TWI634339B - 檢測薄膜電晶體基板之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發提供一種檢測一薄膜電晶體基板之方法，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：提供複數探針和一感測單元；分別將該複數探針配置於該複數功能測試信號輸入墊，以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及將該感測單元配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。

Description

檢測薄膜電晶體基板之方法及裝置
本案係關於一種檢測和檢測設備，特別是一種檢測一薄膜電晶體基板之方法以及使用該方法的檢測設備。
典型的薄膜電晶體(Thin film transistor,TFT)液晶顯示裝置，如第1A圖中的TFT液晶顯示裝置1所示，基本上是由背光模組3在後，具有彩色濾光(Color filter,CF)片的CF基板5在前，而中間配置一片TFT基板10的組合組裝而成。背光模組3兩端的發光元件301/301可以同時朝不同方向發射光線，經由反射與折射之後成為共同朝向上方的多道平行光線，依序通過TFT基板10和CF基板5。其中的TFT基板10是在一面玻璃基板上以多層的加工而形成水平與垂直方向交錯的線路和由這些線路所連結許多個薄膜電晶體所形成的薄膜電晶體陣列。為能夠在製程中及早測知TFT基板10各層中是否存在任何缺陷或瑕疵，在完成組裝前得以先行進行修復或重工，需要在製程的前端對基板進行測試，例如所謂的短斷路測試(Open-short Test)。目前市面主流的高密度像素面板為了精簡各像素單元所佔用的面積，各TFT單元內已經不具備可提供測試 信號輸入墊的空間，所以過去傳統的接觸式測試已經不可行，取而代之的是非接觸式的短斷路測試。
參閱1B圖，其顯示本領域習知在表面具有線路12的TFT基板10上進行非接觸式的短斷路測試的一示例。在與TFT基板10待測面距離DP(例如100至150微米)的上方，分別配置用以發送感測信號的信號感測頭11以及用以接收信號的信號接收電極13(參閱圖中實心箭頭所示的信號傳遞方向)，測試信號(基板上方以波形示意)沿著線路12由左至右傳遞，所接收的信號再經由放大器14處理後進行分析。如圖，當線路12中具有缺陷17的時候，傳送於線路12中的電子信號會因而出現異常改變SC，從而判斷出受測的線路是否正常。
上述的非接觸式信號傳遞的方法通常是以電容耦合的方式來進行，然而電容耦合的過程容易讓信號衰減，前後兩次的電容耦合將致使信號嚴重的衰減乃至於失真，導致後續分析上的困難。此外，這種透過電容耦合的非接觸檢測方式一般只適用於在顯示區的測試，測試範圍有限。對於一些配置於顯示區外圍諸如驅動IC線路(Gate drive on array,GOA或Gate drive on panel,GOP)的電路來說，通常需要等到組裝之後的功能測試才會進行品質驗證，要是TFT基板上的驅動IC線路存在任何缺陷，若不能在線路製作完成之後隨即測知而及時修復，則在組裝之後的修復工序較為繁複，而且成本相對提高很多。以上的問題，構成測試品質(對缺陷的辨識度)不足與重工成本的增加，都具有改善的空間。
本案申請人鑑於習知技術中的不足，經過悉 心試驗與研究，並一本鍥而不捨之精神，終構思出本案，能夠克服先前技術的不足，以下為本案之簡要說明。
需要發展一種檢測薄膜電晶體基板的方法以及使用該方法的檢測設備，改善測試信號的強度，以提升對缺陷的檢出能力，且短斷路檢測的範圍可以涵蓋顯示區外圍的電路如驅動IC線路。
依據本發明一觀點，提出一種檢測一薄膜電晶體基板之方法，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：提供複數探針和一感測單元；分別將該複數探針配置於該複數功能測試信號輸入墊，以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及將該感測單元配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
依據本發明之另一觀點，提出一種檢測一薄膜電晶體基板之裝置，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該裝置包含複數探針，配置以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及一感測單元，配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一特定感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
依據本發明之又一觀點，提出一種矩陣式面板短斷路檢測之方法，其中該矩陣式面板包括至少一顯示區和圍繞 於該顯示區的一外圍區，該顯示區包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，且該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：以一接觸的方式對該複數功能測試信號輸入墊輸入一組測試電氣信號；以及以一非接觸的方式沿著該顯示區之一邊緣的一特定位置接收一感測信號。
該方法與裝置係利用接觸式的方式輸入測試信號，而且用非接觸式的方式接收感測信號，可以隨著TFT基板的製程而及時進行檢測，具有產業利用性。
1‧‧‧TFT液晶顯示裝置
3‧‧‧背光模組
5‧‧‧CF基板
10/200‧‧‧TFT基板
12‧‧‧線路
13‧‧‧信號接收電極
14‧‧‧放大器
17‧‧‧缺陷
31‧‧‧第一感測單元
32‧‧‧第二感測單元
41‧‧‧探針
61‧‧‧金屬平板
100‧‧‧玻璃基版
210‧‧‧顯示區
213‧‧‧第一顯示側
215‧‧‧第三顯示側
217‧‧‧第二顯示側
230‧‧‧第一外圍側
231‧‧‧第一線路內側走線區
233‧‧‧第一驅動IC線路
235‧‧‧第一線路外側走線區
250‧‧‧第二外圍側
251‧‧‧第三線路內側走線區
253‧‧‧第三驅動IC線路253
255‧‧‧第三線路外側走線區
270‧‧‧第三外圍側
271‧‧‧第二線路內側走線區
273‧‧‧第二驅動IC線路
275‧‧‧第二線路外側走線區
301/302‧‧‧發光元件
311/321‧‧‧第一耦合單元
311A‧‧‧線圈組
311B/311C‧‧‧導線
312/322‧‧‧第二耦合單元
2351/2551/2751‧‧‧功能測試信號輸入墊
COM‧‧‧接地線
DP‧‧‧待測面距離
Data 0‧‧‧奇數號資料線
Data E‧‧‧偶數號資料線
E‧‧‧磁場
Gate 0‧‧‧奇數號閘線
Gate E‧‧‧偶數號閘線
IEddy‧‧‧渦電流
Isensor‧‧‧感測電流
S1/S2/S3/S4/S5/S6/S7/S8‧‧‧電氣信號
S9/S10/S11/S12/S13‧‧‧電氣信號
SC‧‧‧異常改變
V‧‧‧電位差
本案得藉由下列圖式之詳細說明，俾得更深入之瞭解：第1A圖係習知TFT液晶顯示裝置主要組件的示意圖；第1B圖係一示意圖，其顯示習知在表面具有線路的TFT基板上進行非接觸式的短斷路測試的一示例；第2A/2B圖係本發明檢測薄膜電晶體基板之方法及裝置的一實施例之示意圖。
第3圖是本發明第一耦合單元以非接觸方式感測電子信號的一實施例的示意圖；第4圖是本發明所檢測的薄膜電晶體基板所具備短路棒(Shorting Bar)的一示意圖。
本發明將可由下列實施例說明而得到充分瞭 解，使熟習本技藝之人士可以據以完成之，然本發明之實施並非可由下列實施例而被限制其實施型態。
請參閱第2A/2B圖，其顯示本發明檢測薄膜電晶體基板之方法及裝置的一實施例。第2B圖顯示在一整面玻璃基版100上配置多處預定在切割之後分別成為單獨的TFT基板200的示例，簡單的以4處為例。在不同的應用上，可以依據所需要產出的TFT基板尺寸規格而在玻璃基版100上設計出不同數量的多處預設的TFT基板200製作區塊，俾以同時形成多個TFT基板200的電路。
第2A圖顯示第2B圖中其中一處預設的TFT基板製作區塊，用以介紹本發明檢測一薄膜電晶體基板200之方法與裝置。如圖，薄膜電晶體基板200至少包含一顯示區210以及圍繞於該顯示區的外圍區，外圍區具第一外圍側230、第二外圍側270、和第三外圍側250。第一外圍側230包括第一線路內側走線區231、第一驅動IC線路233、及第一線路外側走線區235，第一線路外側走線區235具有複數功能測試信號輸入墊2351。相同的，第二外圍側270包括第二線路內側走線區271、第二驅動IC線路273、及第二線路外側走線區275，第二線路外側走線區275具有複數功能測試信號輸入墊2751；第三外圍側250包括第三線路內側走線區251、第三驅動IC線路253、及第三線路外側走線區255，第三線路外側走線區255具有複數功能測試信號輸入墊2551。依據最初的設計，當TFT液晶顯示裝置組裝完成，也就是未來在後段的製程完成後，這些功能測試信號輸入墊2351/2551/2751是用以提供功能測試時的信號輸入。
本領域專業人士可以了解，薄膜電晶體基板200的顯示區210中包含有水平與垂直方向交錯的線路和由這些線路所連結許多個薄膜電晶體所形成的薄膜電晶體矩陣式陣列。如第2A圖所示，顯示區210具有第一顯示側213、第二顯示側217、和第三顯示側215。第一顯示側213與第一外圍側230係屬同側、第二顯示側217與第二外圍側270係屬同側、且第三顯示側215與第三外圍側250係屬同側。如前開所述目前習知的測試方式是在顯示區210相對的兩側(例如圖中的第一顯示側213和第二顯示側217)分別配置同時具有信號發射元件和信號接收元件的感測裝置。以第2A圖所示的第一顯示側213和第二顯示側217為例，兩個感測元件式配置於同一水平位置，也就是同一條水平方向線路的兩端，沿著側邊依序由上而下或由下而上來對各條線路進行測試。為了增加測試效率，可以是讓兩個感測元件內的信號發射元件和信號接收元件配置成兩組，同時對相鄰的兩條線路進行測試。
依據本發明一實施例，可以在TFT基板200的各層(如PEP1、PEP3、或PEP5層)完工後的階段，在顯示區210相對的兩側(第一顯示側213和第二顯示側217)分別配置第一感測單元31和第二感測單元32，並以多個探針41分別配置於各功能測試信號輸入墊2351/2751，以對各該功能測試信號輸入墊2351/2751施加測試電氣信號S1、S2…S13，再將第一感測單元31和第二感測單元32配置於鄰近顯示區210相對兩側(第一顯示側213和第二顯示側217的感測位置，以一非接觸的方式由第一感測單元31和第二感測單元32沿著第一顯示側213和第二顯示側217依 序接收感測信號(未顯示)。按照第2A圖所示，是以複數探針41將一組電氣信號S1~S13施加於第一外圍側230的功能測試信號輸入墊2351為例，本領域專業人士可以理解，當利用沿著第一顯示側213移動的第一感測單元31來接收感測信號後，可以透過對感測信號的分析而測得第一外圍側230包含第一線路內側走線區231、第一驅動IC線路233、及第一線路外側走線區235等區塊中的線路製造品質；而同時利用沿著第二顯示側217移動的第二感測單元32來接收感測信號時，可以測得顯示區210中水平線路的製造品質。依據本發明一實施例，電氣信號S1~S13可以有不同的內容或配置，例如：起始信號ST、時脈CK/XCK、公共接地端電壓VSS、工作電壓VDD等等。因此，本發明可以在TFT基板200的各層完工後的階段，即時進行斷短路檢測。當發現任何線路上存在有瑕疵，就能即時的加以修復或重工。在前端製程的各步驟完成之後即時進行檢測與必要的修復或重工，可以有效的降低生產成本。
上述實施方式是以探針41將一組電氣信號S1~S13分別施加於第一外圍側230的功能測試信號輸入墊2351為例，本領域專業人士也可以依據上述的概念，選擇以多個探針41將電氣信號S1~S13依序施加於第二外圍側270的功能測試信號輸入墊2751，再將第一感測單元31和第二感測單元32配置於鄰近顯示區210相對兩側(第一顯示側213和第二顯示側217)的感測位置，以接收感測信號(未顯示)。為了檢測垂直方向的線路，也可以將電氣信號S1、S2…施加於第三外圍側250的功能測試信號輸入墊2551，再將第一感測單元31或第二感測單元32配置於相對 於第一電氣信號S1所輸入的該功能測試信號輸入墊2551的感測位置，以接收感測信號(未顯示)。
依據本發明一實施例，第一感測單元31可由第一耦合單元311和第二耦合單元312所組成；第二感測單元32可由另一組第一耦合單元321和第二耦合單元322所組成。第一耦合單元311/321係透過電磁耦合來接收感測信號，第二耦合單元312/322則透過電容耦合來接收感測信號。由於所運用的非接觸式信號耦合方式不相同，第一耦合單元311/321與第二耦合單元312/322的元件形態有所不同。依據本發明一種實施方式，可以使用一對的第一和第二感測單元31/32來依序對玻璃基版100上各區塊的預定TFT基板200線路進行檢測；按照另外的實施例，也可以同時配置多組的第一感測單元31和第二感測單元32來同步針對不同位置區塊的預定TFT基板200線路進行檢測，以增加效率。
請參閱第3圖，其顯示本發明第一耦合單元以非接觸方式感測電子信號的一實施例示意圖。圖中是以第一耦合單元311為例，本領域專業人士可以理解，其他的第一耦合單元例如321也具有相同的裝置結構與特徵，所以不必重複說明。如圖，第一耦合單元311具有配置為同心圓的線圈組311A，以及連接外圈的導線311B和連接內圈的導線311B。將第一耦合單元311配置於金屬平板61上方，當金屬平板41相對於第一耦合單元311的部位產生渦電流IEddy時，導致磁場E形成於垂直方向，而致使金屬平板41上方的線圈組311A受到磁場E的感應，在內外圈之間出現電位差V，最終在導線311A或311B上產生感測電流 Isensor。上述的非接觸的電子信號感測方式是透過電磁耦合而導致，所以第一耦合單元311/321屬於電磁耦合元件。第二耦合單元312/322可同樣的配置為電磁耦合元件，或者也可以選擇為不同類型的耦合元件，例如電容耦合或電感耦合元件。第一耦合單元311/321也可同樣的配置電容耦合或電感耦合元件。
由於本發明的檢測薄膜電晶體基板之方法是以接觸式的方式直接輸入用以檢測的電氣信號，免除了信號耦合過程中所出現的偏離或失真等問題，所輸入待測基板的電氣信號品質必然遠優於前開所述先前技術使用的非接觸耦合方式所輸入基板的電氣信號，因此，本發明的檢測薄膜電晶體基板之方法可以獲得較佳的檢測功效。
請參閱第4圖，其顯示本發明所檢測的薄膜電晶體基板所具備短路棒(Shorting Bar)電路的一示意圖。短路棒電路設計普遍存在於現行的薄膜電晶體基板電路之中，如圖，薄膜電晶體基板401上具有多條沿垂直方向彼此相鄰的奇數號資料線Data 0和偶數號資料線Data E、多條沿水平方向彼此相鄰的奇數號閘線Gate 0和偶數號閘線Gate E、以及外圍的接地線COM，共同構成短路棒電路。由於短路棒電路已經是本領域典型的薄膜電晶體基板上面的標準線路設計，可以利用該電路結構於進一步的檢測方法。
第4圖所顯示的短路棒電路中多條垂直方向的資料線和水平方向的閘線的實際上就是TFT基板200顯示區210用以連接薄膜電晶體陣列的線路，而其中奇數號(例如序號為1、3、5、7…)的多條閘線Gate O透過外圍線 路而並聯；相同的，偶數號(例如序號為2、4、6、8…)的多條閘線Gate E透過外圍線路而彼此並聯。如果在相鄰的兩條閘線分別輸入不同的電器訊號，而兩個電器訊號之件存在相位或是電壓差異，則這兩條閘線之間就會存在電位差，如果相鄰的兩條導線之間的絕緣狀態不良，或存在任何不預期的微小瑕疵或導通物體如灰塵或微粒，這個電位差就可能導致電流的產生。回到第2A圖，依據本發明一實施例，在探針41將電氣信號S1、S2…施加於功能測試信號輸入墊(例如2351)的同時，待測中相鄰的垂直導線或水平導線之間存在一電壓差異。可行的方式例如不同的信號波形或是利用相位差異，使得序號為奇數的水平導線和偶數號的水平導線之間存在壓差。如此的配置，可以進行微短斷路檢測，大幅增加對於TFT基板200顯示區210內連結薄膜電晶體矩陣式陣列的線路(諸如閘線與資料線)的缺陷檢出能力。
從以上的說明可知，感測單元31/32所接收的感測信號是源於第一電氣信號S1通過一外圍區230/250/270且/或通過顯示區210的受測線路，而在受測線路的另一端，也就是所述的感測位置，透過非接觸式的方式獲得的。按照第2A圖所示的例子，位於較接近功能測試信號輸入墊2351的第一感測感測單元31所接收到的感測信號反應該外圍區230中受測的水平位置是否具有任何線路缺陷；相同的，位於與功能測試信號輸入墊2351距離較遠的第二感測感測單元32所接收到的感測信號反應該顯示區210中受 測的水平位置是否具有任何線路缺陷。如果發現某水平位置存在線路缺陷，本發明檢測薄膜電晶體基板之方法與裝置可以搭配自動化影像掃描檢測(Automatic Optical Inspection)來確認缺陷類別和實際存在的部位。
相較於先前技術使用非接觸式的方法輸入檢測用的電器信號，所以如配置於待測TFT基板10兩側上方的感測元件同時需具備信號發射元件和信號感測元件，而本發明是利用相對廉價的探針以接觸式的方式輸入電氣信號，所使用的感測單元31/32只需具備信號接收功能，所以製作成本和體積都相對的減少，這是本發明的另一優點。
實施例：
1.一種檢測一薄膜電晶體基板之方法，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：提供複數探針和一感測單元；分別將該複數探針配置於該複數功能測試信號輸入墊，以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及將該感測單元配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
2.實施例1所述之方法，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍 側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該感測位置位於該第一顯示側。
3.如實施例2所述之方法，其中該外圍區包括一驅動IC線路及一線路走線區，且該感測信號反應該外圍區是否具有一線路缺陷位置的一檢測結果。
4.如上述實施例其中任何一項所述之方法，其中該薄膜電晶體基板具有涵蓋於該顯示區的一短路棒電路，該短路棒電路包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，當該組測試電氣信號輸入該複數功能測試信號輸入墊時，待測中相鄰的垂直導線或水平導線之間存在一電壓差異。
5.一種檢測一薄膜電晶體基板之裝置，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該裝置包含：複數探針，配置以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及一感測單元，配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一特定感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
6.如實施例5所述之裝置，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯 示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該特定感測位置位於該第一顯示側。
7.如實施例6所述之裝置，其中該外圍區包括一驅動IC線路及一線路走線區，且該感測信號反應該外圍區是否具有一線路缺陷位置的一檢測結果。
8.如實施例5-7中其中任何一項所述之裝置，其中該薄膜電晶體基板具有涵蓋於該顯示區的一短路棒電路，該短路棒電路包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，當該組測試電氣信號輸入該複數功能測試信號輸入墊時，待測中相鄰的垂直導線或水平導線之間存在一電壓差異。
9.一種矩陣式面板短斷路檢測之方法，其中該矩陣式面板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該顯示區包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，且該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：以一接觸的方式對該複數功能測試信號輸入墊輸入一組測試電氣信號；以及以一非接觸的方式沿著該顯示區之一邊緣的一特定位置接收一感測信號。
10.如實施例9所述之方法，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯 示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該特定位置位於該第一顯示側。
本發明以上述的較佳實施例與範例作為參考而揭露，讀者須了解這些例子是用於描述而非限定之意。凡習知此技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍之下，當可做各種組合與修飾，其仍應屬在本發明專利的涵蓋範圍之內。

Claims (10)

  1. 一種檢測一薄膜電晶體基板之方法，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：提供複數探針和一感測單元；分別將該複數探針配置於該複數功能測試信號輸入墊，以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及將該感測單元配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該感測位置位於該第一顯示側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該外圍區包括一驅動IC線路及一線路走線區，且該感測信號反應該外圍區是否具有一線路缺陷位置的一檢測結果。
  4. 如申請專利範圍第1-3項其中任何一項所述之方法，其中該薄膜電晶體基板具有涵蓋於該顯示區的一短路棒電路，該短路棒電路包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，當該組測試電氣信號輸入該複數功能測試信號輸入墊時，待測中相鄰的垂直導線或水平導線之間存在一電壓差異。
  5. 一種檢測一薄膜電晶體基板之裝置，其中該薄膜電晶體基板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該裝置包含：複數探針，配置以對該複數功能測試信號輸入墊施加一組測試電氣信號；以及一感測單元，配置於鄰近該顯示區之一邊緣的一特定感測位置，並以一非接觸的方式沿著該邊緣依序接收感測信號。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該特定感測位置位於該第一顯示側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該外圍區包括一驅動IC線路及一線路走線區，且該感測信號反應該外圍區是否具有一線路缺陷位置的一檢測結果。
  8. 如申請專利範圍第5-7項其中任何一項所述之裝置，其中該薄膜電晶體基板具有涵蓋於該顯示區的一短路棒電路，該短路棒電路包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，當該組測試電氣信號輸入該複數功能測試信號輸入墊時，待測中相鄰的垂直導線或水平導線之間存在一電壓差異。
  9. 一種矩陣式面板短斷路檢測之方法，其中該矩陣式面板包括至少一顯示區和圍繞於該顯示區的一外圍區，該顯示區包含多條延垂直方向彼此相鄰的垂直導線和多條沿水平方向彼此相鄰的水平導線，且該外圍區具有複數功能測試信號輸入墊，該方法包含：以一接觸的方式對該複數功能測試信號輸入墊輸入一組測試電氣信號；以及以一非接觸的方式沿著該顯示區之一邊緣的一特定位置接收一感測信號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該顯示區具一第一顯示側與一第二顯示側、該外圍區具一第一外圍側與一第二外圍側、該第一顯示側與該第一外圍側係屬同側、該第二顯示側與該第二外圍側係屬同側、該非接觸的方式包含一電磁耦合或電容耦合、該複數功能測試信號輸入墊位於該第一外圍側、且該特定位置位於該第一顯示側。
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