KR20000068556A - Ｉｃ모듈 및 그 제조방법과 그 ｉｃ모듈을 구비한 ｉｃ카드 - Google Patents

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Abstract

금형체결상태에서 공동공간을 형성하는 상하의 금형을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법에 있어서, 수지패키징 공정을 IC칩이 탑재된 기판과, 평면으로 보아 도너츠형상으로 되어 있음과 동시에 전체로서 평평한 형상으로 된 권선코일을 공동공간내에 수용해서 용융수지를 주입하므로서 행한다.
또, 수지패키징 공정은, 기판에 안테나코일이 패턴형성되어 있는 것을 수지패키징 하는 경우에는, 기판에 공동공간의 높이와 동등 혹은 대략 동등한 높이를 갖는 스페이서를 형성하고, 이것을 공동공간내에 수용해서 용융수지를 주입하므로서 행한다.
기판에 스페이서를 형성하는 대신에 공동공간내에 수용된 기판을 흡인해도된다.
이와같은 제조방법에 의해 IC칩 및 안테나코일을 양호하게 보호할 수가 있다.

Description

ＩＣ모듈 및 그 제조방법과 그 ＩＣ모듈을 구비한 ＩＣ카드{IC MODULE, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND IC CARD PROVIDED WITH IC MODULE}
주지하는 바와 같이 카드에는 정보기억 기능을 갖게 한 것이 있고, 그 중에는 자기스트라이프(magnetic stripes)에 의해 정보를 기억시키는 것 이외에, IC메모리를 구비한 소위 IC카드가 있다.
이와같은 메모리를 구비한 IC카드는 소위 비접촉형의 정보기억카드로서 구성하는데 적합한 이점이 있고, 또한 자기스트라이프방식의 카드와 비교하면 정보기억용량의 증대화가 용이하며, 또 위조 방지효과가 높다는 이점이 있다.
이 때문에 더욱 기억용량을 증대시킨 메모리칩이나 CPU 등을 카드내에 조립해서 보다 고도의 정보처리 기능이나 통신기능을 갖게 한 IC카드를 실현하는 것이 기대되고 있고, 장래에는 전화카드나 전자화폐에 관련되는 정보휴대도구로서 이용되는 것이 기대되고 있다.
비접촉형의 IC카드로서는, 예를들면 금속선재료 등에 의해 권선형상으로 형성된 안테나코일(이하,「권선코일」이라 칭한다)이 IC칩과 전기적으로 도통접속되어서 프라스틱제 등의 카드본체에 매설된 것, 혹은 IC칩이 탑재되어 있음과 동시에 안테나코일이 패턴(pattern)형성된 기판을 카드본체에 매설시킨 것 등이 있다.
이런 종류의 IC카드에 있어서는, 안테나코일이 외부와의 전파를 송수신하는 안테나로서 기능함과 동시에 IC칩에 공급하는 기전력을 발생시키는 코일로서 기능한다.
따라서, 이런 종류의 IC카드는 전지 등의 전원을 조립할 필요가 없다는 이점이 있다.
한편, IC카드에 한정되지 않고, 특별한 기능을 부여하기 위해 IC칩을 내장시켜 형성되는 카드에는 금후 점점 박형화(薄型化)가 요청된다.
하지만, 그렇게 하면 사용자에 의한 취급시에 있어서의 힘 혹은 기계판독장치의 반송계로부터 받는 힘에 의해 이와 같은 박형카드는 어느 정도 휨이 생기는 것을 예상하지 않을수가 없다.
이 경우에 문제가 되는 것은 IC카드가 휜 경우의 내장IC칩으로의 영향이다.
상술한 바와 같이 IC칩은 프라스틱카드의 내부에 조립되어 있기 때문에 IC카드가 휜 경우에는 IC칩의 내장위치에 응력이 생기기 쉽다.
이와같은 경우에는 IC칩은 소정의 배선패턴으로부터 박리되거나, 혹은 IC칩자체가 손상을 받는 것과 같은 사태를 생각할 수 있다.
즉, 예를들면 IC칩에의 전력공급경로가 단선되어 버려 전력공급이 중단되어버리거나 혹은 IC칩에 기억되어 있는 내용이 소멸되어 버리는 등, IC칩이 본래 갖는 특성이 상실되어 버린다는 사태도 생길 수 있다.
따라서, IC카드의 박형화에 수반하여 이 IC카드의 내부에 조립되어 있는 IC칩을 유효하게 보호할 필요성이 일층 높아진다.
여기서 예를들면 사출성형이나 트랜스퍼성형(transfer molding) 등의 금형을 사용한 수지성형에 의해 기판상에 IC칩이 탑재된 상태에서 안테나코일과 함께 수지패키징(packaging)해서 모듈화하는 방법이 채용되고 있으나, 수지패키징 공정에서 다음에 기술하는 것과 같은 불합리함이 생기고 있었다.
첫째로, 안테나코일로서 권선코일을 채용하고, 이 권선코일과 함께 IC칩(3)이 탑재된 기판(2)을 수지패키징 하는 경우에는 다음과 같은 불합리함이 생기고 있었다.
도 18에 나타내는 바와 같이 기판(2)과 함께 권선코일(20A)의 수지패키징을 행하는 경우에는, 권선코일(20A)은 상하의 금형(5A),(5B)에 의해 형성되는 공동공간(50)내에 IC칩(3)이 탑재된 기판(2)과 함께 IC칩(3)의 주위를 둘러싸도록 수용된다.
그런데, 권선코일(20A)은 소망의 기능을 확보하기 위해 수십회 정도의 권선을 갖고, 예를들면 원기둥형상의 축막대에 금속선재료를 권취하는 등으로 해서 권취형성된다.
이 권취형성은 그 형성이 용이하다는 관점에서, 두께방향으로 권선수를 중첩시키도록 행하고 있기 때문에 그 두께가 비교적 크게 된다.
그 때문에 공동공간(50)내에 게이트(gate)(52)를 거쳐서 용융수지가 주입된경우에는, 권선코일(20A)의 두께가 두껍기 때문에 권선코일(20A)이 게이트(52)로부터 주입되어 오는 용융수지를 폐쇄하는 모양으로 되어 버려 공동공간(50)내에서의 용융수지의 유동을 방해해 버린다.
또, 용융수지는 비교적 점성이 크기 때문에 용융수지가 공동공간(50)내를 유동하는 경우에는 권선코일(20A)을 위쪽으로 들어올려 도면에 화살표로 나타내는 바와 같이 권선코일(20A)의 아래쪽에 유로를 형성해 버린다.
이 때문에 도면에 부호 A로 나타내는 영역에는 용융수지가 확산되기 어려워 빈틈이나 핀홀이 형성되는 원인이 되고 만다.
또한, 권선코일(20A)이 위쪽으로 들어올려진 상태에서 수지가 경화해 버리는 경우에는 권선코일(20A)이 수지패키지의 표면으로 노출되어 버리거나 혹은 노출되기 쉬운 상태로 되어 버려 권선코일(20A)이 손상을 받기 쉬운 것으로 되어 버린다.
둘째로, 안테나코일(20)로서 예를들면 수지필름에 의해 형성된 기판(2)상에 동 등에 의해 패턴형성된 것을 채용하고, 이것을 수지패키징 하는 경우에는 다음과같은 불합리함이 생기고 있었다.
즉, 도 19에 나타내는 바와 같이 IC칩(3)을 수지패키징 하기 위해 공동공간(50)내에 기판(2)과 함께 수용한 경우에는 금형(5)이 예열되어 있기 때문에 기판(2)이 열팽창하려고 한다.
이것은 기판(2)상에는 기판(2) 보다도 열팽창율이 낮은 동 등에 의해 안테나코일(20)이 소용돌이형으로 감은 형상으로 패턴형성되어 있기 때문에, 기판(2)의 팽창이 안테나코일(20)에 의해 저해 되어버려 결과적으로 기판(2)이 접시모양으로 휘어버린다.
이와같은 상태에서 공동공간(50)내에 용융수지의 주입을 행한 경우에는 도면중에 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판(2)의 이면에 용융수지가 유입되어 버린다.
이와같이 용융수지는 비교적 점성이 크기 때문에 기판(2)의 이면에 용융수지가 유입되어 버리면 기판(2)이 위쪽으로 들어올려지지 않을 수가 없다.
가령, 이 상태에서 용융수지가 경화해 버린 경우에는 수지패키지의 표면으로부터 IC칩이 노출되어 버리거나, 혹은 노출되기 쉬운 상태로 되어버려 IC칩이 손상 받기 쉬운 것으로 되어 버린다.
본 발명은 소위 ID카드 등의 IC칩이 내장되어 정보기억기능이 부여된 IC카드, 및 이 IC카드에 조립됨과 동시에 IC칩을 구비한 IC카드용의 모듈(module), 및 이 모듈의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태에 관한 IC모듈의 전체사시도.
도 2는 도 1에 나타낸 IC모듈의 단면도
도 3은 도 1에 나타낸 IC모듈의 주요부 확대 단면도
도 4는 도 1에 나타낸 IC모듈을 구성하는 기판의 평면도
도 5는 도 1에 나타낸 IC모듈의 수지패키징 공정을 설명하기 위한 도면
도 6은 도 1에 나타낸 IC모듈의 수지패키징 공정의 변형예를 설명하기 위한 도면
도 7은 본 발명의 제2의 실시형태에 관한 IC모듈의 단면도
도 8은 도 7에 나타낸 IC모듈의 수지패키징 공정을 설명하기 위한 도면
도 9는 본 발명의 제3의 실시형태에 관한 IC모듈의 제조방법에 있어서의 수지패키징 공정에 사용되는 상부금형의 전체사시도
도 10은 도 9에 나타낸 IC모듈의 수지패키징 공정에 사용되는 하부금형의 전체사시도
도 11은 안테나코일이 패턴형성되고, IC칩이 탑재된 절연필름을 나타내는 사시도
도 12는 도 11에 나타낸 절연필름을 끼워넣도록 해서 각 금형을 금형체결한 상태의 단면도
도 13은 상부금형의 변형예를 나타내는 전체사시도
도 14는 본 발명에 관한 IC카드의 전체사시도
도 15는 도 14에 나타낸 IC카드의 분해측면도
도 16은 도 14의 XVI-XVI선에 따른 단면도
도 17은 도 14에 나타낸 IC카드의 변형예를 나타내는 분해측면도
도 18은 종래의 수지패키징 공정을 설명하기 위한 도면
도 19는 종래의 기타의 수지패키징 공정을 설명하기 위한 도면
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1. IC모듈
2. 기판
3. IC칩
5. 상하금형
20. 안테나코일
20A. 권선코일
28. 스페이서
50. 공동공간
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로서, IC칩 및 안테나코일을 양호하게 보호할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하는 본 발명의 제1의 형태에 있어서의 IC모듈은, 기판과 그 기판상에 탑재된 IC칩과, 금속선재료에 의해 형성된 권선코일이 수지패키징 된 IC모듈로서, 권선코일이 IC칩과 도통 접속되어 있음과 동시에, 전체로서 평평한 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시의 형태에서는, 권선코일의 외부원주둘레부의 단면형상이 외부원주둘레로 향할수록 두께가 얇게 되는 테이퍼(taper)상으로 되어 있다.
본 발명의 제2의 형태에 있어서의 IC모듈의 제조방법은, 금형체결상태에서 공동공간을 형성하는 상하의 금형을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으로서, 수지패키징 공정은 IC칩이 탑재된 기판과, IC칩과 도통접속되고 전체로서 평평한 형상으로 된 권선코일을 공동공간내에 수용한 상태에서, 용융수지를 주입하므로서 행해지는 것을 특징으로 한다.
이 제조방법에 있어서는 권선코일로서 평평한 형상으로 된 것, 즉 두께가 얇은 것이 사용된다.
이 때문에 권선코일을 수용한 상태에서 공동공간내에 용융수지를 주입한 경우에, 공동공간의 원주둘레부로부터 중심으로 향해서 유동하는 용융수지의 흐름이 권선코일에 의해 저해되기 어려운 것으로 되어 있고, 공동공간내에 용융수지를 원활하게 유동시킬 수가 있다.
특히, 권선코일로서 외부원주둘레부의 단면형상이 외부원주둘레부로 향할수록 두께가 얇게 되는 테이퍼상으로 되어 있는 것을 채용한 경우에는, 더 한층 원활하게 용융수지를 유동시킬수가 있고, 더구나 권선코일의 상하위치에 용융수지를 배분해서 공동공간 전체에 용융수지를 널리 퍼지게 할 수가 있다.
이 때문에 설계종료시의 수지패키지에 빈틈이나 핀홀이 형성되어 버리는 것을 회피할 수가 있다.
또, 용융수지의 흐름을 권선코일의 상하 위치로 배분하므로서, 권선코일이 필요 이상으로 위쪽으로 들어올려지는 일이 없고, 또한 권선코일의 위쪽위치에도 충분히 수지를 유동시켜서 경화시킬 수가 있으므로, 설계의 종료시에 수지패키지의 표면으로부터 권선코일이 노출되어 있거나 혹은 노출되기 쉬운 상태로 되어 버리는것을 회피할 수가 있다.
본 발명의 제3의 형태의 IC모듈은, 기판과, 이 기판상에 탑재된 IC칩과, 이 IC칩과 도통하는 안테나코일이 수지패키징 된 IC모듈로서, 기판상에는 수지패키지의 두께와 동등 혹은 대략 동등의 높이를 갖는 스페이서(spacer)가 형성되어 있는것을 특징으로 한다.
바람직한 실시의 형태에 있어서는 스페이서는 패키징수지와 동일 또는 유사한 물성의 소재에 의해 형성되어 있다.
본 발명의 제4형태의 IC모듈의 제조방법은, 금형 체결상태에서 공동공간을 형성하는 상하의 금형을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으로서, 수지패키징 공정은 IC칩이 탑재되고, 이 IC칩과 도통하는 안테나코일이 패턴형성되어 있음과 동시에, 공동공간의 높이와 동등 혹은 대략 동등의 높이를 갖는 스페이서가 형성된 기판을 공동공간내에 수용한 상태에서, 용융수지를 주입하므로서 행해지는 것을 특징으로 한다.
이 제조방법에 있어서는 기판상에 스페이서가 형성된 것이 수지패키징 된다.
즉, 예를들면 스페이서의 높이를 공동공간의 높이에 대응시켜서 설계한 경우에는, 기판을 공동공간내에 수용해서 금형체결하면, 스페이서가 공동공간내를 상하방향으로 뻗는 것과 같이 배치되게 된다.
이 때문에 기판이 하부금형에 꽉 눌린 상태로 하기 위해 기판이 금형의 열에의해 접시모양으로 휘려고 해도 휠 수가 없고, 이 상태가 수지패키징 공정이 종료되기까지 유지되게 된다.
따라서, 기판의 이면측에 용융수지가 유동된다는 사태가 회피되고, IC칩이 위쪽으로 들어올려진다는 일도 당연히 생기지 않으며, 수지성형종료시에 IC칩이 수지패키지의 표면으로부터 노출되는 일도 생기지 않는다.
또, 스페이서로서 패키징수지와 동일 또는 유사한 물성의 소재에 의해 형성된 것을 채용할 수가 있다.
이 경우에는 스페이서와 수지패키지가 잘 융합하기 쉽고, 성형후에 스페이서의 주위에 있어서의 수지패키지의 박리 등이 생긴다는 사태를 회피할 수가 있다.
본 발명의 제5의 형태에 있어서의 IC모듈의 제조방법은 상하의 금형의 체결상태에 있어서, 형성되는 공동공간내에 IC칩이 탑재됨과 동시에, 이 IC칩과 도통하는 안테나코일이 패턴형성된 기판을 수용하고, 이 상태에서 공동공간내에 용융수지를 주입시키므로서 행해지는 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으서, 수지패키징 공정에 있어서, 기판의 IC칩 탑재면의 이면측으로부터 기판을 흡인하는것을 특징으로 한다.
이 제조방법에 의하면, 기판을 흡인하므로서 공동공간의 상면 및 하면에 기판을 바싹 끌어당기는 상태로 할 수가 있고, 이 상태에서 용융수지의 주입을 행할 수가 있다.
더구나 용융수지의 주입이 종료되고, 수지재료가 경화되기까지 기판이 휘지않고 공동공간의 측면 또는 상면에 꽉 눌려진 상태를 유지할 수가 있다.
즉, 상술한 제4의 형태에 관한 제조방법과 같은 효과를 얻을 수가 있다.
본 발명의 제6의 형태에 의한 IC모듈의 제조방법은 테형상으로 된 절연필름상의 기판이 될 부위에 안테나코일을 패턴형성하는 공정과, 반도체코일과 도통하도록 IC칩을 실장하는 공정과, 금형체결 상태에 있어서, 공동공간을 형성하는 상하의 금형을 사용하여 IC칩 및 안테나코일 형성영역을 공동공간내에 수용하도록 해서 필름을 각 금형에 의해 끼워넣어지게 해서 행해지는 수지패키징 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시의 형태에 있어서는 각 금형의 금형체결 상태에 있어서는, 복수의 공동공간과 공동공간내에 용융수지를 공급 가능한 하나 또는 복수의 플런저포트(plunger pot)가 형성되고, 수지패키징 공정은 하나의 플런저 포트로부터 복수의 공동공간내로 용융수지를 주입하므로서 행해진다.
바람직한 실시의 형태에서는, 또한 패턴형성공정은 필름상에 금속피막층을 형성하는 공정과, 이 금속피막층에 에칭처리를 실시하는 공정을 포함하고 있고, 또 패턴을 필름의 폭방향으로 2열 이상 형성해도 된다.
이 제조방법에 있어서는, 소정형상으로 형성된 기판에 IC칩이 탑재된 상태에서 수지패키징을 행하는 것이 아니고, 테형상으로 된 절연필름상에 IC칩이 탑재된상태에서 수지패키징이 행해진다.
예를들면, 절연필름은 그 폭방향의 양측 둘레부에 일정간격마다 걸어맞춤구멍이 형성되고, 돌기부착롤러에 형성된 돌기가 걸어맞추어져서 피치공급 또는 연속공급된다.
이 경우에는 연속적으로 수지패키징 공정을 행할 수가 있다.
또, 이 경우 수지패키징 공정에 있어서, 절연필름에는 일정한 장력이 가해져 있음과 동시에 절연필름이 테형상으로 되어 있기 때문에, 수지패키징을 행해야 할 부위가 금형에 의해 끼워 넣어지게 된 경우에는 금형의 열에 의해 휘어지는 일이 없다.
이 제조방법에 의하면, 수지패키징 공정이 연속적으로 행해지는 것은 앞서 기술한 바와 같지만, 절연필름의 흐름의 수지패키징 공정이 행해지고 있는 장소의 상류측에 있어서 안테나코일의 패턴형성 및 IC칩의 실장공정을 행하고, 하류측에있어서 절연필름으로부터의 IC모듈의 펀칭(punching)가공을 행하도록 구성할 수도 있다.
물론, 패턴형성, IC칩의 실장, 및 펀칭가공은 소정의 장치를 사용해서 자동적으로 행할 수 있고, 또 수지패키징 공정도 금형장치를 사용해서 자동적으로 행할 수가 있다.
즉, 이와 같은 구성에 의하면 IC모듈의 제조의 자동화를 실현할 수가 있다.
본 발명의 제7의 형태에 있어서의 IC카드는 상기한 제1의 형태에 있어서의 IC모듈을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
즉, 이 IC카드는 기판과, 이 기판상에 탑재된 IC칩과, 금속선재료에 의해 형성된 권선코일이 수지패키징 된 IC모듈을 카드본체에 구비한 IC카드로서, 권선코일이 IC칩과 도통 접속되어 있음과 동시에, 전체로서 평평한 형상으로 된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제8의 형태에 있어서의 IC카드는 상기한 제3의 형태에 있어서의 IC모듈을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
즉, 이 IC카드는 기판과, 이 기판상에 탑재된 IC칩과, 금속선재료에 의해 형성된 권선코일이 수지패키징 된 IC모듈을 카드본체에 구비한 IC카드로서, 기판상에는 패키지의 두께와 동등 또는 대략 동등의 높이를 갖는 스페이서가 형성되어 있는것을 특징으로 한다
상기한 제7 혹은 제8형태에 있어서의 IC카드의 바람직한 실시의 형태에 있어서는, IC모듈은 이 IC모듈의 형상에 대응하는 관통구멍 혹은 오목한부가 형성된 카드본체에 끼워 넣어져 있고, 또 카드본체의 적어도 일면에 커버시트를 펴붙여도 된다.
상기한 제7의 형태 및 제8의 형태에 있어서의 IC카드는 상술한 제1 혹은 제3의 형태에 있어서의 IC모듈을 구비하고 있으므로, 제1 혹은 제3의 형태의 어느것인가의 IC모듈의 효과를 향유할 수 있는 것은 말할것도 없다.
또, 카드본체의 표면에 커버시트를 펴붙이므로서 IC카드, 특히 IC모듈을 유효하게 보호할 수가 있다.
본 발명의 기타의 특징 및 이점은 첨부도면을 참조해서 다음에 행하는 상세한 설명에 의해 보다 명백해 질 것이다.
다음에 본 발명의 바람직한 실시의 형태를 도면을 참조해서 구체적으로 설명한다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이 IC모듈(1)은 원형상의 기판(2)과, 이 기판(2)에 탑재되는 IC칩(3)과, 기판(2)의 표면에 형성된 안테나코일(20)과, 기판(2)과 IC칩(3)을 포장하는 수지패키지(4)를 구비하고 있으며, 전체로서 원기둥형상으로 형성되어 있다.
IC칩(3)은, 예를들면 EEPROM 등의 메모리칩이나 기타의 콘덴서 등이 일체적으로 조립되어 있고, 도 1에 잘 표시되어 있는 바와 같이 전체로서 직6면체로 되어있다.
또한, IC칩(3)은 주로 정보기억기능을 갖는 메모리로서 사용된다.
도 3에 나타내는 바와 같이 IC칩(3)의 주면(3a)에는 안테나접속전극(30),(30)이 형성되어 있고, 이 전극(30),(30)은 전극패드(도시생략)에 금도금을 실시하는 등으로 해서 주면(3a)로부터 돌출하도록 형성되어 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이 기판(2)은, 예를들면 폴리이미드필름 등의 가요성을 가짐과 동시에 절연성을 갖는 수지 등에 의해 원형상으로 형성되어 있다.
또한, 기판(2)의 형상은 원형상에 한정되지 않고, 긴 원형상, 타원형상 혹은 직사각형상 등이라도 되며, 그 형상은 적절히 선택하면 된다.
도 4에 나타내는 바와 같이 기판(2)의 표면에는 도체선(20a)에 의해 소정의 패턴이 형성되어 안테나코일(20)로 되어 있고, 이 패턴은 안테나코일(20)을 형성하는 도체선다발(22)의 소정의 부위가 기판(2)의 반경방향의 안쪽에 오목한 형상으로 굴곡해서 들어가도록 뻗어 있음과 동시에, 전체로서 소용돌이형으로 감은 형상으로 되어 있다.
도체선(20a)의 시작단말 및 종료단말은 중앙부의 IC칩(3)의 탑재위치에 있어서, 도체선다발(22)을 끼고 있도록 배치되어 있고, 기판(2)의 중앙부에 있어서 돌출 형성된 랜드(lands)(21),(21)와 도통하고 있다.
또한, 패턴은 동 등의 피막을 형성한 후에 에칭처리를 행하므로서 형성되고, 랜드(21),(21)도 같은 공정에서 형성할 수가 있다.
또, 도시를 생략하고 있지만, 기판(2)은 랜드(21),(21)가 면하도록, 또한 패턴을 보호하기 위해, 예를들면 폴리이미드수지 등에 의해 덮여 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이 IC칩(3)은, 그 전극(30),(30)이 기판(2)에 형성된 랜드(21),(21)와 도통하도록 실장된다.
IC칩(3)의 실장에는 예를들면 이방성도전막(anistropic conductive film)(6)이 사용되고, 이 이방성도전막(6)은 접착성을 갖는 수지막(61)내에 도전입자(60)를 분산시킨 구조를 갖고 있다.
IC칩(3)을 이방성도전막(6)을 사용해서 실장하는 경우에는, IC칩(3)과 기판(2) 사이에 이방성도전막(6)을 개재시킨 후에 개시상태에 있어서, IC칩(3)과 기판(2)의 사이에 소정의 압력을 가하므로서 행해진다.
또한, IC칩(3)의 실장은 소위 땜납 리플로우(solder reflow)수법을 채용해도 된다.
상술한 바와 같은 구성에 있어서는 안테나코일(20)이 외부와 IC칩(3)과의 사이에서 전파를 송수신하는 장치로서 기능하고, 이 전파의 반송파에 실려서 데이터신호가 송수신 된다.
한편, 안테나코일(20)은 도체선(20a)이 한방향으로 회전하는 소용돌이형으로 감은 형상으로 되어 있으므로 전자유도효과에 의해 유도기전력을 발생시키는 코일로서도 기능하고, 발생한 기전력을 IC칩(3)에 공급하도록 되어 있다.
그리고, IC칩에 공급된 기전력은 콘덴서에서 축전된다.
즉, 상술한 구성에서는 전지 등의 전원이 필요하지 않다는 이점이 있다.
수지패키지(4)에는 수지성형에 의해 원기둥 형상으로 된 복수의 스페이서(28)가 수지패키지(4)를 상하로 관통하도록 배치되어 있다.
바람직하게는 스페이서(28)는 3개 이상 배치되고, 수지패키지(4)와 동일 또는 유사한 물성을 갖는 소재에 의해 형성된다.
또한, 수지패키지(4)는 예를들면 열경화성수지를 사용한 트랜스퍼성형, 혹은 열가소성수지를 사용한 사출성형에 의해 형성된다.
다음에 IC모듈(1)의 제조방법을 도 4 및 도 5를 참조해서 간단히 설명한다.
우선, 절연성을 갖는 폴리이미드수지 등의 기판(2)의 표면에 동피막을 형성하고, 이 동피막을 불필요한 부위를 약제 등을 사용한 에칭처리에 의해 제거해서, 전체로서 소용돌이형으로 감은 형상의 도체선(20a)의 패턴 및 이 패턴을 도통하는 랜드(21),(21)를 형성한다.
즉, 도체선(20a)의 패턴이 안테나코일(20)이 된다.
또한, 동피막은 예를들면 동박을 펴붙이든가 스퍼터링(sputtering), 증착, 혹은 CVD 등의 수단에 의해 형성된다.
다음에 랜드(21),(21)상에 IC칩(3)을 실장시킨다.
이 실장은 상술한 이방성도전막(6)을 사용하는 방법, 혹은 주지의 땜납리플로수법 등을 적절히 선택해서 행하면 된다.
또, 기판(2)에 수지성형에 의해 예를들면 원기둥 형상으로 된 스페이서(28)를 배치한다.
스페이서(28)는 예를들면 그 높이가 후술하는 금형(5)의 금형체결 상태에 있어서, 형성되는 공동공간(50)의 상하높이와 대략 동일하게 형성되어 있고, 바람직하게는 3개 이상 배치되어 있음과 동시에 수지패키지(4)와 동일 또는 유사한 물성의 수지에 의해 형성된다.
이와같이 해서 도 4에 나타내고있는 것과 같은 안테나코일(20)이 형성되고, IC칩(3)이 탑재된 기판(2)이 형성된다.
또한, 이 기판(2)은 미리 펀칭가공을 실시해서, 예를들면 원형상으로 된 것에 패턴형성 등을 행해도 되고, 패턴형성이 종료되어 수지패키징 공정을 행하는 때에 펀칭가공을 실시하여 예를들면 원형상으로 해도 된다.
이어서 상술한 바와 같이 하여 가공이 실시된 기판(2)을 각각 금형(5A),(5B)에 의해 형성되는 공동공간(50)내에 수용해서 금형체결을 행하여 게이트(52)를 통하여 용융수지를 공동공간(50)내에 주입해서 수지패키지(4)를 형성한다.
용융수지가 경화해서 수지패키지(4)가 형성된 경우에는 금형(5)으로부터 빼내고, 도 1에 나타내는 것과 같은 IC모듈(1)이 형성된다.
또한, 이 수지패키징 공정은 열가소성수지를 사용한 사출성형, 혹은 열가소성수지를 사용한 트랜스퍼성형에 의해 행해지는 것은 상술한 바와 같다.
상술한 제조방법의 수지패키징 공정에 있어서는 기판(2)과 스페이서(28)가 형성된 것이 채용되고 있다.
즉, 예를들면 스페이서(28)의 높이를 공동공간(50)의 높이에 대응시켜 설정한 경우에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 기판(2)을 공동공간(50)내에 수용해서 금형체결하면, 스페이서(28)가 공동공간(50)내를 상하방향으로 뻗는 것과 같이 배치되게 된다.
이 때문에 기판(2)이 하부금형(5B)에 꽉 눌린 상태로 되기 때문에 기판(2)이 금형(5)의 열에 의해 접시형상으로 휘려고 해도 휠 수가 없고, 이 상태가 수지패키징 공정이 종료할때까지 유지되게 된다.
따라서, 기판(2)의 이면측으로 용융수지가 흐르는 사태가 회피되고, IC칩(3)이 위쪽으로 들어올려지는 일도 당연히 방지된다.
또, 수지성형종료시에 IC칩(3)이 수지패키지(4)의 표면으로부터 노출하는 일도 생기지 않는다.
또한, 스페이서(28)로서 패키지수지와 동일 또는 유사한 물성의 소재에 의해 형성된 것을 채용한 경우에는, 스페이서(28)와 수지패키지(4)가 융합되기 쉽고, 성형 후에 스페이서(28)의 주위에 있어서 수지패키지(4)가 박리되는 등의 사태가 발생하는 것을 회피할 수가 있다.
여기서, 수지패키징 공정을 행하는데 있어서, 기판(2)을 하부금형(5B)의 공동의 저면에 따르도록 하는 수단은 상술한 실시형태에 한정되지 않는다.
예를들면, 도 6에 나타내는 바와 같이 하부금형(5B)의 공동의 저면에 IC칩(3) 등이 탑재된 기판(2)을 탑재시킨 상태에서 기판(2)의 원주둘레부를 흡인하도록 구성해도 된다.
이 경우, 기판(2)의 흡인은 예를들면 투과구멍(51)을 통해서 행해지는바, 이 투과구멍(51)은 상술한 스페이서(28)와 마찬가지로 3개 정도 또는 그 이상 형성하는 것이 바람직하다.
기판(2)의 흡인은 용융수지가 경화할 때 까지 행해지고, 바람직하게는 형성된 수지패키지(4)의 온도가 상온이 될 때 까지 행해진다.
이와 같이 기판(2)을 흡인시켜서 수지패키징을 행하는 경우에는 상술한 실시형태의 경우와 마찬가지로 기판(2)의 이면에 용융수지가 흘러들어가서 IC칩(3)이 위쪽으로 들어 올려지는 것이 회피된다.
또, 수지패키지(4)가 상온이 될 때 까지 기판(2)을 흡인한 경우에는 기판(2)과 수지패키지(4)와의 열수축율의 차이에 기인한 수지패키지(4)의 휨이 방지된다.
다음으로 제 2의 실시형태에 관하여 설명한다.
본 실시의 형태에 관한 IC모듈(1)의 기본적인 구성은 상술한 제1의 실시형태에 관한 IC모듈(1)과 대략 동일하다.
즉, 폴리이미드필름 등에 의해 형성된 기판(2)상에 동 등에 의해 랜드(21),(21)가 형성되어 있고, 이 랜드(21),(21)상에 IC칩(3)이 탑재되어 있다.
본 실시형태에 있어서는 상술한 제1의 실시형태와 달리 안테나코일(20)로서 권선코일(20A)이 채용되어 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이 권선코일(20A)은 평면으로 보아 도너츠형상을 하고 있고, 전체로서 평평한 형상으로 되어 있다.
또, 권선코일(20A)의 외부원주부(20B)의 단면형상은 외부원주둘레로 향할수록 두께가 얇게 되는 테이퍼상으로 되어 있다.
권선코일(20A)은 예를들면 원기둥형상의 축막대에 금속선재료를 권취하도록하여 권취형성되고, 그 권취수는 10내지 수10회 정도로 한다.
또, 도면상에는 나타나지 않았지만 권선코일(20A)의 시작단말 및 종료단말은 기판(2)상에 형성된 도체패드(pad) 등과 접속되어 있고, 이 도체패드는 랜드(21),(21)와 도통되어 있다.
다음에 IC모듈(1)의 제조방법에 대해 도 8을 참조해서 설명한다.
우선, 절연성을 갖는 폴리이미드수지 등의 기판(2)의 표면에 상술한 제1의 실시형태와 같이 해서 동피막을 형성하고, 이 동피막을 불필요한 부위를 약제 등을 사용한 에칭처리에 의해 제거해서 IC칩(3)이 실장되는 랜드(21),(21) 및 이 랜드(21),(21)와 도통하는 도체패드를 형성한다.
또한, 이 기판(2)은 미리 펀칭가공을 실시해서 예를들면 원형상으로 된 것에 패턴형성을 행해도 되고, 패턴형성 등이 종료되어 수지패키지(4)를 행하는 때에 펀칭가공을 실시해서 예를들면 원형상으로 해도 된다.
다음에 랜드(21),(21)상에 IC칩(3)을 실장시킨다.
이 실장은 상술한 이방성도전막(6)을 사용하는 방법, 혹은 주지의 땜납리플로우의 수법 등을 적절히 선택해서 행하면 된다.
이어서 상술한 바와 같이 가공을 실시한 기판(2)과 함께 권선코일(20A)을 각 금형(5A),(5B)에 의해 형성되는 공동공간(50)내에 수용해서 금형(5)의 체결을 행하여 게이트(52)를 거쳐서 공동공간(50)내에 용융수지를 주입해서 수지패키지(4)를 형성한다.
용융수지가 경화해서 수지패키지(4)가 형성된 경우에는 금형(5)으로부터 빼내면 도 7에 나타내는 것과 같은 IC모듈(1)이 형성된다.
또한, 이 수지패키징 공정은 열가소성수지를 사용한 사출성형, 혹은 열가소성수지를 사용한 트랜스퍼성형에 의해 행해진다.
이와같은 제조방법에 있어서는 권선코일(20A)로서 평평한 형상으로 된 것, 즉 두께가 얇은 것이 사용된다.
그 때문에 권선코일(20A)을 수용한 상태에서 공동공간(50)내에 용융수지를 주입한 경우에 공동공간(50)의 원주둘레부로부터 중심으로 향해서 유동하는 용융수지의 흐름이 권선코일(20A)에 의해 저해되기 어렵게 되어 있고, 공동공간(50)내에 용융수지를 원활하게 유동시킬 수가 있다.
특히, 권선코일(20A)의 외부원주둘레부(20B)의 단면형상이 외부원주둘레로 향할수록 두께가 얇게 되는 테이퍼상으로 되어 있는 것을 채용한 경우에는, 더욱 더 원활하게 용융수지를 원활히 유동시킬 수가 있다.
또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 권선코일(20A)의 상하위치에 용융수지를 배분해서 공동공간(50) 전체에 용융수지를 골고루 퍼지게 할 수가 있다.
이 때문에 성형종료시의 수지패키지(4)에 빈틈이나 핀홀이 형성되어 버리는것을 회피할 수가 있다.
또, 용융수지의 흐름을 권선코일(20A)의 상하위치로 배분하므로서 권선코일(20A)이 필요 이상으로 위쪽으로 들어올려지는 일이 없고, 권선코일(20A)의 위쪽 위치에도 충분히 수지를 유동시켜서 경화시킬 수가 있다.
이 때문에 성형의 종료시에 수지패키지(4)의 표면으로부터 권선코일(20A)이 노출되어 있거나 혹은 노출되기 쉬운 상태로 되는 것을 회피할 수가 있다.
본 실시형태에 관한 IC모듈(1)의 제조방법은, 테형상으로 된 절연필름(2A)상의 기판(2)이 될 부위에 안테나코일(20) 및 이 안테나코일(20)과 도통하는 랜드(21),(21)를 패턴형성하는 공정과, 랜드(21),(21)에 IC칩(3)을 실장시키는 공정과, 성형용금형장치를 사용해서 수지패키징 하는 공정을 포함하고 있다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 절연필름(2A)은 폴리이미드수지 등에 의해 테(hoop)형상으로 형성되어 있고, 길이방향의 일정 간격마다 구멍(23)이 형성되어 있음과 동시에, 폭방향의 양측단말부에는 일정 간격마다 복수의 걸어맞춤구멍(2b)이 형성되어 있다.
즉, 절연필름(2A)은 돌기부착롤러(도시생략)에 형성된 돌기가 걸어맞추어져서 피치공급, 또는 연속공급 되도록 형성되어 있다.
패턴형성 공정은 상술한 각 실시형태와 마찬가지로 동 등의 피막을 형성한 후에 소망의 부위를 남기도록 해서 약제 등을 사용한 에칭처리를 실시하므로서 행해지고, 본 실시형태에서는 상기한 패턴은 폭방향으로 2열 형성되어 있다.
IC칩(3)의 실장공정은 상술한 이방성도전막(6)을 사용하는 방법, 혹은 주지의 땜납리플로우의 수법 등에 의해 행해진다.
수지패키징 공정은 소정의 성형용금형장치를 사용한 사출성형 혹은 트랜스퍼성형에 의해 행해진다.
예를들면, 트랜스퍼성형에 의해 수지패키징을 행하는 경우에는, 성형용금형장치로서는 상하의 금형(5A),(5B)을 구비함과 동시에 유압 등에 의해 상하 이동가능한 가동판에 하부금형(5B)이 부착되고, 가동판의 상승에 의해 가동판과 함께 상승하는 부동판의 하면에 상부금형(5A)이 부착되어서 구성되어 있는 것 등이 채용된다.
예를들면, 상부금형(5A)으로서는 도 9에 나타내는 것과 같은 구성의 것이 채용된다.
즉, 상부금형(5A)은 부동판의 하면에 부착되어 있는 베이스플레이트(base plate)(8)와, 이 베이스플레이트(8)의 하면에 부착되어 있는 틀체(80)를 거쳐서 부착되어 있는 체이스블록(chase block)(81)을 구비해서 구성되어 있다.
도 12에 나타내는 바와 같이 각 부재(8),(80),(81)에는, 예를들면 원기둥형상의 관통구멍(8b),(80b),(81b)이 각각 형성되어 있고, 부동판에 각 부재(8),(80),(81)가 부착되어 있는 상태에서는 각 관통구멍(8b),(80b),(81b)에 의해 플런저포트(85)를 형성하는 투과구멍이 형성된다.
하부금형(5B)으로서는 도 10에 나타내는 것과 같은 구성의 것이 채용된다.
즉, 하부금형(5B)은 가동판의 상면에 부착되어 있는 베이스플레이트(8a)와, 이 베이스플레이트(8a)의 상면에 부착되어 있는 틀체(80a)를 거쳐서 부착되는 체이스블록(81a)을 구비해서 구성되어 있다.
도 10에 나타내는 바와 같이 체이스블록(81a)은 중앙부에 오목한부(82a)가 형성되어 있고, 이 오목한부(82a)와 러너홈(runner grooves)(52a)을 거쳐서 연결되는 예를들면 4개의 공동(50a)이 오목하게 형성되어 있다.
오목한부(82a)는 각 금형(5A),(5B)을 체결한 상태에서는 상부금형(5A)에 형성된 투과구멍과 연달아 통해서 플런저포트(85)를 형성한다.
상기와 같이 구성된 성형용 금형장치에 있어서는 다음과 같이 해서 수지패키징 공정이 행해진다.
우선, 도 12에 나타내는 바와 같이 각 금형(5A),(5B)을 체결한 상태에서, 형성되는 공동공간(50)내에 절연필름(2A)상의 IC칩(3) 및 안테나코일(20)을 공동공간(50)내에 수용하도록 해서, 즉, IC칩(3)이 아래쪽으로 돌출한 상태에서 도 11에 점선으로 둘러싸인 직4각형 영역이 각 금형(5A),(5B)에 의해 끼워넣어지도록 해서 금형(5)의 체결을 행한다.
다음에 금형(5)의 체결상태에 있어서, 형성되는 플런저포트(85)내에 정제수지(90)를 장전시킨다.
이때, 금형(5)은 소정의 온도로 예열되어 있기 때문에 정제수지(90)는 용융되지만, 이 용융수지는 플런저포트(85)내에 삽입된 플런저(9)에 의해 가압되고, 각 러너(52)를 거쳐서 각 공동공간(50)내로 주입된다.
그리고, 주입된 용융수지가 공동공간(50)내로 유동되어 경화한 경우에는, 각 금형(5A),(5B)의 금형분리를 행하여 IC모듈(1)이 될 부위를 펀칭가공 등에 의해 절연필름(2A)으로부터 절단하므로서 IC모듈(1)이 얻어진다.
상기한 제조방법에 있어서는, 테형상으로 되어 있고, 또한 걸어맞춤구멍(2b)이 형성되어 돌기부착롤러의 회전에 의해 피치공급이 가능하게 한 절연필름(2A)이 채용되고 있기 때문에, 절연필름(2A)을 차례로 피치공급해서 패키징공정을 연속적으로 행하는 것이 가능해진다.
이 경우, 도 10에 화살표 b의 방향으로 절연필름(2A)을 2열 배치해서 화살표 a의 방향으로 각각의 절연필름(2A),(2A)을 피치공급 하는 때 마다 8개의 IC칩(3)을 수지패키징 하도록 구성해도 되고, 또 화살표 b방향으로 피치공급하도록 구성해서 한번에 8개의 IC칩(3)을 수지패키징하도록 구성해도 된다.
또한, 체이스블록(81a)에 형성되는 공동(50a)의 수를 증가시켜서 한번에 수지패키징 할 수 있는 개수를 증가시켜도 되고, 혹은 베이스플레이트(8),(8a)에 부착되는 체이스블록(80),(81a)을 증가시켜서 한번에 수지패키징 할 수 있는 개수를 증가시켜도 된다.
상술한 바와 같은 수지패키징 공정에 있어서는, 절연필름(2A)에는 일정한 장력이 가해져 있음과 동시에, 절연필름(2A)이 테형상으로 되어 있기 때문에 수지패키징을 행해야 할 부위가 금형(5)에 의해 끼워 넣어진 경우에 금형의 열에 의해 휘어 버리는 일도 없다.
또한, 상술한 제조방법에 의하면 수지패키징 공정이 연속적으로 행해질 수 있는 것은 상술한 바와 같지만, 절연필름(2A)의 흐름의 수지패키징 공정이 행해지는 장소의 상류측에 있어서 안테나코일(20)의 패턴형성, 및 IC칩(3)의 실장공정을 행하고, 하류측에 있어서 절연필름(2A)으로부터의 IC모듈(1)의 펀칭가공을 행하도록 구성할 수도 있다.
또한, 패턴형성, IC칩(3)의 실장, 및 펀칭가공은 소정의 장치를 사용해서 자동적으로 행할 수가 있고, 또 수지패키징 공정도 금형장치를 사용해서 자동적으로 행할 수가 있다.
즉, 이와 같은 구성에 의하면 IC모듈(1)의 제조의 자동화를 실현할 수가 있다.
또한, 하부금형(5B)으로서는 도 13에 나타내는 것과 같은 구성의 것을 채용할 수가 있다.
이 하부금형(5B)은 금형(5)의 체결상태에 있어서 형성되는 플런저포트(85)를 구성하는 오목한부(82a)가 체이스블록(81a)이 아니고 베이스플레이트(8a)에 부착되는 센터블록(center block)(88)에 형성되어 있는 점이, 도 10에 나타내는 하부금형(5B)과는 다르다.
또, 이 하부금형(5B)에서는 하나의 플런저포트(85)로부터 4개의 공동공간(59) 사이에 용융수지가 주입되는 것이 아니고, 하나의 플런저포트(85)로부터 2개의 공동공간(59) 사이에 용융수지가 주입되도록 되어 있고, 플런저포트(85)가 나란히 되어 있는 방향과 평행으로 절연필름(2A)이 피치공급되고, 수지패키징이 행해진다.
따라서, 상기한 구성의 하부금형(5B)을 채용해서 수지패키징 공정을 행하는경우에는, 절연필름(2A)상에 플런저포트(85)용의 구멍(23)을 형성할 필요가 없다고하는 이점이 있다.
또, 상기한 실시형태에 있어서는, IC칩(3)이 아래쪽으로 돌출하도록 해서 공동공간(50)내에 수용된 상태로 용융수지의 주입이 행해지고 있었으나, IC칩(3)이 위쪽으로 돌출하는 상태로 각 금형(5)의 체결을 행해서 수지패키징을 행해도 된다.
이 경우에는 각 금형의 구성을 변경하지 않으면 안되는 것은 말할 것도 없다.
도 15 및 도 16에 나타내는 바와 같이 IC카드(7)는 상술한 어느것인가의 실시형태에 관한 IC모듈(1)과, IC모듈(1)이 끼워넣어지는 카드본체(7A)와, 이 카드본체(7A)의 상하면에 펴붙여지는 커버시트(70),(70)를 구비해서 구성되어 있다.
도 14에 나타내는 바와 같이 IC카드(7)는 평면으로 보아 형상이 긴 직사각형을 하고 있고, 그 두께가 후술하는 접착제를 포함해서 예를들면 0.76mm정도로 형성되어 있다.
카드본체(7A)에는 중앙부로부터 길이방향으로 이동된 부위에 IC모듈(1)의 형상에 대응해서 원기둥 형상으로 되어 있음과 동시에, IC모듈(1)이 끼워넣어지는 관통구멍(71)이 형성되어 있다.
카드본체(7A)는 예를들면 폴리에틸렌테레프탈레이트수지(이하,「PET」라 한다), 혹은 염화비닐(이하,「PVC」라 한다) 등에 의해 0.45mm 정도의 두께로 형성되어 있다.
커버시트(70),(70)는 예를들면 PET나 PVC 등의 수지에 의해 그 두께가 0.15mm 정도로 형성되어 있고, 예를들면 접착제 등에 의해 카드본체(7A)의 상하면에 각각 펴붙여진다.
이 커버시트(70),(70)를 펴붙이므로서 IC모듈(1)을 보호할 수가 있다.
도 16에 나타내는 바와 같이 IC모듈(1)은 카드본체(7A)의 관통구멍(71)에 끼워넣어짐과 동시에, 각 커버시트(70),(70)에 끼워넣어져서 카드본체(7A)에 내장된 모양을 하고 있다.
또, 모듈(1)을 관통구멍(70)에 끼워넣는 때에는, 예를들면 에폭시수지계의 접착제 등을 사용해도 되고, 그 수단은 적절히 선택하면 된다.
또한, IC카드(7)는 상술한 실시형태의 구성에 한정되지 않는다.
예를들면, 도 17에 나타내는 바와 같이 카드본체(7A)로서 관통구멍(71)이 아니고, 오목한부(71a)가 형성된 것이라도 된다.
이 경우에는 커버시트(70)는 적어도 오목한부(71a)의 개방구측의 면에만 펴붙이면 된다.
IC 모듈 및 그 제조방법, 및 IC모듈을 구비한 IC카드에 있어서, IC칩 및 안테나코일을 양호하게 보호할 수 있는 기술을 제공한다.

Claims (15)

  1. 기판(1)과, 이 기판(1)상에 탑재된 IC칩(3)과, 금속선재료에 의해 형성된 권선코일(20A)이 수지패키징 된 IC모듈로서,
    상기 권선코일(20A)이, IC칩(3)과 도통 접속되어 있음과 동시에, 전체로서 평평한 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 IC모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 권선코일(20A)의 외부원주둘레부의 단면형상이, 외부원주둘레로 향할 수록 두께가 얇게 되는 테이퍼상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 IC모듈.
  3. 금형체결상태에서 공동공간(50)을 형성하는 상하의 금형(5)을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으로서,
    상기 수지패키징 공정은, IC칩(3)이 탑재된 기판(1)과, 상기 IC칩(3)과 도통접속되며 전체로서 평평한 형상으로 된 권선코일(20A)을, 상기 공동공간(50)내에 수용한 상태에서 용융수지를 주입하므로서 행해지는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  4. 기판(2)과, 이 기판(2)상에 탑재된 IC칩(3)과, 이 IC칩(3)과 도통하는 안테나코일(20)이 수지패키징 된 IC모듈로서,
    상기 기판(2)상에는, 수지패키지(4)의 두께와 동등 또는 대략 동등한 높이를갖는 스페이서(28)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스페이서(28)는 패키징수지와 동일 또는 유사한 물성의 소재에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC모듈.
  6. 금형체결상태에서 공동공간(50)을 형성하는 상하의 금형(5)을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으로서,
    수지패키징 공정은, IC칩(3)이 탑재되며 이 IC칩(3)과 도통하는 안테나코일(20)이 패턴형성되어 있음과 동시에, 상기 공동공간(50)의 높이와 동등 혹은 대략 동등의 높이를 갖는 스페이서(28)가 형성된 기판(2)을, 상기 공동공간(50)내에 수용한 상태에서 용융수지를 주입하므로서 행해지는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  7. 상하의 금형(5)의 체결상태에 있어서 형성되는 공동공간(50)내에 IC칩(3)이 탑재되어 있음과 동시에, 이 IC칩(3)과 도통하는 안테나코일(20)이 패턴 형성된 기판(2)을 수용하고, 이 상태에서 공동공간(50)내에 용융수지를 주입시키므로서 행해지는 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법으로서,
    상기 수지패키징 공정시에, 상기 기판(2)의 IC칩(3)탑재면의 이면측으로부터 기판(2)을 흡인하는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  8. 테형상으로 된 절연필름(2A)상의 기판(2)이 될 부위에 안테나코일(20)을 패턴형성하는 공정과, 상기 안테나코일(20)과 도통하도록 IC칩(3)을 실장하는 공정과, 금형체결 상태에 있어서 공동공간(50)을 형성하는 상하의 금형(5)을 사용하여 IC칩(3) 및 상기 안테나코일(20)의 형성영역을 공동공간(50)내에 수용하도록 하여 상기 절연필름(2A)을 각 금형(5)에 의해 끼워넣어지게 해서 행해지는 수지패키징 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 각 금형(5)의 금형체결상태에 있어서는, 복수의 상기 공동공간(50)과, 그 공동공간(50)내에 용융수지를 공급 가능한 하나 또는 복수의 플런저 포트(85)가 형성되고, 상기 수지패키징 공정은 하나의 플런저 포트(85)로부터 복수의 공동공간(50)내로 용융수지를 주입하므로서 행해지는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 패턴형성공정은, 상기 절연필름(2A)상에 금속피막층을 형성하는 공정과, 이 금속피막층에 에칭처리를 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 패턴형성공정에 있어서, 패턴이 상기 절연필름(2A)의 폭방향으로 2열 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 IC모듈의 제조방법.
  12. 기판(1)과, 이 기판(1)상에 탑재된 IC칩(3)과, 금속선재료에 의해 형성된 권선코일(20A)이 수지패키징 된 IC모듈을 카드본체(7A)에 구비한 IC카드로서,
    상기 권선코일(20A)이, IC칩(3)과 도통 접속되어 있음과 동시에, 전체로서 평평한 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드.
  13. 기판(2)과, 이 기판(2)상에 탑재된 IC칩(3)과, 이 IC칩(3)과 도통하는 안테나코일(20)이 수지패키징 된 IC모듈을 카드본체(7A)에 구비한 IC카드로서,
    상기 기판(2)상에는, 수지패키지(4)의 두께와 동등 또는 대략 동등한 높이를 갖는 스페이서(28)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 IC모듈(1)은, 이 IC모듈(1)의 형상에 대응한 관통구멍 혹은 오목한부(71a)가 형성되어 있는 상기 카드본체(7A)에 끼워넣어져 있는 것을 특징으로 하는 IC카드.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 카드본체(7A)의 적어도 일면에는 커버시트(70)가 펴붙여져 있는 것을 특징으로 하는 IC카드.
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