
JP5645796B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
US6656321B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN1638882B (zh) 用来干燥至少一个基片的装置及方法
JPH07111963B2 (ja) 基板の洗浄乾燥装置
JPH1022256A (ja) 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法
JP2000114218A (ja) ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
JP3866130B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPS63208223A (ja) ウエハ処理装置
US6742281B2 (en) Apparatus for drying semiconductor wafer using vapor dry method
JPH06314677A (ja) 洗浄装置
KR20040008059A (ko) 기판 세정 방법 및 이를 이용한 기판 세정 장치
JPH1131676A (ja) 洗浄システム
JPH10321577A (ja) 半導体基板の洗浄装置
JP3583552B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH07283194A (ja) 洗浄・乾燥方法と洗浄装置
JP3003017B2 (ja) 洗浄処理装置
US11854841B2 (en) Space filling device for wet bench
KR101425813B1 (ko) 웨이퍼의 침지식 세정 건조 장치
KR100543506B1 (ko) 척 세정장치 및 세정방법
JP2005085782A (ja) 基板処理装置
JPH10340875A (ja) 処理装置及び処理方法
JPH10163158A (ja) 板状体洗浄装置
JP3756321B2 (ja) 基板処理装置および方法
JP2000133629A (ja) 基板処理装置および方法