JP4516662B2 - 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、全体的に基板のケミカルメカニカルポリシングに関し、特に、基板のケミカルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路は、通常、導電層、半導体層あるいは絶縁層の連続的な堆積により基板、特にシリコンウェーハ上に形成される。各層が堆積された後、基板は回路図形を形成するためにエッチングされる。一連の層が連続的に堆積されエッチングされるにつれて、基板の外面または最上面、すなわち基板の露出面は、徐々に非平坦になる。この非平坦面は、集積回路製造プロセスのフォトリソグラフィ工程で問題となる。したがって、定期的に基板表面を平坦化する必要がある。
【０００３】
ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）は、平坦化の認められた方法の一つである。この平坦化方法は、通常、キャリアヘッドまたは研磨ヘッド上に基板を取り付けることを必要とする。基板の露出面は、回転しているポリシングパッドに接するように配置される。ポリシングパッドは、「標準の」パッドであってもよいし、固定砥粒パッドであってもよい。標準ポリシングパッドが耐久性のある粗面を有するのに対して、固定砥粒パッドは封入媒体の中に保持された研磨粒子を有する。キャリアヘッドは、基板に制御可能な荷重、すなわち圧力を加え、基板をポリシングパッドへ押し付ける。少なくとも一種類の化学反応剤を（標準パッドが使用されるときは、研磨粒子も）有する研磨スラリーが、ポリシングパッドの表面に供給される。
【０００４】
ＣＭＰプロセスの有効性は、そのポリシングレート、および得られる基板表面の仕上り（小規模の粗さがないこと）と平坦度（大規模なトポグラフィがないこと）によって評価することができる。ポリシングレート、仕上りおよび平坦度は、パッドとスラリーの組合せ、基板とパッドとの間の相対速度、およびパッドに基板を押しつける力により決定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＭＰで遭遇する問題の一つは、基板の中央部分が研磨不足になることが多い点である。「センタースロウ効果」と称することができるこの問題は、基板の背面へ圧力を均一に加えても、発生することがある。
【０００６】
別の問題は、ポリシングが完了すると、基板をポリシングパッド面から取り外すのが困難なことである。先に述べたように、一層のスラリーがポリシングパッドの表面に供給される。基板がポリシングパッドに接するように配置されると、スラリーの表面張力が、基板をポリシングパッドへ束縛する接着力を発生する。この接着力が、基板をパッドから取り外すことを困難にすることがある。
【０００７】
通常、基板は、キャリヤヘッドの下側に真空チャックされ、キャリヤヘッドを使用することで基板がポリシングパッドから取り外される。キャリヤヘッドをポリシングパッドから後退させると、基板はパッドを離れて持ち上げられる。しかし、基板をポリシングパッド上に保持する表面張力が、基板をキャリヤヘッド上に保持する真空チャックの力より大きい場合、キャリヤヘッドが後退しても基板はポリシングパッド上に残ってしまう。これにより、基板が破損したり、欠けたりするかもしれない。さらに、基板取外しの失敗が、機械の故障を引き起こし、人手の介入が必要になることもある。これにより、ポリシング装置のシャットダウンが必要となり、スループットが低下する。ポリシング装置による信頼性の高い作業を達成するためには、基板取外しプロセスが本質的に完璧であることがよい。
【０００８】
いくつかの技術を採用して、基板とポリシングパッド間の表面張力を減らしてきた。そのような技術は、基板を水平方向にスライドさせてポリシングパッドから離すことにより表面張力に打ち勝った後に、キャリヤヘッドを垂直方向に後退させる。しかし、この技術では、基板がスライドしてポリシングパッドのエッジから離れるとき、基板にスクラッチができたり、その他の損傷を与えるかもしれない。また、ＣＭＰ装置の機械的構成によっては、この技術を利用することができないことがある。
【０００９】
別の技術は、表面張力を小さくするためにポリシングパッド面を処理する。しかし、この技術は必ずしも成功するとは限らず、パッド面のそのような処理は、逆に基板の仕上りと平面度に悪影響を及ぼして、ポリシングレートを低下させることがある。
【００１０】
別の技術は、基板のエッジへ下向きの圧力をかけて、大気が真空チャックプロセスと干渉することを防ぐシールを形成する。しかし、この技術は、キャリアヘッドの複雑な空気圧制御を必要とする。さらに、キャリヤヘッドの構造が、基板のエッジへの加圧を阻むかもしれない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
ある態様において、本発明は、基板のケミカルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドに関する。このキャリヤヘッドは、ベースと、ベースの下に延在して加圧可能チャンバを画成する可撓膜と、を有する。可撓膜の下面は、基板用のマウント面を与える。可撓膜は、内側部分と、外側の膨張可能リップ部分と、を含む。このリップ部分は、チャンバ内の圧力変化に応じて膨張したり、あるいは収縮するよう構成され、マウント面に当たるように配置された基板とのシールを解除したり、あるいはシールを形成するように配置されている。
【００１２】
本発明の実施形態は、以下の一つ以上を含んでいてもよい。可撓膜の一部は、リップ部分を形成するように折り畳むことができる。リップ部分は、流体が流れるようにチャンバと連通するポケットを含んでいてもよい。リップ部分は、上側部分と、下側部分と、上側部分および下側部分間に配置されたポケットと、を含んでいてもよい。可撓膜は、上側部分に接合されたエッジ部分を更に含んでいてもよい。可撓膜は、エッジ部分に接合された第１の端部およびリテーナリングに固定された第２の端部を有する環状翼部分を更に含んでいてもよい。スペーサがリップ部分のエッジ部分を包囲して、リップ部分の構造的完全性を維持してもよい。リップ部分は、チャンバが排気されるときに基板とのシールを形成してもよい。リップ部分は、チャンバが加圧されるときに基板とのシールを解除してもよい。
【００１３】
別の態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシングの方法に関する。基板は、キャリヤヘッドの可撓膜のマウント面に接するように位置決めされ、可撓膜は、キャリヤヘッド内で加圧可能チャンバを画成する。この可撓膜は、流体が流れるようにチャンバと連通する膨張可能リップ部分を含んでいる。チャンバは、膨張可能リップ部分を収縮させて基板とのシールを形成するように排気される。基板は、第１の位置から第２の位置へ搬送される。
【００１４】
本発明の利点は、以下の事項を含むことできる。基板は、高い信頼性をもってポリシングパッドへローディングすることができ、またポリシングパッドから取り外すことができる。基板と可撓膜との間に捕捉された空気の除去を可能とすることにより、ポリシング中、基板に一様な荷重が付加される。
【００１５】
本発明の他の利点と特徴は、図面および特許請求の範囲に加えて、以下の説明から明らかになるであろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】
同様な構成要素を示すために、同様な参照番号が種々の図面の中で使用される。添字は、変更された機能、動作または構造を構成要素が有することを示している。
【００１７】
図１を参照すると、１枚以上の基板１０が、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）装置２０によりポリシングされる。同様のＣＭＰ装置の説明は、米国特許第５，７３８，５７４号で見ることができる。この全開示は、本明細書に援用される。
【００１８】
ＣＭＰ装置２０は、下部マシンベース２２を含んでおり、このマシンベースは、その上に取り付けられたテーブルトップ２３と、着脱可能な上部外カバー（図示せず）と、を備えている。テーブルトップ２３は、一連のポリシングステーション２５と、基板をローディングおよびアンローディングする搬送ステーション２７と、を支持する。搬送ステーションは、三つのポリシングステーションとともに略正方形の配置を形成していてもよい。
【００１９】
各ポリシングステーションは、ポリシングパッド３２が載置される回転プラテン３０を含んでいる。基板１０が８インチ（２００ｍｍ）または１２インチ（３００ｍｍ）径のディスクの場合、プラテン３０およびポリシングパッド３２は、それぞれ直径が約２０インチまたは３０インチとなる。プラテン３０は、マシンベース２２の内側に配置されたプラテン駆動モータ（図示せず）に接続することができる。大抵の研磨プロセスでは、プラテン駆動モータは、毎分３０〜２００回転でプラテン３０を回転させるが、それより遅いまたは速い回転速度を使用することもできる。各ポリシングステーションは、ポリシングパッドの研磨条件を維持するために、対応するパッドコンディショナ装置４０を更に含んでいてもよい。
【００２０】
反応剤（例えば、酸化物ポリシング用の純水）および化学反応触媒（例えば、酸化物ポリシング用の水酸化カリウム）を含むスラリ５０は、スラリ／リンス共用アーム５２によってポリシングパッド３２の表面に供給することができる。ポリシングパッド３２が標準パッドである場合、スラリ５０に研磨粒子（例えば酸化物ポリシング用の二酸化ケイ素）を含ませてもよい。通常は、ポリシングパッド３２の全体を覆って湿潤するのに十分なスラリが供給される。スラリ／リンスアーム５２は、ポリシングサイクルおよびコンディショニングサイクルの各々の最後にポリシングパッド３２の高圧リンスを行う数個のスプレーノズル（図示せず）を含んでいる。
【００２１】
回転マルチヘッドカルーセル６０は、カルーセル支持プレート６６とカバー６８を含んでおり、下部マシンベース２２の上方に配置されている。カルーセル支持プレート６６はセンターポスト６２によって支持され、マシンベース２２内に配置されたカルーセルモータアセンブリによってセンターポスト６２上でカルーセル軸６４を中心として回転する。マルチヘッドカルーセル６０は、カルーセル支持プレート６６上においてカルーセル軸６４の周りに等角度間隔で取り付けられた４個のキャリヤヘッドシステム７０を含んでいる。これらのキャリヤヘッドシステムの３個は、基板を受け取って保持し、基板をポリシングステーションのポリシングパッドに押し付けることによって基板をポリシングする。キャリヤヘッドシステムの１個は、搬送ステーション２７から基板を受け取り、また、搬送ステーション２７へ基板を受け渡す。カルーセルモータは、キャリヤヘッドシステムおよびキャリヤヘッドシステムに取り付けられた基板を、ポリシングステーションと搬送ステーションとの間でカルーセル軸６４の周りに軌道運動させることができる。
【００２２】
各キャリヤヘッドシステムは、研磨ヘッドまたはキャリヤヘッド１００を含んでいる。各キャリヤヘッド１００は、自らの軸を中心として独立に回転し、カルーセル支持プレート６６内に形成されたラジアルスロット７２内を独立して横方向に振動する。キャリヤ駆動軸７４はスロット７２を通って延在し、キャリヤヘッド回転モータ７６（カバー６８の４分の１を除去して示す）をキャリヤヘッド１００に接続する。各ヘッドには、ひとつのキャリヤ駆動軸とモータがある。各モータおよび駆動軸は、キャリヤヘッドを横方向に振動させるために、ラジアル駆動モータによりスロットに沿って直線的に駆動させることができるスライダ（図示せず）上に支持することができる。
【００２３】
実際のポリシング中、３個のキャリヤヘッドは、３個のポリシングステーションおよびその上方に位置する。各キャリヤヘッド１００は、基板を下降させてポリシングパッド３２に接触させる。一般に、キャリヤヘッド１００は、基板をポリシングパッドに接触させて所定位置に保持し、力を基板の背面全体に分散させる。さらに、キャリヤヘッドは駆動軸から基板へトルクを伝える。
【００２４】
図２および図３を参照すると、キャリヤヘッド１００は、ハウジング１０２、ベース１０４、ジンバル機構１０６、ローディングチャンバ１０８、リテーナリングｌｌ０、および基板バッキングアセンブリ１１２を含む。同様のキャリヤヘッドの説明は、Ｚｕｎｉｇａ他による米国特許出願第０８／８６１，２６０号「ケミカルメカニカルポリシングシステム用の可撓膜を有するキャリアヘッド」（１９９７年５月２１日出願、本発明の譲受人に譲渡済）に見られる。この全開示は、本明細書に援用される。
【００２５】
ハウジング１０２は駆動軸７４に連結されており、ポリシング中はポリシングパッドの表面に実質的に垂直な回転軸１０７を中心として、ポリシング中に駆動軸とともに回転することができる。ローディングチャンバ１０８は、ハウジング１０２とベース１０４との間に配置されており、荷重つまり下向きの圧力をベースｌ０４に加える。また、ポリシングパッド３２に対するベース１０４の垂直方向位置は、ローディングチャンバ１０８により制御される。
【００２６】
基板バッキングアセンブリｌｌ２は、支持構造体ｌｌ４、支持構造体ｌｌ４をベースｌ０４に連結する撓みダイヤフラムｌｌ６、および支持構造体ｌｌ４に連結された可撓性部材または可撓膜１１８を含んでいる。可撓膜１１８は、支持構造体１１４の下方に延在して、基板用のマウント面１９２を提供する。可撓膜１１８、支持構造体ｌｌ４、撓みダイヤフラムｌｌ６、ベースｌ０４、およびジンバル機構１０６間のシールされた空間は、加圧可能チャンバ１９０を画成する。チャンバ１９０を加圧すると、可撓膜１１８が下方に押され、基板がポリシングパッドに押し付けられる。第１ポンプ（図示せず）をチャンバ１９０に連通させることでチャンバ内の圧力を制御し、これにより、基板に加わる可撓膜の下向きの力を制御することができる。
【００２７】
ハウジング１０２は、ポリシングされる基板の円形の外形に対応するように略円形の形状を有していてもよい。円筒形ブッシュ１２２が、ハウジングを貫通する垂直穴１２４に嵌入していてもよく、二つの通路１２６と１２８が、キャリヤヘッドの空気圧制御のためにハウジングを貫通して延在していてもよい。
【００２８】
ベース１０４は、硬質材料から形成される略リング形の本体であり、ハウジング１０２の下に配置される。通路１３０は、ベースを貫通して延在していてもよく、また二つの取付具１３２および１３４は、ハウジング１０２とベース１０４との間に可撓性チューブを接続して通路１２８を通路１３０へ連通させるための取付点を与えることができる。
【００２９】
弾性および可撓性の膜１４０をクランプリング１４２によってベース１０４の下面に取り付けることにより、ブラダー１４４を形成することができる。クランプリング１４２は、ねじまたはボルト（図示せず）によってベース１０４に固定することができる。第２のポンプ（図示せず）をブラダー１４４に接続し、流体、例えば空気などのガスをブラダーに出入りさせることによって支持構造体ｌｌ４への下向き圧力を制御してもよい。特に、ブラダー１４４を用いることで、支持構造体１１４の支持プレート１７０からの突起１７９（図３を参照）が可撓膜１１８の中央領域を基板１０に押し付けるようにすることができ、これにより基板の中央部へ追加圧力を加えることができる。
【００３０】
ジンバル機構１０６は、ベース１０４がポリシングパッドの表面と実質的に平行な状態を維持できるように、ベース１０４がハウジング１０２に対して旋回できるようにする。ジンバル機構１０６は、通路１５４に嵌入して円筒ブッシュ１２２を貫通するジンバルロッド１５０と、ベース１０４に固定された撓みリング１５２と、を含んでいる。ジンバルロッド１５０は、通路１５４に沿って垂直に滑動することによりベース１０４の垂直運動を与えることができるが、ハウジング１０２に対するベース１０４の横方向の運動は阻止する。
【００３１】
略リング形の回転ダイヤフラム１６０の内側エッジは、内側クランプリング１６２によりハウジング１０２へクランプすることができる。外側クランプリング１６４は、回転ダイヤフラム１６０の外側エッジをベース１０４にクランプすることができる。このようにして、回転ダイヤフラム１６０は、ハウジング１０２およびベース１０４間の空間をシールして、ローディングチャンバ１０８を画成する。第３のポンプ（図示せず）をローディングチャンバへ連通することにより、ローディングチャンバ１０８内の圧力と、ベース１０４へ加えられる荷重を制御することができる。
【００３２】
リテーナリング１１０は、例えばボルト（図示せず）によってベース１０４の外側エッジに固定された略円環体とすることができる。流体がローディングチャンバ１０８内へ圧送され、ベース１０４が下方に押されると、リテーナリング１１０も下方に押されて、ポリシングパッド３２へ荷重を加える。リテーナリング１１０の底面１９４は実質的に平坦とすることができ、あるいはリテーナリングの外側から基板へのスラリ輸送を容易にするために複数のチャネルを有していてもよい。リテーナリング１１０の内側面１９６は、基板がキャリヤヘッドの下から逃げるのを妨ぐように基板と係合する。
【００３３】
基板バッキングアセンブリｌｌ２の支持構造体１１４は、支持プレート１７０、環状下側クランプ１７２、および環状上側クランプ１７４を含む。支持プレート１７０は、複数の貫通孔１７６が形成された略ディスク状の硬質部材とすることができる。支持プレート１７０の外側面は、約３ｍｍ幅の隙間だけリテーナリング１１０の内側面１９６から分離してもよい。約２〜４ｍｍ（例えば３ｍｍ）の幅Ｗ１を有する環状凹部１７８を支持プレート１７０の外側エッジに形成することができる。さらに、突起１７９（図３を参照）が、支持プレートの底面の中央領域から下方に延在していてもよい。この突起は、支持プレートの底にキャリヤフィルムを取り付けることにより形成してもよいし、支持プレートと一体に形成してもよい。支持プレート１７０は、突起１７９の上方の領域を通る孔を含んでいなくてもよい。この他に、支持プレートと突起の両方を貫通して孔が延在していてもよい。
【００３４】
基板バッキングアセンブリ１１２の撓みダイヤフラム１１６は、略平坦な円環である。撓みダイヤフラムｌｌ６の内側エッジは、ベース１０４とリテーナリング１１０との間にクランプされ、撓みダイヤフラムｌｌ６の外側エッジは下側クランプ１７２と上側クランプ１７４との間にクランプされる。撓みダイヤフラム１１６は、可撓性および弾性ではあるが、径方向および接線方向で硬質とすることができる。撓みダイヤフラムｌｌ６は、ネオプレンなどのゴム、ＮＹＬＯＮ（商標）やＮＯＭＥＸ（商標）などのエラストマ被覆布、プラスチック、またはガラス繊維などの複合材料から形成することができる。
【００３５】
可撓膜ｌｌ３は、クロロプレン、エチレンプロピレンゴム、シリコンなどの可撓性かつ弾性の材料から形成された略円形のシートである。可撓膜ｌｌ８は、内側部分１８０、支持プレート１７０のエッジの周りに延在して支持プレートと下側クランプ１７２との間でクランプされる環状エッジ部分１８２、および内側部分１８０とエッジ部分１８２との間の連結部１８４から外側に延在して、キャリヤヘッドにロードされた基板の外周部に接触する可撓リップ部分１８６を含んでいる。連結部１８４は、支持プレートｌ７０の凹部１７８のほぼ下方に配置され、内側部分１８０またはエッジ部分１８２よりも厚く、例えば約２倍の厚さがある。
【００３６】
リップ部分１８６は、くさび形とすることができ、連結部の厚さにほぼ等しい厚さから、可撓膜１１８の内側部分１８０の厚さとほぼ等しい、その外側リムにおける厚さに至るテーパをつけることができる。リップ部分１８６の外側リム１８８は基板に向けて傾斜させることができる。特に、チャンバ１９０が排気され可撓膜１１８が上方に引かれても、リップ部分１８０のリム１８８が依然として支持プレート１７０上の突起ｌ７９の下に延在するように、リップ部分は十分に下方へ延在しているのがよい。こうすれば、突起１７９が基板エッジへの加圧を阻止したとしても、基板と可撓膜ｌｌ８との間にシールを確実に形成することができる。以下でより詳細に述べるように、リップ部分１８６は、ポリシングパッドからの基板の取り外しを補助する。
【００３７】
ある実施例では、可撓膜ｌｌ８の内側部分とエッジ部分の厚さを約２９〜３３ミルとすることができ、連結部は、厚さを約６０〜６６ミルとし、エッジ部分から内側に約ｌ〜５ｍｍ（例えば３．５ｍｍ）延在することができる。リップ部分は、内側部分１８０から約０〜３０°（例えば１５°）の角度で下方に延在させることができ、また、エッジ部分１８２を越えて約１〜５ｍｍ（例えば３．５ｍｍ）延在させることができる。
【００３８】
前述のように、ＣＭＰで再発するひとつの問題は、基板中央のポリシング不足である。キャリヤヘッド１００を用いることで、センタースロウ効果を低減し、あるいは最小限に抑えることができる。特に、基板受取り面の中心付近に位置する略円形の接触領域内で可撓膜の上面と接触する突起１７９を支持プレート１７０に設けることによって、基板中央のポリシング不足となりうる領域へ追加の圧力をブラダー１４４によって加えることができる。この追加圧力は、１９９７年８月８日出願の米国特許出願第０８／９０７，８１０号で検討されているように、基板の中央におけるポリシングレートを高め、ポリシングの均一性を改善し、センタースロウ効果を低減する。なお、この出願の全開示は本明細書に援用される。
【００３９】
ポリシングが完了すると、基板を可撓膜１１８へ真空チャックするために、流体がチャンバ１９０から排出される。次いで、ローディングチャンバ１０８が排気され、ベース１０４とバッキング構造体ｌｌ２が持ち上げられてポリシングパッドから離される。
【００４０】
上記のように、ＣＭＰにおける別の問題は、ポリシングパッドから基板を取り外すことが困難なことである。しかしながら、キャリヤヘッド１００はこの問題を実質的に解消する。
【００４１】
図４（ａ）を参照する（簡単のため、基板の取り付け及び取り外しに関連する要素だけを図４（ａ）および（ｂ）に示す）。チャンバ１９０が排気されると、可撓膜ｌｌ８の内側部分１８０が内側に引かれる。これは、基板背面と可撓膜のマウント面との間の空間内の圧力を低下させる。この圧力低下により、リップ部分１８６が基板の外周部分に当たるように引っ張られ、両者の間にシールが形成される。これは、可撓膜への基板の効果的な真空チャックを提供する。このように、ローディングチャンバ１０８が排気されると、基板１０は、キャリヤヘッドへ確実に保持される。さらに、シールを形成するために基板外周上の可撓膜の部分へ下向きの力をさらに加える必要がないように、シールは十分な気密性・液密性を持っている。その結果、キャリアヘッド内の空気圧制御をさらに必要とすることなくシールを実装することができる。
【００４２】
図４（ｂ）を参照すると、基板をキャリヤヘッドから取り外すため、流体がチャンバ１９０内へ圧送される。これにより、内側部分１８０は外側に膨出し、それにより連結部１８４が下方に旋回する。その結果、リップ部分１８６が基板から離れて上昇するように、リップ部分１８６が上向きに旋回する。このことが、可撓膜と基板との間のシールを解除し、可撓膜の内側部分からの下向き圧力が、基板をキャリヤヘッドから取り外す。連結部１８４の厚さは、可撓膜ｌｌ８の内側部分が下方へ付勢されたときにリップ部分が上方に確実に回るために十分な剛性を与えるように選択するのがよい。
【００４３】
図５を参照すると、キャリヤヘッド１００ａは、リップ部分１８６ａの上で折りたためる可撓膜１１８ａを含んでいる。この実施形態による利点は、支持プレート１７０の円筒形外面とリテーナリング１１０の内側面との間の隙間が小さくなることである。可撓膜ｌ１８ａのエッジ部分１８２ａは、リップ部分１８６ａの上に延在して連結部１８４ａに接続する折りたたみ部１９８を含んでいる。折りたたみ部１９８は、支持プレート１７０の凹部１７８ａに嵌まることができる。支持プレート１７０は、支持プレートと一体に形成された突起１７９をさらに含んでいてもよい。
【００４４】
図６を参照すると、別の実施形態では、キャリヤヘッド１００ｂは、内側部分１８０ｂを有する可撓膜ｌｌ８ｂ、支持プレートｌ７０のエッジの周りに延在する環状エッジ部分２００、エッジ部分２００の上端からリテーナリング１１０およびベース１０４まで径方向外向きに延在して、これらの間に固定される翼部分２０２、ならびにキャリヤヘッド内にロードされた基板の外周部分と接触する膨張可能周囲リップ部分２０６を含む。翼部分２０２は可撓膜へ一体的に接合され、図３および図５の撓み部品１１６の代わりをする。エッジ部分２００は、おおむね翼部分２０２と膨張可能リップ部分２０６との間に配置される。スペーサリング２０８は、翼部分とエッジ部分との隙間へ延在する内方延在フランジ２１０を含んでいる。後で説明するように、スペーサリングはエッジ部分をほぼ包囲し、チャンバｌ９０が加圧されるときに膨張可能リップ部分２０６の構造的完全性を維持する。
【００４５】
膨張可能リップ部分２０６は、可撓膜ｌｌ８ｂのエッジ部分２００および内側部分１８０ｂから径方向外向きに延在する。リップ部分２０６は、外周部分２００および内側部分１８０ｂとの間に位置する可撓膜の部分を上側部分２１６と下側部分２１８とに折りたたむことにより形成することができる。上側部分２１６および下側部分２１８間の空間は、チャンバ１９０と連通するポケット２２０を画成する。膨張可能リップ部分２０６の外側リム２２２は、基板に向けて傾斜させることができる。特に、膨張可能リップ部分２０６のリム２２２が支持プレート１７０上の突起１７９の下に延在するように、膨張可能リップ部分２０６は、十分に下方に延在しているのがよい。これにより、突起１７９が基板エッジへの加圧を阻止する場合であっても、基板と可撓膜ｌｌ８ｂとの間にシールを確実に形成することができる。
【００４６】
ある実施例では、可撓膜１１８ｂの内側部分１８０ｂの厚さを約２９〜３３ミルとし、エッジ部分２００の厚さを約１５０〜２５０ミルとすることができる。リップ部分２０６は、内側部分１８０ｂから約０〜３０°（例えば１５°）の角度で下方へ延在させることができ、また、エッジ部分２００を越えて約１〜５ｍｍ（例えば３．５ｍｍ）延在させることができる。
【００４７】
図７を参照すると、キャリヤヘッド１００ｂはポリシング作業中に基板へ一定の荷重をかけるように使用される。ポリシング作業を実行するには、まず基板１０が、可撓膜ｌｌ８ｂへ真空チャックされ、ポリシングパッド３２上に配置される。真空チャックの手順は、チャンバ１９０を排気し、基板１０と可撓膜１１８ｂの膨張可能リップ部分２０６との間にシールを形成することにより実行される。この手順中、可撓膜と基板との間に空気が捕捉される。この捕捉空気は、除去されないと、ポリシング作業中に硬質の物体（例えば、支持プレートから下方に延在する突起）によって基板背面へ荷重を加えるときに基板上へ力を作用させ、これにより基板への均一な荷重の付加を妨げることがある。
【００４８】
膨張可能リップ部分２０６は、捕捉空気を排除する手段を提供する。ポリシングパッド３２上に基板を配置した後、流体をチャンバ１９０に圧送してチャンバを加圧し、基板に均一な荷重を加える。膨張可能リップ部分２０６のポケット２２０は、チャンバ１９０と連通しており、流体の流入によって同じく加圧され、膨張可能リップ部分２０６を膨張させる。矢印ＡＡは、チャンバ１９０とポケット２２０の加圧を示す。ポケットが加圧されるのにともない、膨張可能リップ部分２０６が膨張する。リップ部分の膨張により、可撓膜のリブが基板から離され、それによりリップ部分と基板との間のシールが解除される。その結果、ポリシング作業開始時に荷重が基板へ加えられると、可撓膜ｌｌ８ｂと基板との間に捕捉されている空気は強制的に排出される。
【００４９】
エッジ部分２００を囲むスペーサ２０８は、チャンバ１９０およびポケット２２０内の圧力によってエッジ部分２００が過度に遠くに押し出され膨張可能リップ２０６が変形することを防止することにより、加圧手順全体を通じて、膨張可能リップ部分２０６がその構造的完全性を維持できるようにする。
【００５０】
図８および図９を参照すると、膨張可能リップ部分２０６は、ポリシング作業後に基板をポリシングパッドから取り外す信頼性の高い手段を提供する。ポリシング手順が完了すると、基板をポリシングパッドから取り外すためにチャンバ１９０が排気される。矢印ＢＢは、チャンバ１９０の排気を示す。チャンバ１９０の排気により、膨張した膨張可能リップ部分２０６は収縮し、矢印ＣＣによって示されるように、大気圧が膨張可能リップ部分２０６に働く。なお、膨張可能リップ部分２０６に大気圧が作用していることを示すために、スペーサ２０８の図示は省略している。
【００５１】
図９に示すように、チャンバ１９０のさらなる排気により、可撓膜ｌｌ８ｂが上方へ持ち上げられる。可撓膜ｌｌ８ｂと基板との間の低圧領域２８１が、可撓膜ｌｌ８ｂの持ち上げにより生成される。可撓膜１１８ｂの全体にわたる圧力差は、リップ部分２０６を基板にしっかりと押しつける。リップ部分２０６と基板との間のシール力は、可撓膜ｌｌ８ｂを基板から離そうとする力に比例する。したがって、ポリシングパッドから基板を取り外すためにキャリヤヘッド１００ｂが上方へ持ち上げられると、リップ部分２０６はしっかりと基板を保持する。
【００５２】
図１０は、ポリシング作業後におけるキャリヤヘッド１００ｂからの基板取外し手順を示している。基板がキャリヤヘッドにチャックされると、キャリヤヘッド１００ｂは基板を持ち上げてポリシングパッド３２から離し、キャリヤヘッドが搬送ステーション（図示せず）の上方に位置決めされるまでカルーセルが回転する。矢印ＤＤで示すように、チャンバ１９０およびポケット２２０が加圧される。エッジ部分２００を囲むスペーサ２０８は、チャンバ１９０およびポケット２２０内の圧力がエッジ部分２００を過度に遠くへ押し出すことを阻止するとともに膨張可能リップ部分２０６を変形させることを阻止することによって、膨張可能リップ部分２０６がその構造的完全性を維持できるようにする。チャンバ１９０およびポケット２２０の加圧により、可撓膜ｌｌ８ｂが広がり、膨張可能リップ部分２０６が膨張する。エッジ部分の膨張により、可撓膜のリムは基板から強制的に離され、それにより、リップ部分２０６と基板との間のシールが解除される。次いで、基板は、搬送ステーション上に降下する。膨張可能リップ部分２０６は、ポリシング作業後にチャンバ１９０およびポケット２２０の加圧によってキャリヤヘッドから基板を取り外す信頼性の高い手段をキャリヤヘッド１００ｂに提供する。
【００５３】
図１１を参照すると、別の実施形態において、キャリヤヘッド１００ｃは、リテーナリング１１０に固定された撓み部品１１６と、支持プレート１７０および下側クランプ１７２間に固定されたリム２２４を有する可撓膜１１８ｃと、を含んでいる。可撓膜１１８ｃは、膨張可能リップ部分２０６ｃを含んでいる。スペーサ２０８ｃは、チャンバ１９０が加圧されるときに膨張可能リップ部分２０６ｃの構造的完全性が維持されるようにエッジ部分２００ｃを包囲している。
【００５４】
図１１のキャリヤヘッド１００ｃのポリシングおよび基板取外し手順は、キャリヤヘッド１００ｂに関して前述した手順と実質的に同様である。
【００５５】
本発明を多くの実施形態の観点から説明してきたが、本発明は、図示および記載された実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ケミカルメカニカルポリシング装置の分解斜視図である。
【図２】本発明に係るキャリヤヘッドの概略断面図である。
【図３】図２のキャリヤヘッドの拡大図であり、可撓膜のエッジにある可撓リップを示す。
【図４】図２に示すキャリヤヘッドの図であり、キャリアヘッドから基板を取り外す方法を示している。
【図５】可撓膜のエッジ部分がリップ部分の上に延在するキャリヤヘッドの断面図である。
【図６】可撓膜が膨張可能リップ部分を含むキャリヤヘッドの概略断面図である。
【図７】図６のキャリヤヘッドを使用してポリシングパッド上の基板を研磨する方法を示す図である。
【図８】図６のキャリヤヘッドを使用してポリシングパッドから基板を取り外す方法を示す図である。
【図９】図６のキャリヤヘッドを使用してポリシングパッドから基板を取り外す方法を示す図である。
【図１０】図６に示すキャリヤヘッドを使用してキャリヤヘッドから基板を取り外す方法を示す図である。
【図１１】膨張可能リップ部分を備える可撓膜と別個の撓み部品とを含むキャリヤヘッドの概略断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、２０…ＣＭＰ装置、２２…マシンベース、２５…ポリシングステーション、２７…搬送ステーション、３０…プラテン、３２…ポリシングパッド、７４…キャリヤ駆動軸、７６…キャリヤヘッド回転モータ、１００…キャリヤヘッド、１０２…ハウジング、１０４…ベース、１０６…ジンバル機構、１０７…回転軸、１０８…ローディングチャンバ、１１０…リテーナリング、１１８…可撓膜、１８０…内側部分、１８２…エッジ部分、１８６…リップ部分、１９０…加圧可能チャンバ。

Claims (12)

1. 基板のケミカルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドであって、
   べースと、
   加圧可能なチャンバを画成するように前記ベースの下に延在する可撓膜と、を備え、
   前記可撓膜の下面は、基板用のマウント面を形成し、前記可撓膜は、内側部分および膨張可能外側リップ部分を含んでおり、前記リップ部分は、前記チャンバ内の圧力変化に応じて膨張または収縮するように構成され、かつ前記マウント面に接するように配置された前記基板とのシールを解除または形成するように構成されていると共に、
   前記チャンバが排気されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを形成するようになっており、前記チャンバが加圧されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを解除するようになっている、キャリヤヘッド。
2. 前記リップ部分を画成するように前記可撓膜の一部が折りたたまれる請求項１記載のキャリヤヘッド。
3. 前記リップ部分が、前記チャンバと連通するポケットを含んでいる、請求項２記載のキャリヤヘッド。
4. 前記リップ部分が、上側部分、下側部分、および前記上側部分と前記下側部分との間に配置されたポケットを含んでいる、請求項１記載のキャリヤヘッド。
5. 前記可撓膜が、前記上側部分に接合されたエッジ部分を更に含んでいる、請求項４記載のキャリヤヘッド。
6. 前記可撓膜が環状翼部分を更に含んでおり、この環状翼部分は、前記エッジ部分に接合された第１端部およびリテーナリングに固定された第２端部を有している、請求項５記載のキャリヤヘッド。
7. 前記リップ部分のエッジ部分を取り囲むスペーサを更に備える請求項１記載のキャリヤヘッド。
8. 回転ポリシングパッドと、
   キャリヤヘッドと、
   を備えるケミカルメカニカルポリシング装置であって、前記キャリヤヘッドが、
   べースと、
   加圧可能なチャンバを画成するように前記ベースの下に延在する可撓膜と、を備え、
   前記可撓膜の下面は、基板用のマウント面を形成し、前記可撓膜は、内側部分と、膨張可能外側リップ部分とを含んでおり、前記リップ部分は、基板が前記マウント面に接するように配置されたときに、前記リップ部分が前記チャンバ内の圧力変化に応じて膨張または収縮するように構成され、前記マウント面に接するように配置された前記基板とのシールを形成または解除するように前記リップ部分が配置および構成されていると共に、
   前記チャンバが排気されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを形成するようになっており、前記チャンバが加圧されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを解除するようになっている、ケミカルメカニカルポリシング装置。
9. 基板のケミカルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドのための可撓膜であって、
   内側部分と、
   エッジ部分と、
   前記エッジ部分と前記内側部分との間に接続されて、半径方向外側に延在する膨張可能外側リップ部分と、
   前記可撓膜が前記ベースの下に延在して加圧可能なチャンバを画成するように、前記エッジ部分の上端から半径方向外側に延在してベースに固定される翼部分と、
   基板用のマウント面を形成する前記可撓膜の下面と、を備え、
   前記リップ部分は、前記チャンバ内の圧力変化に応じて膨張または収縮するように構成され、かつ前記マウント面に接するように配置された前記基板とのシールを解除または形成するように構成されていると共に、
   前記チャンバが排気されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを形成するようになっており、前記チャンバが加圧されるときに前記リップ部分が前記基板とのシールを解除するようになっている、可撓膜。
10. 前記リップ部分を画成するように前記可撓膜の一部が折りたたまれる、請求項９記載の可撓膜。
11. 前記リップ部分が、前記チャンバと連通するポケットを含んでいる、請求項１０記載の可撓膜。
12. キャリヤヘッドの可撓膜のマウント面に接するように基板を位置決めするステップであって、前記キャリヤヘッドは、ベースと、前記キャリヤヘッド内で加圧可能チャンバを画成するように前記ベースの下に延在する前記可撓膜とを備え、前記マウント面は前記可撓膜の下面であり、前記可撓膜は、内側部分と、前記チャンバと連通する膨張可能外側リップ部分とを含んでおり、前記リップ部分は、前記チャンバ内の圧力変化に応じて膨張または収縮するように構成され、かつ前記マウント面に接するように配置された前記基板とのシールを解除または形成するように構成されているステップと、
    前記基板をポリシングするステップと、
    前記基板のポリシング後、前記チャンバを排気して前記リップ部分と前記基板との間にシールを形成するステップと、
    前記基板をポリシングパッドからアンローデングステーションへ搬送するステップと、
    前記チャンバを加圧して前記リップ部分を膨張させ、前記基板と前記リップ部分との間のシールを解除して、前記基板を前記アンローデングステーション上へ位置決めするステップと、
    を備えるケミカルメカニカルポリシング方法。

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