KR19980071275A - 가요성 캐리어 플레이트를 갖는 반도체 웨이퍼 연마 장치 - Google Patents

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KR19980071275A
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크리스 이. 반스
말렉 챠리프
케니쓰 디. 레프톤
프레드 이. 미첼
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존 에스. 허드슨
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Abstract

반도체 웨이퍼 연마 장치용 캐리어 헤드는 복수의 개방된 유체 채널이 제공되어 있는 주요 표면을 갖는 단단한 플레이트를 포함한다. 가요성 웨이퍼 캐리어 막은 반도체 웨이퍼와 접촉하기 위한 천공된 웨이퍼 접촉 섹션, 및 상기 웨이퍼 접촉 섹션 주위로 연장하는 벨로우즈를 갖는다. 지지 링은 플레이트의 주요 표면과 지지 링 사이에 끼워진 벨로우즈상에 플랜지를 갖는 단단한 플레이트에 고정되며, 그로인해 웨이퍼 캐리어 막과 단단한 플레이트 사이에 공동을 한정한다. 유체 도관은 단단한 플레이트에 연결되어 진공 및 가압된 유체의 소스를 공동에 택일적으로 연결시킨다.

Description

가요성 캐리어 플레이트를 갖는 반도체 웨이퍼 연마 장치
본 발명은 반도체 처리 장치에 관한 것으로, 특히 연마동안에 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼는 웨이퍼상에 전기회로를 형성하는 처리단계를 수행하기 전에 매끄럽고 편평한 피니쉬(finish)를 달성하기 위해 연마된다. 이 연마는 캐리어에 웨이퍼를 고정시키고, 캐리어를 회전시키고, 이 회전하는 웨이퍼와 접촉하는 회전 연마 패드를 위치시킴으로써 달성된다. 이러한 기술은 이 연마 동작 동안에 사용하기 위해 다양한 형태의 웨이퍼 캐리어로 충족된다. 공통 형태의 캐리어는 모터에 의해 회전되는 샤프트에 단단하게 고정된다. 일반적으로 액체에 떠 있는 연마제를 포함하는 습식 연마 슬러리는 연마 패드에 인가된다. 하향 연마 압력은 연마 동작동안에 회전하는 웨이퍼와 회전 연마 패드 사이에 인가된다. 이 시스템은 웨이퍼 캐리어와 연마 패드가 반도체 웨이퍼 표면을 적당히 연마하기 위하여 완전히 평행하게 정렬되는 것을 요구한다.
웨이퍼 캐리어는 연마될 표면에 반대쪽인 웨이퍼 표면과 일치하지 않는 전형적으로 단단하고 편평한 플레이트이다. 그 결과, 캐리어 플레이트는 웨이퍼의 전체 영역을 가로질러 특히 웨이퍼의 에지에서 균일한 연마 압력을 인가할 수 없었다. 이 문제를 해결하기 위한 시도에 있어서, 단단한 캐리어 플레이트는 종종 보다 연한 캐리어 막에 의해 덮혀졌다. 이 막의 목적은 균일한 연마를 돕기 위하여 웨이퍼의 후방 표면에 균일한 압력을 전달하는 것이다. 캐리어 플레이트와 후방 웨이퍼 표면 사이의 표면 불규칙성을 보상하는 것 이외에도, 막은 웨이퍼 표면상에 미세한 오염물을 제거하는 것을 예상할 수 있다. 이러한 오염물은 캐리어 막의 부재시에 고압 영역에 형성된다. 불행하게도, 막은 부분적으로만 효과적이어서 제한된 가요성을 가지며 반복 사용후에 경화(set)되려는 경향이 있었다. 특히, 이 경화는 반도체 웨이퍼의 에지에서 가장 열악하게 나타난다.
반도체 웨이퍼를 연마하기 위해 종래의 장치를 사용함에 있어서의 다른 결함은 반도체 웨이퍼에 인접한 작은 영역에서 마모가 더 크다는 것이다. 이 에지 결함은, 웨이퍼 표면에 걸쳐 연마속도가 균일하다고 가정하면, 에지 영역에 가까운 압력 변화(공칭 연마 압력으로부터) 및 (2) 반도체 웨이퍼의 에지 및 연마 패드간의 상호작용의 두가지 요인에 기인한다.
2번째 요인은 캐리어 압력에 기인하여 회전 연마 패드속으로 웨이퍼를 밀어낸다. 그러므로 연마 패드는 웨이퍼 바로 밑으로 압축되고 다른 곳으로 그 정상 두께로 연장된다. 웨이퍼의 선단 에지는 패드의 새로운 섹션을 압도할 때 연마 패드를 하방으로 밀어내는 것이 요구되었다. 그 결과, 각 웨이퍼의 외부 환형 영역은 보다 심하게 마모되었고 전자회로 제조에 사용될 수 없게 되었다. 전자회로 제조에 대하여 웨이퍼의 전체 영역을 사용할 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 개선된 웨이퍼 캐리어 메카니즘을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 웨이퍼의 전체 영역에 걸쳐 균일한 압력을 인가하는 캐리어를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼의 후방 표면과 접촉하고 그 후방표면의 어떤 불규칙에 일치하는 캐리어상의 표면을 제공하는 것이다. 바람직하게는, 캐리어 플레이트의 표면은 반도체 웨이퍼의 후방 표면에서 더 미세한 불규칙에 일치하여야 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 이전 캐리어에 의해 생성된 바와 같이 반도체 웨이퍼 에지에 인접한 보다 더 큰 부식을 제거하는 캐리어 플레이트를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 캐리어의 개략단면도.
도 2는 도 1의 2-2 라인을 따라 취한 단면도.
도 3은 가요성 웨이퍼 캐리어 막(membrane)을 상세하게 도시한 도 1의 섹션의 확대단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 캐리어 헤드 12 : 스핀들 샤프트
14 : 캐리어 플레이트 16 : 가요성 밀봉 링
23, 24, 25 : 환형 홈 31, 32, 33, 34 : 축방향 홈
40 :지지 링 42 : 캡 스크류
상기 및 다른 목적들은 반도체 웨이퍼 연마 장치에 대하여, 주요 표면을 갖는 단단한 플레이트를 포함하는 캐리어 헤드에 의해 충족된다. 연하고 가요성인 재료의 웨이퍼 캐리어 막은 반도체 웨이퍼와 접촉하기 위한 웨이퍼 접촉 섹션을 갖는다. 반도체 웨이퍼 막은 단단한 플레이트에 연결되어 있으며 그 사이에 공동을 한정하는 적어도 일부의 주요 표면을 가로질러 연장한다. 지지 링은 웨이퍼 캐리어 막의 웨이퍼 접촉 섹션 주위로 단단한 플레이트에 고정된다. 유체 도관은 진공 AC 가압된 유체의 소스를 공동에 선택적으로 연결시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 플레이트의 주요 표면은 플레이트와 웨이퍼 캐리어 막 사이의 유체의 흐름을 돕는 복수의 개방 채널을 갖는다. 예를 들면, 주요 표면은 복수의 방사상으로 연장하는 채널에 의해 상호연결된 복수의 동심 환형 채널을 가질 수 있다.
웨이퍼 캐리어 막의 바람직한 실시예는 플랜지가 외측으로 연장하는 벨로우즈에 의해 둘러싸인 웨이퍼 접촉 섹션을 갖는다. 이 플랜지는 공동을 형성하기 위하여 주요 표면과 지지 링 사이에 끼워져 있다.
연마 동안 공동은 막이 인접한 연마 패드내로 웨이퍼를 미는 반도체 웨이퍼에 대항하여 힘을 가하도록 하는 유체로 가압된다. 웨이퍼 캐리어 막은 아주 얇고 연하고 아주 가요적이기 때문에, 연마될 표면과 반대인 반도체 웨이퍼의 후방 표면과 일치한다. 웨이퍼 표면에서의 미세한 변화를 일치시킴으로써, 막은 반도체 웨이퍼의 전체 후방 표면에 걸쳐 고르게 압력을 가하여 균일한 연마가 이루어진다.
지지 링의 하부 에지는 연마 패드와 접촉하며 연마될 반도체 웨이퍼 표면과 거의 동일한 평면상에 있다. 이 동일 평면 관계 및 반도체 웨이퍼의 외부 직경과 지지 링의 내부 직경 사이의 아주 작은 갭은 종래 연마 기술에서 발생되는 에지 결함 문제를 상당히 최소화한다. 지지 링은 반도체 웨이퍼의 에지에 도달하기 전에 연마 패드를 예압한다. 반도체 웨이퍼의 에지와 지지 링 사이의 갭이 아주 작기 때문에, 연마 패드는 이전에 발생된 에지 결함 문제를 나타내기 위하여 상기 갭에서 감지가능하게 연장되지 않는다.
도 1에서, 반도체 웨이퍼 연마 장치는 짐벌 어셈블리(도시하지 않음)에 의해 회전 구동 메카니즘에 연결된 스핀들 샤프트(12)상에 장착된 캐리어 헤드(10)를 갖는다. 스핀들 샤프트(12)의 단부는 스핀들 샤프트와 캐리어 플레이트 사이로 유체가 누설되는 것을 방지하기 위하여 그 사이에 가요성 밀봉 링(16)을 갖는 단단한 캐리어 플레이트(14)에 고착되어 있다. 캐리어 플레이트(14)는 편평한 상부 표면(18) 및 평행한 하부 표면(20)을 갖는다.
캐리어 플레이트(14)의 하부 표면은 도 2에 도시된 바와 같이 그 안에 복수의 홈을 갖는다. 특히, 하부 표면(20)은 증가하는 직경의 순서대로 3개의 간격분리된 동심 환형 홈(23,24,25)이 제공되어 있는 중앙 리세스 영역(22)을 갖는다. 환형 리세스(26)는 하부 표면(20)의 주변 에지 주위로 연장한다. 4개의 축방향 홈(31,32,33 및 34)은 환형 홈(23-25)의 각각을 통하여 중앙 리세스로부터 주변 리세스(26)로 90도 간격으로 연장한다. 그러므로, 각각의 환형 홈, 중앙 리세스, 및 주변 리세스는 축방향 홈(31-34)를 통하여 서로 연통한다.
4개의 구멍(36)들은, 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 캐리어 플레이트(14)를 통해 중앙 리세스(22)로부터 스핀들 샤프트(12)가 수용되는 상부 표면상의 리세스로 연장한다. 구멍(36)은 스핀들 샤프트(12)의 단부를 통하여 구멍(38)과 연통하며 그로인해 스핀들 샤프트(12)의 중앙 보어(39)로부터 캐리어 플레이트(14)의 하측으로 경로가 제공된다.
지지 링(40)은 주변 리세스(26)에서 캐리어 플레이트(14)의 하부 표면(20)에 부착된다. 지지 링(40)은 캐리어 플레이트(14)의 주변 리세스(26)내로 개방된 구멍(44)내에 수용되는 복수의 캡 스크류(42)에 의해 고정된다. 원형의 웨이퍼 캐리어 막(46)은 캐리어 플레이트의 바로 밑에 가요성 격벽(diagphram)을 형성하기 위하여 캐리어 플레이트(14)의 하부 표면(20)에 가로질러 뻗어있는 지지 링(40)과 캐리어 플레이트(14) 사이에 지지된다. 웨이퍼 캐리어 막(46)은 바람직하게는 어떤 여러개의 연하고 탄성적인 재료의 얇은 시트가 사용된다 하더라도, 몰딩된 폴리우레탄으로 형성된다.
도 3에서, 가요성 웨이퍼 캐리어 막(46)은 비교적 편평한 원형의 웨이퍼 캐리어 접촉 섹션(48)을 가지며, 이 섹션을 통하여 복수의 구멍(50)이 연장하고 있다. 중앙 웨이퍼 접촉 섹션(48)은 0.5 내지 3.0 밀리미터 사이이며, 예를 들면 1.0 밀리미터이다. 중앙 웨이퍼 접촉 섹션(48)은 캐리어 플레이트(14)의 하부 표면(20)과 막(46)의 웨이퍼 접촉 섹션(48) 사이의 공간에서의 변화를 허용하는 벨로우즈 부분(54)을 갖는 환형 림(52)에 의해 둘러싸여진다. 웨이퍼 접촉 섹션(48)으로부터 림(52)의 반대 에지는 캡 스크류(42)에 의해 가해진 힘에 기인하여 캐리어 플레이트(14)의 주변 리세스 표면과 지지 링(40) 사이에 압착되는 외부로 연장하는 플랜지(56)를 갖는다.
반도체 웨이퍼를 처리하기 위하여, 캐리어 헤드(10)는 웨이퍼 저장 영역위로 이동되며 반도체 웨이퍼(60)상으로 낮아진다. 스핀들 샤프트(12)는 회전 결합 및 밸브(도시하지 않음)에 의해 진공원에 연결되어 있다. 캐리어 헤드(10)가 반도체 웨이퍼(60) 위에 위치설정되면, 진공 밸브는 캐리어 플레이트(14)와 웨이퍼 캐리어 막(46) 사이에 형성된 공동(58)을 비우도록 개방된다. 이러한 작용은 웨이퍼 캐리어 막(46)내의 작은 구멍(50)을 통하여 공동내로 공기를 끌어들이고 웨이퍼 캐리어 막에 대항하여 반도체 웨이퍼를 끌어내는 흡입관을 형성한다. 챔버(58)의 비움으로 인해 캐리어 플레이트(14)의 하부 표면(20)에 대항하여 막이 꺼내어 진다 하더라도, 상기 표면의 홈(23-34)의 패턴은 막(46)에서의 구멍(50)을 통하여 공기를 연속적으로 끌어들이는 경로가 제공되어, 캐리지 헤드(10)에 대항하여 반도체 웨이퍼(60)를 지지하게 된다. 지지 링(40)의 내부 직경은 반도체 웨이퍼(60)의 외부 직경보다 더 큰 5 밀리미터(바람직하게는 1 내지 2 밀리미터)보다 작다는 것을 주지한다.
캐리지 헤드(10) 및 파지된 웨이퍼(60)는 도 1에 도시된 바와같이 표준 회전 패턴(64)상에 장착된 종래의 반도체 웨이퍼 연마 패드(62)위로 이동된다. 이어서 캐리지 헤드(10)는 웨이퍼(60)가 연마 패드(62)의 표면과 접촉하게 되도록 낮아진다. 다음 진공원에 대한 밸브가 폐쇄되고 가압된 유체는 스핀들 샤프트(12)의 보어(39)내로 유입된다. 이 유체가 반도체 웨이퍼(60)의 표면과 반응하지 않는 건조 공기나 질소와 같은 가스일지라도, 이온제거된 물과 같은 액체가 사용될 수 있다. 유체는 캐리어 플레이트(14)내의 스핀들 샤프트 구멍(38)을 통하여 보어(39)로부터 캐리어 플레이트(14)의 하부 표면(20)의 홈(23-34)의 패턴내로 흐르며, 그로인해 캐리어 플레이트(14)와 가요성 웨이퍼 캐리어 막사이의 공동이 충진된다. 이 작용은 공동을 부풀게하여 웨이퍼 캐리어 막(46)의 벨로우즈(54)를 팽창시키며 반도체 웨이퍼(60)에 대항하여 압력을 가한다. 유체는 반도체 웨이퍼(60)와 연마 패드(62)에 인가된 접착제의 특성에 의존하는 정밀한 압력으로 15 psi(바람직하게는 0.5 내지 10 psi 사이)보다 작게 가압될 것이다. 유체로부터의 압력은 반도체 웨이퍼(60)상에 하방력을 인가하는 공동(54)을 통하여 균일하게 분포된다.
막이 아주 얇기 때문에, 반도체 웨이퍼(60)의 상부 표면과 일치한다. 막(46)은 연하고 아주 가요적이어서 반도체 웨이퍼 표면에서의 더욱 미세한 변화에 합치된다. 그 결과, 캐리어 막은 막이 반도체 웨이퍼(60)의 후방측상에 미세한 표면 오염물에 일치할 때 웨이퍼와 막 사이에 요구되지 않는다.
연마 동작동안, 캐리어 헤드(10)는 지지 링(40)이 연마 패드(62)를 내리 누르도록 하방으로 기계적으로 가압된다. 연마 패드와 접촉하는 지지 링(40)의 하부 에지(65)는 연마될 반도체 웨이퍼 표면과 동일 평면이다. 이 동일평면 관계 및 지지 링(40)의 내부 직경과 반도체 웨이퍼(60)의 외부 직경 사이의 아주 작은 차이 ( 5mm)는 종래 연마 기술에서 발생되는 에지 결함 문제를 상당히 최소화한다. 이 결함 문제는 패드에 대항하여 회전될 때 반도체 웨이퍼의 에지에 의해 연마 패드의 억압에 기인한 것이다. 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 현재의 캐리어 어셈블리의지지 링(40)은 연마 패드를 억압하며, 지지 링(40)과 반도체 웨이퍼(60)의 에지 사이에 아주 작은 갭이 존재하기 때문에, 연마 패드는 상기 갭에서 감지가능하게 팽창되지 않으며 그로인해 이전에 발생된 심각한 에지 결함 문제가 제거된다.
이외에도, 에어 필로우(pillow) 웨이퍼 캐리어 헤드(10)는 반도체 웨이퍼의 전체 영역을 가로질러 특히 웨이퍼의 에지에서 아주 균일한 연마 압력을 인가한다. 벨로우즈(54)와 일체인 웨이퍼 캐리어 막(46)의 극도의 가요성 및 연성은 캐리어 막(46)이 패드 변화와 같은 연마 처리, 패드의 조건설정, 및 슬러리 흐름율의 특성에 의해 초래될 수 있는 반도체 웨이퍼(60)의 면상에 작은 장애물에 응답하도록 한다. 가요성 웨이퍼 캐리어 막은 이러한 변화에 대하여 자동적으로 보상할 수 있으며 반도체 웨이퍼(60)와 연마 패드(62) 사이에 균일한 압력을 제공할 수 있다. 이들 장애와 연관된 어떤 에너지는 반도체 웨이퍼의 국소적인 연마율을 증가하는 대신에 웨이퍼 캐리어 막(46) 뒤의 공동내에 유체에 의해 흡수된다.
웨이퍼 캐리어 헤드(10)의 상기한 특징들은 반도체 웨이퍼를 가로질러 균일한 연마를 달성하며, 그로인해 회로 제조를 위하여 전체 웨이퍼 표면의 사용이 가능하게 된다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼의 전체 영역에 걸쳐 균일한 압력을 인가할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 후방 표면과 접촉하고 그 후방표면의 어떤 불규칙에 일치하는 캐리어상의 표면을 제공할 수 있으며, 반도체 웨이퍼 에지에 인접한 보다 더 큰 부식을 제거할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (20)

  1. 반도체 웨이퍼 표면 연마 장치용 캐리어 헤드에 있어서,
    주요 표면을 갖는 단단한 플레이트;
    반도체 웨이퍼와 접촉하기 위한 웨이퍼 접촉 섹션을 갖는 연하고 가요적인 재료로 이루어지는 웨이퍼 캐리어 막을 포함하는데, 상기 웨이퍼 캐리어 막은 상기 단단한 플레이트에 연결되고 상기 주요 표면의 적어도 일부를 가로질러 연장하여 그 사이에 공동을 한정하며;
    상기 웨이퍼 캐리어 막의 웨이퍼 접촉 섹션 주위로 단단한 플레이트에 고정된 지지 링; 및
    진공 및 가압된 유체의 소스를 상기 공동에 택일적으로 연결하는 유체 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어 막은 상기 웨이퍼 캐리어 막을 통하는 복수의 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 접촉 섹션에서의 웨이퍼 캐리어 막은 0.5 내지 3.0 밀리미터 사이의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어 막의 웨이퍼 접촉 섹션은 상기 단단한 플레이트에 결합된 벨로우즈에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어 막은 상기 단단한 플레이트에 인접하고 상기 벨로우즈 주위로 연장하는 플랜지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어 막은 상기 웨이퍼 접촉 섹션에 부착된 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는 환형 벨로우즈, 및 상기 주요 표면과 상기 지지 링 사이에 끼워지고 상기 제 2 단부로부터 돌출하는 플랜지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트는 상기 주요 표면상에 복수의 채널을 가지며 상기 유체 도관은 상기 복수의 채널과 연통하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트는 상기 주요 표면상에 복수의 동심 환형 채널을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트는 상기 복수의 동심 환형 채널과 상호연결된 크로스 채널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트는 상기 복수의 동심 환형 채널과 상호연결된 상기 주요 표면상에 복수의 방사상으로 연장하는 채널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 제 1 직경을 가지며, 상기 지지 링은 상기 제 1 직경보다는 크나 5 밀리미터보다는 작은 내부 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 제 1 직경을 가지며, 상기 지지 링은 상기 제 1직경보다는 크나 2 밀리미터 보다는 작은 내부 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 링은 상기 반도체 웨이퍼의 표면과 동일 평면상에 있는 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  14. 제 1 항에 있어서, 공동내의 유체를 더 포함하며, 상기 유체는 공기, 질소, 및 물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  15. 제 1 항에 있어서, 공동내의 유체를 더 포함하며, 상기 유체는 15 psi보다 작은 압력을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  16. 반도체 웨이퍼 연마 장치용 캐리어 헤드에 있어서,
    복수의 채널이 제공되어 있는 주요 표면을 갖는 단단한 플레이트;
    상기 반도체 웨이퍼와 접촉하기 위한 웨이퍼 접촉 섹션과 복수의 구멍을 가지는 가요성 재료의 웨이퍼 캐리어 막;
    상기 단단한 플레이트에 고정된 지지 링을 포함하는데, 상기 웨이퍼 캐리어 막의 일부는 상기 주요 표면과 상기 지지 링 사이에 끼워지고 그로인해 상기 웨이퍼 캐리어 막과 단단한 플레이트 사이에 공동이 한정되며; 및
    상기 플레이트에 결합되고, 진공 및 가압된 유체의 소스를 상기 복수의 채널에 택일적으로 연결하는 유체 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트상의 복수의 채널은 복수의 동심 환형 채널 및 상기 복수의 동심 환형 채널과 상호연결된 복수의 크로스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  18. 반도체 웨이퍼 연마 장치용 캐리어 헤드에 있어서,
    주요 표면을 갖는 단단한 플레이트;
    상기 반도체 웨이퍼와 접촉하기 위한 웨이퍼 접촉 섹션, 복수의 구멍, 및 상기 단단한 플레이트에 인접하고 상기 웨이퍼 접촉 섹션으로부터 돌출하는 환형 벨로우즈를 가지는 가요성 재료의 웨이퍼 캐리어 막;
    상기 단단한 플레이트와 환형 벨로우즈에 연결되어 상기 웨이퍼 캐리어 막과 단단한 플레이트 사이에 공동을 한정하는 지지 링; 및
    상기 진공 및 가압된 유체의 소스를 택일적으로 연결하는 유체 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어 막의 환형 벨로우즈는 그것으로부터 연장하며 상기 주요 표면과 지지 링 사이에 끼워지는 플랜지를 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 단단한 플레이트는 상기 주요 표면상에 복수의 채널을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
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