KR101196652B1 - 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드 - Google Patents

캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드 Download PDF

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Abstract

화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 웨이퍼 흡착면을 제공하는 멤브레인에 있어서, 구획 멤브레인과, 상기 구획 멤브레인의 하면에 밀착되며 웨이퍼 흡착면을 제공하는 메인 멤브레인, 및 상기 메인 멤브레인에 결합되며 메인 멤브레인에 가해지는 공기압을 전달받아 메인 멤브레인 하면에 압력을 가하는 환형링을 포함하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체를 제공한다. 메인 멤브레인의 에지 부분에는 공기압이 가해지는 에지 챔버가 형성되며, 환형링은 상기 에지 챔버에 가해지는 공기압을 전달받아 메인 멤브레인 하면으로 압력을 전환하는 경사면이 구비된다.

Description

캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드{MEMBRANE ASSEMBLY IN CARRIER HEAD}
본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼의 에지 부분을 가압하여 웨이퍼의 사용 영역을 보다 확장시킬 수 있는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드에 관한 것이다.
화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.
이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 잡아주거나 수용하는 장치로서, 멤브레인(membrane) 타입의 캐리어 헤드가 주로 사용되고 있다. 또한, 웨이퍼의 표면에 단순히 균일한 압력을 가하여 막질을 전체적으로 고르게 연마하는 기술 단계를 넘어서, 단일 웨이퍼의 표면에 국부적으로 상이한 압력을 가하여 웨이퍼의 연마 프로파일을 다양하게 조절할 수 있는 다중영역분할 연마식의 캐리어 헤드 기술이 제안된 바 있다.
도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 다중영역분할 연마식 멤브레인형 캐리어 헤드(H)의 구조 및 각 분할 챔버(C1)(C2)로 소정의 공기압(P1)(P2)이 부하되었을 때의 작동상태를 각각 개략적으로 도시한 것이다.
상기 캐리어 헤드(H)의 저면부에 설치되는 멤브레인(110)은, 도 1a에 도시된 바와 같이, 그 상면 쪽에 링형의 멤브레인 지지스템(120)이 일체로 형성되어 상기 멤브레인 지지스템(120)에 의해 내측 챔버(C1)와 외측 챔버(C2)가 각각 분리될 수 있도록 된 구조를 이루는 것으로서, 상기 멤브레인(110)의 상부 내측에 적층 설치되는 멤브레인 플레이트(11) 및 멤브레인 클램프(12)와, 그 외주를 감싸는 리테이너링(3)에 의해 고정되는 구조를 이루고 있다.
상기의 캐리어 헤드(H)의 구조에 있어서, 중앙 공기통로(2) 및 외측 공기통로(24)를 통해 소정의 공기압(P1)(P2)이 각각 부하되면, 도 1b에 도시된 바와 같이, 공기압 P1은 상기 내측 챔버(C1)에, 그리고 공기압 P2는 상기 외측 챔버(C2)에 각각 소정의 압력을 가하여 각각 팽창되고, 이때 상기 멤브레인 지지스템(120)은 상기 멤브레인 플레이트(11) 및 멤브레인 클램프(12)에 의해 상단부가 고정된 상태를 이뤄 상기 각 챔버(C1)(C2)의 팽창 정도에 맞게 변형되지 않으므로 상기 멤브레인 지지스템(120)의 하단부 외주를 따라 상기 내측 챔버(C1)와 외측 챔버(C2)의 경계부 간에 급격한 원형의 변곡점(121)을 형성하게 된다.
이러한 변곡점(121)은 단일 웨이퍼의 표면에 소정의 영역분할 프로파일을 구현하기 위하여 국부적인 차등 압력부하에 의한 다중연마공정을 수행함에 있어서 악영향을 미치게 되는 바, 즉, 상기 변곡점(121) 부위에서 급격한 형상 및 압력 변화를 이룬 채 웨이퍼의 배면을 불안정하게 가압하게 됨으로써 영역분할 경계부에서의 연마속도 저하를 초래하여 이상연마현상이 발생하고, 이로 인하여 결국 반도체 생산수율을 저하시키게 되는 문제점이 있다.
전술한 종래의 캐리어 헤드는 저면부에 결합된 멤브레인의 하면에 웨이퍼가 흡착되는데 웨이퍼의 고정을 위하여 간접 흡착 방식을 따르고 있다. 간접 흡착은 웨이퍼에 전달되는 챔버의 진공 압력이 멤브레인에 전달되는 압력에 비해 상대적으로 작기 때문에 웨이퍼의 흡착 오류를 일으킬 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼의 이동 과정이나 웨이퍼의 탈착 과정에서 캐리어 헤드로부터 웨이퍼가 떨어져 손상이 발생되기 쉽다.
특히, 종래의 캐리어 헤드 멤브레인은 하면에 흡착되는 웨이퍼에 균일한 압력을 전달하지 못하여 연마 공정에서 웨이퍼 에지 영역은 연마가 제대로 이루어지지 못하였다. 이러한 결과로, 웨이퍼 전체 면적에 대해 반도체 소자를 생산하지 못하고 수율이 떨어지게 되는 문제가 있다.
한편, 캐리어 헤드에서 멤브레인의 고가의 부품에 해당하는 반면, 연마 과정에서 부분적으로 훼손되거나 연마 공정이 장기간 지속됨에 따라 더 이상 사용할 수 없는 소모성 부품이어서 정기적인 교체가 불가피하다. 멤브레인 클램프와의 결합을 위한 고정부나 다중영역분할 연마를 위한 격벽을 포함하는 복잡한 구조를 갖는 멤브레인의 교체는 캐리어 헤드의 구성 부품의 분해와 결합이 요구되어 캐리어 헤드의 수명을 떨어뜨리고 연마 공정의 효율을 저하시키는 요인이 되고 있다.
따라서, 소모된 멤브레인의 손쉬운 교체가 가능하고 교체 과정에서 캐리어 헤드의 구성 부품에 손상을 주지 않는 새로운 멤브레인이 요구된다.
본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 흡착 및 탈착이 용이하고 연마 공정 효율이 뛰어난 캐리어 헤드를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 전체 면적에 대해 균일한 압력을 가하여 연마 공정 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 멤브레인을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 멤브레인의 정렬이 쉽고 견고한 밀착이 가능한 멤브레인을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 웨이퍼 흡착면을 제공하는 멤브레인에 있어서, 상기 웨이퍼와 판면 접촉하는 메인 멤브레인과; 상기 메인 멤브레인의 에지 부분에 설치되어, 공기압을 전달받아 상기 멤브레인을 향해 하방으로 압력을 가하는 환형링을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체를 제공한다.
본 발명의 일실시예에서 상기 환형링은 상기 웨이퍼와 접촉하는 판면에 대하여 경사진 경사면을 구비한 중공 단면으로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 챔버를 구획하는 격벽이 형성되고, 상기 메인 멤브레인의 상면에 위치하는 구획 멤브레인을 추가적으로 포함할 수도 있다.
상기 환형링은 메인 멤브레인과 접촉하는 외벽, 상기 외벽의 반대면에 배치되어 수평적으로 전달되는 외압을 수직적으로 변경시키는 경사면, 및 상기 외벽과 경사면의 아래로 연장되는 하방 돌기를 포함하는 단면 구조를 가질 수 있다. 상기 메인 멤브레인은 에지 부분에 수직으로 연장되는 날개부와, 이 날개부로부터 연장되며 공기압이 가해지는 에지 챔버를 포함하며, 상기 에지 챔버는 상기 환형링과 직접 맞닿는 경사면이 구비되는 것이 바람직하다.
환형링은 에지 챔버를 통해 전달되는 공기압을 수직 하방으로 전환하여 메인 멤브레인 외면에 흡착되는 웨이퍼에 가해지는 압력을 가중시키며, 그 결과 웨이퍼 전체 면적에 대해 연마 공정을 보다 균일하고 효율적으로 수행할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 상에 제조된 각종 반도체 소자들의 수율을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명은 또한, 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 웨이퍼 흡착면을 제공하는 멤브레인에 있어서, 상면에 복수의 압력 인가 구획을 제공하는 격벽이 형성되어 있고, 하면은 평탄하게 형성된 구획 멤브레인과, 상기 구획 멤브레인의 하면에 밀착되며 웨이퍼 흡착면을 제공하는 하면은 평탄하게 형성되고, 에지 부분에 공기압이 가해지는 에지 챔버가 있는 메인 멤브레인, 및 상기 메인 멤브레인과 결합되며, 상기 에지 챔버에 가해지는 공기압을 전달받아 메인 멤브레인 하면으로 압력을 전환하는 경사면이 구비된 환형링을 포함하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 구획 멤브레인은 상면에 환형 가압 돌기가 형성될 수 있다. 공기압이 멤브레인에 가해지면 환형 가압 돌기가 배치된 지점의 압력 상승으로 인하여 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 상호 밀착되고, 구획 멤브레인 하면과 메인 멤브레인 상면 사이에는 공기나 액체가 침투될 여지가 없으며, 실질적으로 두 멤브레인이 일체화된다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 전체 면적에 대해 균일한 연마 공정을 수행할 수 있어 웨이퍼 상의 반도체 소자 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 캐리어 헤드의 멤브레인을 이중막으로 구성함으로써 멤브레인의 내구성을 증진시키며, 멤브레인에 가해지는 공기압을 다중 영역으로 분할하여 효과적인 연마 공정을 수행할 수 있다. 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 연마 과정에서 두 멤브레인이 견고하게 밀착되어 접착면에 이 물질의 침투가 방지된다. 또한, 멤브레인의 교체가 요구되는 경우, 웨이퍼와 맞닿는 메인 멤브레인만 교체하고 구획 멤브레인은 그대로 사용함으로써 재료비를 크게 줄일 수 있다.
도 1a 및 1b는 종래의 캐리어 헤드를 보인 단면도.
도 2는 본 발명의 캐리어 헤드를 보인 반단면도.
도 3은 본 발명의 캐리어 헤드의 이중막 멤브레인을 보인 단면도.
도 4는 본 발명의 구획 멤브레인을 보인 단면도.
도 5는 본 발명의 메인 멤브레인을 보인 단면도.
도 6a 및 6b는 본 발명의 환형링을 보인 평면도 및 단면도.
도 7은 본 발명의 멤브레인 결합체를 보인 단면도.
도 8은 도 7의 부분 확대도.
도 9는 구획 멤브레인에 제공되는 다중분할 챔버를 보인 단면도.
도 10은 구획 멤브레인의 가압돌기에 작용하는 힘을 보인 모식도.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
200:캐리어 헤드 210:메인 멤브레인
213:수직 날개 214:에지 챔버
218:위치 고정 돌기 220:구획 멤브레인
221,223:격벽 225,226:가압 돌기
230:환형링 232:경사면
본 발명은 구획 멤브레인과 메인 멤브레인 및 환형링을 구성되는 멤브레인 결합체를 제안한다.
본 발명의 멤브레인 결합체를 포함하는 캐리어 헤드(200)를 도 2에 도시하였다. 캐리어 헤드는 덮개 또는 하우징 내부에 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하는 구동체(202)를 포함하며, 하부면에는 리테이너링(206) 안쪽으로 웨이퍼(10) 흡착면을 제공하는 멤브레인 결합체가 배치된다.
이 멤브레인 결합체는 캐리어 헤드 내에서 공기압을 직접 전달받는 구획 멤브레인(220)과, 구획 멤브레인과 밀착되어 간접적으로 압력을 인가받으며 웨이퍼 흡착면을 제공하는 메인 멤브레인(210) 및 메인 멤브레인에 결합되어 웨이퍼 에지 부분에 압력을 가중시키는 환형링(230)을 포함한다. 메인 멤브레인과 구획 멤브레인은 각각 캐리어 헤드 내의 다른 부품, 예를 들어 멤브레인 홀더(206)에 고정될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 멤브레인 결합체를 구성하는 구획 멤브레인(220)과 메인 멤브레인(210)의 단면 구조를 보인 것이다.
구획 멤브레인(220)은 평면적으로 볼 때 얇은 디스크 타입의 구조체로서 중앙에는 웨이퍼의 흡착을 위해 공기압이 가해지는 통과홀(220h)이 형성되어 있다. 메인 멤브레인(210) 역시 평면적으로 볼 때 얇은 디스크 타입의 구조체로서 중앙에는 웨이퍼의 흡착을 위해 공기압이 가해지는 통과홀(210h)이 형성되어 있고 이 통과홀(210h)은 구획 멤브레인의 통과홀(220h) 보다 직경이 작게 형성되어 있다.
본 발명의 멤브레인 결합체는 중앙의 통과홀을 통해 공기압을 가하여 웨이퍼를 직접적으로 흡착함으로써 작은 압력으로도 웨이퍼의 흡착이 가능하며 웨이퍼 연마 시 웨이퍼 연마면에 균일한 압력을 전달하여 연마 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 멤브레인 결합체를 구성하는 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 중앙의 통과홀을 포함하지 않을 수도 있다.
구획 멤브레인(220)과 메인 멤브레인(210)은 실리콘 고무와 같은 가요성 또는 탄성 재질의 물질로 제조할 수 있으며, 동일 재료 또는 이종 재료로 각각의 멤브레인을 제조할 수도 있다. 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 얇게 형성되는 반면 가혹한 연마 공정에서 내구성을 유지하기 위하여 높은 경도가 요구되며, 각 멤브레인의 경도는 SHORE A 40 ~ 50의 범위인 것이 바람직하다.
구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 구획 멤브레인 하면이 메인 멤브레인의 상면에 밀착된 상태로 이중막 멤브레인을 구성하며, 상호간의 결합 및 위치 고정을 위하여 별도의 결합 수단을 구비할 수 있다. 메인 멤브레인은 구획 멤브레인을 수용하기 위하여 전체 길이가 구획 멤브레인 보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 캐리어 헤드의 멤브레인을 구획 멤브레인과 메인 멤브레인의 이중막으로 구성하기 때문에 각각의 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 단일막의 멤브레인에 비하여 두께를 크게 낮추는 것이 가능하다. 이 경우, 연마 과정에서 주로 손상을 입기 쉬운 메인 멤브레인만을 교체할 수 있어 재료비를 절감할 수 있고, 멤브레인 교체 작업이 용이하며 교체 시간도 상당히 줄일 수 있다.
본 발명에 따른 멤브레인 결합체에서 구획 멤브레인은 캐리어 헤드 내의 공기 통로를 통해 전달되는 공기압이 직접적으로 가해지며, 메인 멤브레인은 구획 멤브레인을 통하여 간접적으로 공기압을 전달받아 웨이퍼에 압력을 가하는 한편, 공기압에 의해 웨이퍼를 흡착하는 표면을 제공한다. 한편, 환형링은 메인 멤브레인에 가해지는 공기압을 전달받아 수직 하방으로 웨이퍼의 에지에 압력을 가중시킨다.
구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 각각 별도의 수단에 의하여 캐리어 헤드 내부의 다른 부품들에 클램핑될 수 있고, 이와 달리 구획 멤브레인이 메인 멤브레인 상면에 안착된 상태에서 메인 멤브레인만을 클램핑시킬 수도 있다.
이하에서는 구체적인 실시예를 통하여 본 발명의 멤브레인 결합체를 보다 자세하게 설명하며, 전체적으로 대칭인 멤브레인 단면의 1/2에 해당하는 부분 단면도가 도시된다.
도 4는 구획 멤브레인을 도시한 것으로, 멤브레인 상면(221a)에는 복수의 수직 격벽(222, 223)이 형성되어 있고, 하면(221b)은 평탄하게 형성되어 있다. 상기 격벽(222, 223)은 멤브레인에 가해지는 공기압을 여러 영역으로 분할하고 각각의 영역에 대해 서로 다른 공기압을 전달할 수 있는 다중영역 분할 연마를 가능하게 한다. 격벽의 수와 크기 및 위치는 연마 공정과 관련하여 다양하게 변화될 수 있다. 격벽의 끝단에는 수평적으로 연장되는 날개부(224)가 더 형성되어 캐리어 헤드 내의 다른 부품과 구획 멤브레인을 클램핑시킬 수 있다. 격벽의 두께는 공기압에 대해 충분히 견딜 수 있는 물리적인 지지력을 확보하기 위하여 구획 멤브레인 두께 보다 크게 형성될 수 있다.
구획 멤브레인 상면에는 또한 가압돌기(225, 226)가 형성된다. 이 가압돌기(225, 226)는 평면적으로 볼 때 환(環)상의 구조물로 멤브레인과 일체적으로 형성되며, 구획 멤브레인에 전달되는 공기압이 가해지는 면적을 국부적으로 크게 하며, 이에 대해서는 후술한다. 가압돌기는 구획 멤브레인 상면에 적어도 두 곳에 형성되는 것이 바람직하며, 구획 멤브레인의 중앙 통과홀 근처(226에 해당)와 에지 근처(225에 해당)에 각각 형성함으로써 구획 멤브레인과 메인 멤브레인의 견고한 밀착을 유도할 수 있다. 둘 이상의 가압돌기는 구획 멤브레인 상면에서 실질적으로 동심원상에 배치될 수 있다.
한편, 도시되지 않았으나 구획 멤브레인 상면에는 다수의 엠보싱이 형성될 수 있다. 이러한 엠보싱은 얇은 막인 구획 멤브레인을 다루기에 용이할 뿐만 아니라, 구획 멤브레인에 가해지는 공기압을 보다 균일하게 분포시킬 수 있다.
도 5는 메인 멤브레인을 도시한 것으로, 구획 멤브레인이 안착되는 표면을 제공하는 멤브레인 상면(211a)은 평탄하게 형성되어 있고, 캐리어 헤드 내의 다른 부품과 클램핑이 가능하도록 중앙 통과홀 부분과 에지 부분에는 각각 수직 날개(212, 213)가 일체적으로 형성되어 있다. 웨이퍼의 흡착면을 제공하는 멤브레인 하면(211b)은 평탄하게 형성된다.
메인 멤브레인은 웨이퍼와 직접 맞닿아 웨이퍼를 흡착할 뿐만 아니라 웨이퍼 연마 과정에서 화학적 물리적 손상을 받기 쉽기 때문에 메인 멤브레인의 두께는 구획 멤브레인 보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
메인 멤브레인의 에지 부분에서 수직으로 연장되는 수직 날개(213) 내면에는 하방에 수용홈(216)을 제공하는 돌출부(215)가 형성되어 있고, 이 수용홈에는 구획 멤브레인의 끝단이 삽입될 수 있다. 또한, 상기 돌출부(215)는 상방으로 또 다른 수용홈이 존재하게끔 위쪽으로 연장된 고리 모양으로 형성된다. 수직 날개(213) 내면과 상기 돌출부(215)로 인하여 제공되는 공간(217)에는 환형링이 체결된다.
상기 메인 멤브레인은 돌출부(215) 위쪽으로 수직 날개 내면으로부터 수평적으로 에지 챔버(214)가 형성된다. 상기 에지 챔버는 상기 수직 날개로부터 수평적으로 연장되는 상부 날개(214a)와 하부 날개(214b)로 구성된다. 에지 챔버는 구획 멤브레인을 통하지 않고 직접 메인 멤브레인에 공기압에 가해지는 독립적인 챔버에 해당하며, 이 곳에 수평적으로 가해지는 공기압은 환형링을 통해 수직적으로 방향 전환되는데 이에 관해서는 후술한다.
메인 멤브레인 상면의 중앙 통과홀의 수직 날개(212) 근처에는 환형 위치고정돌기(218)가 형성될 수 있다. 이 위치고정돌기는 구획 멤브레인이 메인 멤브레인에 안착될 때 구획 멤브레인의 중앙 통과홀과 실질적으로 동일한 위치에 형성되어 구획 멤브레인의 위치를 고정시킨다.
도 6a는 본 발명의 멤브레인 결합체에서 환형링을 도시한 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 AA 단면을 보인 것이다. 환형링은 멤브레인과 동일 재질 또는 다른 강성이 있는 탄성 물질로 제조할 수 있으며, 독립적으로 제조하여 메인 멤브레인에 결합할 수도 있지만, 경우에 따라서는 메인 멤브레인과 일체적으로 형성할 수도 있을 것이다.
환형링(230)의 단면 구조를 보면 전체적으로는 사다리꼴에 유사한 형태를 가지며, 메인 멤브레인의 수직 날개(213)의 내면과 접촉하게 되는 외벽(231)과, 상기 외벽의 반대면에 배치되어 수평적으로 전달되는 외압을 수직적으로 변경시키는 경사면(232), 및 상기 외벽과 경사면의 아래로 연장되는 하방 돌기(233)를 포함한다. 환형링(230)은 중공부를 구비하지 않을 수도 있지만 도6b에 도시된 바와 같이 중공부를 갖는 단면으로 형성되는 것이 전달받은 압력을 하방으로 전달하는 데 있어서 훨씬 더 효과적이다. 상기 경사면(232)의 아래쪽으로는 수평적으로 연장된 수평 돌기(234)가 형성될 수 있다. 하방 돌기와 수평 돌기는 각각 메인 멤브레인 내부에 환형링이 체결되어 고정시키는 수단으로 작용한다.
본 발명에 따른 멤브레인 결합체의 각 구성 요소가 상호 결합되어 하나의 몸체를 구성한 모습을 도 7에 도시하였다. 구획 멤브레인(220)의 끝단은 메인 멤브레인(210)의 돌출부(215) 하방으로 삽입되며, 구획 멤브레인 중앙 통과홀은 메인 멤브레인의 위치고정돌기(218)에 끼워진다. 환형링(230)은 메인 멤브레인에 결합되어, 구획 멤브레인으로부터 가해지는 공기압이 상대적으로 약한 하부 멤부레인 에지 부분(E)에 압력을 가중시킨다.
상부 멤브리엔과 메인 멤브레인, 그리고 메인 멤브레인과 환형링은 각각 끼움 결합에 의하여 상호 밀착되며, 이 과정에서 별도의 접착제나 결합 수단이 필요하지 않다. 연마 공정이 완료된 후에는 메인 멤브레인, 구획 멤브레인, 환형링을 쉽게 분리할 수 있고 개별적으로 교체할 수도 있다.
도 8은 도 7의 에지 부분 확대도로서, 환형링은 메인 멤브레인 에지 부분의 수직 날개(213)에 접촉된 채로 하방 돌기(234)는 돌출부(225) 상방의 수용홈에 결합되어 있고, 경사면(232)이 에지 챔버(214) 후방으로 삽입되어 있다. 상기 에지 챔버는 상부 날개(214a)와 하부 날개(214b)를 포함하며, 상부 날개는 수평적으로만 연장되는 반면 하부 날개는 수직 날개(213) 내면으로부터 경사진 채로 연장되는 경사부(214c)를 더 구비한다. 에지 챔버의 경사부(214c) 배면에 상기 환형링의 경사면(232)이 직접 접촉한다. 환형링의 수평 돌기(233)는 에지 챔버의 하부 날개의 수평 부분 쪽으로 연장되어 환형링이 하부 멤부레인으로부터 이탈되는 것을 방지한다.
캐리어 헤드 내부를 통해 전달되는 공기압은 후술하는 바와 같이 구획 멤브레인의 격벽에 의해 구획되는 각 챔버 뿐만 아니라, 상기 에지 챔버에도 전달된다. 에지 챔버에는 최초 수평적인 압력이 가해지며, 이 압력이 에지 챔버의 경사부(214c)에 전달되어 환형링의 경사면(232)에 압력을 가한다. 환형링은 경사면을 통해 전해지는 압력을 하방(D)으로 전달하여 최종적으로는 메인 멤브레인의 외면에 부착되는 웨이퍼(10)의 에지 영역(E)에 큰 힘을 작용시킨다. 그 결과, 연마 공정 중에 웨이퍼에 가해지는 압력이 상대적으로 작아 연마 효율이 떨어지고 제품으로 사용할 수 없었던 에지 영역을 이용할 수 있다.
도 9는 본 발명의 멤브레인 결합체가 제공하는 복수의 공기압 챔버를 도시하고 있다. 구획 멤브레인의 수직 격벽에 의하여 멤브레인에 여러 영역의 챔버(C1 ~ C5)가 존재하게 되며, 각각의 챔버에는 서로 다른 압력의 공기압이 인가될 수 있다. 상기 각 챔버의 내부로 적정의 공기압을 공급하여 웨이퍼의 배면에 간접 압력을 가함으로써 정교한 다중 분할 연마가 가능하다. 복수의 챔버를 제공하는 수직 격벽은 평면적으로 볼 때 환형 구조로 형성되며, 각각의 격벽은 구획 멤브레인에서 실질적으로 동심원상으로 배치될 수 있다.
한편, 복수의 챔버를 제공하는 구획 멤브레인은 하면에 메인 멤브레인이 밀착됨으로써 연마 공정 중 각각의 챔버에 가해지는 공기압에 따른 영역분할 연마 프로파일의 경계부에서 급격한 변곡점이 형성되는 것을 크게 완화시킨다. 따라서, 챔버 경계부에서 연마 속도 변화 등으로 인한 이상연마현상을 해소하여 원하는 연마 프로파일을 원활히 구현할 수 있고, 모든 영역에 대해 연마 속도를 안정적으로 유지할 수 있다.
연마 과정에서 구획 멤브레인과 메인 멤브레인의 접촉면에는 공기나 연마 슬러리 등의 액체가 침투되지 않도록 견고한 밀착이 필요하다. 본 발명에서는 구획 멤브레인에 형성된 환형 가압돌기가 국부적으로 더 큰 힘을 메인 멤브레인에 작용시킴으로써 이 물질의 침투를 원천적으로 방지한다.
도 10을 참조하면, 구획 멤브레인(220)과 메인 멤브레인(210)이 이중막을 구성하는 상태에서 공기압(P)이 구획 멤브레인에 가해지는 과정을 모식적으로 도시하고 있다. 가압돌기는 구획 멤브레인의 상면 위로 돌출되어 다른 부분과 비교할 때 더 큰 표면적을 제공하고 있다. 따라서, 동일한 압력이 구획 멤브레인에 가해질 때 메인 멤브레인에 전달되는 압력은 가압돌기가 위치한 영역(X)이 다른 곳(N) 보다 크게 작용한다. 그 결과, 가압돌기가 형성된 부분에서 구획 멤브레인과 메인 멤브레인 사이에 더욱 큰 밀착력이 발생하게 되며, 구획 멤브레인과 메인 멤브레인의 접착면에는 다른 이물질이나 공기가 침투될 여지가 없다. 반면, 구획 멤브레인과 메인 멤브레인은 마주보는 표면 간의 접착층이 존재하지 않기 때문에 구획 멤브레인 표면으로 가해지는 공기압이 제거되면 각각 독립적인 멤브레인으로 쉽게 분리할 수 있다.
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 웨이퍼 흡착면을 제공하는 멤브레인에 있어서,
    상기 웨이퍼와 판면 접촉하고, 에지 부분에 수직으로 연장되는 날개부와, 이 날개부로부터 연장되며 공기압이 가해지는 에지 챔버를 구비한 메인 멤브레인과;
    상기 메인 멤브레인의 상기 에지 챔버로부터 공기압을 전달받아 상기 멤브레인을 향해 하방으로 압력을 가하는 환형링을;
    포함하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 환형링은 상기 웨이퍼와 접촉하는 판면에 대하여 경사진 경사면을 구비한 중공 단면으로 형성된 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  3. 제 1항에 있어서,
    챔버를 구획하는 격벽이 형성되고, 상기 메인 멤브레인의 상면에 위치하는 구획 멤브레인을;
    추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 환형링은 상기 메인 멤브레인과 접촉하는 외벽, 상기 외벽의 반대면에 배치되어 수평적으로 전달되는 외압을 수직적으로 변경시키는 상기 경사면, 및 상기 외벽과 경사면의 아래로 연장되는 하방 돌기를 포함하는 단면 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 에지 챔버는 상기 환형링과 직접 맞닿는 경사부가 구비되어 있는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  6. 제3항에 있어서, 상기 구획 멤브레인은 상면의 환형 가압 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  7. 제3항에 있어서, 상기 메인 멤브레인은 상면에는 상기 구획 멤브레인의 중앙 통과홀에 대응하는 위치에 환형 위치 고정 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  8. 제3항에 있어서, 상기 메인 멤브레인은 구획 멤브레인 보다 두께가 큰 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 메인 멤브레인 에지 부분은 수직 날개가 있고, 이 수직 날개의 내면에는 하방으로 수용홈을 제공하는 돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  10. 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 웨이퍼 흡착면을 제공하는 멤브레인에 있어서,
    웨이퍼 흡착면을 제공하는 하면은 평탄하게 형성되고, 에지 부분에 공기압이 가해지는 에지 챔버가 있는 메인 멤브레인, 및
    상기 메인 멤브레인과 결합되며, 상기 에지 챔버에 가해지는 공기압을 전달받아 메인 멤브레인 하면으로 압력을 전환하는 경사면이 그 단면에 구비된 환형링을 포함하는
    캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  11. 제 10항에 있어서,
    상면에 복수의 압력 인가 구획을 제공하는 격벽이 형성되어 있고, 하면은 평탄하게 형성되어 상기 메인 멤브레인의 상면에 밀착되는 구획 멤브레인을
    더 포함하는 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 환형링은 중공부를 갖는 단면으로 형성된 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 멤브레인 결합체;
    상기 메인 멤브레인에 압력을 공급하는 공기 통로를;
    포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 헤드.
  14. 삭제
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101327146B1 (ko) 2012-06-29 2013-11-08 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치의 소모재 손상 감지 방법
KR101410358B1 (ko) 2013-02-25 2014-06-20 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마장치용 멤브레인 및 화학적 기계적 연마장치용 연마헤드
KR101411836B1 (ko) * 2012-11-27 2014-06-25 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드용 멤브레인
KR20140125289A (ko) * 2013-04-18 2014-10-28 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR20150103797A (ko) * 2014-03-04 2015-09-14 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인
US20150273657A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Ebara Corporation Elastic membrane, substrate holding apparatus, and polishing apparatus
KR101583432B1 (ko) * 2014-10-13 2016-01-08 전용준 Cmp 헤드용 멤브레인
KR101613153B1 (ko) * 2014-05-09 2016-04-19 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7157521B2 (ja) * 2016-03-15 2022-10-20 株式会社荏原製作所 基板研磨方法、トップリングおよび基板研磨装置
CN108885984B (zh) * 2016-04-01 2024-03-08 姜準模 形成有基板容纳部件的化学机械研磨装置用载体头
US10315286B2 (en) 2016-06-14 2019-06-11 Axus Technologi, Llc Chemical mechanical planarization carrier system
USD839224S1 (en) * 2016-12-12 2019-01-29 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing
JP2021501699A (ja) * 2017-11-06 2021-01-21 アクス テクノロジー エルエルシー 基板処理システムのための平坦化膜および方法
SG10202008012WA (en) * 2019-08-29 2021-03-30 Ebara Corp Elastic membrane and substrate holding apparatus
CN112792725B (zh) * 2021-02-03 2022-09-30 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的柔性膜、承载头及抛光设备

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908530A (en) 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6183354B1 (en) 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6210255B1 (en) * 1998-09-08 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
US6244942B1 (en) * 1998-10-09 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure
US6422927B1 (en) * 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6368189B1 (en) 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
US6663466B2 (en) * 1999-11-17 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detector
US6450868B1 (en) * 2000-03-27 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with multi-part flexible membrane
AU2001259745A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-26 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for pneumatic diaphragm cmp head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control
US6558232B1 (en) * 2000-05-12 2003-05-06 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control
TW494048B (en) * 2000-07-11 2002-07-11 Applied Materials Inc Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US6722965B2 (en) * 2000-07-11 2004-04-20 Applied Materials Inc. Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US6857945B1 (en) 2000-07-25 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a flexible membrane
US20020151260A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-17 Crevasse Annette Margaret Carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus
KR100437089B1 (ko) * 2001-05-23 2004-06-23 삼성전자주식회사 화학기계적 연마장치의 연마헤드
US6890249B1 (en) * 2001-12-27 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge load retaining ring
US6872130B1 (en) * 2001-12-28 2005-03-29 Applied Materials Inc. Carrier head with non-contact retainer
TWI314763B (en) * 2002-04-05 2009-09-11 Applied Materials Inc Carrier head with flexible membrane
US7255771B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
CN104044057B (zh) 2004-11-01 2017-05-17 株式会社荏原制作所 抛光设备
US7207871B1 (en) * 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
US7654888B2 (en) * 2006-11-22 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Carrier head with retaining ring and carrier ring
JP5464820B2 (ja) * 2007-10-29 2014-04-09 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR20130131120A (ko) * 2012-05-23 2013-12-03 삼성전자주식회사 연마 헤드용 가요성 멤브레인

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101327146B1 (ko) 2012-06-29 2013-11-08 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치의 소모재 손상 감지 방법
KR101411836B1 (ko) * 2012-11-27 2014-06-25 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드용 멤브레인
KR101410358B1 (ko) 2013-02-25 2014-06-20 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마장치용 멤브레인 및 화학적 기계적 연마장치용 연마헤드
KR101629161B1 (ko) 2013-04-18 2016-06-21 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR20140125289A (ko) * 2013-04-18 2014-10-28 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR20150103797A (ko) * 2014-03-04 2015-09-14 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인
KR102110489B1 (ko) 2014-03-04 2020-05-13 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인
US9573244B2 (en) * 2014-03-27 2017-02-21 Ebara Corporation Elastic membrane, substrate holding apparatus, and polishing apparatus
KR101819792B1 (ko) * 2014-03-27 2018-01-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 탄성막, 기판 보유 지지 장치 및 연마 장치
KR20180006483A (ko) * 2014-03-27 2018-01-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 탄성막, 기판 보유 지지 장치 및 연마 장치
US10213896B2 (en) 2014-03-27 2019-02-26 Ebara Corporation Elastic membrane, substrate holding apparatus, and polishing apparatus
US20150273657A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Ebara Corporation Elastic membrane, substrate holding apparatus, and polishing apparatus
KR101613153B1 (ko) * 2014-05-09 2016-04-19 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드
KR101583432B1 (ko) * 2014-10-13 2016-01-08 전용준 Cmp 헤드용 멤브레인

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CN102806518B (zh) 2015-08-05
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