JP2000354959A - 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド - Google Patents

基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド

Info

Publication number
JP2000354959A
JP2000354959A JP2000047787A JP2000047787A JP2000354959A JP 2000354959 A JP2000354959 A JP 2000354959A JP 2000047787 A JP2000047787 A JP 2000047787A JP 2000047787 A JP2000047787 A JP 2000047787A JP 2000354959 A JP2000354959 A JP 2000354959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
carrier head
rod
rods
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000047787A
Other languages
English (en)
Inventor
Hung Chih Chen
チー チャン ハン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2000354959A publication Critical patent/JP2000354959A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 新規な化学機械研磨用のキャリアヘッドを提
供する。 【解決手段】 化学機械研磨装置用のキャリアヘッド
は、複数の独立して移動可能なロッドを有する。ロッド
は基板に圧力を加えると共に、リテーナを形成するため
に基板を取り囲む。すなわち可撓性のロッドバッキング
腔の下面に複数のロッドを互いに独立に垂直移動可能に
取り付け、被研磨物である基板10の円形の外形に対応
させ、キャリアヘッド100の空圧制御を行ない押圧力
を基板10の裏面全体に亘って均一に分散させるためキ
ャリアヘッド100は研磨ヘッド32に対し所定の位置
に所定の押圧力で、基板10を保持し、押圧することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体として基板の
化学機械研磨に関し、特に化学機械研磨用のキャリアヘ
ッドに関する。
【0002】
【従来の技術】通常、集積回路は、導電層、半導体層あ
るいは絶縁層の連続的な堆積により基板、特にシリコン
ウェーハ上に形成される。各層が堆積された後、基板は
回路図形を形成するためにエッチングされる。一連の層
が連続的に堆積されエッチングされるにつれて、基板の
外面または最上面、すなわち基板の露出面は、徐々に非
平坦になる。この非平坦面は、集積回路製造プロセスの
フォトリソグラフィ工程で問題となる。したがって、定
期的に基板表面を平坦化する必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】化学機械研磨(CM
P)は、平坦化の認められた方法の一つである。この平
坦化方法は、通常、基板がキャリアまたは研磨ヘッド上
に搭載されることを必要とする。基板の露出面は、研磨
面(たとえば、回転している研磨パッド)に接するよう
に配置される。研磨パッドは、「標準の」パッドであっ
てもよいし、固定研磨性のパッドであってもよい。標準
研磨パッドが耐久性のある粗面を有するのに対して、固
定研磨パッドは封入媒体の中に保持された研磨粒子を有
する。少なくとも一つの化学反応剤を(標準パッドが使
用されるときは、研磨粒子も)有する研磨スラリーが、
研磨パッドの表面に供給される。キャリアヘッドは、基
板に制御可能な荷重、すなわち圧力を加え、基板を研磨
パッドに押しつける。一部のキャリアヘッドは、基板用
のマウント面を与える可撓膜と、マウント面の下で基板
を保持する保持リングと、を含んでいる。可撓膜の背後
におけるチャンバの加圧または排気が、基板への荷重を
制御する。
【0004】CMPプロセスの有効性は、その研磨速
度、および得られる基板表面の仕上(小規模の粗さがな
いこと)と平坦度(大規模なトポグラフィがないこと)
によって測定することができる。研磨速度、仕上および
平坦度は、パッドとスラリーの組合せ、基板とパッドと
の間の相対速度、およびパッドに基板を押しつける力に
より決定される。
【0005】
【課題を解決するための手段】一つの態様では、本発明
はキャリアヘッドに関する。このキャリアヘッドは、ハ
ウジングと、実質的に独立に移動可能な複数のロッド
と、ロッドとハウジングとの間に位置する第一のチャン
バとを有している。このチャンバは、ロッドを基板に押
し付け、基板を取り囲んでハウジングの下に基板を保持
するように加圧可能である。
【0006】本発明の実施形態は、次の特徴を有するこ
とができる。第一チャンバの下部境界は、ハウジングに
取り付けられた可撓膜により画成することができ、ロッ
ドは可撓膜に取り付けることができる。あるいは、第一
チャンバはロッドに圧力を直接加えてもよい。ロッド
は、円形または六角形の断面、約0.06〜0.5イン
チの縦寸法、および約0.03〜0.25インチの断面
寸法を有することができる。ロッドの縦寸法は、ロッド
の断面寸法の約2倍であってもよい。ロッドは、約0.
0005〜0.005インチの間隔をおいて配置しても
よい。研磨中、ロッドが基板の周縁部のまわりに配置さ
れるようになっていてもよく、キャリアヘッドは、基板
の中央領域に接触するためのマウント面を有する可撓膜
を更に含んでいてもよい。基板の中央領域に荷重を加え
るように加圧可能な第二のチャンバを可撓膜とハウジン
グとの間に配置してもよい。ロッドは、相互に実質的に
平行に配置することができる。
【0007】別の態様では、本発明は、研磨面上に基板
を保持するキャリアヘッドに関する。このキャリアヘッ
ドは、チャンバを画成するハウジングと、チャンバの下
部境界を画成する可撓膜と、可撓膜に固定された独立に
移動可能な複数のロッドの束を有している。チャンバ内
の圧力が増加すると、ロッドが移動して基板および研磨
面に接触し、基板に力を加え基板をハウジングの実質的
に下方に保持する。
【0008】別の態様では、本発明は基板を研磨する方
法に関する。この方法では、キャリアヘッドの複数の独
立に移動可能なロッドと研磨面との間で基板が位置決め
され、これら複数のロッドに圧力が加えられる。一群の
ロッドが基板の裏面に接触し、また、第二のロッド群が
研磨面と接触して基板を取り囲み、キャリアヘッドの下
方に基板を保持する。
【0009】本発明の利点には、以下の事項が含まれう
る。リテーナと基板との間の間隔を減少させることがで
き、これにより、基板のエッジ付近における研磨の均一
性が改善される。このキャリアヘッドは、ローディング
ステーションにおける基板のミスアライメントに対して
大きな許容差を有する。また、このキャリアヘッドは、
様々な寸法および幾何学形状の基板とともに使用するこ
とができる。
【0010】本発明の他の利点と特徴は、図面および特
許請求の範囲を含む下記の説明から明白であろう。
【0011】
【発明の実施の形態】図面中の同様の参照番号は、同様
の構成要素を示す。ダッシュあるいはダブルダッシュを
付けた参照番号は、構成要素が修正された機能、動作ま
たは構造を有することを示す。
【0012】図1を参照すると、一つ以上の基板10が
化学機械研磨(CMP)装置20によって研磨される。
同様なCMP装置の説明は米国特許第5,738,57
4号に見ることができ、その開示の全部が参考文献とし
て本明細書に包含される。
【0013】CMP装置20は、一連の研磨ステーショ
ン25ならびに基板のローディングおよびアンローディ
ングのための一つの搬送ステーション27を有する。各
研磨ステーション25は、研磨パッド32が載せられた
回転プラテン30を有する。基板10が8インチ(20
0ミリメートル)あるいは12インチ(300ミリメー
トル)直径のディスクであれば、プラテン30および研
磨パッド32の直径は、それぞれ約20インチあるいは
30インチとなる。基板10が6インチ(150ミリメ
ートル)直径のディスクであれば、プラテン30および
研磨パッド32の直径は、20インチとなる。多くの研
磨プロセスに対して、プラテン駆動モータ(図示せず)
がプラテン30を毎分30から200回転で回転させる
が、より低速あるいは高速の回転速度を使用することも
できる。研磨パッドの研磨条件を維持するために、各研
磨ステーション25は、対応するパッドコンディショナ
装置40をさらに有することもできる。
【0014】反応剤(たとえば、酸化物研磨のための純
水)および化学反応触媒(たとえば、酸化物研磨のため
の水酸化カリウム)を含むスラリー50は、スラリー/
リンス共用アーム52によって研磨パッド32の表面に
供給することができる。研磨パッド32が標準のパッド
であれば、スラリー50は研磨粒子(たとえば、酸化膜
研磨のための二酸化珪素)をさらに含むこともできる。
通常、研磨パッド32全体をカバーして濡らすために十
分なスラリーが供給される。スラリー/リンスアーム5
2は、各ポリシングコンディショニングサイクルの最後
に研磨パッド32の高圧リンスを行う数個のスプレーノ
ズル(図示せず)を有する。
【0015】回転マルチヘッドカルーセル60は、セン
ターポスト62により支持され、カルーセルモータアセ
ンブリ(図示せず)によりカルーセル軸64の周りに回
転される。マルチヘッドカルーセル60は、カルーセル
支持プレート66上でカルーセル軸64の周りに等角度
間隔で搭載された四つのキャリアヘッド装置70を有す
る。キャリアヘッド装置の三つは、研磨ステーション上
に基板を位置決めする。キャリアヘッド装置の一つは、
搬送ステーションから基板を受け取り、搬送ステーショ
ンに基板を送出する。カルーセルモータは、キャリアヘ
ッド装置70、およびそれに装着された基板を、研磨ス
テーションと搬送ステーションとの間でカルーセル軸6
4の周りに旋回させることができる。
【0016】各キャリアヘッド装置70は、研磨ヘッド
あるいはキャリアヘッド100を有する。各キャリアヘ
ッド100は、自身の軸の周りを独立して回転し、カル
ーセル支持プレート66の中に形成されたラジアルスロ
ット72中で独立して横振動する。キャリアヘッド回転
モータ76(カルーセルカバー68の4分の1を取り除
いて図示されている)をキャリアヘッド100に連結す
るために、キャリア駆動軸74がスロット72を通って
延びている。各ヘッドに対して、一つのキャリア駆動軸
およびモータがある。各モータおよび駆動軸は、キャリ
アヘッドを横振動させるようにラジアル駆動モータによ
ってスロットに沿って直線的に駆動させることができる
スライダ(図示せず)上に支持されていてもよい。
【0017】実際の研磨では、キャリアヘッドのうち三
つは、三つの研磨ステーション上に位置決めされる。各
キャリアヘッド100は基板を下げて、研磨パッド32
に接触させる。一般的には、キャリアヘッド100は、
研磨パッドに対して所定の位置に基板を保持し、基板の
裏面全体にわたって力を分散させる。また、キャリアヘ
ッドは、駆動軸から基板へトルクを伝達する。
【0018】図2を参照すると、キャリアヘッド100
は、ハウジング102、ハウジングに固定されたロッド
バッキング膜104、および膜の下面に取り付けられ独
立に垂直移動可能なロッド108のアレイまたは束10
6を有する。
【0019】ハウジング102は、研磨中、駆動軸74
と共に回転軸の周りに回転するように駆動軸74に連結
することができる。この回転軸は、研磨中、研磨パッド
の表面に実質的に垂直である。ハウジング102は、研
磨される基板の円形の外形に対応するために、おおむね
円形とすることができる。キャリアヘッドの空気制御を
行うために、垂直の通路112がハウジングを貫通して
形成されていてもよい。ハウジングを貫通する通路と駆
動軸を通る対応通路との間に流体漏れのないシールを形
成するために、図示しないOリングを使用してもよい。
駆動軸とキャリアヘッドとの間の流体継手は、5月21
日に出願され、本出願の被譲渡人に譲渡された出願中の
米国特許出願番号第08/861,260号で説明され
ている。この出願の開示の全体は、参考文献として本明
細書に包含される。
【0020】膜104は、シリコンのような可撓性で弾
性のある材料から作られた略円形のシートである。たと
えば図示しないクランプや接着剤などによる流体漏れの
ないシールを形成するように膜104のエッジ114を
ハウジング102に固定することができる。膜104と
ハウジング102との間の封止空間は、ローディングチ
ャンバ110を画成する。ローディングチャンバ110
は、荷重すなわち下向きの圧力を膜104に加え、した
がってロッド108に下向きの圧力を加えるように加圧
することができる。ローディングチャンバ内の圧力を制
御し、したがってロッドに加えられる荷重を制御するた
めに、ポンプ(図示せず)を通路112によってローデ
ィングチャンバ110に流体が流れるように連結するこ
とができる。
【0021】ロッド108は、たとえば接着剤や機械的
な締着具により膜104に取り付けられ、束106を形
成している。具体的にいうと、ロッドの縦軸が相互にお
おむね平行で、研磨パッドの平面に垂直になるようにロ
ッドは配置されている。束106内のロッドは、個々の
ロッド間の小さなギャップが研磨の均一性に影響を与え
ないように十分に密に束ねられており、しかもロッドが
相互に垂直に滑動できるように十分に緩く束ねられてい
る。さらに、各ロッドが垂直に独立して少なくとも基板
の厚さ(「8インチ」基板では約27ミル)だけ動くこ
とができるように、膜104は十分に可撓性である。要
するに、個々のロッドの底面により形成された束106
の下面は、個々に垂直に調節可能な面の集合を与える。
【0022】図3(a)を参照すると、ロッド108
は、米国デラウエア州ニューアークのDuPontから市販さ
れているDelrin(商標)や、硫化ポリフェニレン(PP
S)などの低摩擦材料で作られた細長い円形のシャフト
することができる。各ロッドは、膜に隣接する上面11
6、底面118および隣接するロッドの対応する側面と
接して滑動する側面119を有する。図に示すように、
ロッド108は、円形の断面と、約0.06〜0.5イ
ンチの縦寸法Lと、約0.03〜0.25インチの断面
寸法Dを有することができる。ロッドの縦寸法は断面寸
法の約2倍とすべきである。当然、ロッドは、他の断面
形状を有していてもよい。たとえば、六角形(図3
(b)参照)や正方形であってもよい。
【0023】図4および図5を参照すると、ロッド束1
06は、保持リングおよび基板バッキング部材の両方の
機能を備えている。研磨中、基板10はキャリアヘッド
100の下方において研磨パッド32上に置かれてい
る。流体が通路112を介してチャンバ110に送り込
まれ、可撓膜118およびロッド108を下向きに押
す。基板10の上に配置されたロッド108a(図5で
は基板により隠されている)は、基板の裏面を押圧す
る。しかしながら、基板のすぐ上の領域外に配置された
ロッド108bは、研磨パッドと接触するように押さ
れ、基板を取り囲む。研磨中、研磨パッドからの摩擦力
は、「最も内側の」ロッド108b、すなわち基板に隣
接するロッドの側面に基板を押し付けることになる。し
たがって、ロッド束は、基板に圧力を加えると共に、キ
ャリアヘッドの下方に基板を保持する。ロッドと基板と
の間の「フィット」が密であるほど、研磨パッドが減圧
しなければならない空間が少なくなり、その結果、基板
エッジにおける研磨の均一性が改善される。
【0024】以下に説明するように、ロッドの断面形状
および寸法は、基板との間に小さいギャップを作りなが
ら、ロッド相互の滑動を保証するように選択される。ロ
ッド間の摩擦力が大きいほど、ロッドが滑動せずに「動
かなくなる」可能性が高いことに注目するべきである。
ロッド間の間隔、ロッドの断面寸法(D)、および隣接
するロッドの側面間の接触面積という三つの主な要因
が、これらの摩擦力および基板に対するロッドのフィッ
トに寄与する。
【0025】約0.0005インチ〜0.005インチ
である隣接ロッド間の間隔に関して、密接して束ねられ
たロッドは、小さな基板ギャップと、より均一な圧力プ
ロファイルをもたらすが、より高い摩擦係数を示す。逆
に、緩く束ねられたロッドは、低い摩擦係数を示すが、
広い基板ギャップと、より不均一な圧力プロファイルを
もたらすことになる。
【0026】ロッドの断面寸法(D)に関しては、この
断面寸法を減少させると、ロッド密度は増加し、その結
果、基板とのフィットは改善される。しかし、ロッドの
側面の表面積はDに対して線形に増減し、ロッドの上面
の表面積はDの2乗に対して線形に増減するから、断面
寸法を減少すると、ロッドに加わる圧力と相対的に摩擦
力が増加することになる。逆に、断面寸法を増加する
と、基板とのフィットは悪化するであろうが、摩擦力は
減少することになる。
【0027】ロッドの側面間の接触面積も、ロッドの断
面形状に依存する。たとえば、円形のロッドは比較的狭
い細片に沿ってのみ相互に接触するが、六角形あるいは
正方形のロッドはロッドの全面に沿って相互に接触す
る。より大きい接触面積をもたらす断面形状を用いると
(たとえば、円形のロッドの代わりに、六角形のロッド
を使用することにより)、基板フィットは改善するが、
摩擦力も増加する。逆に、接触面積を減少すると、基板
フィットは悪化するが、摩擦力は減少する。円形のロッ
ドは、摩擦力を減少させるために密に束ねられた束で使
用することができ、一方、六角形のロッドは、基板フィ
ットを改善するために緩く束ねられた束で使用すること
ができる。
【0028】基板を囲むロッドは、リテーナを形成する
ように研磨パッドに押し付けられる。上述したように、
キャリアヘッドは、様々な直径および様々な幾何学形状
(たとえば、ノッチ付きウェーハやフラット付きウェー
ハ)を有する基板に自己フィッティングする。ロッドは
自己フィッティングするので、従来の保持リング(図5
に実線Aで示す)と比較して、基板とリテーナエッジと
の間のギャップを大幅に減少することが可能である。さ
らに、このキャリアヘッドは、基板のミスアライメント
に対して大きい許容差を有する。搬送ステーションある
いは研磨ステーションにおいて基板がロードされると
き、ロッドは、水平位置にかかわらず、基板を囲むよう
に適応するであろう。さらに、ロッドの上面に加わる圧
力は、ロッドの底面が摩耗するにつれて、ロッドを下方
に移動させる。したがって、不均一な摩耗パターンに影
響されにくいリテーナをロッド束は提供する。
【0029】図6を参照すると、別の実施形態では、キ
ャリアヘッド100′は可撓膜を有していない。代わり
に、ロッド108′の上面に圧力が直接加えられる。キ
ャリアヘッドが研磨パッドから持ち上げられるとき、キ
ャリアヘッド中で束を保持するために、チャンバ11
0′に真空が加えられる。この例では、ロッド間の圧力
漏れを補償するために、真空ソースは十分に高い流量を
必要とする。
【0030】図7を参照すると、別の実施形態では、キ
ャリアヘッド100″は、基板の裏面と接触する可撓膜
120およびロッド108″の束106″を共に有して
いる。具体的にいうと、ロッド108″は、膜120の
周りの環状領域に配置することができる。膜120の下
面122は、基板の中央領域に圧力を加えるためのマウ
ント面を提供する。ロッド108″はリテーナとして機
能し、圧力を基板の周縁領域に加える。ロッド108″
およびハウジング102″間の空間は、環状の第一の加
圧可能チャンバ110″を画成し、また、第一のポンプ
(図示せず)が通路112″によりチャンバ110″に
流体が流れるように連結されてチャンバ内の圧力、ひい
てはロッド108″への下向きの力を制御するようにな
っていてもよい。可撓膜120とハウジング102″と
の間の封止空間は、第二の加圧可能チャンバ124を画
成する。チャンバ124内の圧力、ひいては可撓膜12
0の基板への下向きの力を制御するために、第二のポン
プ(図示せず)がハウジング102″内の通路126に
よりチャンバ124に流体が流れるように連結されてい
てもよい。さらに、可撓膜120を上方へ引き上げ、そ
れにより基板をキャリアヘッドに真空チャックするため
に、チャンバ124を排気してもよい。
【0031】多数の実施形態の観点から本発明を説明し
てきたが、本発明は本明細書に示して説明した実施形態
に制限されるものではなく、本発明の範囲は、特許請求
の範囲により規定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】化学機械研磨装置の分解斜視図である。
【図2】本発明に係るキャリアヘッドの概略断面図であ
る。
【図3】(a)は円形の断面を有するロッドの斜視図で
あり、(b)は六角形の断面を有するロッドの斜視図で
ある。
【図4】基板を研磨するために使用される図2のキャリ
アヘッドの概略断面図である。
【図5】基板がロードされた図2のキャリアヘッドの概
略底面図である。
【図6】ロッドがバッキング膜に取り付けられていない
キャリアヘッドの概略断面図である。
【図7】ロッドと基板バッキング膜の双方を有するキャ
リアヘッドの概略断面図である。
【符号の説明】
10…基板、25…研磨ステーション、27…搬送ステ
ーション、30…回転プラテン、32…研磨パッド、4
0…パッドコンディショナ装置、50…スラリー、52
…スラリー/リンスアーム、60…マルチヘッドカルー
セル、62…センターポスト、64…カルーセル軸、7
0…キャリアヘッド装置、74…キャリア駆動軸、76
…キャリアヘッド回転モータ、100…キャリアヘッ
ド、102…ハウジング、104…ロッドバッキング
膜、106…ロッド束、108…ロッド、110…ロー
ディングチャンバ、124…加圧可能チャンバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C058 AA07 AA12 AB04 BA05 BB04 CB01 CB10 DA12 DA17

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ハウジングと、 実質的に独立に移動可能な複数のロッドと、 前記ロッドと前記ハウジングとの間に位置する第一のチ
    ャンバであって、前記ロッドを基板に押し付け、前記基
    板を取り囲んで前記ハウジングの下に前記基板を保持す
    るように加圧可能な第一チャンバと、を備えるキャリア
    ヘッド。
  2. 【請求項2】 前記第一チャンバの下部境界が、前記ハ
    ウジングに取り付けられた可撓膜により画成されてい
    る、請求項1記載のキャリアヘッド。
  3. 【請求項3】 前記ロッドが前記可撓膜に取り付けられ
    ている請求項2記載のキャリアヘッド。
  4. 【請求項4】 前記第一チャンバが前記ロッドに圧力を
    直接加える請求項2記載のキャリアヘッド。
  5. 【請求項5】 前記ロッドが円形の断面を有する請求項
    1記載のキャリアヘッド。
  6. 【請求項6】 前記ロッドが六角形の断面を有する請求
    項1記載のキャリアヘッド。
  7. 【請求項7】 前記ロッドが約0.06〜0.5インチ
    の縦寸法を有する請求項1記載のキャリアヘッド。
  8. 【請求項8】 前記ロッドが約0.03〜0.25イン
    チの断面寸法を有する請求項1記載のキャリアヘッド。
  9. 【請求項9】 前記ロッドが、前記ロッドの断面寸法の
    約2倍の縦寸法を有する、請求項1記載のキャリアヘッ
    ド。
  10. 【請求項10】 前記ロッドが、約0.0005〜0.
    005インチの間隔をおいて配置されている、請求項1
    記載のキャリアヘッド。
  11. 【請求項11】 研磨中、前記ロッドが前記基板の周縁
    部のまわりに配置されるようになっており、前記基板の
    中央領域に接触するためのマウント面を有する可撓膜を
    更に備える請求項1記載のキャリアヘッド。
  12. 【請求項12】 前記可撓膜と前記ハウジングとの間に
    配置され、前記基板の中央領域に荷重を加えるように加
    圧可能な第二のチャンバを更に備える請求項11記載の
    キャリアヘッド。
  13. 【請求項13】 前記ロッドが相互に実質的に平行に配
    置されている請求項1記載のキャリアヘッド。
  14. 【請求項14】 研磨面上に基板を保持するキャリアヘ
    ッドであって、 チャンバを画成するハウジングと、 前記チャンバの下部境界を画成する可撓膜と、 独立に移動可能な複数のロッドの束であって、前記チャ
    ンバ内の圧力が増加すると、前記ロッドが移動して前記
    基板および前記研磨面に接触し、前記基板に力を加え前
    記基板を前記ハウジングの実質的に下方に保持するよう
    に前記可撓膜に固定されたロッドの束と、を備えるキャ
    リアヘッド。
  15. 【請求項15】 キャリアヘッドの複数の独立に移動可
    能なロッドと研磨面との間で基板を位置決めするステッ
    プと、 一群のロッドが前記基板の裏面に接触し、第二のロッド
    群が前記研磨面と接触して前記基板を取り囲み前記キャ
    リアヘッドの下方に前記基板を保持するように、前記複
    数のロッドに圧力を加えるステップと、を備える基板研
    磨方法。
JP2000047787A 1999-06-10 2000-02-24 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド Pending JP2000354959A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/330,243 US6050882A (en) 1999-06-10 1999-06-10 Carrier head to apply pressure to and retain a substrate
US09/330243 1999-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000354959A true JP2000354959A (ja) 2000-12-26

Family

ID=23288908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000047787A Pending JP2000354959A (ja) 1999-06-10 2000-02-24 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6050882A (ja)
EP (1) EP1059142A3 (ja)
JP (1) JP2000354959A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2020416A1 (en) 2000-08-10 2009-02-04 Takeda Pharmaceutical Company Limited Phosphonocephem compound
KR20190005383A (ko) * 2017-07-06 2019-01-16 주식회사 케이씨텍 슬러리 공급 유닛 및 이를 구비하는 기판 연마 장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69937181T2 (de) * 1998-04-28 2008-06-19 Ebara Corp. Polierschleifscheibe und substrat polierverfahren mit hilfe dieser schleifscheibe
US6422927B1 (en) * 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6050882A (en) 1999-06-10 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Carrier head to apply pressure to and retain a substrate
US6494774B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressure transfer mechanism
US6722963B1 (en) 1999-08-03 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane
US6290584B1 (en) * 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
DE60024559T2 (de) * 1999-10-15 2006-08-24 Ebara Corp. Verfahren und Gerät zum Polieren eines Werkstückes
JP3753577B2 (ja) 1999-11-16 2006-03-08 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
US6663466B2 (en) * 1999-11-17 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detector
US6726537B1 (en) * 2000-04-21 2004-04-27 Agere Systems Inc. Polishing carrier head
US6375550B1 (en) * 2000-06-05 2002-04-23 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for enhancing uniformity during polishing of a semiconductor wafer
JP2004505435A (ja) * 2000-06-08 2004-02-19 スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション オービタル研磨装置
US6652362B2 (en) * 2000-11-23 2003-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for polishing a semiconductor wafer and method therefor
WO2002047139A2 (en) * 2000-12-04 2002-06-13 Ebara Corporation Methode of forming a copper film on a substrate
US6769973B2 (en) * 2001-05-31 2004-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
US6863771B2 (en) * 2001-07-25 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Differential pressure application apparatus for use in polishing layers of semiconductor device structures and methods
KR100416808B1 (ko) * 2002-02-04 2004-01-31 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 씨엠피장치의 연마헤드 및 이를 구비한씨엠피장치
KR100506934B1 (ko) * 2003-01-10 2005-08-05 삼성전자주식회사 연마장치 및 이를 사용하는 연마방법
KR100586018B1 (ko) * 2004-02-09 2006-06-01 삼성전자주식회사 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치
US20060128540A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Engle Vincent K Apparatus for circuit and other fitness training
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US9039488B2 (en) 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US8998677B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US8998678B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US8845394B2 (en) 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
US9011207B2 (en) 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US9620953B2 (en) 2013-03-25 2017-04-11 Wen Technology, Inc. Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers
US10734149B2 (en) 2016-03-23 2020-08-04 Wen Technology Inc. Electro-permanent magnetic devices including unbalanced switching and permanent magnets and related methods and controllers
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
KR20210008276A (ko) * 2019-07-12 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 화학 기계적 연마 장치, 화학 기계적 연마 방법 및 이를 이용한 표시장치 제조 방법
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
US11325223B2 (en) * 2019-08-23 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with segmented substrate chuck
US11511390B2 (en) * 2019-08-30 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Pivotable substrate retaining ring
US11660721B2 (en) 2021-02-18 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Dual loading retaining ring
US20230063687A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Apparatus for polishing a wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0387559U (ja) * 1989-12-18 1991-09-05
JPH0740236A (ja) * 1993-07-26 1995-02-10 Hitachi Ltd 多層配線基板の平坦化加工方法
JPH08257901A (ja) * 1995-03-22 1996-10-08 Ebara Corp トップリング装置
JPH09225821A (ja) * 1996-02-27 1997-09-02 Ebara Corp ポリッシング装置および方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
JPH07241764A (ja) * 1994-03-04 1995-09-19 Fujitsu Ltd 研磨装置と研磨方法
JP3550180B2 (ja) * 1994-04-28 2004-08-04 同和鉱業株式会社 ウェハの搬送方法および搬送装置
US5720845A (en) * 1996-01-17 1998-02-24 Liu; Keh-Shium Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection
US5662518A (en) * 1996-05-03 1997-09-02 Coburn Optical Industries, Inc. Pneumatically assisted unidirectional conformal tool
US5888120A (en) * 1997-09-29 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for chemical mechanical polishing
US6050882A (en) 1999-06-10 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Carrier head to apply pressure to and retain a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0387559U (ja) * 1989-12-18 1991-09-05
JPH0740236A (ja) * 1993-07-26 1995-02-10 Hitachi Ltd 多層配線基板の平坦化加工方法
JPH08257901A (ja) * 1995-03-22 1996-10-08 Ebara Corp トップリング装置
JPH09225821A (ja) * 1996-02-27 1997-09-02 Ebara Corp ポリッシング装置および方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2020416A1 (en) 2000-08-10 2009-02-04 Takeda Pharmaceutical Company Limited Phosphonocephem compound
KR20190005383A (ko) * 2017-07-06 2019-01-16 주식회사 케이씨텍 슬러리 공급 유닛 및 이를 구비하는 기판 연마 장치
KR101966952B1 (ko) * 2017-07-06 2019-04-18 주식회사 케이씨텍 슬러리 공급 유닛 및 이를 구비하는 기판 연마 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6050882A (en) 2000-04-18
US6220944B1 (en) 2001-04-24
EP1059142A2 (en) 2000-12-13
EP1059142A3 (en) 2003-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000354959A (ja) 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド
JP4223682B2 (ja) ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド
JP4427191B2 (ja) 化学機械研磨用可撓メンブレン付キャリアヘッド
US6776694B2 (en) Methods for carrier head with multi-part flexible membrane
US6506104B2 (en) Carrier head with a flexible membrane
US6277009B1 (en) Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6431968B1 (en) Carrier head with a compressible film
JP4422325B2 (ja) 化学的機械研磨装置のための局部圧力制御装置を有するキャリヤヘッド
US6036587A (en) Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US6979250B2 (en) Carrier head with flexible membrane to provide controllable pressure and loading area
US6361419B1 (en) Carrier head with controllable edge pressure
JP2002524281A (ja) 基板を化学機械的に研磨するためのキャリアヘッド
JP4750250B2 (ja) 変更された可撓膜を有するキャリアヘッド
US20030171076A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface for slurry distribution
JP2002514517A (ja) 化学的/機械的研磨システムに用いる保持リングを備えたキャリヤヘッド
JP2001135602A (ja) 圧力伝達機構を有するキャリヤヘッド
KR100636455B1 (ko) 화학 기계적 연마를 위한 제어가능한 압력 및 부하 영역을갖는 캐리어 헤드
JPH08339979A (ja) 被研磨基板の保持装置及び基板の研磨方法
JP2004534660A (ja) 研摩材料を保持するためのプラテン
KR20010039710A (ko) 변조된 가요성 막을 가진 캐리어 헤드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091215

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091218

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100316