JP5648954B2 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
この特許文献1には、ウェーハを保持するトップリング本体と、ウェーハに当接する弾性パッドと、弾性パッドを支持する支持部材とを備え、支持部材の下面には弾性パッドに当接する弾性膜を備えた当接部材を設け、弾性パッドと支持部材との間に形成される空間内部には、当接部材の内部に形成される第1の圧力室と該当接部材の外部に形成される第2の圧力室とを有し、上記当接部材の内部に形成される第1の圧力室と、上記当接部材の外部に形成される第2の圧力室とにそれぞれ流体または真空を供給する供給源を備えた研磨ヘッドを有する研磨装置が開示されている(請求項1等)。
しかしながら、この特許文献1に示されるものでは、第1の圧力室と第2の圧力室とを独立に異なる圧力に押圧するものであるため、第1の圧力室と第2の圧力室の間の境界領域は、どうしても不連続な圧力となり、したがって、階段状の圧力分布となり、階段状の研磨形状となりやすいという課題がある。
特に弾性パッドが軟らかい材質のものの場合、上記傾向が顕著に現れる。
すなわち、本発明に係る研磨装置は、ワークを保持する研磨ヘッドと、表面に研磨布が貼付された定盤と、前記研磨ヘッドと定盤とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、前記研磨ヘッドが、リング状の側壁部を有する保持プレートと、該保持プレートに周縁部で固定され、下面でワークに当接して該ワークを前記定盤の研磨面へ押圧可能に設けられた弾性膜部材と、前記保持プレートの下面側および前記弾性膜部材の上面との間に形成され、流体供給手段によって所定圧力の流体が供給され、弾性膜部材を押圧する圧力室と、前記弾性膜部材に傾斜して当接して前記圧力室内を外周側と内周側に仕切るシールリップを有し、該シールリップが、前記圧力室のうち圧力が高い圧力室から圧力が低い圧力室に向けて流体が流れる形状をなすシールリングと、該シールリングによって仕切られた各圧力室に個別に流体を供給する前記流体供給手段と、前記シールリングによって仕切られた圧力室内の流体を所要方向に逃がしつつ各圧力室間の差圧を維持するように調整する流体圧調整手段を具備することを特徴とする。
また、前記シールリングを複数、同心状に配設して、圧力室内を同心状の複数の圧力室に仕切ってもよい。
また、前記弾性膜部材に、樹脂シート材および該樹脂シート材の表面に形成された発泡樹脂層からなり、発泡樹脂層を下方に向けて前記保持プレートの下面側を覆うようにして保持プレートに周縁部で固定され、発泡樹脂層の下面でワークに当接して該ワークを前記定盤の研磨面へ押圧可能に設けられたバッキング材を用いることができる。
図1は研磨装置の概略を示す説明図である。
研磨装置10は、表面にワークを研磨する研磨布11が貼設された定盤12と、ウェーハを下面側に保持すると共に研磨布11に押圧する研磨ヘッド14と、該研磨ヘッド14と定盤12とを相対的に運動させる運動機構とを備える。
20はヘッド本体であり、下側に筒状の側壁部20aを有する。
22は保持プレートであり、上下に筒状の側壁部22a、22bを有する。
保持プレート22は、リング状の硬質のゴム板材からなるダイアフラム23が、その外周縁部が保持プレート22の上側側壁部22bの上部に固定され、その内周縁部がヘッド本体20の側壁部20aの外周縁部に固定されることによって、ヘッド本体20に対して所要範囲内で上下動可能に設けられている。なお、保持プレート22は、図示しないピン部材によってヘッド本体20と連結させて、下方への移動範囲を規制させてもよい。
テンプレート31はウェーハ30とほぼ同じ厚さに形成され、ウェーハ30の周囲を囲み、研磨中にウェーハ30が外方に飛び出さないようにしている。
また、テンプレート31は、第1の圧力室24に流体が供給されることにより、研磨中、ウェーハ30の周囲の研磨布11の表面を押圧し、研磨布11の表面をウェーハ30の下面とほぼ同じ高さとすることによって、ウェーハ30の過研磨を防止するようにする。
ウェーハ30は、水の表面張力によって弾性膜部材28の下面に保持される。
ウェーハ30の研磨の際には、第1の流体供給手段から第1の圧力室24に所要圧の流体を供給する。これにより、保持プレート22は定盤12の研磨布11上に押圧される。特に、テンプレート31が所定の押圧力により研磨布11上に押圧され、ウェーハ30外方の研磨布11面をウェーハ30の面とほぼ同一になるようにする。第1の圧力室24内の流体圧はレギュレーター27によって所要圧に維持される。
本実施の形態の場合には、基本的に、第2の圧力室40の圧力の方が第3の圧力室42の圧力よりも高くなるように設定される。これにより、Vリング36のシールリップ38が若干開かれ、第2の圧力室40内の流体が第3の流体室42側に逃げる。その際、レギュレーター(流体圧調整手段)27は、流体が第2の圧力室40から第3の圧力室42に逃げるのを許容しながら、両圧力室40、42の圧力が所要圧を維持するように(すなわち、両圧力室40、42の差圧が維持されるように)圧力調整をする。
なお、研磨条件によっては、第2の圧力室40の圧力の方が第3の圧力室42の圧力よりも低くなるようにすることもできる。この場合には、Vリング36のシールリップ38が閉じることから、第3の圧力室42から第2の圧力室40に流体が流れ込むことはない。
また、Vリングによって差圧を形成した場合は、流体の移動がない状態のときでも、Vリング直下に形成される境界領域の圧力分布における階段状の変化を緩やかにしていると考えられるので、そのような効果が得られるようにシールリップを傾斜して配置すれば、ウェーハ30表面の研磨を均一にすることが可能となる。
まず、基本的に、第2の圧力室40と第3の圧力室42との圧力(差)を変化させることによって、ウェーハ30の研磨量を調節できることがわかる。
上記実施の形態では、ダレ量が0となる、両圧力室40、42の差圧が−5kPaのところが最適といえるが、この差圧条件が必ずしも全ての場合に該当するというものではない。
例えば、ウェーハ30に対するVリング36の位置(支持プレート32の大きさ)、すなわち、第2の圧力室40と第3の圧力室42の境界位置等によっても条件が変わってくる。
また、上記実施の形態は、ウェーハをバッキング材で保持するタイプの研磨ヘッドであるが、バッキング材による保持を採用せずに他の保持方法、例えば、真空吸着による保持を採用する場合であっても、ウェーハを真空吸着する吸着シート(弾性膜部材)上にVリングを配設すればよい。
ヘッド本体20の下面側に保持プレート22がダイアフラム23により上下動自在に吊持されている。ヘッド本体20下面、保持プレート22上面、ダイアフラム23とで第1の圧力室24が画成されている。保持プレート22はリング状の側壁部22aを有する。
支持プレート32の外周面には、シールリングの一例であるゴム製のVリング36が配設され、Vリング36のシールリップ38が弾性膜部材58の上面に傾斜して当接している。これにより、支持プレート32下面側に第2の圧力室40と第3の圧力室42が画成されている。
ウェーハの研磨時には、ウェーハが定盤12上に搬送され、第1の圧力室24、第2の圧力室40、第3の圧力室42内に図示しない流体供給手段から所要圧の流体がそれぞれ供給され、ウェーハが定盤12の研磨布11上に所要圧力で押圧される。そして、定盤12、研磨ヘッド14が所要方向に回転されることによって、ウェーハの研磨が行える。
本実施の形態でも、第2の圧力室40から第3の圧力室42側に流体が逃げる(流体が流れる)ことから、両圧力室40、42間の境界領域の圧力は、順次連続的に変化するものと考えられ、従来のような階段状に不連続に変化するのとは異なり、ウェーハ表面の均一研磨がそれだけ可能となる。
Claims (5)
- ワークを保持する研磨ヘッドと、表面に研磨布が貼付された定盤と、前記研磨ヘッドと定盤とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、
前記研磨ヘッドが、
リング状の側壁部を有する保持プレートと、
該保持プレートに周縁部で固定され、下面でワークに当接して該ワークを前記定盤の研磨面へ押圧可能に設けられた弾性膜部材と、
前記保持プレートの下面側および前記弾性膜部材の上面との間に形成され、流体供給手段によって所定圧力の流体が供給され、弾性膜部材を押圧する圧力室と、
前記弾性膜部材に傾斜して当接して前記圧力室内を外周側と内周側に仕切るシールリップを有し、該シールリップが、前記圧力室のうち圧力が高い圧力室から圧力が低い圧力室に向けて流体が流れる形状をなすシールリングと、
該シールリングによって仕切られた各圧力室に個別に流体を供給する前記流体供給手段と、
前記シールリングによって仕切られた圧力室内の流体を所要方向に逃がしつつ各圧力室間の差圧を維持するように調整する流体圧調整手段を具備することを特徴とする研磨装置。 - 前記シールリングが、外周側の圧力室から内周側の圧力室に向けて流体を逃がすシールリングであることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記シールリングが、内周側の圧力室から外周側の圧力室に向けて流体を逃がすシールリングであることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記シールリングが同心状に複数個配設されて圧力室内を同心状に複数の圧力室に仕切っていることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の研磨装置。
- 前記弾性膜部材が、樹脂シート材および該樹脂シート材の表面に形成された発泡樹脂層からなり、発泡樹脂層を下方に向けて前記保持プレートの下面側を覆うようにして保持プレートに周縁部で固定され、発泡樹脂層の下面でワークに当接して該ワークを前記定盤の研磨面へ押圧可能に設けられたバッキング材であることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載の研磨装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010193124A JP5648954B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 研磨装置 |
TW100125883A TWI505909B (zh) | 2010-08-31 | 2011-07-22 | 研磨裝置 |
US13/195,220 US8888563B2 (en) | 2010-08-31 | 2011-08-01 | Polishing head capable of continuously varying pressure distribution between pressure regions for uniform polishing |
KR1020110078151A KR101767272B1 (ko) | 2010-08-31 | 2011-08-05 | 연마 장치 |
MYPI2011003734A MY161696A (en) | 2010-08-31 | 2011-08-10 | Polishing apparatus |
CN201110262576.1A CN102380820B (zh) | 2010-08-31 | 2011-08-30 | 研磨设备 |
EP11179588.6A EP2422930B1 (en) | 2010-08-31 | 2011-08-31 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010193124A JP5648954B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012051037A JP2012051037A (ja) | 2012-03-15 |
JP5648954B2 true JP5648954B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=44509077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010193124A Active JP5648954B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 研磨装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8888563B2 (ja) |
EP (1) | EP2422930B1 (ja) |
JP (1) | JP5648954B2 (ja) |
KR (1) | KR101767272B1 (ja) |
CN (1) | CN102380820B (ja) |
MY (1) | MY161696A (ja) |
TW (1) | TWI505909B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5145131B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-02-13 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッドの製造方法 |
CN101342679A (zh) * | 2008-08-19 | 2009-01-14 | 清华大学 | 一种用于化学机械抛光的抛光头 |
JP5455190B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2014-03-26 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
-
2010
- 2010-08-31 JP JP2010193124A patent/JP5648954B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-22 TW TW100125883A patent/TWI505909B/zh active
- 2011-08-01 US US13/195,220 patent/US8888563B2/en active Active
- 2011-08-05 KR KR1020110078151A patent/KR101767272B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-10 MY MYPI2011003734A patent/MY161696A/en unknown
- 2011-08-30 CN CN201110262576.1A patent/CN102380820B/zh active Active
- 2011-08-31 EP EP11179588.6A patent/EP2422930B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120021190A (ko) | 2012-03-08 |
EP2422930A3 (en) | 2014-01-15 |
CN102380820B (zh) | 2015-07-15 |
EP2422930B1 (en) | 2015-02-25 |
TWI505909B (zh) | 2015-11-01 |
MY161696A (en) | 2017-05-15 |
US20120052774A1 (en) | 2012-03-01 |
EP2422930A2 (en) | 2012-02-29 |
JP2012051037A (ja) | 2012-03-15 |
KR101767272B1 (ko) | 2017-08-10 |
TW201210741A (en) | 2012-03-16 |
US8888563B2 (en) | 2014-11-18 |
CN102380820A (zh) | 2012-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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