JP4223682B2 - ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド - Google Patents
ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP4223682B2 JP4223682B2 JP2000526333A JP2000526333A JP4223682B2 JP 4223682 B2 JP4223682 B2 JP 4223682B2 JP 2000526333 A JP2000526333 A JP 2000526333A JP 2000526333 A JP2000526333 A JP 2000526333A JP 4223682 B2 JP4223682 B2 JP 4223682B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- retainer ring
- carrier head
- substrate
- recess
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、全体として基板のケミカルメカニカルポリシングに関し、特に、ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路は、通常、導電層、半導体層あるいは絶縁層の連続的な堆積により基板、特にシリコンウェーハ上に形成される。各層が堆積された後、基板は回路図形を形成するためにエッチングされる。一連の層が連続的に堆積されエッチングされるにつれて、基板の外側面または最上面、すなわち基板の露出面は、徐々に平坦になる。この非平坦面は、集積回路製造プロセスのフォトリソグラフィ工程で問題となる。したがって、定期的に基板表面を平坦化する必要がある。
【0003】
ケミカルメカニカルポリシング(CMP)は、平坦化の認められた方法の一つである。この平坦化方法は、通常、キャリヤヘッドまたは研磨ヘッド上に基板を取り付けることを必要とする。基板の露出面は、回転しているポリシングパッドに接するように配置される。ポリシングパッドは、「標準の」パッドであってもよいし、固定砥粒パッドであってもよい。標準ポリシングパッドが耐久性のある粗面を有するのに対して、固定砥粒パッドは封入媒体の中に保持された研磨粒子を有する。キャリヤヘッドは、基板に制御可能な荷重、すなわち圧力を加え、基板をポリシングパッドへ押し付ける。少なくとも一種類の化学反応剤を(標準パッドが使用されるときは、研磨粒子も)有する研磨スラリーが、ポリシングパッドの表面に供給される。
【0004】
キャリヤヘッドは、通常は、リテーナリングを含んでいる。リテーナリングは、基板の周囲に位置し、ポリシングの間、基板がキャリヤヘッドの下方の凹部に保持されるようにする。リテーナリングは、キャリヤヘッドに直接固定されていてもよいし、軟質コネクタ(例えば、軟質膜やベローズ)によってキャリヤヘッドに連結されていてもよい。
【0005】
ポリシングを行うため、基板は、キャリヤヘッドにロードされ、キャリヤヘッドによってポリシングパッドに接するように配置される。ローディング動作は、通常、リテーナリングによって画成された凹部に基板を位置合わせするセンタリング装置を含んだ搬送ステーションで行なわれる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
CMP中に起こる問題の一つは、一部のキャリヤヘッド設計において、リテーナリングがポリシングパッド面の上方に位置する点のまわりに自由に旋回できることである。この旋回運動によって、リテーナリングの一方の側が上がり、他方の側が下がる。これにより、ポリシングパッド上に圧力が不均一に分布し、ポリシングの均一性が低下する。
【0007】
他の問題は、リテーナリングを周期的に交換しなければならないことである。しかし、リテーナリングの交換は難しく、キャリヤヘッドを完全に分解する必要がある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
一つの態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドに関する。このキャリヤヘッドは、凹部を有するハウジング、基板受取面、および基板受取面を取り囲むように前記凹部に解放可能に配置することの可能なリテーナリングを備えている。シールがリテーナリングと摺動自在に係合して、リテーナリングが前記凹部に配置されるときにハウジングおよびリテーナリング間に加圧可能チャンバを形成する。
【0009】
他の態様では、前記キャリヤヘッドは、凹部を有するハウジング、基板受取面、基板受取面を取り囲むように前記凹部に解放可能に配置することの可能なリテーナリング、ならびにリテーナリングが前記凹部に配置されるとハウジングおよびリテーナリング間に形成される減圧可能なチャンバを備えている。チャンバ内の圧力は、リテーナリングを前記凹部内に維持するか、あるいはリテーナリングをハウジングから解放するように選択することができる。
【0010】
他の態様では、キャリヤは、本体部分および本体部分を取り囲んで凹部を画成する実質的に環状のフランジを含むハウジングと、基板受取面と、リテーナリングが基板受取面を取り囲むように凹部内に配置することの可能な横方向に移動可能なリテーナリングと、ハウジングおよびリテーナリング間に加圧可能チャンバを形成するシールと、を備えている。本体部部は、外向きに突出した環状リムを有し、リテーナリングは、ポリシング中に環状リムに接触する。
【0011】
他の態様では、キャリヤヘッドは、凹部を有するハウジングと、基板受取面と、基板受取面を取り囲むように前記凹部に配置することの可能な解放可能リテーナリングと、リテーナリングをキャリヤヘッドに機械的に固定せずにリテーナリングが前記凹部に配置されるときにハウジングおよびリテーナリング間に減圧可能チャンバを形成するシールと、を備えている。
【0012】
本発明の実施形態には、以下の事項が含まれていてもよい。基板受取面は、第2の加圧可能チャンバを形成するようにハウジングに連結された軟質膜であってもよい。シールは、四つのOリングを含んでいてもよい。最初の二つのOリングがリテーナリングの内側面および外側面に接触し、次の二つのOリングがハウジングと前記最初の二つのOリングとの間に配置されようになっていてもよい。環状リムは、前記凹部への開口に隣接していてもよく、また、リテーナリングに加えられるトルクを減少させるように研磨面に十分に接近して配置されていてもよい。
【0013】
他の態様では、本発明は、リテーナリングに関する。このリテーナリングは、ポリシングパッドと接触する底面と、キャリヤヘッドの下方に基板を保持する内側面と、この内側面およびポリシングパッドによって画成される凹部へ基板を導くための内側に傾斜した部分を含むテーパ付き上面と、を備えている。
【0014】
他の態様では、本発明は、基板をキャリヤヘッドへロードする方法に関する。凹部、基板受取面を有するキャリヤヘッドと解放可能なリテーナリングが支持面上に配置される。リテーナリングが支持面上に支持されるようにリテーナリングがキャリヤヘッドから解放され、次に、キャリヤヘッドが移動させられて支持面から離れる。リテーナリングおよび支持面によって画成された凹部内に基板が配置され。基板マウント面が凹部内で基板と接触するような位置にキャリヤヘッドを移動させられる。
【0015】
本発明の実施形態には、次の事項が含まれていてもよい。支持面は、ポリシングパッドであってもよく、また、基板および/またはリテーナリングを、ポリシング中にポリシングパッドに接するようにロードしてもよい。支持面は搬送ステーション内に位置していてもよく、また、基板および/またはリテーナリングをキャリヤヘッドに真空チャックしてもよい。ロボットアームを用いて基板を凹部の上に配置し、ロボットアームから基板を解放することにより、基板を配置することができる。基板が凹部内へ下げられると、リテーナリングのテーパ付き上面によって基板をセンタリングすることができる。リテーナリングおよびハウジング間のチャンバに圧力を加えてリテーナリングをキャリヤヘッドから押し出すことにより、またはリテーナリングをキャリヤヘッドに対して保持する真空チャック動作を中断することにより、リテーナリングを解放することができる。
【0016】
本発明の利点には次の事項が含まれる。このリテーナリングは、研磨均一性が実質的に改善されるように旋回する。更に、このリテーナリングは、取外しや交換が比較的容易である。搬送ステーションのセンタリング装置の代わりに単純な支持面を用いることができ、あるいは搬送ステーション全体を取り除くことができる。これにより、CMP装置のコストと複雑性を低減することができる。
【0017】
本発明の他の利点と特徴は、図面と特許請求の範囲を含む下記の説明から明らかになる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1について説明する。1枚以上の基板10をケミカルメカニカルポリシング(CMP)装置20で研磨する。同様のCMP装置20の説明は、本発明の譲受人に譲渡されたPerlovらによる米国係属出願第08/549,336号「ケミカルメカニカルポリシング用連続処理システム」(1995年10月27日出願)に見られる。この開示内容は、本明細書に援用されている。
【0019】
CMP装置20は、下部マシンベース22を含んでいる。この下部マシンベース22は、テーブルトップ23が装着されており、また、着脱自在の上部外カバー(図示せず)を有している。テーブルトップ23は、一連の研磨ステーション25a、25bおよび25c、および搬送ステーション27を支持する。搬送ステーション27は、三つの研磨ステーション25a、25bおよび25cと共にほぼ四角形の配置を形成してもよい。搬送ステーション27は、ローディング装置(図示せず)から個々の基板10を受け取る機能、基板を洗浄する機能、基板をキャリヤヘッド(後述する)へロードする機能、基板をキャリヤヘッドから受け取る機能、再び基板を洗浄する機能、最後に基板をローディング装置に搬送して戻す機能という多数の機能を発揮する。
【0020】
各研磨ステーション25a〜25cには、ポリシングパッド32が載置される回転プラテン30が含まれている。基板10が8インチ(200ミリメートル)径ディスクである場合には、プラテン30およびポリシングパッド32の直径は約20インチである。プラテン30は、プラテン駆動軸(図示せず)によってプラテン駆動モータ(図示せず)に連結することができる。
【0021】
各研磨ステーション25a〜25cには、付随するパッドコンディショナ装置40が更に含まれていてもよい。各パッドコンディショナ装置40は、独立に回転するコンディショナヘッド44および付随する洗浄槽46を保持する回転アーム42を有している。コンディショナ装置がポリシングパッドの状態を維持するので、ポリシングパッドは、回転している間、押し付けられた基板を効果的に研磨する。
【0022】
反応剤(たとえば、酸化物ポリシングのための純水)および化学反応触媒(たとえば、酸化物ポリシングのための水酸化カリウム)を含むスラリー50は、スラリー/リンス共用アーム52によって研磨パッド32の表面に供給される。ポリシングパッド32が標準パッドである場合、スラリー50は、研摩粒子(例えば、酸化物ポリシングのための二酸化シリコン)を含むことができる。研磨パッド32全体をカバーして湿潤させるために、十分なスラリーが供給される。スラリー/リンスアーム52は、各ポリシングコンディショニングサイクルの終了時に研磨パッド32の高圧リンスを行う数個のスプレーノズル(図示せず)を有する。
【0023】
回転マルチヘッドカルーセル60は、カルーセル支持プレート66およびカバー68を含んでおり、下部機械ベース22の上方に配置されている。カルーセル支持プレート66は、センターポスト62によって支持されており、マシンベース22内に位置するカルーセルモータ(図示せず)によってカルーセル軸64の周りにセンターポスト62上を回転する。マルチヘッドカルーセル60は、カルーセル軸64の周りに等角度間隔でカルーセル支持プレート66上に取り付けられた四つのキャリヤヘッドシステム70a、70b、70c、および70dを有している。キャリアヘッドシステムの三つは基板を受け取って保持し、それらの基板を研磨ステーション25a〜25cの研磨パッド32に押し付けることによってポリシングする。キャリアヘッドシステムの一つは、搬送ステーション27から基板を受け取り、また、搬送ステーション27に基板を搬送する。カルーセルモータは、キャリヤヘッドシステム70a〜70d、およびこれらに取り付けられた基板を、研磨ステーションと搬送ステーションとの間でカルーセル軸64を中心として軌道運動させることができる。
【0024】
各キャリヤヘッドシステム70a〜70dには、研磨ヘッドまたはキャリヤヘッド100が含まれている。各キャリヤヘッド100は、独立して自身の軸の周りを回転し、また、カルーセル支持プレート66内に形成されたラジアルスロット72内で独立に横方向に振動する(図2も参照のこと)。キャリヤ駆動軸74は、駆動軸ハウジング78(図3を参照)を貫通して延在し、キャリヤヘッド回転モータ76をキャリヤヘッド100に連結する(カバー68の1/4を取り外すことにより図1に示されている)。各ヘッドに対して、一つのキャリヤ駆動軸とモータがある。
【0025】
カルーセル60のカバー68を取り外した図2について説明する。カルーセル支持プレート66の上部は、四つのスロット付きキャリヤヘッド支持スライダ80を支持する。各スライダ80は、ラジアルスロット72の一つと位置合わせされており、ラジアル振動モータ87によってスロットに沿って動かすことができる。四つのモータ87は、カルーセル支持プレート66のラジアルスロット72に沿って四つのスライダを独立に移動させるように、独立に動作することができる。
【0026】
図3について説明する。駆動モータ76の上部の回転継手90は、三つ以上の流体ライン92a、92bおよび92cを駆動軸74中の三つ以上のチャネル94a、94bおよび94cにそれぞれ連結する。ポンプ、ベンチュリ管、圧力レギュレータなどの三つの真空または圧力ソース93a、93bおよび93c(以後、簡単に「ポンプ」と呼ぶ)が、それぞれ流体ライン92a、92bおよび92cに接続されていてもよい。三つの圧力センサまたは圧力計96a、96bおよび96cが、それぞれ流体ライン92a、92bおよび92cに接続されていてもよく、調節弁98a、98bおよび98cが、それぞれ流体ライン92a、92bおよび92cに接続されていてもよい。ポンプ93a〜93c、圧力計96a〜96cおよび調節弁98a〜98cは、汎用ディジタルコンピュータ99に適切に接続される。コンピュータ99は、ポンプ93a〜93cを動作させて、キャリヤヘッド100に空気圧式に動力を供給することができる。
【0027】
実際のポリシング中、キャリヤヘッドのうちの三つ、例えばキャリヤヘッドシステム70a〜70cは、対応する研磨ステーション25a〜25cに配置され、あるいは対応する研磨ステーション25a〜25cの上方に配置される。各キャリヤヘッド100は、基板を下げてポリシングパッド32と接触させる。すでに述べたように、スラリー50は、基板のケミカルメカニカルポリシング用の媒体として働く。
【0028】
一般的に、キャリヤヘッド100は、ポリシングパッドに接触する位置に基板を保持し、基板の裏面全体にわたって力を分配する。キャリヤヘッドは、キャリヤヘッド駆動軸から基板へトルクを伝達する。
【0029】
図4について説明する。キャリヤヘッド100は、ハウジング102、軟質部材または軟質膜104、可撓性バッキング部材106、およびリテーナリング110を含む。ハウジング102は、ポリシングパッドの表面に実質的に垂直な回転軸112の周りにポリシング中に回転する駆動軸74に接続することができる。軟質膜104は、ハウジング102に接続することができ、ハウジングの下に延在して基板のマウント面を設けることができる。リテーナリング110は、ポリシング中、マウント面108の下に基板を保持する。可撓性バッキング部材106は、基板をキャリヤヘッドにチャックすることを可能にする波形面または凹凸面を設ける。
【0030】
ハウジング102は、研磨すべき基板の円形構造に対応するようにほぼ円形である。ハウジングには、略円筒状の本体部分120、および本体部分の周りに延在して略U形のギャップ124を形成する環状フランジ部分122が含まれている。内側環状凹部126および外側環状凹部128は、ギャップ124の相対する側において、本体部分120の外側面およびフランジ部分122の内側面にそれぞれ形成することができる。内側および外側環状凹部は、シーリング機構を保持して、リテーナリングをハウジングに対してシールする。
【0031】
リテーナリング110は、本体部分120およびフランジ部分122間のギャップ124に配置することができる。リテーナリング110は、ポリシングパッドに接触する底面140を有する略円環状のリングである。底面140は、実質的に平坦であってもよく、ポリシング中にスラリーが基板に達することを可能にする溝またはチャネルを有していてもよい。リテーナリング110の内側面142は、基板受取凹部114を軟質膜104のマウント面108と共に画成する。リテーナリング110は、基板を基板受取凹部114に保持し、横方向の荷重を基板からハウジングに伝達する。リテーナリングの上面148は、リテーナリングがギャップ124に嵌合できるようにテーパが付けられている。この上面は、内側に傾斜した部分149を含んでいる。
【0032】
図5について説明する。ポリシング作業中、リテーナリング110は、ハウジング102の本体部分120およびフランジ部分122間のギャップ124に配置される。リテーナリング110とハウジング102との間に摺動自在なシールを設けるために、Oリングを用いることができる。Oリングは、また、リテーナリング110とハウジング102との間に加圧可能なチャンバ150を形成する。二つのOリング152および154を内側凹部126に配置することができ、更に二つのOリング156および158を外側凹部128に配置することができる。各凹部では、一方のOリングが他方のOリングよりも高い圧縮性を有していてもよい。Oリング152は、Oリング154よりも圧縮性が高くてもよく、同様に、Oリング156は、Oリング158よりも圧縮性が高くてもよい。Oリング154は、リテーナリング110の内側面142と摺動自在に係合し、Oリング152は、Oリング154と本体部分120との間の空間をシールする。一方、Oリング158は、リテーナリング110の外側面144と摺動自在に係合し、Oリング156は、Oリング158とフランジ部分122との間の空間をシールする。Oリングアセンブリは、リテーナリング110がリテーナリングおよびハウジング間の流体シールを維持しつつ縦方向に移動できるようにする。更に、Oリングアセンブリは、リテーナリング110がリテーナリングおよびハウジング間にシールを設けつつ横方向に移動できるようにする。
【0033】
Oリングは、必要に応じてチャンバ150を加圧または減圧できるように十分に密にリテーナリングと係合する。しかしながら、すでに述べたように、Oリングは、リテーナリングによる垂直運動が可能になる程度に十分に緩くなっている。Oリングおよびリテーナリング間の摩擦力は、キャリヤヘッドがポリシングパッドから離れて持ち上げられるときにリテーナリングがギャップ124内に保持されるようなものとすることができる。この場合、リテーナリングは、ギャップから手動で引き出すことにより、あるいはチャンバ内の圧力を上げてギャップから強制的に排出することにより、ギャップ124から取り出される。この他に、Oリングおよびリテーナリング間の摩擦力は、キャリヤヘッドが持ち上げられるときにリテーナリングをギャップ124内に保持するためには不十分なものであってもよい。この場合、チャンバ150を減圧することにより、リテーナリングがキャリヤヘッドに真空チャックされる。
【0034】
ポンプ93a(図3を参照)は、流体ライン92a、回転継手90、駆動軸74中のチャネル94a、およびハウジング102中の通路134(図4を参照)に接続されていてもよい。流体、例えば空気などのガスは、チャンバへまたはチャンバからポンプ輸送され、リテーナリング110に加わる荷重を制御する。流体をチャンバ150へポンプ輸送すると、リテーナリング110は下向きに押される。一方、チャンバから流体を排出すると、リテーナリング110が引き上げられるにつれてチャンバ容積が小さくなる。このように、チャンバ150を用いることで、ポリシングパッドに調節可能な荷重を加え、リテーナリングの垂直位置を制御することができる。更に、チャンバ150を減圧することにより、リテーナリングをキャリヤヘッドに真空チャックすることができる。
【0035】
ポリシング中、ポリシングパッドからの摩擦力は、リテーナリングをキャリヤヘッドの前側に向かって、すなわちポリシングパッドの回転と同じ方向に押す傾向がある。これにより、リテーナリング110の内側面142の一方の側が、ハウジング102の本体部分120から水平に突出する環状リム136に押し付けられる。環状リム136とリテーナリング110との間の接触点は、リテーナリングの旋回の中心点となる。この旋回点は、リテーナリングの前縁部においてポリシングパッド面の付近に位置するので、リテーナリングに加えられるトルクが小さくなる。従って、リテーナリングはより安定になり、チャンバによって生じた下向きの圧力はリテーナリングの底面にわたって均一に分配される。
【0036】
リテーナリング110は、ボルトまたはネジ、接着剤、軟質コネクタ、あるいは止め部品によって機械的に固定されることによりギャップ124に保持されるのではなく、摩擦力によって、または真空チャックによってギャップ124に保持される。従って、リテーナリングの交換がより簡便である。すでに述べたように、Oリングおよびリテーナリング間の摩擦力に応じて、リテーナリングをギャップ124から単純に引き出すこともできるし、チャンバ150内の圧力を高めることによりギャップ124から押し出すこともできる。この他に、リテーナリングがキャリヤヘッドに真空チャックされる場合には、チャック動作を中断することによりリテーナリングを解放することもできる。
【0037】
図4に戻ると、バッキング部材106は、ハウジング102の下に固定される。バッキング部材106は、波形または凹凸のある下面160を有している。具体的には、バッキング部材は、隆起および対応するくぼみの規則的なアレイを有する可撓性材料からつくることができる。例えば、バッキング部材は、中間領域164によって接続されたエアポケットまたは膨張可能セルのアレイを含んでいてもよい。セル162は、チャネル(図示せず)によって連通させてバッキング部材内に単一のキャビティ168を形成することができる。これらのセルは、下面に隆起領域を設け、セル間の中間領域は下面に谷を設ける。
【0038】
バッキング部材106およびその使用方法の詳細な説明は、本発明の譲受人に譲渡されたZunigaらによる同時継続出願「ケミカルメカニカルポリシング装置用の軟質部材および可撓性バッキング部材を含むキャリヤヘッド」(速達郵便受領番号EM202539924US)に見られる。この開示内容は、本明細書に援用される。
【0039】
バッキング部材106をハウジング102に取り付けるため、ネジまたはボルト(図示せず)が、バッキング部材の周辺付近における中間領域中の孔(図示せず)を貫通して延在し、ハウジング中の受取凹部(図示せず)に入っていてもよい。更に、チャネル176が中心を通るねじ込みネジ172は、ハウジング102を貫通する通路132にセルの一つを接続することができる。
【0040】
ポンプ93b(図3を参照)は、流体ライン92b、回転継手90、駆動軸74中のチャネル94bおよびハウジング102中の通路132を介してキャビティ168に接続されていてもよい。ポンプ93bが流体、例えば空気などのガスをキャビティ168に送ると、バッキング部材は膨張させられ、拡大する。一方、ポンプ93bがキャビティ168を排気すると、バッキング部材が収縮する。
【0041】
軟質膜104は、クロロプレンやエチレンプロピレンゴムなどの柔軟質弾性材料からつくられたほぼ円形のシートとすることができる。軟質膜104の突出縁部(図4および図5を参照)は、ハウジング102の本体部分120の外側円筒面内の環状溝182に嵌入することができる。また、軟質膜104は、マウント面を全体的に張った状態に維持するために、リテーナリングに全体的に隣接して位置する厚手環状部分184を含むことができる。軟質膜の一部186は、厚手部分184から突出縁部180まで内向きに延在する。
【0042】
ポリシング中、基板10は、基板の裏面が軟質膜104のマウント面108に接した状態で基板受取凹部114に配置される。軟質膜104とハウジング102との間の空間は、チャンバ190を画成する。ポンプ93c(図3を参照)は、流体ライン92c、回転継手90、駆動軸74中のチャネル94c、およびハウジング102中の通路130を経てチャンバ190に接続されていてもよい。ポンプ93cが流体、例えば空気などのガスをチャンバ190に送ると、軟質膜104は下向きに押される。従って、チャンバ190の加圧は、基板をポリシングパッドに押し付ける。一方、ポンプ93cがチャンバ190を減圧すると、膜が引き上げられる。
【0043】
リテーナリング110は、基板をキャリヤヘッド内へのローディング中にセンタリングするために用いることができる。以下で詳細に説明されるように、これによってCMP装置は、搬送ステーションがなくても機能できるようになる。あるいは、基板のローディングを依然として搬送ステーションで行ってもよいが、搬送ステーション内のセンタリング機構は取り除くことができる。
【0044】
図6について説明する。キャリヤヘッド100は、最初、リテーナリング110を研磨面34と接触させた状態でポリシングパッド32上に位置している。リテーナリング110を押し下げるために流体がチャンバ150内に送られ、ハウジング102は、例えば駆動軸の上端の空気圧アクチュエータ(図示せず)によって持ち上げられ、ポリシングパッド32から離れる。
【0045】
したがって、図7に示されるように、ハウジング102が持ち上げられてポリシングパッドから離れると、リテーナリング110がパッド上に残る。このため、リテーナリングの内側面の内側の空間は、ポリシングパッド上に基板受取凹部192を画成する。
【0046】
図8について説明する。ロボットアーム195は、真空アタッチメント等によって基板10を運ぶので、通常は基板受取凹部192の上方に配置される。ロボットアーム195は、基板を基板受取凹部内で正確にセンタリングする必要はなく、適度の誤差限界が許容される。ロボットアーム195への真空供給は、基板がロボットアームから外れてテーパ付き上面148の内側傾斜部分149によって基板受取凹部192に導入されるように停止される。
【0047】
このようにして、図9に示されるように、ロボットアーム195が後退した後、基板はリテーナリングによって適切にセンタリングされている。
【0048】
図10について説明する。基板が基板受取凹部192に配置された後、ハウジング102が空気圧アクチュエータ等によって下げられるので、リテーナリング110がギャップ124に挿入される。次に、ポリシングステップのために基板に下向きの荷重に加えるように、流体がチャンバ190内に送られる。更に、ポンプ93aは、流体をチャンバ150へ送ることで、リテーナリング10によって基板に加えられる荷重を制御することができる。
【0049】
基板をポリシングパッドから取り出すために、流体がバッキング部材106のキャビティ168へ送られる。これによりバッキング部材106が膨張するので、その下面が軟質膜104の上面に接触する。次に、チャンバ190を排気して基板をマウント面に真空チャックする。具体的には、チャンバの排気は、基板をマウント面に当てて保持するバッキング部材および軟質膜間の低圧ポケットをつくる。最後に、キャリヤヘッドが持ち上げられてポリシングパッドから離れる。前述のように、Oリングおよびリテーナリング間の摩擦力によっては、キャリヤヘッドがポリシングパッドから持ち上げられるときにリテーナリング110がキャリヤヘッドに真空チャックされるようにチャンバ150を排気することもできる。この他に、リテーナリングを真空チャックしないか、あるいはチャンバ150内の圧力を高くすることによって、リテーナリングを次の基板とともに用いるためにポリシングパッド上に残すこともできる。
【0050】
上述のように、着脱式リテーナリング110は、複雑で費用のかかる搬送装置を使用せずに基板をキャリヤヘッドにロードできるようにする。特に、基板は、ポリシングパッドにおいてキャリヤヘッドにロードすることができるので、搬送ステーションを取り除くことができ、その結果、CMP装置のコストとサイズを大きく減少させることができる。この他に、搬送ステーションにおけるセンタリング装置は、単純な支持面と交換することができる。この場合、搬送ステーションの支持面が研磨ステーションにおける研磨面の代わりに用いられる以外、ローディングプロセスは図6〜図10を参照して述べたように進行する。更に、キャリヤヘッドは、ローディング手順後に搬送ステーションから研磨ステーションへ移送される。
【0051】
本発明は、多くの好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は、図示および説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって定義される通りである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ケミカルメカニカルポリシング装置の分解斜視図である。
【図2】 上部ハウジングを取り外したカルーセルの概略平面図である。
【図3】 3〜3線に沿った図2のカルーセルの断面図を部分的に示し、ケミカルメカニカルポリシング装置によって用いられる圧力レギュレータの概略図を部分的に示している。
【図4】 キャリヤヘッドの概略断面図である。
【図5】 図4のキャリヤヘッドの一部分の拡大図である。
【図6】 図4のキャリヤヘッドへ基板をロードする方法を示す概略断面図である。
【図7】 図4のキャリヤヘッドへ基板をロードする方法を示す概略断面図である。
【図8】 図4のキャリヤヘッドへ基板をロードする方法を示す概略断面図である。
【図9】 図4のキャリヤヘッドへ基板をロードする方法を示す概略断面図である。
【図10】 図4のキャリヤヘッドへ基板をロードする方法を示す概略断面図である。
Claims (17)
- ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドであって、
凹部を有するハウジングと、
基板受取面と、
前記基板受取面を取り囲むように前記凹部に配置可能であり、且つ、前記凹部から取り出して前記ハウジングから解放可能なリテーナリングと、
前記リテーナリングと摺動自在に係合して、前記リテーナリングが前記凹部に配置されるときに前記ハウジングおよび前記リテーナリング間に加圧可能チャンバを形成するシールと、
を備え、
前記リテーナリングが前記キャリヤヘッドに機械的に固定されていない、キャリヤヘッド。 - 前記基板受取面が、第2の加圧可能チャンバを形成するように前記ハウジングに連結された軟質膜を含んでいる、請求項1記載のキャリヤヘッド。
- 前記ハウジングは、本体部分および前記本体部分を取り囲んで前記凹部を形成する実質的に環状のフランジを含んでおり、
前記本体部分は、ポリシング中に前記リテーナリングの一部に接触する外向きに突出した環状リムを含んでいる、
請求項1記載のキャリヤヘッド。 - 前記リテーナリングはテーパの付いた上面を含んでいる、請求項1記載のキャリヤヘッド。
- ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドであって、
凹部を有するハウジングと、
基板受取面と、
前記基板受取面を取り囲むように前記凹部に解放可能に配置することの可能なリテーナリングと、
前記リテーナリングが前記凹部に配置されると前記ハウジングおよび前記リテーナリング間に形成される減圧可能なチャンバと、
を備え、前記チャンバ内の圧力を、前記リテーナリングを前記凹部内に維持するか、あるいは前記リテーナリングを前記ハウジングから解放するように選択することができる、前記キャリヤヘッド。 - 基板をキャリヤヘッドへロードする方法であって、
解放可能なリテーナリングおよび基板マウント面を有するキャリヤヘッドを支持面上に配置するステップと、
前記リテーナリングが前記支持面上に支持されるように前記リテーナリングを前記キャリヤヘッドから解放するステップと、
前記キャリヤヘッドを移動させて前記支持面から離すステップと、
前記リテーナリングおよび前記支持面によって画成された凹部内に基板を配置するステップと、
前記基板マウント面が前記凹部内で前記基板と接触するような位置に前記キャリヤヘッドを移動させるステップと、
を備える方法。 - 前記支持面が搬送ステーション内に配置されており、
前記基板を前記キャリヤヘッドに真空チャックするステップと、前記キャリヤヘッドを研磨ステーションに移動させるステップと、を更に備える、
請求項6記載の方法。 - 前記支持面が搬送ステーション内に配置されており、
前記リテーナリングを前記キャリヤヘッドに真空チャックするステップと、前記キャリヤヘッドを研磨ステーションに移動させるステップと、を更に備える、請求項6記載の方法。 - 前記基板が前記凹部内へ下げられると前記基板が前記リテーナリングのテーパ付き上面によってセンタリングされる、請求項6記載の方法。
- 前記凹部内に前記基板を配置するステップは、ロボットアームを用いて前記基板を前記凹部の上に配置するステップと、前記ロボットアームから前記基板を解放するステップと、を含んでいる、請求項6記載の方法。
- 前記リテーナリングを解放するステップは、前記リテーナリングおよびハウジング間のチャンバ内の圧力を上げて前記リテーナリングを前記キャリヤヘッドから押し出すステップを含んでいる、請求項6記載の方法。
- 前記リテーナリングを解放するステップは、前記リテーナリングを前記キャリヤヘッドに対して保持する真空チャック動作を中断するステップを含んでいる、請求項6記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドであって、
外向きに突出した環状リムを有する本体部分および前記本体部分を取り囲んで凹部を画成する実質的に環状のフランジを含むハウジングと、
基板受取面と、
横方向に移動可能なリテーナリングと、
前記ハウジングおよび前記リテーナリング間に加圧可能チャンバを形成するシールと、
を備え、前記リテーナリングは、前記リテーナリングが前記基板受取面を取り囲み、かつ前記リテーナリングがポリシング中に前記環状リムに接触するように前記凹部に配置することができる、キャリヤヘッド。 - 前記環状リムが前記凹部への開口に隣接している、請求項13記載のキャリヤヘッド。
- ポリシング中、前記リテーナリングに加えられるトルクを減少させるように前記環状リムが研磨面に十分に接近して配置される、請求項13記載のキャリヤヘッド。
- ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドであって、
凹部を有するハウジングと、
基板受取面と、
前記基板受取面を取り囲むように前記凹部に配置可能であり、且つ、該キャリヤヘッドを分解せずに前記凹部から取り出して前記ハウジングから解放可能なリテーナリングと、
前記リテーナリングを前記キャリヤヘッドに機械的に固定せずに前記リテーナリングが前記凹部に配置されるときに前記ハウジングおよび前記リテーナリング間に減圧可能チャンバを形成するシールと、
を備えるキャリヤヘッド。 - ポリシングパッドと接触する底面と、
キャリヤヘッドの下方に基板を保持する内側面と、
前記内側面および前記ポリシングパッドによって画成される凹部へ前記基板を導くための内側に傾斜した部分を含むテーパ付き上面と、
を備え、
前記キャリヤヘッドを分解せずに、該キャリヤヘッドから解放可能である、
リテーナリング。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/002,213 | 1997-12-31 | ||
US09/002,213 US5993302A (en) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
PCT/US1998/023733 WO1999033614A1 (en) | 1997-12-31 | 1998-11-06 | A carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001526969A JP2001526969A (ja) | 2001-12-25 |
JP4223682B2 true JP4223682B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=21699736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000526333A Expired - Fee Related JP4223682B2 (ja) | 1997-12-31 | 1998-11-06 | ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5993302A (ja) |
EP (1) | EP1045741A1 (ja) |
JP (1) | JP4223682B2 (ja) |
KR (1) | KR20010033796A (ja) |
TW (1) | TW379163B (ja) |
WO (1) | WO1999033614A1 (ja) |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6244946B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Polishing head with removable subcarrier |
US6159079A (en) * | 1998-09-08 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6210255B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6244942B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure |
US6136710A (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved substrate carrier head and method of use |
US6283828B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus |
US6464571B2 (en) * | 1998-12-01 | 2002-10-15 | Nutool, Inc. | Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein |
US7425250B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-09-16 | Novellus Systems, Inc. | Electrochemical mechanical processing apparatus |
US6272902B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufactoring Company, Ltd. | Method and apparatus for off-line testing a polishing head |
US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6227955B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
JP3085948B1 (ja) | 1999-05-10 | 2000-09-11 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
JP3270428B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2002-04-02 | 東芝機械株式会社 | 電動式射出成形機の旋回装置 |
US6206768B1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-03-27 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Adjustable and extended guide rings |
JP3683149B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2005-08-17 | 株式会社東京精密 | 研磨装置の研磨ヘッドの構造 |
US6666756B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
US6368968B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-04-09 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Ditch type floating ring for chemical mechanical polishing |
US7029381B2 (en) * | 2000-07-31 | 2006-04-18 | Aviza Technology, Inc. | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates |
EP1307320B1 (en) * | 2000-07-31 | 2007-03-14 | ASML US, Inc. | Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates |
US6419567B1 (en) | 2000-08-14 | 2002-07-16 | Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg | Retaining ring for chemical-mechanical polishing (CMP) head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method |
US6652357B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
US6585572B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
US6640155B2 (en) | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
US7481695B2 (en) | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
TWI246448B (en) * | 2000-08-31 | 2006-01-01 | Multi Planar Technologies Inc | Chemical mechanical polishing (CMP) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby |
US6540590B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring |
US7255637B2 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head vibration damping |
US6848980B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping in a carrier head |
US6676497B1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Vibration damping in a chemical mechanical polishing system |
US7497767B2 (en) * | 2000-09-08 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
US6471566B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-10-29 | Lam Research Corporation | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same |
JP2002100593A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス |
US6443815B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
US6716084B2 (en) * | 2001-01-11 | 2004-04-06 | Nutool, Inc. | Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur |
KR100470227B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2005-02-05 | 두산디앤디 주식회사 | 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드 |
US6746313B1 (en) | 2001-10-24 | 2004-06-08 | Lam Research Corporation | Polishing head assembly in an apparatus for chemical mechanical planarization |
US6592437B1 (en) | 2001-12-26 | 2003-07-15 | Lam Research Corporation | Active gimbal ring with internal gel and methods for making same |
US6736720B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-05-18 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing |
DE10208414B4 (de) * | 2002-02-27 | 2013-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren |
US6739958B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system |
US6937915B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for detecting transitions of wafer surface properties in chemical mechanical polishing for process status and control |
US6866571B1 (en) * | 2002-05-21 | 2005-03-15 | Cypress Semiconductor Corp. | Boltless carrier ring/carrier plate attachment assembly |
JP4207153B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-01-14 | 旭硝子株式会社 | 基板の研磨方法及びその装置 |
US7507148B2 (en) * | 2002-09-27 | 2009-03-24 | Sumco Techxiv Corporation | Polishing apparatus, polishing head and polishing method |
DE10247179A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung |
DE10247180A1 (de) | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung |
US20040261945A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-12-30 | Ensinger Kunststofftechnoligie Gbr | Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus |
US20040259485A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-12-23 | Ensinger Kunstsofftechnoligie Gbr | Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus |
DE10311830A1 (de) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Abstandhalterprofil für Isolierglasscheiben |
JP2005034959A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Ebara Corp | 研磨装置及びリテーナリング |
US7771538B2 (en) * | 2004-01-20 | 2010-08-10 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate supporting means having wire and apparatus using the same |
US7648622B2 (en) | 2004-02-27 | 2010-01-19 | Novellus Systems, Inc. | System and method for electrochemical mechanical polishing |
US6955588B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization |
US7029386B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-04-18 | R & B Plastics, Inc. | Retaining ring assembly for use in chemical mechanical polishing |
US7048621B2 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-23 | Applied Materials Inc. | Retaining ring deflection control |
US7101272B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for thermal drift compensation |
JP4901152B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2012-03-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および化学的機械的研磨装置 |
US7198548B1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing apparatus and method with direct load platen |
US7210991B1 (en) | 2006-04-03 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Detachable retaining ring |
US7166016B1 (en) | 2006-05-18 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Six headed carousel |
WO2007143566A2 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Fast substrate loading on polishing head without membrane inflation step |
US20070281589A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Rotational alignment mechanism for load cups |
JP5199691B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2013-05-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US8096852B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-01-17 | Applied Materials, Inc. | In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring |
KR100915225B1 (ko) * | 2009-04-07 | 2009-09-02 | (주)삼천 | 씨엠피 장치용 리테이너 링 |
US20120021673A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder to reduce substrate edge stress during chemical mechanical polishing |
KR101239372B1 (ko) * | 2011-07-18 | 2013-03-05 | 주식회사 케이씨텍 | 리테이너 링의 유지 보수가 용이한 캐리어 헤드 |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
KR102173323B1 (ko) | 2014-06-23 | 2020-11-04 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 헤드, 화학적 기계식 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
KR102529415B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-05-09 | 주식회사 케이씨텍 | 연마모듈 및 이를 구비하는 기판 연마 장치 |
JP7074607B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2022-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置用の治具 |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
US11890718B2 (en) * | 2020-01-17 | 2024-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Removable tray assembly for CMP systems |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4193226A (en) * | 1977-09-21 | 1980-03-18 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
DE2809274A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren |
US4373991A (en) * | 1982-01-28 | 1983-02-15 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer |
EP0129732A1 (en) * | 1983-06-15 | 1985-01-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer transferring chuck assembly |
DE3338476C1 (de) * | 1983-10-22 | 1984-08-23 | Horst Witte Entwicklungs- und Vertriebs-KG, 2122 Bleckede | Vakuum-Spannvorrichtung zum Aufspannen von Werkstuecken auf Werkzeugmaschinentischen oder dergleichen |
JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
FR2558095B1 (fr) * | 1984-03-14 | 1988-04-08 | Ribard Pierre | Perfectionnements apportes aux tetes de travail des machines de polissage et analogues |
JPS6125768A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Nec Corp | 平面研摩装置の被加工物保持機構 |
JPS61188331A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Nippon Texas Instr Kk | 物体取出装置 |
NL8503217A (nl) * | 1985-11-22 | 1987-06-16 | Hoogovens Groep Bv | Preparaathouder. |
JPH0671689B2 (ja) * | 1985-11-27 | 1994-09-14 | 株式会社日立製作所 | 研磨、研削用真空吸着装置 |
JPH0741534B2 (ja) * | 1986-11-10 | 1995-05-10 | 不二越機械工業株式会社 | ウエーハの研摩方法及び研摩装置 |
US4892455A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-09 | Hine Derek L | Wafer alignment and transport mechanism |
JPS63300858A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | 空気軸受式ワ−クホルダ |
NL8701603A (nl) * | 1987-07-08 | 1989-02-01 | Philips & Du Pont Optical | Vacuuminrichting voor het vastzuigen van werkstukken. |
JPS63114870A (ja) * | 1987-10-22 | 1988-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウェハの真空吸着方法 |
US4918869A (en) * | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
JPH01155640A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハカセツト搬送ロボツト |
JPH01216768A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Showa Denko Kk | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
JPH01303733A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
GB8815553D0 (en) * | 1988-06-30 | 1988-08-03 | Mpl Precision Ltd | Vacuum chuck |
JPH079896B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
DE3901254A1 (de) * | 1989-01-18 | 1990-07-19 | Erwin Junker | Verfahren und vorrichtung zum aufspannen instabiler teile |
JP2527232B2 (ja) * | 1989-03-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
JPH03125453A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ移送装置 |
JP2501366B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1996-05-29 | 株式会社 エフエスケー | 物体の保持装置 |
DE4028446C1 (ja) * | 1990-09-07 | 1991-12-05 | Datron-Electronic Gmbh, 6109 Muehltal, De | |
JP3118457B2 (ja) * | 1990-11-05 | 2000-12-18 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハー研磨方法とこれに用いるトップリング |
US5230184A (en) * | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
JP2634343B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1997-07-23 | 信越化学工業株式会社 | 半導体ウェーハの保持方法 |
US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
US5409348A (en) * | 1992-05-15 | 1995-04-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer method |
US5498199A (en) * | 1992-06-15 | 1996-03-12 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
JP3027882B2 (ja) * | 1992-07-31 | 2000-04-04 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部研磨装置 |
EP0911115B1 (en) * | 1992-09-24 | 2003-11-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP3370112B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
JPH07110455B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1995-11-29 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ固定装置 |
US5377451A (en) * | 1993-02-23 | 1995-01-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wafer polishing apparatus and method |
US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
JP2534196B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1996-09-11 | 株式会社エンヤシステム | ウエ−ハ貼付方法 |
US5624299A (en) * | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US5423716A (en) * | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
US5423558A (en) * | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
US5449314A (en) * | 1994-04-25 | 1995-09-12 | Micron Technology, Inc. | Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
US5908530A (en) * | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
US5681215A (en) * | 1995-10-27 | 1997-10-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5643061A (en) * | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
US5791978A (en) * | 1996-11-14 | 1998-08-11 | Speedfam Corporation | Bearing assembly for wafer planarization carrier |
US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
-
1997
- 1997-12-31 US US09/002,213 patent/US5993302A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-28 TW TW087117914A patent/TW379163B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-06 EP EP98956661A patent/EP1045741A1/en not_active Withdrawn
- 1998-11-06 WO PCT/US1998/023733 patent/WO1999033614A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-11-06 KR KR1020007007343A patent/KR20010033796A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-11-06 JP JP2000526333A patent/JP4223682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010033796A (ko) | 2001-04-25 |
US5993302A (en) | 1999-11-30 |
JP2001526969A (ja) | 2001-12-25 |
WO1999033614A1 (en) | 1999-07-08 |
EP1045741A1 (en) | 2000-10-25 |
TW379163B (en) | 2000-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4223682B2 (ja) | ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド | |
US5964653A (en) | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system | |
US6080050A (en) | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus | |
EP1001864B1 (en) | A carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus | |
US6159079A (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate | |
US6776694B2 (en) | Methods for carrier head with multi-part flexible membrane | |
US6431968B1 (en) | Carrier head with a compressible film | |
JP4516662B2 (ja) | 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド | |
US6406361B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US6050882A (en) | Carrier head to apply pressure to and retain a substrate | |
US6361419B1 (en) | Carrier head with controllable edge pressure | |
EP1133378A2 (en) | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head | |
US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070918 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071226 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080118 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080313 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081003 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |