JPH08257901A - トップリング装置 - Google Patents
トップリング装置Info
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- JPH08257901A JPH08257901A JP8871395A JP8871395A JPH08257901A JP H08257901 A JPH08257901 A JP H08257901A JP 8871395 A JP8871395 A JP 8871395A JP 8871395 A JP8871395 A JP 8871395A JP H08257901 A JPH08257901 A JP H08257901A
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- JP
- Japan
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- top ring
- polishing
- wafer
- protrusion
- polishing apparatus
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 トップリングのウエハ保持面の形状を凸型に
形成することにより、研磨面内での押圧力分布をウエハ
中心部の圧力が高くなるような分布になるようにし、ウ
エハ研磨面の中心部の研磨不足による研磨の不均一を解
消し、高精度の平坦度を得ることを可能にするポリッシ
ング装置を提供する。 【構成】 各々独立に回転するトップリング３とターン
テーブル１とを有し、トップリング３とターンテーブル
１との間に半導体ウエハ２を介在させ、所定の力で押圧
することによってウエハの表面を研磨するポリッシング
装置において、トップリング３は下方に突出可能な突出
部１１，１２，１３と突出部１１，１２，１３を駆動す
る突出駆動部１４，１５，１６とを有し、トップリング
３のウエハ保持面が突出可能であって、凸面を形成す
る。
形成することにより、研磨面内での押圧力分布をウエハ
中心部の圧力が高くなるような分布になるようにし、ウ
エハ研磨面の中心部の研磨不足による研磨の不均一を解
消し、高精度の平坦度を得ることを可能にするポリッシ
ング装置を提供する。 【構成】 各々独立に回転するトップリング３とターン
テーブル１とを有し、トップリング３とターンテーブル
１との間に半導体ウエハ２を介在させ、所定の力で押圧
することによってウエハの表面を研磨するポリッシング
装置において、トップリング３は下方に突出可能な突出
部１１，１２，１３と突出部１１，１２，１３を駆動す
る突出駆動部１４，１５，１６とを有し、トップリング
３のウエハ保持面が突出可能であって、凸面を形成す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に係
り、特に半導体ウエハの表面を平坦かつ鏡面に研磨する
ポリッシング装置に関する。
り、特に半導体ウエハの表面を平坦かつ鏡面に研磨する
ポリッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積が進むに
つれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くな
りつつある。特に、０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の一手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
従来、この種のポリッシング装置は、各々独立した回転
数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、
トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、タ
ーンテーブル上の砥液を含んだ研磨布とトップリングと
の間にポリッシング対象物を介在させて該ポリッシング
対象物を保持して研磨していた。
つれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くな
りつつある。特に、０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の一手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
従来、この種のポリッシング装置は、各々独立した回転
数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、
トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、タ
ーンテーブル上の砥液を含んだ研磨布とトップリングと
の間にポリッシング対象物を介在させて該ポリッシング
対象物を保持して研磨していた。
【０００３】上述したポリッシング装置の性能は、ポリ
ッシング対象物の高精度な平坦度が要求される。近年の
半導体デバイス技術においては、ポリッシング対象物、
特に半導体ウエハの研磨面の高低差は±２００オングス
トローム（０．０２μｍ）以下であることが望ましい。
したがって、ポリッシング時に半導体ウエハを保持する
保持面、すなわちトップリングの下端面、および半導体
ウエハに接する研磨布の接触面、ひいてはターンテーブ
ルの研磨布の張り付け面は高精度な平坦度を有するもの
が望ましいと考えられ、用いられてきた。
ッシング対象物の高精度な平坦度が要求される。近年の
半導体デバイス技術においては、ポリッシング対象物、
特に半導体ウエハの研磨面の高低差は±２００オングス
トローム（０．０２μｍ）以下であることが望ましい。
したがって、ポリッシング時に半導体ウエハを保持する
保持面、すなわちトップリングの下端面、および半導体
ウエハに接する研磨布の接触面、ひいてはターンテーブ
ルの研磨布の張り付け面は高精度な平坦度を有するもの
が望ましいと考えられ、用いられてきた。
【０００４】また、ポリッシング装置の研磨作用におよ
ぼす要因は、トップリングの保持面および研磨布の接触
面の形状だけでなく、研磨布と半導体ウエハの相対速
度、半導体ウエハの研磨面上の押圧力の分布、研磨布上
の砥液の量、研磨布の使用時間等が影響することが知ら
れている。すなわち、これらの要素を半導体ウエハの研
磨面全面で等しくすれば、高精度な平坦度が得られると
考えられる。
ぼす要因は、トップリングの保持面および研磨布の接触
面の形状だけでなく、研磨布と半導体ウエハの相対速
度、半導体ウエハの研磨面上の押圧力の分布、研磨布上
の砥液の量、研磨布の使用時間等が影響することが知ら
れている。すなわち、これらの要素を半導体ウエハの研
磨面全面で等しくすれば、高精度な平坦度が得られると
考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のポリッシング装置においては、研磨対象ウエハの
半径が大きくなってくると、研磨砥液が中心部に入らず
中心部分が研磨されないという問題点があった。本発明
は、上述の点に鑑みてなされたもので、トップリングの
ウエハ保持面の形状を凸型に形成することにより、研磨
面内での押圧力分布をウエハ中心部の圧力が高くなるよ
うな分布になるようにし、ウエハ研磨面の中心部の研磨
不足による研磨の不均一を解消し、高精度の平坦度を得
ることを可能にするポリッシング装置を提供することを
目的とする。
従来のポリッシング装置においては、研磨対象ウエハの
半径が大きくなってくると、研磨砥液が中心部に入らず
中心部分が研磨されないという問題点があった。本発明
は、上述の点に鑑みてなされたもので、トップリングの
ウエハ保持面の形状を凸型に形成することにより、研磨
面内での押圧力分布をウエハ中心部の圧力が高くなるよ
うな分布になるようにし、ウエハ研磨面の中心部の研磨
不足による研磨の不均一を解消し、高精度の平坦度を得
ることを可能にするポリッシング装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明の第１の態様は、各々独立に回転するトッ
プリングとターンテーブルとを有し、前記トップリング
と前記ターンテーブルとの間に半導体ウエハを介在さ
せ、所定の力で押圧することによって前記ウエハの表面
を研磨するポリッシング装置において、前記トップリン
グが下方に突出可能な突出部と該突出部を駆動する突出
駆動部とを有し、前記トップリングのウエハ保持面が突
出可能であって、凸面を形成することを特徴とするもの
である。
ため、本発明の第１の態様は、各々独立に回転するトッ
プリングとターンテーブルとを有し、前記トップリング
と前記ターンテーブルとの間に半導体ウエハを介在さ
せ、所定の力で押圧することによって前記ウエハの表面
を研磨するポリッシング装置において、前記トップリン
グが下方に突出可能な突出部と該突出部を駆動する突出
駆動部とを有し、前記トップリングのウエハ保持面が突
出可能であって、凸面を形成することを特徴とするもの
である。
【０００７】また本発明の第２の態様は、各々独立に回
転するトップリングとターンテーブルとを有し、前記ト
ップリングと前記ターンテーブルとの間に半導体ウエハ
を介在させ、所定の力で押圧することによって前記ウエ
ハの表面を研磨するポリッシング装置において、前記ト
ップリングのウエハ保持面の中心部が円柱状に突出して
いることを特徴とするものである。
転するトップリングとターンテーブルとを有し、前記ト
ップリングと前記ターンテーブルとの間に半導体ウエハ
を介在させ、所定の力で押圧することによって前記ウエ
ハの表面を研磨するポリッシング装置において、前記ト
ップリングのウエハ保持面の中心部が円柱状に突出して
いることを特徴とするものである。
【０００８】さらに本発明の第３の態様は、各々独立に
回転するトップリングとターンテーブルとを有し、前記
トップリングと前記ターンテーブルとの間に半導体ウエ
ハを介在させ、所定の力で押圧することによって前記ウ
エハの表面を研磨するポリッシング装置において、前記
トップリングのウエハ保持面が球面状に突出しているこ
とを特徴とするものである。
回転するトップリングとターンテーブルとを有し、前記
トップリングと前記ターンテーブルとの間に半導体ウエ
ハを介在させ、所定の力で押圧することによって前記ウ
エハの表面を研磨するポリッシング装置において、前記
トップリングのウエハ保持面が球面状に突出しているこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、トップリングのウエハ保持面
の形状を凸形に形成することにより、研磨面内での押圧
力分布をウエハ中心部の圧力が高くなるような分布にな
るようにし、ウエハ研磨面の中心部の研磨不足による研
磨の不均一を解消し、半導体ウエハの平坦度を得ること
ができる。
の形状を凸形に形成することにより、研磨面内での押圧
力分布をウエハ中心部の圧力が高くなるような分布にな
るようにし、ウエハ研磨面の中心部の研磨不足による研
磨の不均一を解消し、半導体ウエハの平坦度を得ること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置の実施
例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のポリッ
シング装置の全体構成を示す縦断面図である。図１に示
されるように、ポリッシング装置は、ターンテーブル１
と、半導体ウエハ２を保持しつつターンテーブル１に押
しつけるトップリング３とを具備している。前記ターン
テーブル１はモータ（図示せず）に連結されており、矢
印で示すようにその軸心回わりに回転可能になってい
る。またターンテーブル１の上面には、研磨布４が貼設
されている。
例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のポリッ
シング装置の全体構成を示す縦断面図である。図１に示
されるように、ポリッシング装置は、ターンテーブル１
と、半導体ウエハ２を保持しつつターンテーブル１に押
しつけるトップリング３とを具備している。前記ターン
テーブル１はモータ（図示せず）に連結されており、矢
印で示すようにその軸心回わりに回転可能になってい
る。またターンテーブル１の上面には、研磨布４が貼設
されている。
【００１１】またトップリング３は、モータ（図示せ
ず）に連結されるとともに昇降シリンダ（図示せず）に
連結されている。これによって、トップリング３は、矢
印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能
になっており、半導体ウエハ２を研磨布４に対して任意
の圧力で押圧することができるようになっている。な
お、トップリング３の下部外周部には、半導体ウエハ２
の外れ止めを行うガイドリング６が設けられている。
ず）に連結されるとともに昇降シリンダ（図示せず）に
連結されている。これによって、トップリング３は、矢
印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能
になっており、半導体ウエハ２を研磨布４に対して任意
の圧力で押圧することができるようになっている。な
お、トップリング３の下部外周部には、半導体ウエハ２
の外れ止めを行うガイドリング６が設けられている。
【００１２】また、ターンテーブル１の上方には研磨砥
液ノズル５が設置されており、研磨砥液ノズル５によっ
てターンテーブル１に張り付けられた研磨布４上に研磨
砥液Ｑが供給されるようになっている。
液ノズル５が設置されており、研磨砥液ノズル５によっ
てターンテーブル１に張り付けられた研磨布４上に研磨
砥液Ｑが供給されるようになっている。
【００１３】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング３の下面に半導体ウエハ２を保持させ、半導
体ウエハ２を回転しているターンテーブル１の上面の研
磨布４に昇降シリンダにより押圧する。一方、研磨砥液
ノズル５から研磨砥液Ｑを流すことにより、研磨布４に
研磨砥液Ｑが保持されており、半導体ウエハ２の研磨さ
れる面（下面）と研磨布４の間に研磨砥液Ｑが存在した
状態でポリッシングが行われる。
ップリング３の下面に半導体ウエハ２を保持させ、半導
体ウエハ２を回転しているターンテーブル１の上面の研
磨布４に昇降シリンダにより押圧する。一方、研磨砥液
ノズル５から研磨砥液Ｑを流すことにより、研磨布４に
研磨砥液Ｑが保持されており、半導体ウエハ２の研磨さ
れる面（下面）と研磨布４の間に研磨砥液Ｑが存在した
状態でポリッシングが行われる。
【００１４】図２および図３は、本実施例のトップリン
グの詳細を示す図であり、図２はトップリングの縦断面
図、図３はトップリングの下から見た底面図である。本
実施例では、トップリング３内に独立に下方に突出可能
な部分が３つ形成されている。すなわち図２に示される
ように、トップリング３には、中央部に円柱状の突出部
１１及び該突出部１１を突出駆動する突出駆動部１４
と、前記突出部１１の周囲を囲むように設けられた円筒
状の第２の突出部１２及びその突出駆動部１５と、前記
突出部１２の周囲を囲むように設けられた円筒状の第３
の突出部１３及びその突出駆動部１６とが設けられてい
る。
グの詳細を示す図であり、図２はトップリングの縦断面
図、図３はトップリングの下から見た底面図である。本
実施例では、トップリング３内に独立に下方に突出可能
な部分が３つ形成されている。すなわち図２に示される
ように、トップリング３には、中央部に円柱状の突出部
１１及び該突出部１１を突出駆動する突出駆動部１４
と、前記突出部１１の周囲を囲むように設けられた円筒
状の第２の突出部１２及びその突出駆動部１５と、前記
突出部１２の周囲を囲むように設けられた円筒状の第３
の突出部１３及びその突出駆動部１６とが設けられてい
る。
【００１５】上述の各突出部１１，１２，１３には、ト
ップリング３の本体と同じ材質が用いられ、一般的には
セラミックス等が使用される。また、上述の各突出駆動
部１４，１５，１６にはピエゾ素子が用いられている。
ピエゾ素子は、電圧を印加すると膨張する性質を持って
おり、印加する電圧の大きさを変化させることにより膨
張を制御することが可能である。また、ピエゾ素子の材
質としてはＰＺＴ系セラミックス、高分子材料、半導
体、水晶等があるが、汎用的にはＰＺＴ系セラミックス
が使用されている。
ップリング３の本体と同じ材質が用いられ、一般的には
セラミックス等が使用される。また、上述の各突出駆動
部１４，１５，１６にはピエゾ素子が用いられている。
ピエゾ素子は、電圧を印加すると膨張する性質を持って
おり、印加する電圧の大きさを変化させることにより膨
張を制御することが可能である。また、ピエゾ素子の材
質としてはＰＺＴ系セラミックス、高分子材料、半導
体、水晶等があるが、汎用的にはＰＺＴ系セラミックス
が使用されている。
【００１６】各々のピエゾ素子上部には端子１７，１
８，１９が設けられ、ここからピエゾ素子に電圧が印加
される。トップリング３の外部には、供給電源２１及び
電圧制御器２０が載置され、電圧供給及び供給電圧の制
御を行う。これにより各々の突出駆動部１４，１５，１
６への印加電圧を制御し、各々について所望の突出部１
１，１２，１３の突出量のバランスを変えることによ
り、微妙な調整を行うことができる。
８，１９が設けられ、ここからピエゾ素子に電圧が印加
される。トップリング３の外部には、供給電源２１及び
電圧制御器２０が載置され、電圧供給及び供給電圧の制
御を行う。これにより各々の突出駆動部１４，１５，１
６への印加電圧を制御し、各々について所望の突出部１
１，１２，１３の突出量のバランスを変えることによ
り、微妙な調整を行うことができる。
【００１７】図４は、図２に示すトップリングの動作状
態を示す図であり、中央部の円柱状の突出部１１が最も
突出し、第２の突出部１２が次に突出し、第３の突出部
１３が最も突出していない。本例では、各々の突出部１
１，１２，１３の突出量は、例えば突出部１１が３０μ
ｍ、第２の突出部が２０μｍ、第３の突出部が１０μｍ
に設定されており、階段状のウエハ保持面が形成されて
いる。前述したように各突出量は独立に設定可能であ
り、所望の凸状のウエハ保持面が形成可能である。
態を示す図であり、中央部の円柱状の突出部１１が最も
突出し、第２の突出部１２が次に突出し、第３の突出部
１３が最も突出していない。本例では、各々の突出部１
１，１２，１３の突出量は、例えば突出部１１が３０μ
ｍ、第２の突出部が２０μｍ、第３の突出部が１０μｍ
に設定されており、階段状のウエハ保持面が形成されて
いる。前述したように各突出量は独立に設定可能であ
り、所望の凸状のウエハ保持面が形成可能である。
【００１８】図５は本発明のトップリングの第２実施例
を示す縦断面図である。本実施例においては、突出部１
１ａが１つだけであり、ウエハ保持面には薄板２４が用
いられている。第１実施例と同様に、突出駆動部１４ａ
にはピエゾ素子が用いられている。またピエゾ素子上部
に端子１７ａを設け、外部に電源２１ａ及び電圧制御器
２０ａを具備するのも、第１実施例で示したものと同様
である。
を示す縦断面図である。本実施例においては、突出部１
１ａが１つだけであり、ウエハ保持面には薄板２４が用
いられている。第１実施例と同様に、突出駆動部１４ａ
にはピエゾ素子が用いられている。またピエゾ素子上部
に端子１７ａを設け、外部に電源２１ａ及び電圧制御器
２０ａを具備するのも、第１実施例で示したものと同様
である。
【００１９】突出部１１ａの周囲２５はトップリング本
体と同じ材質で形成されている。薄板２４の材質は、突
出高が５〜４０μｍに調整されるような適度の硬度を備
えたものが望ましい。本実施例においては、ウエハ保持
面に薄板２４を介在させるため、ウエハ保持面の形状は
滑らかな凸面を形成する。このため、薄板２４が一種の
緩衝板として働き、押圧力の局部集中が回避され、押圧
力が広い範囲に分散される。
体と同じ材質で形成されている。薄板２４の材質は、突
出高が５〜４０μｍに調整されるような適度の硬度を備
えたものが望ましい。本実施例においては、ウエハ保持
面に薄板２４を介在させるため、ウエハ保持面の形状は
滑らかな凸面を形成する。このため、薄板２４が一種の
緩衝板として働き、押圧力の局部集中が回避され、押圧
力が広い範囲に分散される。
【００２０】なお、第１実施例及び第２実施例に示した
突出駆動部に用いるものはピエゾ素子に限定するもので
はなく、空気圧・油圧により作動するシリンダ、電流を
流すことにより斥力を発生する電磁石等を用いても良
い。空圧シリンダを用いた場合には空気圧供給源及び空
気圧調節器が設置され、油圧シリンダを用いた場合には
油圧供給源及び油圧調節器が設置される。
突出駆動部に用いるものはピエゾ素子に限定するもので
はなく、空気圧・油圧により作動するシリンダ、電流を
流すことにより斥力を発生する電磁石等を用いても良
い。空圧シリンダを用いた場合には空気圧供給源及び空
気圧調節器が設置され、油圧シリンダを用いた場合には
油圧供給源及び油圧調節器が設置される。
【００２１】図６は本発明のトップリングの第３実施例
を示す縦断面図である。本実施例においては、トップリ
ング３のトップリング本体の中央部に一体に円柱状の突
出部２６が形成されている。トップリング３のウエハ保
持面の直径は２００ｍｍ程度であり、突出部２６の直径
は５０〜１００ｍｍ程度である。また、突出部２６の高
さは５〜４０μｍ程度である。
を示す縦断面図である。本実施例においては、トップリ
ング３のトップリング本体の中央部に一体に円柱状の突
出部２６が形成されている。トップリング３のウエハ保
持面の直径は２００ｍｍ程度であり、突出部２６の直径
は５０〜１００ｍｍ程度である。また、突出部２６の高
さは５〜４０μｍ程度である。
【００２２】図７は、通常の平坦な形状のトップリング
のウエハ保持面中央部に、図６の突出部２６と同じ寸法
の薄板２６ａを介在させたものである。図６の実施例に
おいては、突出部２６がトップリング本体と一体である
ため、突出部寸法の変更ができないが、図７の実施例に
おいては、薄板２６ａが交換可能であるため、薄板２６
ａの直径及び厚さは任意のものにすることができ、ウエ
ハの特性等に合わせた形状にすることが可能である。
のウエハ保持面中央部に、図６の突出部２６と同じ寸法
の薄板２６ａを介在させたものである。図６の実施例に
おいては、突出部２６がトップリング本体と一体である
ため、突出部寸法の変更ができないが、図７の実施例に
おいては、薄板２６ａが交換可能であるため、薄板２６
ａの直径及び厚さは任意のものにすることができ、ウエ
ハの特性等に合わせた形状にすることが可能である。
【００２３】図８は本発明のトップリングの第４実施例
を示す縦断面図である。本実施例においては、トップリ
ング３のウエハ保持面が球面状に突出して形成されてい
る。図６の実施例と同様、トップリングの直径は２００
ｍｍ程度、突出部２６ｂの高さは５〜４０μｍ程度であ
る。本実施例によれば、突出部は滑らかな凸面を形成し
ているため、押圧力の局部集中が回避され、押圧力は広
い範囲に分散される。
を示す縦断面図である。本実施例においては、トップリ
ング３のウエハ保持面が球面状に突出して形成されてい
る。図６の実施例と同様、トップリングの直径は２００
ｍｍ程度、突出部２６ｂの高さは５〜４０μｍ程度であ
る。本実施例によれば、突出部は滑らかな凸面を形成し
ているため、押圧力の局部集中が回避され、押圧力は広
い範囲に分散される。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ップリングのウエハ保持面の形状を凸型に形成すること
により、研磨面の押圧力分布をウエハ中心部の圧力が高
くなるような分布にすることができ、ウエハ研磨面の中
心部の研磨不足による研磨の不均一を解消し、平坦度の
高い研磨が可能となる。
ップリングのウエハ保持面の形状を凸型に形成すること
により、研磨面の押圧力分布をウエハ中心部の圧力が高
くなるような分布にすることができ、ウエハ研磨面の中
心部の研磨不足による研磨の不均一を解消し、平坦度の
高い研磨が可能となる。
【図１】本発明に係るポリッシング装置の全体構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第１実施例を示す縦断面図である。
グの第１実施例を示す縦断面図である。
【図３】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第１実施例を示す底面図である。
グの第１実施例を示す底面図である。
【図４】図２及び図３に示すトップリングの動作状態を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図５】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第２実施例を示す縦断面図である。
グの第２実施例を示す縦断面図である。
【図６】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第３実施例を示す縦断面図である。
グの第３実施例を示す縦断面図である。
【図７】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第３実施例の変形例を示す縦断面図である。
グの第３実施例の変形例を示す縦断面図である。
【図８】本発明のポリッシング装置におけるトップリン
グの第４実施例を示す縦断面図である。
グの第４実施例を示す縦断面図である。
１ ターンテーブル ２ 半導体ウエハ ３ トップリング ４ 研磨布 ５ 研磨砥液ノズル ６ ガイドリング １１，１２，１３ 突出部 １４，１５，１６ 突出駆動部 ２４ 薄板 ２６ 突出部 ２６ａ 薄板 ２６ｂ 突出部
Claims (10)
- 【請求項１】 各々独立に回転するトップリングとター
ンテーブルとを有し、前記トップリングと前記ターンテ
ーブルとの間に半導体ウエハを介在させ、所定の力で押
圧することによって前記ウエハの表面を研磨するポリッ
シング装置において、 前記トップリングは下方に突出可能な突出部と該突出部
を駆動する突出駆動部とを有し、前記トップリングのウ
エハ保持面が突出可能であって、凸面を形成することを
特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記突出部は、前記ウエハ保持面の中心
部にあって、円柱状のものであることを特徴とする請求
項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記円柱状突出部の周囲を、単数又は複
数の円筒状突出部が取り囲んでいることを特徴とする請
求項２記載のポリッシング装置。 - 【請求項４】 前記突出部の表面が薄板で覆われ、ウエ
ハ保持面が該薄板であることを特徴とする請求項２又は
３記載のポリッシング装置。 - 【請求項５】 前記突出駆動部がピエゾ素子であって、
該ピエゾ素子の突出量を制御する電源及び電圧制御器を
備えていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか
１項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項６】 前記突出駆動部がシリンダであって、該
シリンダの突出量を制御する空気圧供給源及び空気圧調
節器を備えていることを特徴とする請求項２乃至４のい
ずれか１項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項７】 前記突出駆動部がシリンダであって、該
シリンダの突出量を制御する油圧供給源及び油圧調節器
を備えていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれ
か１項に記載のポリッシング装置。 - 【請求項８】 各々独立に回転するトップリングとター
ンテーブルとを有し、前記トップリングと前記ターンテ
ーブルとの間に半導体ウエハを介在させ、所定の力で押
圧することによって前記ウエハの表面を研磨するポリッ
シング装置において、 前記トップリングのウエハ保持面の中心部が円柱状に突
出していることを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項９】 前記トップリングの前記突出部は薄板で
あってトップリングと分離可能になっており、交換可能
であることを特徴とする請求項８記載のポリッシング装
置。 - 【請求項１０】 各々独立に回転するトップリングとタ
ーンテーブルとを有し、前記トップリングと前記ターン
テーブルとの間に半導体ウエハを介在させ、所定の力で
押圧することによって前記ウエハの表面を研磨するポリ
ッシング装置において、 前記トップリングのウエハ保持面が球面状に突出してい
ることを特徴とするポリッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8871395A JPH08257901A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | トップリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8871395A JPH08257901A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | トップリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08257901A true JPH08257901A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13950550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8871395A Pending JPH08257901A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | トップリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08257901A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000354959A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-26 | Applied Materials Inc | 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド |
| JP2001334454A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの研磨方法並びにワーク保持板及びワーク研磨装置 |
| JP2003136395A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| JP2008060598A (ja) * | 2007-10-16 | 2008-03-13 | Sumco Corp | ワックスレスマウント式研磨方法およびその装置 |
| JP2020142334A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | 保持手段と加工装置 |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP8871395A patent/JPH08257901A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000354959A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-26 | Applied Materials Inc | 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド |
| JP2001334454A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの研磨方法並びにワーク保持板及びワーク研磨装置 |
| JP2003136395A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| JP2008060598A (ja) * | 2007-10-16 | 2008-03-13 | Sumco Corp | ワックスレスマウント式研磨方法およびその装置 |
| JP2020142334A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | 保持手段と加工装置 |
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