KR20020094905A - 기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기 - Google Patents

기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20020094905A
KR20020094905A KR1020020032733A KR20020032733A KR20020094905A KR 20020094905 A KR20020094905 A KR 20020094905A KR 1020020032733 A KR1020020032733 A KR 1020020032733A KR 20020032733 A KR20020032733 A KR 20020032733A KR 20020094905 A KR20020094905 A KR 20020094905A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
circuit
integrated circuit
wiring
electro
Prior art date
Application number
KR1020020032733A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100566923B1 (ko
Inventor
에구치츠카사
후지카와신스케
오자와도쿠로
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20020094905A publication Critical patent/KR20020094905A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100566923B1 publication Critical patent/KR100566923B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels

Abstract

액정 장치 등의 TFT 어레이 기판 등으로서 이용되는 기판 장치에 있어서, 외장 IC를 떼어내지 않고서, 그 전기적인 검사를 한다.
기판 장치는, 기판과, 이 위에 마련된 주변 회로와, 기판상에 배선된 제 1 배선과, 기판상에 외장되어 있고 제 1 단자를 가지며 또한 해당 제 1 단자가 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속된 외장 IC를 구비한다. 더욱이, 기판상의 영역중 외장 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 접속용 부분으로부터 인출된 제 2 배선과, 기판상의 영역중 외장 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 제 2 배선상에 마련된 제 1 외부 회로 접속 단자를 구비한다. 이 외부 회로 접속 단자를 거쳐서, 외장 IC의 검사를 실행할 수 있다.

Description

기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기{SUBSTRATE APPARATUS, EXAMINING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 예컨대 액정 장치 등의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판 등으로서 바람직하게 이용되는 기판 장치 및 그 전기적인 검사 방법의 기술 분야에 속하며, 또한 그와 같은 기판 장치를 갖추어 이루어지는 액정 장치 등의 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 각종 전자 기기의 기술 분야에 속한다.
박막 트랜지스터(이하 적절히, TFT라고 칭함) 구동형의 액정 장치 등의 전기 광학 장치에서는, 유리 기판, 석영 기판 등의 절연 기판상에, 고온 또는 저온 폴리 실리콘, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등을 반도체층으로서 이용한 박막 트랜지스터가, 화소 전극의 스위칭 제어용으로 각 화소에 마련된다.
폴리 실리콘형의 TFT의 경우에는, 대체적으로 트랜지스터 특성이나 소비 전력에 있어 우수한다. 이 때문에, 다수의 화소 전극이 배열된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 이러한 폴리 실리콘형의 TFT로 이루어지는 주변 회로를 마련하면, 주변 회로로서 충분한 트랜지스터 특성이나 저소비 전력이 얻어진다. 따라서, 동일 제조 공정에 의해 화상 표시 영역내에서의 화소 스위칭용의 TFT와 주변 회로를 구성하는 TFT를 동시 형성할 수 있기 때문에 유리하다.
한편, 비정질 실리콘형의 TFT의 경우에는 대체적으로 트랜지스터 특성이나 소비 전력에 있어 뒤떨어진다. 이 때문에, 주변 회로를 비정질 실리콘형의 TFT로만든다면 주변 회로로서 충분한 트랜지스터 특성이나 저소비 전력이 얻어지지 않는 경우가 많다. 이 때문에, 비정질 실리콘형의 TFT를 화소 스위칭용의 TFT로서 채용하는 경우에는, 주변 영역에 외장 집적 회로(이하 적절히, IC라고 칭함)를 외장하는 기술이 일반적이다.
본원 발명자의 연구에 의하면, 전술한 폴리 실리콘형의 TFT로 주변 회로를 마련하는 기술에서는, 표시 화상의 고품질화 등의 일반적 요청하에 있어서 구동 주파수의 상승이나 저소비 전력화에 대처 가능한 주변 회로를 마련하는 것이 어렵게 되고 있다. 이 때문에, 주변 영역에 외장 IC를 외장하여, 이 외장 IC에 주변 회로의 일부의 기능을 갖게 하는 것이 바람직하다고 고찰된다. 예컨대, 일본 특허 공개 평성 제 04-242724 호 공보에 개시되어 있는 기술이 알려져 있다.
그러나, 전술한 바와 같이, 주변 회로를 마련한 기판상에, 더욱이 외장 집적 회로를 외장하면, 제조후나 출하후에 있어서 당해 기판 장치에 고장이나 이상이 발생한 경우에, 고장나거나 혹은 이상한 것이, 주변 회로인 것인지 또는 외장 IC인 것인지를 특정하는 것이 지극히 곤란하게 된다. 따라서, 이러한 고장 혹은 이상일 때에는, 외장 IC를 기판으로부터 떼어내어, 당해 외장 IC 단독으로, 전기적인 검사를 할 필요가 있어, 실용적이지 않다고 하는 문제점이 있다.
이 때문에, 실제로는, 주변 회로가 마련된 기판상에 또한, 외장 IC를 외장하는 기술은 발전되고 있지 않는 것이 실정이다.
또한, 외장 IC에 관한 별도의 과제로서는, 주변 영역에 외장 IC를 외장하면, 전술한 제조 프로세스의 검사, 평가 또는 감시용 혹은 소자 평가용의 각종 패턴과 외장 IC에 의해, 상대적으로 넓은 주변 영역이 필요해진다. 즉, 한정된 기판상 영역중, 상당한 부분을 이들의 각종 패턴과 외장 IC로 차지하는게 되어, 결과로서, 기판의 소형화 혹은 한정된 기판상 영역에서의 화상 표시 영역의 대형화라는 일반적 요청에 응하기 어렵게 된다는 것도 있다.
한편, 주변 회로를 마련한 기판상에, 또한 외장 IC를 외장하면, 마찬가지로, 한정된 기판상 영역중, 상당한 부분을 주변 회로와 외장 IC로 차지하는게 되어, 결과로서, 기판의 소형화 혹은 한정된 기판상 영역에서의 화상 표시 영역의 대형화라는 일반적 요청에 응하기 어렵게 된다.
이 때문에, 실제로는, 제조 프로세스의 검사, 평가 또는 감시용 혹은 소자 평가용의 각종 패턴이나 주변 회로가 마련된 기판상에 또한, 외장 IC를 외장하는 기술은 발전되고 있지 않는 것이 실정이다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 외장 IC를 떼어내지 않고서, 그 전기적인 검사가 실행 가능한 동시에 주변 회로에 의한 이익과 외장 IC에 의한 이익의 양쪽을 향수(享受) 가능한 기판 장치, 해당 기판 장치의 전기적인 검사를 비교적 용이하게 실행 가능한 기판 장치의 검사 방법, 그와 같은 기판 장치를 갖추어 이루어지는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
또한, 본 발명은 상기 별도의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 외장 IC를외장하면서, 한정된 기판상 영역에서의 화상 표시 영역의 넓이를 확보할 수 있는 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 본 발명의 기판 장치의 제 1 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3차원적인 부분 분해 사시도,
도 2는 본 발명의 기판 장치의 제 1 실시예에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도,
도 3은 비교예에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도,
도 4는 본 발명의 기판 장치의 일 변형 형태에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도,
도 5는 본 발명의 기판 장치의 다른 변형 형태에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도,
도 6은 본 발명의 기판 장치의 제 2 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3 차원적인 부분 분해 사시도,
도 7은 본 발명의 기판 장치의 제 2 실시예에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도,
도 8은 도 7의 C1-C1' 단면도,
도 9는 도 7의 D-D' 단면도에 있어서의 제조 프로세스를 나타내는 공정도,
도 10은 변형 형태에 있어서의 도 7의 C1-C1' 단면도,
도 11은 본 발명의 기판 장치의 제 3 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3 차원적인 부분 분해 사시도,
도 12는 본 발명의 기판 장치의 제 3 실시예에 있어서의 외장 IC 부근을 설치하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도,
도 13은 도 12의 C2-C2' 단면도,
도 14는 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판의 측에서 본 평면도,
도 15는 도 14의 H-H' 단면도,
도 16은 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로,
도 17은 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 상호 인접하는 복수의 화소군의 평면도,
도 18은 도 17의 A-A' 단면도,
도 19는 본 발명의 전자 기기의 실시예인 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a : 반도체층1a' : 채널 영역
1b : 저농도 소스 영역1c : 저농도 드레인 영역
1d : 고농도 소스 영역1e : 고농도 드레인 영역
2 : 절연막3a : 주사선
6a : 데이터선9a : 화소 전극
10 : 기판11a : 하측 차광막
16 : 배향막20 : 대향 기판
21 : 대향 전극22 : 배향막
30 : TFT50 : 액정층
70 : 축적 용량81, 82, 83, 85 : 콘택트 홀
101 : 데이터선 구동 회로
101S : 데이터선 구동 회로를 설치하는 영역
102 : 외부 회로 접속 단자104 : 주사선 구동 회로
118 : 샘플링 회로200A, 200B, 200C : 기판 장치
201, 202, 203 : 배선211, 212 : 접속 패드
221 : 출력 단자222 : 입력 단자
230 : 패턴
본 발명의 기판 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판과, 해당 기판상에 마련된 주변 회로와, 상기 기판상에 배선된 제 1 배선과, 상기 기판상의 상기 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속된 제 1 단자를 갖는 집적 회로와, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 상기 접속용 부분으로부터 인출된 제 2 배선과, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 2 배선상에 마련된 제 1 외부 회로 접속 단자를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 장치에 의하면, 기판상에는, 주변 회로가 마련되어 있고, 또한 집적 회로가 설치되어 있다. 따라서, 주변 회로에 관해서는, 고온 또는 저온 폴리 실리콘, 비정질 실리콘 등을 반도체층으로서 이용한 박막 트랜지스터를 기판상에 형성하는 경우에, 이것과 동일 공정에 의해, 주변 회로를 마련할 수 있다. 한편, 이러한 트랜지스터보다도 스위칭 특성이나 소비 전력 특성에 있어 우수한 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 집적 회로를 기판상에 설치할 수 있다. 따라서, 기판상의 회로로서 필요한 기능의 일부분을 주변 회로에 갖게 하는 동시에 기판상의 회로로서 필요한 기능의 다른 부분을, 동일 기판상에 설치된 집적 회로에 갖게할 수 있다. 이것에 의해, 주변 회로에 있어서의 주된 이익인 제조 및 적층 구조의 단순화 및 소형 박형화와, 집적 회로에 있어서의 주된 이익인 고성능화 및 저소비 전력화의 양쪽을, 적당한 밸런스로 향수 가능해진다. 여기서 특히, 집적 회로의 제 1 단자는, 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속되어 있고, 이 접속용 부분으로부터 제 2 배선이, 기판상의 영역중 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 인출된다. 또한, 기판상의 영역중 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서, 이와 같이 인출된 제 2 배선상에, 제 1 외부 회로 접속 단자가 마련되어 있다. 따라서, 집적 회로의 제 1 단자에 제 2 배선을 거쳐서 접속된 제 1 외부 회로 접속 단자가, 기판상에 있어서의 집적 회로로부터 떨어진 개소에 마련되어 있기 때문에, 이 제 1 외부 회로 접속 단자를 거쳐서, 집적 회로와 외부 검사 장치와의 사이에서 임의의 신호의 입출력이 가능해진다. 예컨대, 제 1 단자를 집적 회로의 출력 단자가 되도록 배치하면, 제 1 외부 회로 접속 단자에 있어서, 집적 회로의 출력 특성을 외부 검사 장치에 의해 검사할 수 있다.
이상의 결과, 동일 기판상에 주변 회로와 집적 회로가 존재하더라도, 특히 집적 회로를 설치한 후에 장치 고장 혹은 이상이 발생한 경우에, 집적 회로를 기판으로부터 떼어내지 않고서, 집적 회로로부터 출력되는 신호를 출력하는 것이 가능하기 때문에, 어느쪽의 회로가 고장이 난 것인지를 검사하는 것이 가능해진다. 즉, 집적 회로를 떼어내고, 그 출력 단자에 검사용 프로브를 대는 등에 의해 검사할 필요는 없고, 실용상 대단히 편리하다.
이와 같이 본 발명의 기판 장치에 의하면, 집적 회로를 떼어내지 않고서 그전기적인 검사가 실행 가능한 동시에 주변 회로에 의한 이익과 집적 회로에 의한 이익의 양쪽을 향수 가능해진다.
본 발명의 기판 장치의 1 형태에서는, 상기 접속용 부분은, 상기 기판상에 배치된 접속용 패드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 형태에 의하면, 접속용 패드로 이루어지는 접속용 부분에, 집적 회로의 제 1 단자를 접합하는 것에 의해, 비교적 간단하게, 양자 사이에 양호한 전기적 접속이 취해진다.
본 발명의 기판 장치의 다른 형태에서는, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하는 제 3 배선과, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 3 배선상에 마련된 제 2 외부 회로 접속 단자를 또한 구비하고 있고, 상기 집적 회로는, 제 2 단자를 또한 갖는 동시에 해당 제 2 단자가 상기 제 3 배선상에 마련된 다른 접속용 부분에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 형태에 의하면, 집적 회로의 제 2 단자는, 제 3 배선상에 마련된 접속용 패드 등의 접속용 부분에 접속되어 있고, 제 3 배선을 거쳐서 제 2 외부 회로 접속 단자에 접속되어 있다. 따라서, 집적 회로의 제 2 단자에 접속된 제 2 외부 회로 접속 단자가, 기판상에 있어서의 집적 회로로부터 떨어진 개소에 마련되어 있기 때문에, 집적 회로를 기판상에 설치한 후에, 이 제 2 외부 회로 접속 단자를 거쳐서, 집적 회로와 외부와의 사이에서 임의의 신호의 입출력이 가능해진다. 예컨대, 제 2 단자를 입력 단자가 되도록 배치하면, 제 2 외부 회로 접속 단자에 있어서, 집적회로에, 화상 신호, 제어 신호, 전원 신호 등의 각종 신호를 입력할 수 있다.
이 형태에서는, 상기 제 1 단자는, 상기 집적 회로의 출력 단자이고, 상기 제 2 단자는, 상기 집적 회로의 입력 단자이며, 상기 제 1 외부 회로 접속 단자는, 상기 집적 회로의 출력 신호를 취출하기 위한 검사용 단자이고, 상기 제 2 외부 회로 접속 단자는, 당해 기판 장치를 동작시키는 각종 신호를 입력하기 위한 동작용 단자이도록 구성하더라도 좋다.
이와 같이 구성하면, 제 2 외부 회로 접속 단자에 있어서 집적 회로에 외부로부터 각종 신호를 입력할 수 있는 동시에, 제 1 외부 회로 접속 단자에 있어서 집적 회로의 출력을 외부로부터 검사할 수 있다.
상기 집적 회로가 제 1 단자 및 제 2 단자를 갖는 형태에서는, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자는, 상기 집적 회로의 상기 기판에 대향하는 면상에 위치하도록 구성하더라도 좋다.
이와 같이 구성하면, 집적 회로의 실장후에는, 집적 회로의 기판에 대향하는 면상에 배치되어 있는 출력 단자나 입력 단자가, 집적 회로의 패키지 본체에 의해 가려져 버리지만, 제 1 외부 회로 접속 단자에 있어서, 집적 회로의 출력을 외부로부터 검사 가능해진다.
또한, 본 발명에 응용할 수 있는 집적 회로의 실장 방법으로서는, COG(Chip on Grass)법 외에, 와이어 본딩법, 플립칩법, 빔리드(beam lead)법 등이 있고, 당해 방법으로 실장 가능한 DIP 형, 플랫팩(flat pack)형, 칩캐리어(chip-carrier)형 등의 각종 패키징(packaging) 형태의 집적 회로를 본 발명에 응용할 수 있다. 어느쪽의 경우에도, 집적 회로를 설치한 후에도, 제 1 외부 회로 접속 단자를 거쳐서 집적 회로를 검사 가능하기 때문에 편리하다. 단, 상술한 집적 회로의 경우에는, 제 1 단자 혹은 제 2 단자는, 가려져 버리기 때문에 본 발명은 특히 유효하다.
이 경우 또한, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자는 각기, 복수 마련되어 있는 동시에 상기 집적 회로의 상기 기판에 대향하는 면상에 있어 지그재그로 위치하도록 구성하더라도 좋다.
이와 같이 구성하면, 기판면상에서 제 1 단자의 배열 방향에 직각으로 또한 제 2 단자의 측으로 향해서 제 2 배선을 연장하여 마련하면, 상호 인접하는 제 2 단자의 간격을 통해서 제 2 배선의 선단을 제 2 단자와 반대측까지 이르게 하는 것이 가능해진다. 따라서, 제 2 배선과 제 3 배선이 교대로 나란히 각기 제 1 및 제 2 외부 회로 접속 단자에 이르는 구성이 얻어진다.
또한, 이 경우, 제 1 및 제 2 외부 회로 접속 단자는, 지그재그로 위치하도록 구성하더라도 좋고, 이와 같이 구성하면, 제 1 및 제 2 외부 회로 접속 단자의 형성 면적을 크게 하더라도, 양자가 서로 겹치지 않는 구성이 얻어진다.
단, 복수의 제 1 단자 및 제 2 단자를, 이와 같이 지그재그로 배열하지 않더라도, 제 2 배선을 제 1 배선이나 제 2 단자를 피하는 평면 패턴을 갖도록 배선하면 좋다. 또한, 복수의 제 1 및 제 2 외부 회로 접속 단자에 관해서도, 일렬로 배열하더라도 좋다.
본 발명의 기판 장치의 다른 형태에서는, 상기 주변 회로는, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 형태에 의하면, 주변 회로는, 고온 또는 저온 폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지기 때문에, 트랜지스터 특성 및 소비 전력 특성에 있어 비교적 우수한 주변 회로를 구축하면서, 트랜지스터 특성 및 소비 전력 특성에 있어 한층 더 우수한 집적 회로를 설치하는 것으로, 전체적으로 대단히 우수한 구동 회로 등을 주변 회로 및 집적 회로에 의해 실현할 수 있다.
본 발명의 기판 장치의 다른 형태에서는, 상기 주변 회로 대신에 다른 집적 회로가 상기 기판상에 마련되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 형태에 의하면, 기판 장치에 필요한 구동 회로 등의 기능을, 두 개의 집적 회로에 분담시키는 것에 의해, 설계상의 자유도가 증대한다.
본 발명의 기판 장치의 검사 방법은 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 기판 장치(단, 그 각종 형태도 포함한다)를 검사하는 기판 장치의 검사 방법으로서, 상기 집적 회로를 설치한 후에, 상기 제 1 외부 회로 접속 단자에 검사용 프로브를 접촉시키는 공정과, 해당 검사용 프로브를 거쳐서 상기 집적 회로에 대한 전기적 검사를 행하는 검사 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 장치의 검사 방법에 의하면, 당해 기판 장치의 제조후 혹은 출하후에, 우선, 제 1 외부 회로 접속 단자에 검사용 프로브를 접촉시키고, 이어서, 해당 검사용 프로브를 거쳐서 집적 회로에 대한 전기적 검사를 행한다. 따라서, 집적 회로를 떼어내지 않고서, 대단히 간단하게 집적 회로의 전기적인 검사를 실행할 수 있다.
본 발명의 기판 장치의 검사 방법의 1 형태에서는, 상기 집적 회로를 설치하기 전에, 상기 주변 회로에 대한 전기적 검사를 행하는 다른 검사 공정을 또한 포함한다.
이 형태에 의하면, 당해 기판 장치의 제조 공정의 도중에, 우선, 집적 회로를 설치하기 전에, 예컨대, 주변 회로에도 접속된 제 1 외부 회로 접속 단자나, 주변 회로에 접속된 다른 외부 회로 접속 단자에 검사용 프로브를 접촉시켜, 해당 검사용 프로브를 거쳐서 주변 회로에 대한 전기적 검사를 행한다. 따라서, 집적 회로를 설치하기 이전에는, 주변 회로에 대한 전기적인 검사를 행하는 것이 가능해지고, 집적 회로를 설치한 후에는, 제 1 외부 회로 접속 단자를 이용하여, 집적 회로에 대한 전기적인 검사를 하는 것이 가능해진다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 기판 장치(단, 그 각종 형태도 포함한다)상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 접속된 데이터선 및 주사선을 구비하고 있고, 상기 주변 회로 및 상기 집적 회로는 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선을 구동하기 위한 회로를 부분적으로 포함한다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치에 의하면, 데이터선 및 주사선을 거쳐서 박막 트랜지스터로 화소 전극을 스위칭 제어하는 것에 의해, 소위 액티브 매트릭스 구동이 가능해진다. 여기서 특히, 주변 회로에 포함되는 데이터선 및 주사선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로, 주사선 구동 회로 등의 회로는, 부분적으로 주변 회로에 포함되어 있고, 또한 부분적으로 집적 회로에 포함되어 있다. 따라서, 주변 회로를 구성하는 박막 트랜지스터에 관해서는, 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와 동일 공정에서 작성 가능해진다. 즉, 주변 회로에 있어서의 주된 이익인 제조 및 적층 구조의 단순화 및 소형 박형화를 도모할 수 있다. 한편, 집적 회로에 있어서의 주된 이익인 고성능화 및 저소비 전력화도 도모할 수 있다. 그리고 특히, 상술한 본 발명의 기판 장치를 갖추고 있기 때문에, 집적 회로를 기판상에 설치한 후 이더라도, 제 1 외부 회로 접속 단자에 있어서, 집적 회로를 외부로부터 검사할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치의 1 형태에서는, 상기 주변 회로 및 상기 집적 회로는, 상기 화소 전극이 복수 배열된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에 배치되어 있다.
이 형태에 의하면, 주변 회로 및 집적 회로의 양자가, 주변 회로로서 마련된 기판 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 주변 회로는, 상기 데이터선에 접속된 샘플링 스위치 회로를 포함하고, 상기 집적 회로는, 상기 데이터선 및 상기 주사선을 구동하고, 또한 시프트 레지스터를 갖는 구동 회로를 포함한다.
이 형태에 의하면, 집적 회로에 포함되는 시프트 레지스터를 갖는 구동 회로에 의해 데이터선 및 주사선을 구동하면서, 주변 회로에 포함된 샘플링 회로에 의해 화상 신호를 샘플링하는 것으로, 고품질의 화상을 표시 가능해진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치는 상기 별도의 과제를 해결하기 위해서, 기판상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽과, 해당 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 설치되는 집적 회로와, 해당 집적 회로의 하측에 배치된 소정 패턴을 구비한다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치에 의하면, 화소 전극을, 예컨대 주사선, 데이터선, 용량선 등의 배선이나, 박막 트랜지스터, 박막 다이오드, 축적 용량 등의 전자 소자를 거쳐서, 구동 회로에 의해, 액티브 매트릭스 구동 방식이나 패시브 매트릭스 구동 방식으로 구동할 수 있다. 여기서, 이러한 구동 회로의 적어도 일부는, 기판상에 설치되는 집적 회로로부터 구성되어 있다. 따라서, 전자 소자를, 예컨대, 비정질 실리콘, 저온 또는 고온 폴리 실리콘 등을 반도체층으로서 이용한 박막 트랜지스터로 구성한 경우에 이 박막 트랜지스터와 동일 제조 프로세스로 마련 가능한 주변 회로로부터 구동 회로를 구성하는 경우와 비교하여, 보다 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능 등의 각종 성능을 향상시키는 것이 가능해진다. 그리고 특히, 이러한 집적 회로의 하측에는, 예컨대 집적 회로를 설치하기 이전에는 광학적으로 혹은 시각적으로 판독 가능한 제조 프로세스의 평가용의 패턴, 제조 프로세스의 검사용의 패턴, 제조 프로세스의 감시용의 패턴, 소자 평가용의 패턴 등의 소정 패턴이 배치되어 있다. 따라서, 이들의 소정 패턴과 집적 회로가 겹치는 분 만큼, 당해 소정 패턴과 집적 회로가 차지하는 기판상 영역을 좁히는 것이 가능해진다. 따라서, 한정된 기판상 영역에서 화소 전극이 배치되는 화상 표시 영역을 상대적으로 넓히는 것이 가능해진다.
또한, 이러한 소정 패턴은, 집적 회로를 설치하기 전의 제조 프로세스에서사용되고, 또한 집적 회로를 설치한 후에는 사용되지 않도록 구성하더라도 좋다. 이와 같은 구성에 의하면, 집적 회로를 설치하는 영역의 대부분에 걸쳐 소정 패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 이와 같이 형성한 소정 패턴은, 집적 회로를 설치한 후에는 사용되지 않기 때문에, 결국, 소정 패턴을 형성하는 영역과 집적 회로를 설치하는 영역을 완전히 겹치게 하는 것도 가능해지기 때문에, 이들 양자가 차지하는 기판상 영역을 대단히 효율적으로 좁히는 것이 가능해진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 소정 패턴은, 제조 프로세스의 평가, 검사 및 감시용 혹은 소자 평가용의 패턴중 적어도 하나를 포함하는 동시에 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로의 입출력 단자가 접합되는 접속 패드를 제외하는 영역에 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 집적 회로의 입출력 단자가 접합되는 접속용 패드를 제외하는 영역에, 제조 프로세스의 평가, 검사 및 감시용 혹은 소자 평가용의 패턴중 적어도 하나가 형성되어 있기 때문에, 집적 회로를 설치하기 직전의 공정에 이를 때까지, 소정 패턴을 이용하여, 제조 프로세스의 평가, 검사, 감시 등을 실행할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치는 상기 별도의 과제를 해결하기 위해서, 기판상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽과, 해당 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 설치되는 집적 회로와, 해당 집적 회로의 하측에 배치되어 있고 상기 적어도 한쪽과 함께 마련된 하측 회로를 구비한다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치에 의하면, 화소 전극을, 예컨대 주사선, 데이터선, 용량선 등의 배선이나, 박막 트랜지스터, 박막 다이오드, 축적 용량 등의 전자 소자를 거쳐서, 구동 회로에 의해, 액티브 매트릭스 구동 방식이나 패시브 매트릭스 구동 방식으로 구동할 수 있다. 여기서, 이러한 구동 회로의 적어도 일부는, 기판상에 설치된 집적 회로로부터 구성되어 있다. 따라서, 전자 소자를, 예컨대, 비정질 실리콘, 저온 또는 고온 폴리 실리콘 등을 반도체층으로서 이용한 박막 트랜지스터로 구성한 경우에 이 박막 트랜지스터와 동일 제조 프로세스로 마련 가능한 주변 회로로부터 구동 회로를 구성하는 경우와 비교하여, 보다 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능 등의 각종 성능을 향상시키는 것이 가능해진다. 그리고 특히, 이러한 집적 회로의 하측에는, 예컨대 구동 회로의 일부나 검사 회로 등의 하측 회로가 배치되어 있다. 따라서, 이들의 하측 회로와 집적 회로가 겹치는 분 만큼, 당해 하측 회로와 집적 회로가 차지하는 기판상 영역을 좁히는 것이 가능해진다. 따라서, 한정된 기판상 영역에서 화소 전극이 배치되는 화상 표시 영역을 상대적으로 넓히는 것이 가능해진다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 1 형태에 의하면, 상기 집적 회로는, 상기 구동 회로의 일부분을 구성하고, 상기 하측 회로는, 상기 구동 회로의 다른 부분을 구성한다.
이 형태에 의하면, 집적 회로로부터 구성된 구동 회로의 일부와 하측 회로로부터 구성된 구동 회로의 다른 부분이, 기판상 영역내에서, 겹쳐지고 있기 때문에, 한정된 기판상 영역에서 화상 표시 영역을 상대적으로 넓히는 것이 가능해진다.
이 경우, 상기 배선은, 데이터선 및 주사선을 포함하고, 상기 집적 회로는, 상기 데이터선을 구동하는 데이터선 구동 회로를 포함하며, 상기 하측 회로는, 상기 주사선을 구동하는 주사선 구동 회로 및 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링 회로를 포함하도록 구성하더라도 좋다.
이와 같이 구성하면, 일반적으로 구동 주파수가 높고, 높은 스위칭 성능 등이 요구되는 데이터선 구동 회로에 대해서는, 고성능의 집적 회로로 대처하고, 일반적으로 구동 주파수가 낮고, 그다지 높은 스위칭 성능 등이 요구되지 않는 주사선 구동 회로나 샘플링 회로에 대해서는, 하측 회로로 대처하기 때문에, 전체적으로, 성능에 대해서의 과부족을 저감하면서, 화상 표시 영역을 효율적으로 넓힐 수 있다.
혹은, 본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 하측 회로는 검사 회로를 포함한다.
이 형태에 의하면, 기판상에 형성되는 전자 소자, 배선, 하측 회로 등을 검사하기 위한 검사 회로가, 집적 회로의 하측에 마련되어 있기 때문에, 집적 회로를 설치하기 전에, 당해 검사 회로를 이용하여, 이들의 전자 소자, 배선, 하측 회로 등을 검사할 수 있다. 즉, 집적 회로를 설치한 후에는, 당해 검사 회로의 역할이 완료되어 있는 구성을 취하는 것도 가능해진다. 단, 해당 검사 회로의 입출력 단자를, 기판상에 있어서의 집적 회로로부터 떨어진 개소에 마련하여 놓으면, 집적 회로를 설치한 후 이더라도, 당해 검사 회로를 이용 가능하다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 전자 소자는,상기 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 하측 회로는, 상기 박막 트랜지스터와 동일 제조 프로세스에 의해 제조되는 박막 트랜지스터를 포함한다.
이 형태에 의하면, 화상 표시 영역에서의 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터와, 하측 회로에 포함되는 박막 트랜지스터를, 동일 제조 프로세스에 의해 제조하기 때문에, 기판상에 있어서의 제조 프로세스 및 적층 구조의 단순화를 도모할 수 있다. 또한, 이 경우, 박막 트랜지스터는, 예컨대 비정질 실리콘 혹은 저온 또는 고온 폴리 실리콘으로 이루어지는 반도체층을 이용하여 제조된다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 집적 회로와 상기 하측 회로와의 사이에, 절연막이 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 집적 회로의 패키지에 있어서의 절연성의 고저에 의하지않고서, 집적 회로와 하측 회로와의 사이에 형성된 절연막에 의해, 양자 사이를 확실히 절연할 수 있다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 집적 회로는, 상기 화소 전극이 배치된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에 설치된다.
이 형태에 의하면, 주변 영역에 집적 회로가 설치되어 있기 때문에, 화상 표시 영역을 효율적으로 넓힐 수 있다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 집적 회로는, COG(Chip On Glass)법에 의해, 기판상에 설치된다.
이 형태에 의하면, 집적 회로를 설치한 후, 즉 면접합한 후에는, 그 하측에 있는 기판면은, 패키지 본체에 의해 완전히 가려지지만, 그 하측에는, 소정 패턴 혹은 하측 회로가 이미 마련되어 있다. 따라서, 상술한 바와 같은, 소정 패턴이나 하측 회로에 의한 각종 이익을 향수할 수 있다.
본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에 의하면, 상기 집적 회로가 설치되는 상기 기판상의 최상층은, 평탄화되어 있다.
이 형태에 의하면, 집적 회로의 하측에는, 소정 패턴이나 하측 회로의 존재에 따라서, 일반적으로 적층 구조중에 있어서 어느 하나의 층에는 요철이 존재하지만, 그 최상층은, 예컨대 CMP(Chemical Mechanical Polishing: 화학적 기계 연마) 처리에 의해 혹은 스핀 코팅을 이용한 평탄화막의 형성에 의해, 평탄화되어 있다. 따라서, 소정 패턴이나 하측 회로의 상측에, 간단히 집적 회로를 설치할 수 있다. 특히, COG 형 집적 회로, 플랫패킷형 집적 회로와 같이, 면실장형의 집적 회로이더라도, 평탄한 면상에 문제없이 설치 가능해진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 제조 방법은 상기 별도의 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 제 2 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태를 포함한다)를 제조하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서, 상기 기판상의 소정 영역에 상기 소정 패턴을 형성하는 제 1 형성 공정과, 상기 소정 패턴에 근거하여 검사, 평가 및 감시중 적어도 하나를 실행하는 검사 공정과, 상기 적어도 한쪽 및 상기 화소 전극을 형성하는 제 2 형성 공정과, 상기 소정 영역에 상기 집적 회로를 설치하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 우선 기판상의 소정 영역에 소정 패턴을 형성하고, 그 후, 소정 패턴에 근거하여 검사, 평가 및 감시중 적어도 하나를 실행하고, 이것과 서로 전후하여, 배선, 전자 소자, 화소 전극 등을 형성한다. 그리고, 이들 공정 후에, 소정 영역에 집적 회로를 설치한다. 따라서, 집적 회로를 설치하기 전에 소정 패턴에 근거하여 실행 가능한 검사, 평가나 감시를 완료시키는 것에 의해, 동일 영역인 소정 영역을, 소정 패턴을 형성하는 영역 및 집적 회로를 설치하는 영역으로서 시간차 이용할 수 있기 때문에, 한정된 기판상 영역을 유효 이용하는 관점에서 대단히 유리해진다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 제조 방법은 상기 별도의 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 제 3 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태를 포함한다)를 제조하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서, 상기 기판상의 소정 영역에 상기 주변 회로를 형성하고, 상기 적어도 한쪽을 형성하며, 상기 화소 전극을 형성하는 형성공정과, 상기 소정 영역에 상기 집적 회로를 설치하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 우선 기판상의 소정 영역에 하측 회로, 배선, 전자 소자, 화소 전극 등을 형성한다. 그리고, 이들 공정 후에, 소정 영역에 집적 회로를 설치한다. 따라서, 동일 영역인 소정 영역을, 하측 회로를 형성하는 영역 및 집적 회로를 설치하는 영역으로서 2중으로 이용할 수 있기 때문에, 한정된 기판상 영역을 유효 이용하는 관점에서 대단히 유리해진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 소정 패턴은, 정렬마크 및 식별 마크중 적어도 하나를 포함한다.
이 형태에 의하면, 상기 소정 패턴은, 기판의 위치 정렬 등에 이용되는 정렬 마크나, 당해 기판의 로트 번호(lot number) 등을 식별하는 식별 마크 등을 포함한다. 이러한 각종 마크 등은, 전기 광학 장치의 제조 단계에서 비교적 후단에 실시되는 외장 집적 회로의 장착 공정 이전에 있어서, 그 사명이 종료되어 있는 것이 통례이다. 그런데, 종래, 이들 각종 마크 등은, 전기 광학 장치가 최종적으로 제조를 끝낸 단계에 있더라도, 기판상에 보이는 형태로 잔존하는 일이 있었기 때문에, 그 분 만큼의 기판상의 영역을 쓸데없이 사용하는 것으로 되어 있었다.
그래서, 본 형태에서는, 상기 소정 패턴이 정렬 마크나 식별 마크 등을 포함하는 것에 의해, 이들 각종 마크는, 집적 회로의 하측에 배치되는 것으로 되기 때문에, 이들 각종의 마크와 집적 회로가 겹치는 분 만큼, 당해 각종 패턴과 집적 회로가 차지하는 기판상 영역을 좁히는 것이 가능해진다. 더구나, 이 경우, 상술한 바와 같이, 이제는 필요없어진 정렬 마크나 식별 마크 등이 집적 회로에 의해 덮여져 버리는 것일 뿐, 실질적인 문제가 발생할 우려가 없다.
따라서, 본 형태에 의하면, 한정된 기판상 영역에서 화소 전극이 배치되는 화상 표시 영역을 상대적으로 넓히는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 하측 회로에는 회로 소자가 포함되고, 해당 회로 소자로부터 인출된 인출 배선과, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 인출 배선에 접속된 하측 회로용 외부 회로 접속 단자를 또한 구비하고 있다.
이 형태에 의하면, 예컨대 검사 회로 등을 포함하는 하측 회로에 박막 트랜지스터, 박막 다이오드 등의 회로 소자가 포함되고, 해당 회로 소자로부터는 인출 배선, 하측 회로용 외부 회로 접속 단자가 연속해 있다. 따라서, 본 형태에서는, 집적 회로를 기판상에 장착한 후에 있어서도, 기판상의 하측 회로로서 또는 하측 회로중에 마련된 회로 소자의 활용을 도모할 수 있다. 예컨대, 해당 하측 회로가 TEG(Test Element Group)나 검사 회로를 구성하는 경우에 있어서는, 당해 전기 광학 장치에 대하여 상기 집적 회로를 설치한 후에도, 그 검사를 실시할 수 있다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판과, 해당 기판상에 마련된 주변 회로와, 상기 기판상에 배선된 제 1 배선과, 상기 기판상의 제 1 단자가 상기 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속된 제 1 단자를 갖는 집적 회로와, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 상기 접속용 부분으로부터 인출된 제 2 배선과, 상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 2 배선상에 마련된 제 1 외부 회로 접속 단자를 구비함과 동시에, 상기 기판상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽을 구비하고 있고, 상기 집적 회로는, 상기 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 설치되어 있고, 상기 집적 회로의 하측에는 소정 패턴 또는 하측 회로가 배치되어 있다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치에 의하면, 상술한 본 발명의 제 1 전기 광학 장치가 구비하는 요건과 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치가 구비하는 요건을 더불어갖는 형태로 된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 본 발명의 제 1 전기 광학 장치에 관한 설명중 이미 언급한 작용 효과, 즉 집적 회로를 떼어내지 않고서 그 전기적인 검사가 실행 가능하고, 또한 주변 회로에 의한 이익과 집적 회로에 의한 이익의 양쪽을 향수 가능한 동시에, 본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치에 관한 설명중 이미 언급한 작용 효과, 즉 집적 회로의 하측에 소정 패턴 또는 하측 회로가 배치되어 있는 것에 의해, 이들 소정 패턴 또는 하측 회로와 집적 회로가 겹치는 분 만큼, 당해 소정 패턴 또는 당해 하측 회로가 차지하는 기판상 영역을 좁히는 것이 가능해져, 한정된 기판상 영역에서 화소 전극이 배치되는 화상 표시 영역을 상대적으로 넓히는 것이 가능해진다.
즉, 본 발명의 제 1 및 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치가 구비하는 요건을 더불어 가지면, 상술한 각 작용 효과가 동시에 얻어지는 것은 물론, 예컨대, 소형 박형화와 동시에 화상 표시 영역의 확대화를 도모할 수 있는 것에 의해, 보다 소형이면서, 보다 큰 화상을 표시한다고 하는 상반하는 요청을 동시에 만족하는 전기 광학 장치를 제공할 수 있다.
또, 본 발명에서 말하는 「주변 회로」와「하측 회로」는, 전자가 후자에 포함되거나, 또는 후자가 전자에 포함되는 관계에 있는 형태로 파악해도 좋다.
본 발명의 전자 기기는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 제 1 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태를 포함한다), 본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태를 포함한다) 또는 제 4 전기 광학 장치를 구비한다.
본 발명의 전자 기기에 의하면, 상술한 본 발명의 제 1 전기 광학 장치를 구비하기 때문에, 고품질의 화상 표시가 가능하고, 집적 회로를 떼어내지 않고서 해당 집적 회로를 검사 가능하다, 액정 텔레비전, 휴대 전화, 전자 수첩, 워드 프로세서, 뷰 파인더(View Finder)형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널(touch panel), 투사형 표시 장치 등의 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 기기에 의하면, 상술한 본 발명의 제 2 또는 제 3 전기 광학 장치를 구비하기 때문에, 본체 사이즈에 비교하여 화상 표시 영역이 넓은 혹은 소형화 가능한, 액정 텔레비전, 휴대 전화, 전자 수첩, 워드 프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널, 투사형 표시 장치 등의 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 기기에 의하면, 상술한 본 발명의 제 4 전기 광학 장치를 구비하기 때문에, 상기한 두 개의 작용 효과가 동시에 얻어지는 상기 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.
본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 명확해진다.
발명의 실시예
(기판 장치의 제 1 실시예)
우선, 본 발명의 기판 장치에 관한 제 1 실시예에 있어 도 1로부터 도 5를참조하여 설명한다. 여기서 도 1은 본 발명의 기판 장치의 제 1 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3 차원적인 부분 분해 사시도이며, 도 2는 이 외장 IC를 설치하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도이며, 도 3은 비교예에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도이다. 또한, 도 4는 일변형 형태에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도이며, 도 5는 다른 변형 형태에 있어서의 외장 IC를 설치하는 영역 부근의 부분 평면도이다.
제 1 실시예의 기판 장치는, 후술하는 전기 광학 장치의 일례인 액정 장치에 있어서의 주변 회로와 COG 형 IC를 구비한 TFT 어레이 기판으로서 바람직하게 이용되는 것이다. 즉, 제 1 실시예의 기판 장치에서는, 외장 IC의 일례로서 COG 형 IC가 외장되고, 이 COG 형 IC와 주변 회로에 의해, 액정 장치의 구동 회로가 구성된다.
도 1 및 도 2에 있어서, 제 1 실시예의 기판 장치(200A)는, TFT 어레이 기판(10)과, TFT 어레이 기판(10)상에 마련된 주변 회로의 일례로서의 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)와, TFT 어레이 기판(10)상에 배선된 제 1 배선(201), 제 2 배선(202) 및 제 3 배선(203)과, TFT 어레이 기판(10)상에 외장된 외장 IC의 일례인 COG 형 IC로 구성된 데이터선 구동 회로(101)를 구비한다.
주사선 구동 회로(104)는, 화상 표시 영역(10a)내에 마련된 도시하지 않은 주사선을 구동하는 구동 회로이다. 샘플링 회로(118)는, 도시하지 않은 화상 신호선상의 화상 신호를 샘플링하여, 화상 표시 영역(10a)내에 마련된 도시하지 않은 데이터선에 공급하는 샘플링 스위치를 갖춘 회로이다. 데이터선 구동 회로(101)는, 제 1 단자의 일례인 출력 단자(221)와, 제 2 단자의 일례인 입력 단자(222)를 갖는 COG 형 IC로 구성되어 있다. 주변 회로의 일례를 구성하는 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)는, 예컨대, 후술한 바와 같이 화상 표시 영역(10a)내에 마련된 화소 스위칭용의 TFT와 동일 제조 공정에서 제조되는 고온 또는 저온 폴리 실리콘 TFT를 포함하여 이루어진다.
이들의 주사선 구동 회로(104), 샘플링 회로(118) 및 데이터선 구동 회로(101) 및 화상 표시 영역(10a)에 관해서는, 후술한 전기 광학 장치의 실시예에서 상술한다.
데이터선 구동 회로(101)의 출력 단자(221)는, TFT 어레이 기판(10)상에서 데이터선 구동 회로(101)를 설치하는 영역(101S)(도 2중, 파선으로 나타내어진 직사각형 영역)내에 있어서 제 1 배선(201)상에 마련된 접속용 부분의 일례인 접속 패드(211)에 접속된다. 데이터선 구동 회로(101)의 입력 단자(222)는, TFT 어레이 기판(10)상에서 데이터선 구동 회로(101)를 설치하는 영역(101S)내에서 제 3 배선(203)상에 마련된 다른 접속용 부분의 일례인 접속 패드(212)에 접속된다.
제 1 배선(201)은, TFT 어레이 기판(10)상의 영역(101S)을 통과하여, 접속 패드(211)로부터 샘플링 회로(118)까지 배선되어 있다.
제 2 배선(202)은, TFT 어레이 기판(10)상의 영역(101S)을 통과하여, 접속 패드(211)로부터 기판(10)의 둘레를 따라 배열된 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)까지 배선되어 있다.
제 3 배선(203)은, TFT 어레이 기판(10)상의 영역(101S)을 통과하여, 접속패드(212)로부터 기판(10)의 둘레를 따라 배열된 제 2 외부 회로 접속 단자(102b)까지 배선되어 있다.
즉, 제 1 실시예에서는, TFT 어레이 기판(10)의 둘레를 따라, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a) 및 제 2 외부 회로 접속 단자(102b)를 포함하는 외부 회로 접속 단자(102)가 마련되어 있다. 그리고, 이들의 외부 회로 접속 단자(102)는, TFT 어레이 기판(10)상의 영역(101S)에서 떨어진 위치에 마련되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 장치(200A)의 검사 방법에 대하여 설명한다.
우선, COG 형 IC로 이루어지는 데이터선 구동 회로(101)를 외장하기 전에, 제 1 외부 접속 단자(102a) 및 제 2 외부 접속 단자(102b)를 거쳐서, 주변 회로인 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118) 및 화상 표시 영역(10a)내에 마련된 후술하는 데이터선, 주사선, 화소 스위칭용 TFT, 용량선, 축적 용량 등에 대한 전기적인 검사를 한다.
그 후, COG 형 IC로 이루어지는 데이터선 구동 회로(101)를 외장한 후에, 혹은 해당 기판 장치(200A)나 이것을 갖춘 전기 광학 장치의 완성후에, 또한 출하후에 있어서의 고장이나 이상시에, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)에 검사용 프로브를 접촉시킨다. 그리고, 이 검사용 프로브를 거쳐서, 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101)에 대한 전기적 검사를 행한다. 보다 구체적으로는, 기본적인 도통성 검사, 절연성 검사 외에, 데이터선 구동 회로(101)의 입력 단자(222)에 연결되어 있는 제 2 외부 회로 접속 단자(102b)에 화상 신호, 제어 신호, 전원 신호 등의 소정종류의 입력 신호를 입력하여, 데이터선 구동 회로(101)의 출력 단자(221)에 연결되어 있는 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)에서 출력되는 출력 신호를 정상시에 얻어지는 출력 신호와 비교하는 등 각종의 검사를 행할 수 있다.
이것에 대하여, 도 3에 나타낸 비교예와 같이, 제 1 실시예의 구성에 있어서 제 2 배선(202) 및 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)가 마련되어 있지 않은 구성의 경우, 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101)를 일단 외장한 후에는, 데이터선 구동 회로(101)를 TFT 어레이 기판(10)으로부터 떼어내지 않는 한, 이 출력을 검사하는 것은 사실상 불가능하다. 더구나, 동작 불량이 발생한 경우, 내장 회로인 주사선 구동 회로 및 샘플링 회로 등의 주변 회로의 고장인지 혹은 외장 IC의 고장인지 분리할 수 없다.
이상 설명한 바와 같이 제 1 실시예의 기판 장치(200A)에 의하면, TFT 어레이 기판(10)상의 회로로서 필요한 기능의 일부분을 주변 회로인 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104)에 갖게 하는 동시에 TFT 어레이 기판(10)상의 회로로서 필요한 기능의 다른 부분을 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101)에 갖게 할 수 있다. 그리고, 장치 고장 혹은 이상이 발생한 경우에, 외장 IC를 TFT 어레이 기판(10)으로부터 떼어내지 않고서, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)를 거쳐서, 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101)의 출력 신호를 외부 검사 장치에 의해 검사할 수 있다.
더구나, 제 1 실시예에서는, 데이터선 구동 회로(101)는, COG 형 IC로 이루어지기 때문에, 그 실장 후에는, COG 형 IC의 실장면상에 배치되어 있는 출력단자(221)나 입력 단자(222)가, COG 형 IC의 패키지 본체에 의해 가려져 버리고 있다. 그러나, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)에서, 이와 같이 데이터선 구동 회로(101)를 구성하는 COG 형 IC의 출력 신호 및 주변 회로를 외부에서 문제없이 검사할 수 있다.
또한, 데이터선 구동 회로(101)를, COG 형 IC 대신에, 와이어 본딩법, 플립칩법, 빔리드법 등으로 실장 가능한 DIP 형, 플랫패킷형, 칩캐리어형 등의 각종 패키징 형태의 집적 회로로부터 구성하여, TFT 어레이 기판(10)에 외장하는 것도 가능하다. 어느쪽의 경우에도, 데이터선 구동 회로(101)를 외장 후에도, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a)를 거쳐서 데이터선 구동 회로(101) 및 주변 회로를 비교적 간단히 검사할 수 있다.
또한, 제 1 실시예에서는, 주변 회로로 이루어지는 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104) 대신에, 다른 외장 IC로 이루어지는 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104)를 외장하는 것도 가능하다. 이와 같이 구성하더라도, TFT 어레이 기판(10)에 필요한 구동 회로의 기능을, 두 개의 외장 IC에 분담시키는 것에 의해, 설계상의 자유도가 증대한다. 또한, 이 경우, TFT 어레이 기판(10)은, 유리 기판, 석영 기판 외에, 테이프 기판 등이라도 좋고, 외장 IC로서는, 예컨대, TAB(Tape Automated Bonding)형을 사용하더라도 좋다. 이와 같이 구성하더라도, 외장 IC로 이루어지는 데이터선 구동 회로(101)를 외장 후에 떼어내지 않고서, 해당 데이터선 구동 회로(101)를 제 1 외부 접속 단자(102a)에서 외부로부터 검사할 수 있다고 하는 이익이 얻어진다.
제 1 실시예에서는 특히, 데이터선 구동 회로(101)를 구성하는 COG 형 IC의 복수의 출력 단자(221) 및 복수의 입력 단자(222)는 각기, COG 형 IC의 실장면에서 지그재그로 위치하고 있다. 따라서, 도 1 및 도 2로부터 알 수 있듯이, 이들의 출력 단자(221) 및 입력 단자(222)에 대응하는 접속 패드(211 및 212)로부터 직선적으로 연장하는 제 2 배선(202) 및 제 3 배선(203)은, 교대로 나란히 위치하는 것이 되고, 더구나 제 1 외부 회로 접속 단자(102a) 및 제 2 외부 회로 접속 단자(102b)도 교대로 나란히 위치한다. 따라서, 배선끼리나 외부 회로 접속 단자끼리가 겹친다고 하는 문제를 효율적으로 미연에 방지할 수 있다.
단, 도 4에 나타낸 변형 형태와 같이, 데이터선 구동 회로(101)를 구성하는 COG 형 IC의 복수의 출력 단자(221) 및 복수의 입력 단자(222)는 각기, COG 형 IC의 실장면에서 정면으로 대향하여 위치하고 있더라도 좋다. 즉, 이 경우에는, 접속 패드(211' 및 212')도 정면으로 대향하지만, 접속 패드(211')로부터 연장하는 제 2 배선(202')을 접속 패드(212')나 제 3 배선(203)을 피하는 평면 패턴을 갖도록 배선하면 좋다.
혹은, 도 5에 나타낸 변형 형태와 같이, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a') 및 제 2 외부 회로 접속 단자(102b')를, TFT 어레이 기판(10)의 둘레를 따라 일렬로 배열하더라도 좋다. 즉, 제 1 외부 회로 접속 단자(102a') 및 제 2 외부 회로 접속 단자(102b')의 피치가 충분히 큰 한에 있어서, 이들의 단자를 모두 일렬로 나란히 위치시켜, 외부 회로에 의한 이들의 단자에의 접속을 한층 더 용이하게 하는 것이 가능해진다.
(기판 장치의 제 2 실시예)
이하에서는, 본 발명의 기판 장치에 관한 제 2 실시예에 대하여 도 6으로부터 도 9를 참조하여 설명한다. 여기서, 도 6은 기판 장치의 제 2 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3 차원적인 부분 분해 사시도이며, 도 7은 이 외장 IC를 외장하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도이며, 도 8은 도 6의 C1-C1' 단면도이며, 도 9는 도 6의 D-D' 단면도에 있어서의 제조 프로세스를 나타내는 공정도이다.
도 6으로부터 도 8 및 도 9의 공정(4)에 도시하는 바와 같이, 제 2 실시예의 기판 장치(200B)는, TFT 어레이 기판(10)을 갖추고 있다. 이 TFT 어레이 기판(10)상에는, 주변 회로의 일례로서의 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)가 마련되어 있다. 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)(도 7 참조)내에서, TFT 어레이 기판(10)상에 배선된 샘플링 회로 구동 신호선(114)의 선단에는, 접속 패드(211)가 마련되어 있다. 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)내에서, 외부 회로 접속 단자(102)로부터 연장하는 배선(203)의 선단에는, 접속 패드(212)가 마련되어 있다.
TFT 어레이 기판(10)상에 외장되는 데이터선 구동 회로(101)는, 출력 단자(221) 및 입력 단자(222)를 갖는 COG 형 IC로 구성되어 있다. 그리고, 출력 단자(221)가 접속 패드(211)에 접합되고, 입력 단자(222)가 접속 패드(212)에 접속되도록, 데이터선 구동 회로(101)는, 이것을 외장하는 영역(101S)에 면실장된다.
한편, 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)는, 예컨대, 후술한 바와 같이 화상 표시 영역(10a)내에 마련되는 화소 스위칭용의 TFT와 동일 제조 공정에서 제조되는 고온 또는 저온 폴리 실리콘 TFT를 포함하여 이루어지고, TFT 어레이 기판(10)상에 주변 회로로서 마련된다.
제 2 실시예에서는 특히, 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, 제조 프로세스의 검사, 평가 또는 감시용 혹은 소자 평가용의 패턴(230)이 형성되어 있다. 패턴(230)은, 데이터선 구동 회로(101)를 외장하기 이전에는, 광학적으로 혹은 시각적으로 판독 가능하도록 구성되어 있다. 따라서, 데이터선 구동 회로(101)를 외장하기 직전의 공정에 이를 때까지, 패턴(230)을 이용하여, 제조 프로세스의 평가, 검사, 감시 혹은 소자 평가 등을 실행할 수 있다. 또한, 제 2 실시예에서는, 패턴(230)은, 데이터선 구동 회로(101)를 외장한 후에는 사용되지 않는다. 따라서, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)의 대부분에 걸쳐 패턴(230)을 형성할 수 있다. 즉, 패턴(230)은, 데이터선 구동 회로(101)를 외장한 후에는, 이 패키지 본체에 의해 가려져 버리지만, 제조 프로세스의 평가, 검사 또는 감시용 혹은 소자 평가용의 패턴으로서의 역할은, 이 시점에서는 완료되어 있기 때문에, 아무런 문제가 없다.
이상과 같이 제 2 실시예에서는, 패턴(230)과 데이터선 구동 회로(101)가 겹치는 분 만큼, 이들이 차지하는 기판상 영역을 좁힐 수 있다. 따라서, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서의 주변 영역을 좁히는 동시에 상대적으로 화상 표시 영역(10a)을 넓힐 수 있다. 이 결과, 소형화 및 대화면화가 도모된 전기 광학 장치를 실현할 수 있다.
제 2 실시예에서는 특히, 도 8 및 도 9의 공정(4)에 도시하는 바와 같이 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, 후술한 화상 표시 영역에서의 층간 절연막 구조와 마찬가지로, 하지 절연막(12), 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42) 및 제 3 층간 절연막(43)가 적층되어 있다. 또한, 이들의 층간 절연막 사이에 적층된 섬형상의 막편으로부터 패턴(230)이 구성되어 있고, 이들의 층간 절연막 사이에 적층된 도전막으로부터, 샘플링 회로 구동 신호선(114) 및 배선(203)이 형성되어 있다. 이들의 패턴이나 배선도, 화상 표시 영역내에서의 배선이나 TFT 등을 구성하는 도전막과 동일막으로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 이와 같이 구성하면, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서의 제조 프로세스 및 적층 구조를 단순화할 수 있다.
또한, 도 8 및 도 9의 공정(4)에서는, TFT 어레이 기판(10)과 하지 절연막(12)과의 사이의 층간 위치에, 패턴(230)을 형성하고 있다. 그러나, 패턴(230)의 적층 위치는 임의적이며, 제조 프로세스의 검사, 평가 또는 감시용 혹은 소자 평가라는 개별 목적에 적합한, 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42) 및 제 3 층간 절연막(43)의 어느 하나의 층간 위치에, 패턴(230)을 적절히 형성하면 좋다.
또한 제 2 실시예에서는 특히, 도 8 및 도 9의 공정(4)에 도시하는 바와 같이, COG 형 IC로 이루어지는 데이터선 구동 회로(101)의 실장면으로 되는 제 3 층간 절연막(43)의 상면은, 예컨대 CMP 처리에 의해 혹은 스핀 코팅을 이용한 평탄화막의 형성에 의해, 평탄화되어 있다. 따라서, 패턴(230)의 상측에 겹쳐서 데이터선 구동 회로(101)를 면실장하더라도, 실장면의 요철에 의해 불안정화되는 일은 없다.
다음에, 이상과 같이 구성된 제 2 실시예에 관한 전기 광학 장치의 제조 방법에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다.
우선 도 9의 공정(1)에서는, 유리 기판, 석영 기판 등의 절연성 기판을 준비하여, TFT 어레이 기판(10)으로 한다.
다음에, 공정(2)에서는, TFT 어레이 기판(10)상에 패턴(230)을 형성한다. 이러한 패턴(230)은, 예컨대, 고융점 금속막을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 포토리소그래피 및 에칭에 의해 패터닝하면 좋다. 그 후, 이 패턴(230)상에 하지 절연막(230)을 형성한다.
다음에, 공정(3)에서는, 화상 표시 영역내에서, 각종 반도체막, 도전막 등으로부터 후술한 바와 같은 구성을 갖는 데이터선(6a), 주사선(3a), TFT(30) 등이 형성된다. 그리고, 이들을 층간 절연하는 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42) 및 제 3 층간 절연막(43)이 순차적으로 형성된다. 그 후, 제 3 층간 절연막(43)에 대하여는, CMP 처리를 실시하는 것에 의해 평탄화한다. 혹은, 스핀 코팅 등에 의해, 제 3 층간 절연막(43)을 평탄화막으로서 형성한다.
제 2 실시예에서는 특히, 이들의 공정(2)으로부터 공정(3)에 있어서, 각종 반도체막, 도전막 등으로부터, 후술한 바와 같은 구성을 갖는 데이터선(6a), 주사선(3a), TFT(30) 등을 형성할 때에, 패턴(230)을 사용하여, 그들의 위치 결정이나 간격 등을 검사, 평가, 감시하거나, 각 도전막이나 각 절연막의 막두께의 변화를 검사, 평가, 감시하거나, 화상 표시 영역내 혹은 주변 회로를 구성하는 소자를 평가 등을 하거나 한다.
그 후, 공정(4)에서는, 패턴(230)을 이용한 프로세스의 검사, 평가, 감시 혹은 소자 평가 등이 종료한 후에, 영역(101S)에, 데이터선 구동 회로(101)를 외장한다.
따라서, 본 제조 프로세스에 의하면, 동일 영역인 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)을, 패턴(230)을 형성하는 영역 및 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역으로서 시간차 이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 제 2 실시예의 전기 광학 장치에 의하면, TFT 어레이 기판(10)상의 회로로서 필요한 기능의 일부분을 주변 회로인 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104)에 갖게 하는 동시에 TFT 어레이 기판(10)상의 회로로서 필요한 기능의 다른 부분을 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101)에 갖게 할 수 있다. 그리고, 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)을, 패턴(230)을 형성하는 영역으로서도 이용하기 때문에, 한정된 기판상 영역의 효율적인 이용을 도모할 수 있어, 화상 표시 영역을 넓히는 것이 가능해진다.
다음에, 도 10을 참조하여, 변형 형태에 대하여 설명한다. 도 10은, 변형 형태에 있어서의 도 7의 C1-C1' 단면도이다.
도 10에 있어서, COG 형 IC로 이루어지는 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, 패턴(230) 대신에, TFT(240)를 포함하여 이루어지는 주변 회로(250)를 구비하여 구성되어 있다. TFT(240)는, 반도체층(241), 게이트 절연막(242), 게이트 전극(243), 소스 전극(244) 및 드레인 전극(245)을 갖추고 있지만, 이러한TFT(240)는, 바람직하게는 화상 표시 영역(10a)에서의 TFT(30)와 동일 제조 프로세스에 의해, 동일막으로부터 구성되는 것이다. 주변 회로(250)는, 예컨대, 샘플링 회로(118), 주사선 구동 회로(104) 등의 구동 회로의 일부이더라도 좋고, 검사 회로이더라도 좋다. 그 밖의 구성에 관해서는, 상술한 실시예와 마찬가지이다.
따라서, 이 변형 형태에 의하면, 화상 표시 영역(10a)에서의 예컨대, 저온 또는 고온 폴리 실리콘 등을 반도체층으로서 이용한 TFT(30)와 동일 제조 프로세스로 마련 가능한 주변 회로로부터 데이터선 구동 회로(101)를 구성하는 경우와 비교하여, 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능에 있어 우수한 데이터선 구동 회로(101)를 외장 IC로서 구축할 수 있다. 그리고 특히, 이러한 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능에 대한 요구가 상대적으로 낮은 구동 회로의 일부나 검사 회로 등의 주변 회로(250)가 배치되어 있다. 따라서, 전체적으로 낭비없이 고성능의 구동 회로나 주변 회로를 TFT 어레이 기판(10)상에 구축할 수 있는 동시에, 화상 표시 영역(10a)을 상대적으로 넓히는 것도 가능해진다.
또한, 주변 회로(250)는, 접속 패드(211 및 212) 및 배선(203) 및 샘플링 회로 구동 신호선(114)을 제외하는 영역에 형성되어 있더라도 좋다. 혹은, 이들중 어느 하나의 접속 패드나 배선의 하측에, 절연막을 거쳐서, 주변 회로(250)를 적어도 부분적으로 형성하더라도 좋다.
또한, 주변 회로(250)를, 데이터선 구동 회로(101)를 외장하기 전에 행하여지는 검사 전용의 검사 회로로 하여도 좋고, 데이터선 구동 회로(101)의 외장과의 전후에 관계없이 행하여지는 검사 전용의 검사 회로로 하여도 좋다.
상술한 제 2 실시예 및 변형 형태에서는 각기, 데이터 구동 회로(101)를, COG 형 IC 대신에, 와이어 본딩법, 플립칩법, 빔리드법 등으로 실장 가능한 DIP 형, 플랫팩형, 칩캐리어형 등의 각종 패키징 형태의 집적 회로로부터 구성하여, TFT 어레이 기판(10)에 외장하는 것도 가능하다. 어느쪽의 경우에도, 패턴(230) 또는 주변 회로(250)와 데이터선 구동 회로(101)를 동일 영역에 배치하는 것에 의한 공간 절약화의 이익이 얻어진다.
또한, 제 2 실시예 및 변형 형태에서는 각기, 주변 회로로 이루어지는 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104) 대신에, 다른 외장 IC로 이루어지는 샘플링 회로(118) 및 주사선 구동 회로(104)를 외장하는 것도 가능하다. 이와 같이 구성하더라도, TFT 어레이 기판(10)에 필요한 구동 회로의 기능을, 두 개의 외장 IC에 분담시키는 것에 의해, 설계상의 자유도가 증대한다. 또한, 이 경우, TFT 어레이 기판(10)은, 유리 기판, 석영 기판 외에, 테이프 기판 등이라도 좋고, 외장 IC로서는, 예컨대, TAB(Tape Automated Bonding) 형을 사용하더라도 좋다. 이와 같이 구성하더라도, 패턴(230) 또는 주변 회로(250)와 데이터선 구동 회로(101)를 동일 영역에 배치하는 것에 의한 공간 절약화의 이익이 얻어진다.
(기판 장치의 제 3 실시예)
이하에서는, 본 발명의 기판 장치에 관한 제 3 실시예에 대하여 도 11로부터 도 13을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 11은 본 발명의 기판 장치의 제 3 실시예에 있어서의 외장 IC 부근의 3 차원적인 부분 분해 사시도이며, 도 12는 이 외장IC를 설치하는 영역 부근에서의 기판 장치의 부분 평면도이며, 도 13은 도 12의 C2-C2' 단면도이다.
또, 이 제 3 실시예는, 상술한 제 1 및 제 2 실시예에 관한 TFT 어레이 기판(10)의 응용 형태적인 측면을 갖고 있다. 따라서, 제 3 실시예에 관한 구성은, 상기 제 1 및 제 2 실시예에 관한 구성과 대략 동일의 구성을 갖고 있기 때문에, 도 11로부터 도 13에 있어서 도 10까지에서 사용된 부호와 동일한 부호가 부여되어 있는 구성에 관해서는, 그 설명을 생략 내지 간략화하는 것으로 하고, 이하에서는, 제 3 실시예에 있어서 특징적인 구성에 대하여 특히 설명을 부가하는 것으로 한다.
도 11 내지 도 13에 있어서, 제 3 실시예의 기판 장치(200C)는, TFT 어레이 기판(10)을 갖추고 있다. 그리고, 이 TFT 어레이 기판(10)상의 데이터선 구동 회로(101)를 외장하는 영역(101S)내, 또한, 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, TFT(240)를 포함하여 이루어지는 주변 회로(250)가 구비되어 있다. TFT(240)는, 반도체층(241), 게이트 절연막(242), 게이트 전극(243), 소스 전극(244) 및 드레인 전극(245)을 갖추고 있지만, 이러한 TFT(240)는, 바람직하게는 화상 표시 영역(10a)에서의 TFT(30)와 동일 제조 프로세스에 의해, 동일막으로부터 구성되는 것이다.
따라서, 우선, 이 제 3 실시예에 의해서도 상기 제 2 실시예와 마찬가지로, 화상 표시 영역(10a)에서의 예컨대, 저온 또는 고온 폴리 실리콘 등을 반도체층으로서 이용한 TFT(30)와 동일 제조 프로세스로 마련된 가능한 주변 회로로부터 데이터선 구동 회로(101)를 구성하는 경우와 비교하여, 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능에 있어 우수한 데이터선 구동 회로(101)를 외장 IC로서 구축할 수 있다. 그리고 특히, 이러한 데이터선 구동 회로(101)의 하측에는, 스위칭 성능이나 저소비 전력 성능에 대한 요구가 상대적으로 낮은 구동 회로의 일부나 검사 회로 등의 주변 회로(250)가 배치되어 있다. 따라서, 전체적으로 낭비없이 고성능의 구동 회로나 주변 회로를 TFT 어레이 기판(10)상에 구축할 수 있는 동시에, 화상 표시 영역(10a)을 상대적으로 넓히는 것도 가능해진다.
그리고 제 3 실시예에서는 특히, 이 TFT(240)를 구성하는 게이트 전극(242), 소스 전극(244) 및 드레인 전극(245)에는 인출 배선(900)의 한쪽 단부가 접속되어 있다. 또한, TFT 어레이 기판(10)상에는, 상기 제 1 실시예에 있어서의 기판 장치(200A)에서 외부 회로 접속 단자(102)가 배열되어 있던 것과 대략 마찬가지로 해서, 본 발명에서 말하는 「하측 회로용 외부 회로 접속 단자」의 일례인 TFT용 단자(902, 904 및 906)가 형성되어 있고, 해당 TFT용 단자(902, 904 및 906)에는 각각 인출 배선(900)의 다른쪽 단부가 접속되어 있다.
이와 같이, 제 3 실시예의 기판 장치(200C)에 의하면, 데이터선 구동 회로(101)의 하측에 TFT(240)가 마련됨과 동시에, 해당 TFT(240)의 게이트 전극(242), 소스 전극(244) 및 드레인 전극(245)은 각각, TFT용 단자(902, 904 및 906)를 통하여, 외부에서 제어 가능하게 되어 있다. 따라서, 제 3 실시예에 의하면, 데이터선 구동 회로(101)를 장착시킨 후에 있어서도, 해당 TFT(240)의 유효 이용이 가능해진다. 예컨대, 해당 TFT(240)가 검사 회로의 일부를 구성하고 있으면,기판 장치(200C) 내지 주변 회로(250)의 동작 검사 등을, 출하 시점에서, 혹은 출하후 사용중인 유지 보수 시점 등에 있어서도, 또한 실시할 수 있다.
또한, 제 3 실시예에 의하면, 주변 회로(250)가 포함하는 TFT(240) 등의 회로 소자에 대하여, 상술한 바와 같이 인출 배선 및 하측 회로용 외부 회로 접속 단자가 마련되는 것에 의해, 외장 IC인 데이터선 구동 회로(101) 및 주변 회로(250) 사이의 역할 분담을 보다 유연하게 설정할 수 있어, 설계의 자유도를 높일 수 있다.
또, 제 3 실시예로서 나타낸 상술한 바와 같은 구성예는, 단순한 일례를 나타내고 있는 것에 불과하다. 예컨대, 상술한 것에 있어서는, TFT(240)의 모든 전극에 대하여 인출 배선이 접속되고, 또한, 그것들 전부에 대응하도록 TFT용 단자(902, 904 및 906)가 마련되어 있었지만, 본 발명은, 이러한 형태에 한정되지 않는다. 외부에서 제어하고자 하는 전극에 대해서만, 인출 배선 및 하측 회로용 외부 회로 접속 단자가 마련되어 있으면 좋다. 또한, 보다 널리는, 인출 배선이 접속되어야 할 회로 소자는 TFT에 한정되지 않는다. 박막 다이오드나 콘덴서 등 그 밖의 회로 소자가 그것에 해당할 수 있는 것도 당연하다.
또한, 상술한 것에 있어서는, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 실시예 각각이 갖는 특징에 주목하여, 이들을 별개의 형태로서 설명했지만, 본 발명은, 이러한 별개의 형태에만 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 제 1 및 제 2 실시예의 특징을 더불어 갖는 형태이던가, 제 2 및 제 3 실시예, 또는, 제 1 및 제 3 실시예의 특징을 더불어 갖는 형태로 되는 전기 광학 장치이더라도, 그것이 본 발명의 범위내에 있는 것은 당연하다. 물론, 제 1, 제 2 및 제 3 실시예가 갖는 특징 전부를 더불어 갖는 전기 광학 장치도 또한 본 발명의 범위내에 있다.
(전기 광학 장치의 전체 구성)
다음에, 본 발명의 전기 광학 장치에 관한 실시예에 대하여 도 14로부터 도 18을 참조하여 설명한다. 본 실시예의 전기 광학 장치는, 상술한 기판 장치(200)를 TFT 어레이 기판측에 구비한 액정 장치로 이루어진다.
우선, 본 실시예의 전기 광학 장치의 전체 구성에 대하여, 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 여기서는, 전기 광학 장치의 일례인 구동 회로 내장형의 TFT 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 장치를 예로 든다. 도 14는, TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 같이 대향 기판의 측에서 본 평면도이며, 도 15는 도 14의 H-H' 단면도이다.
도 14 및 도 15에 있어서, 본 실시예에 관한 전기 광학 장치에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 대향 배치되어 있다. TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에 액정층(50)이 봉입되어 있고, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은, 화상 표시 영역(10a)의 주위에 위치하는 밀봉(seal) 영역에 마련된 밀봉재(52)에 의해 서로 접착되어 있다. 밀봉재(52)는, 양 기판을 접합하기 위해서, 예컨대 열경화 수지, 열 및 광 경화 수지, 광 경화 수지, 자외선 경화 수지 등으로 이루어지고, 제조 프로세스에 있어서 TFT 어레이 기판(10)상에 도포된 후, 가열, 가열 및 광 조사, 광 조사, 자외선 조사 등에 의해 경화시켜진 것이다.
이러한 밀봉재(52)중에는, 양 기판 사이의 간격(기판간 갭)을 소정값으로 하기 위한 유리 섬유(glass fiber) 혹은 유리 비즈(glass beading) 등의 갭재가 혼합되어 있다. 즉, 본 실시예의 전기 광학 장치는, 프로젝터의 광(light) 밸브용으로서 소형으로 확대 표시를 하는데 적합한다. 단, 당해 전기 광학 장치가 액정 디스플레이나 액정 텔레비전과 같이 대형으로 등배 표시를 하는 액정 장치이면, 이러한 갭재는, 액정층(50)중에 포함되더라도 좋다.
대향 기판(20)의 4 개의 모퉁이에는, 상하 도통재(106)가 마련되어 있고, TFT 어레이 기판(10)에 마련된 상하 도통 단자와 대향 기판(20)에 마련된 대향 전극(21)과의 사이에서 전기적인 도통을 취한다.
도 14 및 도 15에 있어서, 밀봉재(52)가 배치된 밀봉 영역의 내측에 병행하여, 화상 표시 영역(10a)을 규정하는 차광성의 액자(53)가 대향 기판(20)측에 마련되어 있다. 액자(53)는 TFT 어레이 기판(10)측에 마련하더라도 좋은 것은 말할 필요도 없다. 화상 표시 영역의 주변으로 확장되는 주변 영역중, 밀봉재(52)가 배치된 밀봉 영역의 외측 부분에는, 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 1변을 따라 마련되어 있고, 주사선 구동 회로(104)가, 이 1변에 인접하는 2변을 따라 마련되어 있다. 또한 TFT 어레이 기판(10)의 남는 1변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 연결하기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다.
도 15에 있어서, TFT 어레이 기판(10)상에는, 화소 스위칭용의 TFT나 주사선, 데이터선 등의 배선이 형성된 후의 화소 전극(9a)상에, 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(20)상에는, 대향 전극(21) 외에, 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은, 예컨대 한 가지 종류 또는 수 개의 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지고, 이들 한 쌍의 배향막 사이에서, 소정의 배향 상태를 취한다.
본 실시예에서는, 액자(53) 아래에 있는 TFT 어레이 기판(10)상의 영역에, 샘플링 회로(118)가 마련되어 있다. 샘플링 회로(118)는, 화상 신호선상의 화상 신호를 데이터선 구동 회로(101)로부터 공급되는 샘플링 회로 구동 신호에 따라 샘플링하여 데이터선에 공급하도록 구성되어 있다.
본 실시예에서는 특히, 데이터선 구동 회로(101)는, COG 형 IC로 이루어지고, TFT 어레이 기판(10)상에 외장된 것이다. 한편, 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)는, TFT 어레이 기판(10)에 내장되어 있고, 후술한 바와 같이 화상 표시 영역내에서 화소마다 마련되는 화소 스위칭용 TFT와 동일 제조 프로세스에 의해, 형성된 TFT를 포함하여 구성되어 있다.
(전기 광학 장치의 회로 구성 및 동작)
다음에 이상과 같이 구성된 전기 광학 장치에 있어서의 회로 구성 및 동작에 대하여 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로와 주변 회로를 나타내는 블럭도이다.
도 16에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각기, 화소 전극(9a)과 해당 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 해당 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다.
화상 표시 영역(10a) 외부에 있는 주변 영역에는, 데이터선(6a)의 한쪽 단부(도 16중에서 하단)가, 샘플링 회로(118)의 예컨대 TFT로 이루어지는 각 스위칭 소자의 드레인에 접속되어 있다. 한편, 화상 신호선(115)은, 인출 배선(116)을 거쳐서 샘플링 회로(118)의 TFT의 소스에 접속되어 있다. 데이터선 구동 회로(101)에 접속된 샘플링 회로 구동 신호선(114)은, 샘플링 회로(118)의 TFT의 게이트에 접속되어 있다. 그리고, 화상 신호선(115)상의 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 데이터선 구동 회로(101)로부터 샘플링 회로 구동 신호선(114)을 거쳐서 샘플링 회로 구동 신호가 공급되는데 따라서, 샘플링 회로(118)에 의해 샘플링되어 각 데이터선(6a)에 공급되도록 구성되어 있다.
이와 같이 데이터선(6a)에 기입하는 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급하더라도 상관없고, 상호 인접하는 복수의 데이터선(6a) 끼리에 대하여, 그룹마다 공급하도록 하더라도 좋다.
또한, 화소 스위칭용의 TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2,…, Gm을, 주사선 구동 회로(104)에 의해, 이 순서대로 선순차적으로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은, TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2,…, Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다. 화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 대향 기판에 형성된 대향 전극(21)과의 사이에서 일정 기간유지된다. 액정은, 인가되는 전위 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화되는 것에 의해, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하고, 노멀리 블랙 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되어, 전체적으로 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 갖는 광이 출사된다. 여기서, 유지된 화상 신호가 리크하는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)과의 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다.
또한, TFT 어레이 기판(10)상에는, 이들의 주사선 구동 회로(104), 샘플링 회로(118) 등에 부가하여, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출하시의 당해 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하더라도 좋다.
즉, 이러한 각종 회로를, 도 1, 도 6 및 도 11에 나타낸 기판 장치(200A, 200B 및 200C)에 주변 회로로서 마련하더라도 좋고, 외장 IC로서 외장하더라도 좋다.
보다 구체적으로는, 상술한 바와 같이 프리차지 회로, 검사 회로 등의 주변회로를, 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(118)에 부가하거나 또는 대신에, 주변 회로로서, TFT 어레이 기판(10)에 마련하더라도 좋다. 혹은, 이러한 프리차지 회로, 검사 회로 등의 주변 회로를, 데이터선 구동 회로(101)에 부가하거나 혹은 대신에, 외장 IC로서 외장하더라도 좋다. 아뭏튼, 본 실시예에서는, 구동 회로의 어느 한 부분이, 외장 IC로 구성된다.
(화소부에서의 구성)
다음에, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화소부에서의 구성에 대하여, 도 17 및 도 18을 참조하여 설명한다. 도 17은 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 전기 광학 장치의 상호 인접하는 복수의 화소군의 평면도이며, 도 18은 도 17의 A-A' 단면도이다. 또한, 도 18에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 17에 있어서, 전기 광학 장치의 기판(10)상에는, 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부(9a')에 의해 윤곽이 나타내어지고 있음)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계를 각각 따라 데이터선(6a), 주사선(3a)이 마련되어 있다.
또한, 반도체층(1a)중 도면에서 사선 영역으로 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 이와 같이, 주사선(3a)과 데이터선(6a)의 교차하는 개소에는 각기, 채널 영역(1a')에 주사선(3a)이 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.
본 실시예에서는, 용량선(300)이, 도면중 굵은선으로 나타낸 바와 같이 주사선(3a)의 형성 영역에 겹쳐서 형성되어 있다. 보다 구체적으로는 용량선(300)은, 주사선(3a)을 따라 연장하는 본선부와, 도 17중, 데이터선(6a)과 교차하는 각 개소에서 데이터선(6a)을 따라 윗쪽에 각기 돌출한 돌출부와, 콘택트 홀에 대응하는 개소가 약간 잘록하게 들어간 부분을 구비하고 있다.
도 17 및 도 18에 도시하는 바와 같이, 고농도 드레인 영역(1e)에는, 화소 전극(9a)이, 콘택트 홀(83 및 85)을 거쳐서 중계 접속용의 도전층으로서도 기능하는 드레인 전극(302)에 의해 중계 접속되어 있다. 고농도 소스 영역(1d)에는, 데이터선(6a)이, 콘택트 홀(81 및 82)을 거쳐서 중계 접속용의 도전층으로서도 기능하는 소스 전극(303)에 의해 중계 접속되어 있다.
드레인 전극(302)의 일부로 이루어지는 화소 전위측 용량 전극상에는, 유전체막(301)을 거쳐서 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선(300)이 형성되어 있다. 용량선(300)은, 예컨대, Al(알루미늄), Ag(은), Cu(동), Ti(티탄), Cr(크롬), W(텅스텐), Ta(탄탈), Mo(몰리브덴), Pb(납) 등의 금속을 포함하고, 금속단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다. 본 실시예에서는, 이와 같이 드레인 전극(302)의 일부와, 용량선(300)의 일부가 유전체막(301)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해, 축적 용량(70)이 구축되어 있다.
용량선(300)상에는, 소스 전극(303)과 데이터선(6a)을 통하는 콘택트 홀(81) 및 드레인 전극(302)과 화소 전극(9a)을 통하는 콘택트 홀(85)이 각각 형성된 제 2층간 절연막(42)이 형성되어 있다. 제 2 층간 절연막(42)은, 예컨대 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막, 산화 실리콘막 등으로 형성되고, 그 막두께는, 예컨대 약 500∼2000nm 정도로 한다.
제 2 층간 절연막(42)상에는, 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들의 상에는또한, 드레인 전극(302)으로의 콘택트 홀(85)이 형성된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다. 이러한 데이터선(6a)은, 예컨대, 스퍼터링, 포토리스그래피, 에칭 등에 의해, 소정 패턴을 갖도록 Al(알루미늄) 등의 저저항 금속막으로 형성되고, 그 막두께는, 배선폭에 따라 필요한 도전성이 얻어지도록, 예컨대 수백 nm 정도로 된다. 한편, 제 3 층간 절연막(43)은, 예컨대 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막, 산화 실리콘막 등으로 형성되고, 그 막두께는, 예컨대 약 500∼2000nm 정도로 한다.
화소 전극(9a)은, 이와 같이 구성된 제 3 층간 절연막(7)의 상면에 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은, 예컨대 스퍼터링, 포토리소그래피, 에칭 등에 의해, ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 형성한다. 또한, 후술한 전기 광학 장치와 같이, 연마 처리를 실시한 배향막을 형성하더라도 좋다.
데이터선(6a)은, 소스 전극(303)을 중계하는 것에 의해, 콘택트 홀(81) 및 콘택트 홀(82)을 거쳐서 반도체층(1a)중 고농도 소스 영역(1d)에 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 화소 전극(9a)은, 소스 전극(303)과 동일막으로 이루어지는 드레인 전극(302)을 중계층으로서 이용하여 중계하는 것에 의해, 콘택트 홀(83 및 85)을 거쳐서 반도체층(1a)중 고농도 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있다.
이와 같이 드레인 전극(302)을 중계층으로서 이용하는 것에 의해, 화소 전극(9a)과 TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)과의 사이의 층간 거리가 예컨대 1000nm 정도로 길더라도, 양자 사이를 하나의 콘택트 홀로 접속하는 기술적 곤란성을 회피하면서 비교적 작은 직경의 두 개의 직렬인 콘택트 홀(83 및 84)로 양자 사이를 양호하게 접속할 수 있어, 화소 개구율을 높이는 것이 가능해진다. 특히 이러한 중계층을 이용하면, 콘택트 홀 개공시에 있어서의 에칭이 꿰뚫고 나가는 것을 방지하는 것에도 도움이 된다. 마찬가지로, 소스 전극(303)을 이용하는 것에 의해, 데이터선(6a)과 TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)과의 사이의 층간 거리가 길더라도, 양자 사이를 하나의 콘택트 홀로 접속하는 기술적 곤란성을 회피하면서 비교적 작은 직경의 두 개의 직렬인 콘택트 홀(81 및 82)로 양자 사이를 양호하게 접속할 수 있다.
도 17 및 도 18에 도시하는 바와 같이, 드레인 전극(302)과 용량선(300)이 유전체막(301)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해, 평면적으로 보아 주사선(3a)에 겹치는 영역 및 데이터선(6a)에 겹치는 영역에, 축적 용량(70)이 구축되어 있다.
즉, 용량선(300)은, 주사선(3a)을 덮도록 연장하는 동시에, 데이터선(6a)의 영역하에서, 드레인 전극(302)을 덮도록 돌출된 돌출부를 갖고 빗살 모양으로 형성되어 있다. 드레인 전극(302)은, 주사선(3a)과 데이터선(6a)의 교차부로부터, 한쪽이 데이터선(6a)의 영역하에 있는 용량선(300)의 돌출부를 따라 연장하고, 다른쪽이 주사선(3a)의 영역상에 있는 용량선(300)을 따라 인접하는 데이터선(6a) 근방까지 연장하는 L 자 형상의 섬형상 용량 전극을 형성하고 있다. 그리고, 유전체막(301)을 거쳐서 용량선(300)에 L 자 형상의 드레인 전극(302)이 겹치는 영역에서 축적 용량(70)이 형성된다.
축적 용량(70)의 한쪽의 용량 전극을 포함하는 드레인 전극(302)은, 콘택트 홀(85)로 화소 전극(9a)과 접속되어 있고 또한 콘택트 홀(83)로 고농도 드레인 영역(1e)과 접속되어 있어, 화소 전극 전위로 된다.
축적 용량(70)의 다른쪽의 용량 전극을 포함하는 용량선(300)은, 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장되고, 정전위원과 전기적으로 접속되어, 고정 전위로 된다. 정전위원으로서는, TFT(30)를 구동하기 위한 주사 신호를 주사선(3a)에 공급하기 위한 주사선 구동 회로나 화상 신호를 데이터선(6a)에 공급하는 샘플링 회로를 제어하는 데이터선 구동 회로에 공급되는 정전원이나 부전원의 정전위원이라도 좋고, 대향 기판에 공급되는 정전위이더라도 상관없다.
축적 용량(70)의 유전체막(301)은, 예컨대 막두께 5∼200nm 정도의 비교적 얇은 HTO 막(고온 산화막), LTO 막(저온 산화막) 등의 산화 실리콘막, 혹은 질화 실리콘막 등으로 구성된다. 유전체막(301)은, 드레인 전극(302)의 표면을 산화함으로써 얻은 열 산화막이라도 좋다. 축적 용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막두께의 신뢰성이 충분히 얻어지는 한에 있어서, 유전체막(301)은 얇을수록 좋다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 전기 광학 장치는, 기판 장치(200A, 200B 또는 200C)와, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. 대향 기판(20)은, 예컨대 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다. 기판(10)에는, 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 상측에는, 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 또한 배향막(16)은 예컨대, 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는, 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는, 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 대향 전극(21)은 예컨대, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(22)은, 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
기판(10)에는, 각 화소 전극(9a)에 인접하는 위치에, 각 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.
대향 기판(20)에는, 또한 차광막을 마련하도록 하더라도 좋다. 이러한 구성을 채용함으로써, 대향 기판(20)측으로부터 입사광이 TFT(30)의 반도체층(1a)의 채널 영역(1a')이나 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 대향 기판상의 차광막은, 입사광이 조사되는 면을 고 반사막으로 형성하는 것에 의해, 전기 광학 장치의 온도 상승을 막는 기능을 한다.
또한, 본 실시예에서는, Al 막 등으로 이루어지는 차광성의 데이터선(6a)에서, 각 화소의 차광 영역중 데이터선(6a)에 따른 부분을 차광하더라도 좋고, 용량선(300)을 차광성의 막으로 형성하는 것에 의해 채널 영역(1a') 등을 차광할 수 있다.
이와 같이 구성되어, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에는, 밀봉재에 의해 둘러싸인 공간에 전기 광학 물질의 일례인 액정이 봉입되어, 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은, 화소 전극(9a)에서의 전계가 인가되어 있지 않은 상태로 배향막(16 및 22)에 의해 소정의 배향 상태를 취한다.
이상 설명한 실시예에서는, 다수의 도전층을 적층하는 것에 의해, 데이터선(6a)이나 주사선(3a)을 따른 영역에 단차가 발생하지만, 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42)에 홈을 파, 데이터선(6a) 등의 배선이나 TFT(30) 등을 매립하는 것에 의해 평탄화 처리를 하더라도 좋고, 제 3 층간 절연막(43)이나 제 2 층간 절연막(42)의 상면의 단차를 CMP 처리 등으로 연마하는 것에 의해, 혹은 유기 SOG를 이용하여 평평히 형성하는 것에 의해, 당해 평탄화 처리를 하더라도 좋다.
또한, 이상 설명한 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)는, 바람직하게는 도 18에 나타낸 바와 같은 LDD 구조를 갖지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물의 투입을 실행하지 않는 오프셋 구조를 가져도 좋고, 주사선(3a)의 일부로 이루어지는 게이트 전극을 마스크로서 고농도로 불순물을 투입하여, 자기정합적으로 고농도 소스 및 드레인 영역을 형성하는 셀프얼라인형의 TFT 이더라도 좋다. 또한 본 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트 전극을 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e) 사이에 1개만 배치한단일(single) 게이트 구조로 했지만, 이들 사이에 2개 이상의 게이트 전극을 배치하더라도 좋다. 이와 같이 2중(dual) 게이트 혹은 3중(triple) 게이트 이상으로 TFT를 구성하면, 채널과 소스 및 드레인 영역과의 접합부의 리크 전류를 방지할 수 있어, 오프시의 전류를 저감할 수 있다. 그리고, 주변 회로를 구성하는 TFT에 대해서도 마찬가지로 각종의 TFT로서 구축 가능하다.
이상 도 14로부터 도 18을 참조하여 설명한 실시예에서는, 대향 기판(20)의 투사광이 입사하는 쪽 및 기판(10)의 출사광이 출사하는 쪽에는 각각, 예컨대, TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드/노멀리 블랙 모드 별로, 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향으로 배치된다.
이상 설명한 실시예에 있어서의 전기 광학 장치는, 프로젝터에 적용되기 때문에, 3장의 전기 광학 장치가 RGB 용의 광밸브로서 각각 이용되고, 각 광밸브에는 각각 RGB 색분해용의 다이클로익미러를 거쳐서 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사되게 된다. 따라서, 각 실시예에서는, 대향 기판(20)에, 컬러 필터는 마련되어 있지 않다. 그러나, 대향 기판에 차광막이 형성되어 있지 않은 화소 전극(9a)에 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그 보호막과 함께, 대향 기판(20)상에 형성하더라도 좋다. 이와 같이 하면, 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형의 컬러 전기 광학 장치에 대하여, 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를 적용할 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에 1화소 1개 대응하도록 마이크로 렌즈를 형성하더라도 좋다. 혹은, TFT 어레이 기판(10)상의 RGB에 대향하는 화소전극(9a) 아래에 컬러 레지스트 등으로 컬러 필터층을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상시키는 것으로, 밝은 전기 광학 장치를 실현할 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에, 몇 층쯤의 굴절율이 상위하는 간섭층을 퇴적하는 것으로, 광의 간섭을 이용하여, RGB 색을 만들어내는 다이클로익필터를 형성하더라도 좋다. 이 다이클로익필터 부착 대향 기판에 의하면, 보다 밝은 컬러 전기 광학 장치를 실현할 수 있다.
(전자 기기)
다음에, 이상 상세히 설명한 전기 광학 장치를 광밸브로서 이용한 전자 기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대하여, 그 전체 구성, 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서 도 19는 투사형 컬러 표시 장치의 도식적 단면도이다.
도 19에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는, 구동 회로가 TFT 어레이 기판상에 탑재된 액정 장치(100)를 포함하는 액정 모듈을 3개 준비하고, 각기 RGB 용의 광밸브(100R, 100G 및 100B)로서 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드(metalhalide) 램프 등의 백색광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익미러(1108)에 의해서, RGB의 3원색에 대응하는 광성분 R, G, B로 나누어지고, 각 색에 대응하는 광밸브(100R, 100G 및 100B)에 각기 이끌어진다. 이 때 특히 B 광은, 긴 광로에 의한 광손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(relay lens)(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐서 이끌어진다. 그리고, 광밸브(100R, 100G 및 100B)에 의해 각기 변조된 3원색에 대응하는 광성분은, 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 다시 합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.
본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 파악할 수 있는 발명의 요지, 혹은 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 따르는 기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
본 발명에 의하면, 외장 IC를 떼어내지 않고서, 그 전기적인 검사가 실행 가능한 동시에 주변 회로에 의한 이익과 외장 IC에 의한 이익의 양쪽을 향수 가능한 기판 장치, 해당 기판 장치의 전기적인 검사를 비교적 용이하게 실행 가능한 기판 장치의 검사 방법, 그와 같은 기판 장치를 갖추어 이루어지는 전기 광학 장치 및 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있고, 또한, 외장 IC를 외장하면서, 한정된 기판상 영역에서의 화상 표시 영역의 넓이를 확보할 수 있는 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (29)

  1. 기판과,
    해당 기판상에 마련된 주변 회로와,
    상기 기판상에 배선된 제 1 배선과,
    상기 기판상의 상기 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속된 제 1 단자를 갖는 집적 회로와,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 상기 접속용 부분으로부터 인출된 제 2 배선과,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 2 배선상에 마련된 제 1 외부 회로 접속 단자
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접속용 부분은, 상기 기판상에 배치된 접속용 패드(pad)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하는 제 3 배선과,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 3 배선상에 마련된 제 2 외부 회로 접속 단자를 더 구비하고 있고,
    상기 집적 회로는, 제 2 단자를 더 갖고, 또한 해당 제 2 단자가 상기 제 3 배선상에 마련된 다른 접속용 부분에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 단자는, 상기 집적 회로의 출력 단자이며,
    상기 제 2 단자는, 상기 집적 회로의 입력 단자이며,
    상기 제 1 외부 회로 접속 단자는, 상기 집적 회로의 출력 신호를 취출하기 위한 검사용 단자이며,
    상기 제 2 외부 회로 접속 단자는, 당해 기판 장치를 동작시키는 각종 신호를 입력하기 위한 동작용 단자인 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자는, 상기 집적 회로의 상기 기판에 대향하는 면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자는 각기 복수 마련되어 있고, 또한 상기 집적 회로의 상기 기판에 대향하는 면상에 있어서 지그재그로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 주변 회로는, 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 주변 회로 대신에 다른 집적 회로가 상기 기판상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 장치.
  9. 청구항 1에 기재된 기판 장치를 검사하는 기판 장치의 검사 방법으로서,
    상기 기판에, 상기 집적 회로를 접속한 후에, 상기 제 1 외부 회로 접속 단자에 검사용 프로브를 접촉시키는 공정과,
    해당 검사용 프로브를 통해서 상기 집적 회로에 대한 전기적 검사를 실행하는 검사 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 장치의 검사 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판에, 상기 집적 회로를 접속하기 전에, 상기 주변 회로에 대한 전기적 검사를 실행하는 다른 검사 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 장치의 검사 방법.
  11. 청구항 1에 기재된 기판 장치상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 접속된 데이터선 및 주사선을 구비하고 있고,
    상기 주변 회로 및 상기 집적 회로는 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선을 구동하기 위한 회로를 부분적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 주변 회로 및 상기 집적 회로는, 상기 화소 전극이 복수 배열된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 주변 회로는, 상기 데이터선에 접속된 샘플링 회로를 포함하고,
    상기 집적 회로는, 상기 데이터선 및 상기 주사선을 구동하고, 또한 시프트 레지스터를 갖는 구동 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 기판상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽과,
    해당 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 배치되는 집적 회로와,
    해당 집적 회로의 하측에 배치된 소정 패턴
    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 소정 패턴은, 제조 프로세스의 평가, 검사 및 감시용의 패턴중 적어도 하나를 포함하고, 또한 상기 기판상의 영역중 상기 외장 집적 회로의 입출력 단자가 접합되는 접속용 패드를 제외하는 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 기판상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽과,
    해당 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 설치되는 집적 회로와,
    해당 집적 회로의 하측에 배치되어 있고 상기 적어도 한쪽과 함께 만들어 넣어진 하측 회로
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 집적 회로는, 상기 구동 회로의 일부분을 구성하고,
    상기 하측 회로는, 상기 구동 회로의 다른 부분을 구성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 배선은, 데이터선 및 주사선을 포함하고,
    상기 집적 회로는, 상기 데이터선을 구동하는 데이터선 구동 회로를 포함하고,
    상기 하측 회로는, 상기 주사선을 구동하는 주사선 구동 회로 및 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 하측 회로는, 검사 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 소자는, 상기 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 하측 회로는, 상기 박막 트랜지스터와 동일 제조 프로세스에 의해 제조되는 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 집적 회로와 상기 하측 회로와의 사이에, 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  22. 제 14 항에 있어서,
    상기 집적 회로는, 상기 화소 전극이 배치된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  23. 제 14 항에 있어서,
    상기 집적 회로가 설치되는 상기 기판상의 최상층은, 평탄화되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  24. 청구항 14에 기재된 전기 광학 장치를 제조하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판상의 소정 영역에 상기 소정 패턴을 형성하는 제 1 형성 공정과,
    상기 소정 패턴에 근거하여 검사, 평가 및 감시중 적어도 하나를 실행하는 검사 공정과,
    상기 적어도 한쪽 및 상기 화소 전극을 형성하는 제 2 형성 공정과,
    상기 소정 영역에 상기 집적 회로를 설치하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  25. 청구항 16에 기재된 전기 광학 장치를 제조하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판상의 소정 영역에 상기 하측 회로를 형성하고, 상기 적어도 한쪽을 형성하며, 상기 화소 전극을 형성하는 형성 공정과,
    상기 소정 영역에 상기 집적 회로를 설치하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  26. 제 14 항에 있어서,
    상기 소정 패턴은, 정렬 마크 및 식별 마크중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  27. 제 16 항에 있어서,
    상기 하측 회로에는 회로 소자가 포함되고,
    해당 회로 소자로부터 인출된 인출 배선과,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기인출 배선에 접속된 하측 회로용 외부 회로 접속 단자를
    더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  28. 기판과,
    해당 기판상에 마련된 주변 회로와,
    상기 기판상에 배선된 제 1 배선과,
    상기 기판상의 상기 제 1 배선상에 마련된 접속용 부분에 접속된 제 1 단자를 갖는 집적 회로와,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하는 부분을 통과하도록 상기 접속용 부분으로부터 인출된 제 2 배선과,
    상기 기판상의 영역중 상기 집적 회로에 대향하지 않는 부분에 있어서 상기 제 2 배선상에 마련된 제 1 외부 회로 접속 단자를 구비함과 동시에,
    상기 기판상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 구동하기 위한 배선 및 전자 소자중 적어도 한쪽을 구비하고 있고,
    상기 집적 회로는, 상기 적어도 한쪽에 접속된 구동 회로의 적어도 일부분을 구성하고, 또한 상기 기판상에 설치되어 있으며,
    상기 집적 회로의 하측에는 소정 패턴 또는 하측 회로가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  29. 청구항 11 내지 12 또는 청구항 14 내지 23 및 26 내지 28 중 한 항에 기재된 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020020032733A 2001-06-13 2002-06-12 기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기 KR100566923B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00179042 2001-06-13
JP2001179042 2001-06-13
JPJP-P-2001-00179101 2001-06-13
JP2001179101 2001-06-13
JP2002122815A JP3901004B2 (ja) 2001-06-13 2002-04-24 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JPJP-P-2002-00122815 2002-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020094905A true KR20020094905A (ko) 2002-12-18
KR100566923B1 KR100566923B1 (ko) 2006-04-03

Family

ID=27346930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020032733A KR100566923B1 (ko) 2001-06-13 2002-06-12 기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7342563B2 (ko)
JP (1) JP3901004B2 (ko)
KR (1) KR100566923B1 (ko)
CN (1) CN1229668C (ko)
TW (1) TW591310B (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504473B1 (ko) * 2002-09-30 2005-08-01 엘지전자 주식회사 글라스 실-커버를 이용한 유기 ｅｌ 디스플레이 패널의제조방법
KR100892964B1 (ko) * 2007-03-08 2009-04-09 엘지전자 주식회사 전계발광표시장치
KR100892965B1 (ko) * 2007-03-08 2009-04-09 엘지전자 주식회사 전계발광표시장치
KR100910568B1 (ko) * 2003-02-19 2009-08-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US7839479B2 (en) 2004-06-24 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate comprising a first insulating layer completely covering the dummy testing pad, display using the same, and fabrication method thereof
KR101032439B1 (ko) * 2004-05-31 2011-05-03 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US8188942B2 (en) 2007-03-08 2012-05-29 Lg Electronics Inc. Light emitting device
KR101491161B1 (ko) * 2008-12-09 2015-02-06 엘지이노텍 주식회사 액정패널과 드라이버 ｉｃ 간의 접속상태를 테스트 하는 방법 및 이를 이용한 액정표시장치
KR20180029169A (ko) * 2016-09-09 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508479B2 (en) * 2001-11-15 2009-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
GB0219771D0 (en) * 2002-08-24 2002-10-02 Koninkl Philips Electronics Nv Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements
US7956976B1 (en) * 2002-09-10 2011-06-07 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP4006304B2 (ja) 2002-09-10 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
KR100923056B1 (ko) * 2002-09-16 2009-10-22 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조방법
US8125601B2 (en) * 2003-01-08 2012-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Upper substrate and liquid crystal display device having the same
CN100526902C (zh) * 2003-03-25 2009-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的检查电路及检查方法
JP4016955B2 (ja) * 2003-05-02 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4483224B2 (ja) * 2003-08-08 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネル、電気光学装置、及び電子機器
TWI229499B (en) * 2003-10-01 2005-03-11 Toppoly Optoelectronics Corp Voltage level shifting circuit
KR100987890B1 (ko) * 2003-11-13 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 검사장치 및 그 검사방법
JP4207768B2 (ja) 2003-12-16 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置並びに電子機器
TWI271691B (en) * 2004-07-07 2007-01-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal panel structure
JP4026625B2 (ja) * 2004-07-23 2007-12-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器および実装構造体
JP4551712B2 (ja) * 2004-08-06 2010-09-29 東芝モバイルディスプレイ株式会社 ゲート線駆動回路
JP2006091239A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに検査方法
JP4277777B2 (ja) * 2004-09-28 2009-06-10 セイコーエプソン株式会社 実装構造体、実装用基板、電気光学装置及び電子機器
KR20060079721A (ko) * 2005-01-03 2006-07-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 표시판의 제조 방법
JP2008083072A (ja) * 2005-01-07 2008-04-10 Sharp Corp 表示装置
JP2006309161A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP5127124B2 (ja) * 2005-07-29 2013-01-23 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 表示装置
JP4901176B2 (ja) * 2005-10-12 2012-03-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置
CN100437236C (zh) * 2005-10-28 2008-11-26 友达光电股份有限公司 液晶显示面板与其上的线路布局
JP4882340B2 (ja) * 2005-10-31 2012-02-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
JP4600263B2 (ja) * 2005-12-06 2010-12-15 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
CN100399175C (zh) * 2005-12-29 2008-07-02 友达光电股份有限公司 主动组件阵列基板
CN101089934B (zh) * 2006-06-16 2010-04-14 胜华科技股份有限公司 可切换检测与驱动功能的显示器模组电路
KR20080008795A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치
CN101449202B (zh) * 2006-08-31 2011-02-09 夏普株式会社 显示面板和包括该显示面板的显示装置
JP2008164385A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置及びデジタル放送受信装置
KR101304415B1 (ko) * 2007-01-25 2013-09-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI363210B (en) 2007-04-04 2012-05-01 Au Optronics Corp Layout structure for chip coupling
KR101329078B1 (ko) * 2008-05-28 2013-11-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TW201022779A (en) * 2008-12-12 2010-06-16 Au Optronics Corp Pixel array and manufacturing method thereof
KR101113340B1 (ko) * 2010-05-13 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시장치 및 그의 검사방법
WO2012090817A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
US8963895B2 (en) * 2011-09-22 2015-02-24 Nano Lumens Acquisition Inc. Ubiquitously mountable image display system
US9337592B2 (en) 2012-02-13 2016-05-10 Sentinel Connector Systems, Inc. High speed communication jack
US9653847B2 (en) 2013-01-11 2017-05-16 Sentinel Connector System, Inc. High speed communication jack
US8858266B2 (en) 2012-02-13 2014-10-14 Sentinel Connector Systems, Inc. High speed communication jack
US10014990B2 (en) 2012-02-13 2018-07-03 Sentinel Connector Systems, Inc. Testing apparatus for a high speed cross over communications jack and methods of operating the same
US20130265069A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Liquid Crystal Panel, Liquid Crystal Module, and Method Of Determining Reason Behind Bad Display
CN104122682B (zh) * 2013-04-28 2018-01-30 北京京东方光电科技有限公司 一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置
JP2017519968A (ja) * 2014-03-24 2017-07-20 センティネル コネクター システムズ, インコーポレイテッドSentinel Connector Systems, Inc. 高速クロスオーバー通信用ジャックの試験装置及びその動作方法
KR102317023B1 (ko) * 2014-08-14 2021-10-26 삼성전자주식회사 반도체 장치, 그의 제조 방법, 및 그의 제조 설비
BR112017006086A2 (pt) 2014-10-01 2017-12-19 Sentinel Connector Systems Inc tomada para comunicação em alta velocidade
KR102255030B1 (ko) * 2015-01-08 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9912083B2 (en) 2015-07-21 2018-03-06 Sentinel Connector Systems, Inc. High speed plug
DE102015115812A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
JP6940521B2 (ja) 2016-05-04 2021-09-29 センティネル コネクター システムズ, インコーポレイテッドSentinel Connector Systems, Inc. 大型導体の工業プラグ
KR102535209B1 (ko) * 2016-07-04 2023-05-22 삼성디스플레이 주식회사 인쇄회로기판 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108573997B (zh) * 2017-03-14 2023-12-01 三星显示有限公司 显示装置
CN109102772B (zh) * 2017-06-20 2023-11-21 昆山国显光电有限公司 驱动电路板和显示装置
US20180373069A1 (en) * 2017-06-27 2018-12-27 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Cog panel convenient for testing
US10775429B2 (en) * 2017-09-27 2020-09-15 Marvell Asia Pte., Ltd. Testing monolithic three dimensional integrated circuits
TWI634339B (zh) * 2017-11-21 2018-09-01 興城科技股份有限公司 檢測薄膜電晶體基板之方法及裝置
CN110596925B (zh) * 2018-06-12 2022-02-22 夏普株式会社 电路基板
CN109585460A (zh) * 2018-12-18 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
CN112289819A (zh) * 2019-07-25 2021-01-29 李蕙如 主动式rgb发光二极管显示器载板
TWI736982B (zh) * 2019-09-17 2021-08-21 李蕙如 主動式rgb發光二極體像素元件
CN111477641B (zh) * 2020-05-12 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113990212A (zh) * 2020-07-27 2022-01-28 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组及显示器件
CN114005376A (zh) * 2020-07-27 2022-02-01 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组及显示器件
CN112669737B (zh) * 2020-12-22 2023-07-14 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其裂纹检测方法、显示装置
WO2022259415A1 (ja) * 2021-06-09 2022-12-15 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602271A (en) * 1981-07-22 1986-07-22 International Business Machines Corporation Personalizable masterslice substrate for semiconductor chips
US4889832A (en) * 1987-12-23 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating an integrated circuit with metal interconnecting layers above and below active circuitry
JP3090453B2 (ja) * 1989-07-10 2000-09-18 株式会社日立製作所 厚膜薄膜積層基板およびそれを用いた電子回路装置
US5177668A (en) * 1989-07-15 1993-01-05 Diehl Gmbh & Co. Arrangement of an integrated circuit on a circuit board
JP2791422B2 (ja) 1990-12-25 1998-08-27 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置およびその作製方法
JPH0682802A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6025732A (en) * 1993-07-09 2000-02-15 Aehr Test Systems Reusable die carrier for burn-in and burn-in process
US5945972A (en) * 1995-11-30 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
KR100293982B1 (ko) * 1998-08-03 2001-07-12 윤종용 액정패널
JP4060973B2 (ja) * 1999-02-12 2008-03-12 セイコーインスツル株式会社 Ｌｃｄコントローラｉｃ
JP2000321591A (ja) 1999-05-14 2000-11-24 Nec Corp 液晶表示装置
JP2001005016A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその検査方法
JP2001053282A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法
TW527513B (en) * 2000-03-06 2003-04-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100464150B1 (ko) * 2000-12-15 2004-12-31 엘지전자 주식회사 교환기와 엠엠아이/티엠엔 에이전트 간의 정합 방법
US6805911B2 (en) * 2001-01-02 2004-10-19 J.G. Systems, Inc. Method and apparatus for improving interfacial chemical reactions

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504473B1 (ko) * 2002-09-30 2005-08-01 엘지전자 주식회사 글라스 실-커버를 이용한 유기 ｅｌ 디스플레이 패널의제조방법
KR100910568B1 (ko) * 2003-02-19 2009-08-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101032439B1 (ko) * 2004-05-31 2011-05-03 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US7839479B2 (en) 2004-06-24 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate comprising a first insulating layer completely covering the dummy testing pad, display using the same, and fabrication method thereof
KR100892964B1 (ko) * 2007-03-08 2009-04-09 엘지전자 주식회사 전계발광표시장치
KR100892965B1 (ko) * 2007-03-08 2009-04-09 엘지전자 주식회사 전계발광표시장치
US8188942B2 (en) 2007-03-08 2012-05-29 Lg Electronics Inc. Light emitting device
KR101491161B1 (ko) * 2008-12-09 2015-02-06 엘지이노텍 주식회사 액정패널과 드라이버 ｉｃ 간의 접속상태를 테스트 하는 방법 및 이를 이용한 액정표시장치
KR20180029169A (ko) * 2016-09-09 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20070109485A1 (en) 2007-05-17
JP3901004B2 (ja) 2007-04-04
CN1391132A (zh) 2003-01-15
KR100566923B1 (ko) 2006-04-03
US20020191140A1 (en) 2002-12-19
JP2003066113A (ja) 2003-03-05
US7342563B2 (en) 2008-03-11
TW591310B (en) 2004-06-11
CN1229668C (zh) 2005-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100566923B1 (ko) 기판 장치, 그 검사 방법, 전기 광학 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기
US7233372B2 (en) Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view
US7196353B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP4088190B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR100614737B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP2002214637A (ja) 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置
KR100504578B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP4131283B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2002156653A (ja) 電気光学装置
US9030616B2 (en) Electro-optic apparatus and electronic apparatus
JP4438312B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2007192975A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP5141536B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP4069597B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP4509463B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP3767607B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2004309849A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2002214627A (ja) 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置
JP3925555B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP4797453B2 (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器、並びに半導体基板の製造方法
JP4760818B2 (ja) 電気光学基板、並びにこれを具備する電気光学装置及び電子機器
JP2004004723A (ja) 電気光学装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150302

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190319

Year of fee payment: 14