JP4928043B2 - 化学機械研磨処理のための多層保持リング - Google Patents

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    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings

Description

【0001】
(技術分野)
本発明は、全般的に基板の化学機械研磨処理に関し、より詳細には、化学機械研磨装置のためのキャリアヘッドに関する。
【0002】
(背景技術)
集積回路は、一般的に、基板上、特にシリコンウェーハ上への導電層、半導体層、及び、絶縁層の連続的な堆積によって形成される。各層は、堆積された後にエッチングされて回路の形態が作り出される。一連の層が順次堆積及びエッチングされるので、基板の外面又は最上面、すなわち基板の露出面は次第に平面でなくなる。この非平面表面は、集積回路製造工程の写真平板段階において問題となる。従って、基板表面を定期的に平面化する必要がある。
【0003】
化学機械研磨処理(CMP)は、一般に認められた平面化の一方法である。この平面化法は、通常、基板がキャリア又は研磨ヘッドに装着されることを必要とする。基板の露出面は、回転する研磨パッドに対して置かれる。研磨パッドは「標準型」パッド又は砥粒固定型パッドのいずれであってもよい。標準型研磨パッドは、丈夫な粗い表面を有し、一方砥粒固定型パッドは、閉じ込め用媒体に保持された研磨剤粒子を有している。キャリアヘッドは、基板上に制御可能な荷重すなわち圧力をもたらし、基板を研磨パッドに対して押圧する。少なくとも1つの化学的反応剤、及び、標準型パッドが使用される場合には研磨剤粒子も含む研磨スラリーが研磨パッドの表面に供給される。
【0004】
CMP処理の効果は、その研磨速度により、又は、基板表面に得られた仕上がり(小スケールの粗さがないこと)及び平面性(大スケールの起伏がないこと)によって測定することができる。研磨速度、仕上がり、及び、平面性は、パッド及びスラリーの組合せ、基板及びパッド間の相対速度、及び、パッドに対して基板を押圧する力によって判断される。
CMPで多く発生する問題は、いわゆる「エッジ効果」、すなわち、基板の縁部が基板の中心部に比べて異なる速度で研磨される傾向である。エッジ効果は、基板周縁部、例えば200ミリメートルウェーハの最も外側の5から10ミリメートルにおいて、一般的に過剰研磨(基板からの材料の過剰な除去)をもたらす。過剰研磨は、基板の全体的な平面性を損ない、基板の縁部を集積回路製造に対して不適切にして歩留まりを低下させる。
【0005】
(発明の開示)
1つの態様において、本発明は、化学機械研磨装置のキャリアヘッドに関する。キャリアヘッドは、キャリア基部、保持リング、可撓性薄膜、及び、シムを有する。保持リングは、研磨中に研磨パッドに接触する底面を有し第1の材料で作られた下側部分と、第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部分を含む。可撓性薄膜は、基板装着面を形成する中央部分、及び、キャリア基部と保持リングの上側部分との間に位置する外側部分を有する。シムは、キャリア基部と保持リングの上側部分との間に位置する。
【0006】
本発明の実施には、下記の特徴の1つ又はそれ以上が含まれるであろう。保持リング内の第2の通路が、キャリアヘッド内の第1の通路と一列に並ぶことができる。保持リングをキャリア基部に固定するために、ボルト又はネジがこれらの第1及び第2通路を通って延びることができる。このボルト又はネジは、シムの開口を通って保持リングの第2通路の中に延びることができる。この第2通路は、保持リングの下側部分の中まで延びなくてもよい。シムは、ステンレス鋼から構成されるとすることができる。第1材料は、チューブ状PPSであってもよく、第2材料は、ステンレス鋼としてもよい。キャリア基部と可撓性薄膜との間のチャンバを密封するために、可撓性薄膜の外側部分と保持リングの上側部分との間にシールをクランプ締めすることができる。
【0007】
別の態様においては、本発明は、基板の装着面を有するキャリアヘッドのための保持リングに関する。この保持リングは、研磨中に研磨パッドに接触する底面を有し化学機械研磨工程において不活性の第1材料で作られたほぼ環状の下側部分と、その下側部分に接合され第1材料よりも堅い第2材料で作られたほぼ環状の上側部分とを有する。第1材料はチューブ状PPSであり、第2材料は金属である。
【0008】
別の態様においては、本発明は、基板の装着面を有するキャリアヘッドのための保持リングに関する。保持リングは、ほぼ環状の下側部分と、その下側部分に接合されたほぼ環状の上側部分とを有する。この下側部分は、研磨中に研磨パッドに接触する底面と、スラリーを内部方向に運ぶための、保持リングの下面にある複数のチャンネルとを有する。これらのチャンネルは、少なくとも約0.14インチの深さを有する。下側部分は、化学機械研磨工程で不活性である第1材料で作られ、上側部分は、第1材料よりも堅い第2材料で作られる。
【0009】
別の態様において、本発明は、保持リングを使用する方法に関する。本方法においては、保持リングがキャリアヘッド内の基部に固定され、可撓性薄膜の外縁は、保持リングと基部との間にクランプ締めされる。第1の複数の基板は、研磨面に接触する保持リングの下面を有するキャリアヘッドで研磨される。保持リングの下面が第1の量だけ磨耗した後、保持リングがキャリアヘッドから取り外される。保持リングは、基部と保持リングとの間に第1のシムを用いてキャリアヘッドに再固定され、第2の複数の基板がキャリアヘッドで研磨される。
【0010】
本発明の実施には、下記の特徴の1つ又はそれ以上が含まれるであろう。第1のシールは、第2の複数の基板が研磨される前に可撓性薄膜と保持リングとの間に固定することができる。保持リングと第1のシムは、保持リングの下面が第2の量だけ磨耗した後でキャリアヘッドから取り外してもよく、保持リングは、基部と保持リングとの間に第2のシムを用いてキャリアヘッドに再固定することができ、第3の複数の基板をそのキャリアヘッドで研磨することができる。第2のシールは、第3の複数の基板を研磨する前に、可撓性薄膜と保持リングとの間に固定することができる。
【0011】
別の態様においては、本発明は、上側部分を有する保持リング、キャリアヘッドの基部と保持リングの上側部分との間に挿入されるシム、及び、可撓性薄膜と保持リングとの間に挿入される環状シールを有するキットに関する。保持リングは、研磨中に研磨パッドに接触する底面を有し第1の材料で作られる下側部分と、第1の材料よりも堅い第2の材料で作られる上側部分とを含む。保持リングの底面には、スラリーを内部方向に運ぶ複数のチャンネルが形成される。
【0012】
1つの態様において、本発明は、化学機械研磨装置のキャリアヘッドに関する。キャリアヘッドは、基板装着面と、研磨中に基板装着面の下にある基板を維持する保持リングとを有する。保持リングは、研磨中に研磨パッドが接触する底面を有し第1の材料で作られる下側部分と、第1の材料よりも堅い第2の材料で作られる上側部分とを含む。
本発明の実施の利点には、1つ又はそれ以上の下記のものが含まれるであろう。エッジ効果を低減することができ、得られる基板の平面性と仕上げを改善することができる。また、保持リングの耐用期間を改善することができる。
本発明の他の利点及び特徴は、図面を含む以下の説明や特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【0013】
(発明を実施するための最良の形態)
図1を参照すると、1つ又はそれ以上の基板10が化学機械研磨(CMP)装置20によって研磨されることになる。同様のCMP装置の説明は、本明細書においてその全開示内容が引用により組み込まれている米国特許第5,738,574号に見出すことができる。
CMP装置20は、上に搭載されたテーブルトップ23と取外し可能な上部外側カバー(図示せず)を有する下部機械基部22を含む。テーブルトップ23は、一連の研磨ステーション25a、25b、及び、25cと、基板の取付け及び取外しのための移送ステーション27とを支持する。移送ステーション27は、3つの研磨ステーション25a、25b、及び、25cと共にほぼ正方形の配置を形成することができる。
【0014】
各研磨ステーション25a〜25cは、研磨パッド32が置かれた回転式プラテン30を含む。基板10が直径8インチ(200ミリメートル)又は12インチ(300ミリメートル)のディスクの場合、プラテン30及び研磨パッド32は、それぞれ約20又は30インチの直径を有することになる。プラテン30は、機械基部22内部に位置するプラテン駆動モータ(図示せず)に接続することができる。ほとんどの研磨処理に対して、プラテン駆動モータは、プラテン30を30から200回転/分で回転させるが、より低い又はより高い回転速度を用いることもできる。各研磨ステーション25a〜25cは、研磨パッドの研磨状態を維持する付属のパッド調整装置40を更に含んでもよい。
【0015】
反応剤(例えば、酸化物研磨のための脱イオン水)及び化学反応性触媒(例えば、酸化物研磨のための水酸化カリウム)を含有するスラリー50は、共用型スラリー/洗浄液アーム52により研磨パッド32の表面に供給することができる。研磨パッド32が標準型パッドの場合、スラリー50はまた、研磨剤粒子(例えば、酸化物研磨のための二酸化ケイ素)を含むであろう。一般的に、研磨パッド32全体を覆って濡らすのに十分なスラリーが供給される。スラリー/洗浄液アーム52は、各研磨及び調整サイクルの終りに研磨パッド32の高圧洗浄をもたらす数個の噴霧ノズル(図示せず)を含む。
【0016】
カルーセル支持板66及びカバー68を含む回転式マルチヘッドカルーセル60は、下部機械基部22の上方に配置される。カルーセル支持板66は、中柱62によって支持され、機械基部22内に位置するカルーセル・モータ・アセンブリによってカルーセル軸線64の周りに中柱62上で回転される。マルチヘッドカルーセル60は、カルーセル軸線64の周りに角度的に等間隔でカルーセル支持板66上に装着された4つのキャリアヘッド装置70a、70b、70c、及び、70dを含む。キャリアヘッド装置のうちの3つは、基板を受け取って保持し、研磨ステーション25a〜25cの研磨パッドに対して基板を押圧することによりそれらを研磨する。キャリアヘッド装置のうちの1つは、移送ステーション27から基板を受け取り、また、基板をそれに供給する。カルーセルモータは、キャリアヘッド装置70a〜70d及びそれに取り付けられた基板を、研磨ステーション及び移送ステーションの間でカルーセル軸線64の周りに周回させることができる。
【0017】
各キャリアヘッド装置70a〜70dは、研磨ヘッド又はキャリアヘッド100を含む。各キャリアヘッド100は、それ自身の軸線周りに独立して回転し、カルーセル支持板66に形成された半径方向スロット72内で独立して横方向に振動する。キャリア駆動シャフト74は、スロット72を通って延び、キャリアヘッド回転モータ76(カバー68の4分の1を除去して示されている)をキャリアヘッド100に連結する。各ヘッドに対して、1つのキャリア駆動シャフト及びモータがある。各モータ及び駆動シャフトは、キャリアヘッドを横方向に振動させるために半径方向駆動モータによりスロットに沿って直線的に駆動されることが可能な滑動部(図示せず)上に支持することができる。
【0018】
実際の研磨中には、キャリアヘッドのうちの3つ、例えばキャリアヘッド装置70a〜70cは、それぞれの研磨ステーション25a〜25cに、及び、その上方に配置される。各キャリアヘッド100は、基板を下ろして研磨パッド32に接触させる。一般に、キャリアヘッド100は、基板を研磨パッドに対して所定の位置に保持し、基板の裏面に亘って力を配分する。キャリアヘッドはまた、駆動シャフトからのトルクを基板に伝達する。
【0019】
図2を参照すると、キャリアヘッド100は、ハウジング102、基部104、ジンバル機構106、負荷チャンバ108、保持リング110、及び、基板支持アセンブリ112を含む。同様なキャリアヘッドの説明は、本明細書においてその全開示内容が引用により組み込まれている、本出願の出願人に譲渡された1996年11月8日提出の「化学機械研磨システムのための可撓性薄膜を有するキャリアヘッド」という名称のズニガ他に付与された米国特許出願シリアル番号第08/745,670号に見出すことができる。
【0020】
ハウジング102は、駆動シャフト74と連結して研磨中にそれと共に回転軸107の周りに回転することができ、この回転軸は、研磨中は研磨パッドの表面と実質的に垂直である。負荷チャンバ108は、ハウジング102と基部104との間に位置し、基部104に負荷すなわち下向きの圧力を加える。研磨パッド32に対する基部104の垂直位置は、同じく負荷チャンバ108により制御される。
【0021】
基板支持アセンブリ112は、支持構造体114、支持構造体114を基部104に結合する撓みダイヤフラム116、及び、支持構造体114に結合された可撓性部材又は薄膜118を含む。可撓性薄膜118は、支持構造体114の下に延びて基板のための装着面120を形成する。基部104と基板支持アセンブリ112との間に配置されたチャンバ190の加圧は、可撓性薄膜118を下向きに押し付け、基板を研磨パッドに対して押圧する。
【0022】
ハウジング102は、研磨される基板10の円形の形態と一致させるためにほぼ円形の形状を有する。円筒状ブッシング122は、ハウジングを通って垂直内腔124に嵌合することができ、2つの通路126及び128が、キャリアヘッドの空気制御のためにハウジングを通って延びることができる。
基部104は、ハウジング102の下に位置したほぼ環状の本体である。基部104は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は、繊維強化プラスチックのような堅い材料で形成することができる。通路130は、基部を通って延びることができ、2つの取付け具132及び134は、通路128を通路130と流体連結させるための、可撓性チューブをハウジング102と基部104との間に連結させる取付け箇所をもたらすことができる。
【0023】
弾力性のある可撓性薄膜140は、基部104の下面にクランプ・リング142によって装着することができ、浮嚢144を形成する。クランプ・リング142は、基部104にネジ又はボルト(図示せず)によって固定することができる。例えば空気のような気体である流体が浮嚢に出入りするように導くために、第1のポンプ(図示せず)を浮嚢144に連結することができ、それにより支持構造体114及び可撓性薄膜118に対する下向きの圧力を制御する。
【0024】
ジンバル機構106は、基部104が研磨パッドの表面と実質的に平行に保つことができるように、基部104がハウジング102に対してピボット的に旋回することを可能にする。ジンバル機構106は、円筒状ブッシング122を通って通路154に嵌合するジンバルロッド150と、基部104に固定された撓みリング152とを含む。ジンバルロッド150は、通路154に沿って垂直に摺動することができて基部104の垂直運動をもたらすが、ハウジング102に対する基部104のあらゆる横方向の運動を妨げる。
【0025】
転動形ダイヤフラム160の内縁は、内側クランプ・リング162によってハウジング102にクランプ締めすることができ、外側クランプ・リング164は、転動形ダイヤフラム160の外縁を基部104にクランプ締めすることができる。従って、転動形ダイヤフラム160は、ハウジング102と基部104との間の空間を密封して負荷チャンバ108を形成する。転動形ダイヤフラム160は、ほぼ環状の厚さ60ミルのシリコーンシートとしてもよい。負荷チャンバの圧力及び基部104に加えられる負荷を制御するために、第2のポンプ(図示せず)を負荷チャンバ108に流体連結させることができる。
【0026】
基板支持アセンブリ112の支持構造体114は、基部104の下に位置する。支持構造体114は、支持板170、環状下部クランプ172、及び、環状上部クランプ174を含む。支持板170は、ほぼ円盤状の堅い部材であり、それを貫通する複数の開口176を有する。更に、支持板170は、その外縁に下方に突出するリップ178を有してもよい。
基板支持アセンブリ112の撓みダイヤフラム116は、ほぼ平面の環状リングである。撓みダイヤフラム116の内縁は、基部104と保持リング110との間にクランプ締めされ、撓みダイヤフラム116の外縁は、下部クランプ172と上部クランプ174との間にクランプ締めされる。撓みダイヤフラム116は、可撓性で弾力性を有するが、半径方向及び接線方向には剛体であり得る。撓みダイヤフラム116は、ネオプレンのようなゴム、「NYLON」又は「NOMEX」のようなエラストマー被覆繊維、プラスチック、又は、繊維ガラスのような複合材料で形成することができる。
【0027】
可撓性薄膜118は、クロロプレン又はエチレンプロピレンゴムのような可撓性で弾力性を有する材料で形成されたほぼ円形のシートである。可撓性薄膜118の一部分は、支持板と下部クランプ172との間にクランプ締めされるように支持板170の縁部の周りに延びる。
可撓性薄膜118、支持構造体114、撓みダイヤフラム116、基部104、及び、ジンバル機構106の間の密封容積が、加圧可能チャンバ190を形成する。チャンバ内の圧力、従って基板に対する可撓性薄膜の下向きの力を制御するために、第3のポンプ(図示せず)をチャンバ190に流体連結させてもよい。
【0028】
保持リング110は、基部104内の一線に並んだ通路を通って保持リング110の上部区域の中に延びる例えばボルト194(図2の横断面図には、1つだけ示されている)により、基部104の外縁で固定されたほぼ環状のリングとしてもよい。流体が負荷チャンバ108内にポンプで供給されて基部104が下方に押された時、保持リング110もまた下方に押され、研磨パッド32に負荷を加える。保持リング110の内面188は、可撓性薄膜118の装着表面120と共に基板収容凹部192を形成する。保持リング110は、基板収容凹部から基板が逸脱するのを防止する。
【0029】
図3を参照すると、保持リング110は、研磨パッドに接触し得る底面182を有する環状下側部分180と、基部104に結合された環状上側部分184とを含む、多重区域を有する。下側部分180は、接着剤層186を用いて上側部分184と結合させることができる。
下側部分は、CMP処理時に化学的不活性な材料で形成される。更に、下側部分180は、保持リングに対する基板縁部の接触が基板を欠けたり割れたりさせないほど十分に弾力性を有する必要がある。その反面、下側部分180は、保持リングに対する下向きの圧力が下側部分180を基板収容凹部192の中に押し出させるほどの弾力性を有してはならない。具体的には、下側部分180の材料は、「ショアD」スケールで約80〜95のジュロメータ測定値を有するであろう。一般的に、下側部分180の材料の弾性係数は、約0.3〜1.0×106ポンド/平方インチの範囲とすることができる。下側部分はまた、耐久性があって低い磨耗率を有する必要がある。しかし、下側部分180が徐々に摩滅することは、基板縁部が内面188の中に深い溝を切り込むのを防止すると考えられるので、許容することができる。例えば、下側部分180は、「Techtron(登録商標)」の商品名で米国インディアナ州エバンスビル所在のDSM・エンジニアリング・プラスチックスから入手できるポリフェニレン・サルファイド(PPS)のようなプラスチックで作ることができる。米国デラウェア州ウィルミントン所在のデュポンから入手できる「DELRIN(登録商標)」、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、又は、ポリブチレンテレフタレート(PBT)ような他のプラスチック、又は、同じくデュポンから入手できる「ZYMAXX(登録商標)」のような複合材料も適するであろう。下側部分180は、プレート状PPSで形成することができるが、好ましくは、チューブ状PPSで形成される。
【0030】
下側部分180の厚みT1は、基板10の厚みTSよりも厚くなくてはならない。具体的には、下側部分は、基板がキャリアヘッドによって掴まれた時に基板が接着剤層を擦らないような十分な厚みを有する必要がある。反対に下側部分が厚過ぎると、保持リングの底面が下側部分の可撓性の性質のために変形を受けることになる。下側部分180の最初の厚みは、約200から400ミル(チャンネルは、100から300ミルの深さを有する)とすることができる。下側部分は、溝が磨耗したら交換することができる。すなわち、下側部分は、約100から400ミルの厚みT1を有することになる。保持リングが溝を含まない場合は、下側部分は、その残っている厚みが基板の厚みに概ね等しくなった時に交換することができる。
下側部分180の底面は、実質的に平面としてもよく、又は、保持リングの外側から基板へのスラリーの輸送を容易にするために複数のチャンネル189を有してもよい。チャンネル189は、140ミル又はそれ以上の深さを有することができる。
【0031】
保持リング110の上側部分184は、例えばステンレス鋼、モリブデン、又は、アルミニウムである金属、又は、例えばアルミナであるセラミック、又は、他の典型的な材料などの堅い材料で形成される。上側部分の材料は、約10〜50×106ポンド/平方インチの弾性係数、すなわち下側部分の材料の約10から100倍の弾性係数を有することができる。例えば、下側部分の弾性係数は約0.6×106ポンド/平方インチ、上側部分の弾性係数は約30×106としてもよく、従ってその比率は約50:1である。上側部分184の厚みT2は、下側部分180の厚みT1よりも厚くなければならない。具体的には、上側部分は、約300〜500ミルの厚みT2を有することができる。
接着剤層186は、二液型遅硬性エポキシとしてもよい。遅硬性とは、一般的にそのエポキシが固まるのに約数時間から数日程度を要することを示す。このエポキシは、米国ジョージア州チャンブリー所在のマグノリア・プラスチックスから入手できる「Magnobond−6375(登録商標)」としてもよい。代替的には、接着する代わりにネジで装着するか、又は、上側部分へ圧入される。
【0032】
保持リングの底面の平面性は、エッジ効果につながると考えられる。具体的には、底面が非常に平面的であるとエッジ効果が低減される。保持リングが比較的柔軟性を有する場合は、それが例えばボルト194によって基部に接合された場所で変形する可能性がある。この変形は、非平面的な底面を作り出し、そのためにエッジ効果を増大させる。保持リングは、キャリアヘッド上に取り付けた後にラッピング又は機械加工することができるが、ラッピングは、基板を損傷させるか又はCMP処理の品質を落とす可能性があるデブリを底面に埋め込む傾向があり、機械加工は、時間がかかり不便である。反対にステンレス鋼リングのような完全に堅い保持リングは、基板に割れを発生させるか、又は、CMP処理の品質を落とす可能性がある。
【0033】
本発明の保持リングを使用すると、保持リング110の上側部分184の剛性が、PPSのような可撓性材料で全体を形成された保持リングと比較して、保持リングの全体的な曲げ剛性を例えば30〜40倍増加させる。堅い上側部分によってもたらされた剛性の増加は、保持リングの基部への装着によって起こる変形を低減又は解消し、それによりエッジ効果を低減させる。更に、保持リングをキャリアヘッドに固定した後、保持リングをラッピングする必要がない。それに加えて、PPSの下側部分は、CMP処理において不活性であり、基板縁部の欠け又は割れを防止する十分な弾力性を有する。
【0034】
本発明の保持リングの増加された剛性の別の恩典は、それが研磨処理のパッドの圧縮性への感受性を低減することである。いかなる特定の理論にも制限されるわけではないが、特に可撓性の保持リングに関してこのエッジ効果に寄与する1つの可能性は、保持リングの「撓み」と称されるものである。具体的には、キャリアヘッドの後縁での保持リングの内面にかかる基板縁部の力は、保持リングに撓み、すなわち研磨パッドの表面と平行な軸線周りの僅かな局所的捩れを引き起こすことがある。これは、保持リングの内径を研磨パッドの中に更に深く押し込み、研磨パッドに対する増加した圧力を発生させ、研磨パッドの材料を「流動」させて基板の縁部に向かって変位させる。研磨パッド材料の変位は、研磨パッドの弾性特性に依存する。従って、パッド内へ撓むことができる比較的柔軟な保持リングは、研磨処理をパッド材料の弾性特性に対して極めて敏感なものにする。しかし、堅い上側部分によってもたらされた剛性の増加は、保持リングの撓みを減少させ、それによりパッドの変形、パッドの圧縮性に対する感受性、及び、エッジ効果を低減する。
【0035】
図4を参照すると、保持リングの一部分が摩滅した後、シム202は、保持リング190と基部104との間に置かれて、シム202の開口を通って延びるボルト194と共にキャリアヘッド構造体の一部を形成することができる。保持リングは、高精度部品とすることができ、保持リングがある量だけ、例えば40ミルだけ磨耗した状態では、キャリアヘッドが適切に機能しない場合がある。例えば、保持リングの下面が、研磨中に研磨面に接触しないかも知れない。しかし、シム202は、基部と保持リングの下面との距離を増加させてキャリアヘッドの適正な機能を維持する。それに加えて、湾曲部116(又は、湾曲部と可撓性薄膜とが結合して単一部品を形成する場合は可撓性薄膜118)の外縁と保持リング110との間に、環状シール200を置くことができる。環状シール200は、保持リング110と基部104との間の隙間を通ってチャンバ190に出入りする流体の漏れを防止する。シムは、例えばステンレス鋼である比較的堅い材料で形成することができ、これに対して環状シールは、例えばゴムである圧縮性材料で形成することができる。改修処理は、例えば保持リングが更に40ミルだけ磨耗するごとに多数回繰返すことができる。各回毎に、僅かにより厚いシム及び環状シールがキャリア内に挿入されるであろう。すなわち、深い溝を有する保持リングの下面、及び、シム及びシールを有する修復キットを提供して、保持リングの耐用期間を顕著に改善することができる。
本発明は、幾つかの実施形態に関して説明されたが、本発明は、図解及び説明されたこれらの実施形態には限定されない。そうではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲により規定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 化学機械研磨装置の分解全体図である。
【図2】 本発明によるキャリアヘッドの図式的横断面図である。
【図3】 保持リングを示す図2のキャリアヘッドの拡大図である。
【図4】 シム及び保持リングを有するキャリアヘッドの拡大図である。

Claims (10)

  1. キャリア基部と、
    研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、第1の材料で作られた下側部分と、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部分と、を含む保持リングと、
    基板の装着面を形成する中央部分と、前記キャリア基部と前記保持リングの前記上側部分の上面における第1の部分との間に位置する外側部分と、を有する可撓性薄膜と、
    前記キャリア基部と前記保持リングの前記上側部分の前記上面における第2の部分との間に位置するシムであって、上面及び底面が互いに略平行に延びるシムと、
    前記可撓性薄膜と前記保持リングの前記上側部分の前記上面における前記第1の部分との間に配置されたシールと、
    を含むことを特徴とする、化学機械研磨装置のためのキャリアヘッド。
  2. 前記キャリア基部内の第1の通路と、
    前記第1の通路と一線に並ぶ前記保持リング内の第2の通路と、
    前記第1及び第2の通路を通って延び、前記保持リングを前記キャリア基部に固定するボルト又はネジと、
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のキャリアヘッド。
  3. 前記ボルト又はネジは、前記シムの開口を通って前記保持リング内の前記第2の通路の中に延びることを特徴とする請求項2に記載のキャリアヘッド。
  4. 前記第2の通路は、前記保持リングの前記下側部分の中に延びないことを特徴とする請求項3に記載のキャリアヘッド。
  5. 前記シムは、ステンレス鋼から成ることを特徴とする請求項1に記載のキャリアヘッド。
  6. 前記第1の材料は、チューブ状PPSであり、前記第2の材料は、ステンレス鋼であることを特徴とする請求項1に記載のキャリアヘッド。
  7. スラリーを内部に向けて運ぶために前記保持リングの底面に複数のチャンネルを具備し、該複数のチャンネルが少なくとも約3.556mm(0.14インチ)の深さを有するものである、請求項1に記載のキャリアヘッド。
  8. 保持リングを使用する方法であって、
    可撓性薄膜の外縁を前記保持リングの上面における第1の領域とキャリアヘッドの基部との間にクランプ締めして、前記保持リングをキャリアヘッドの基部に固定する段階と、 前記保持リングの下面を研磨面に接触させて、第1の複数の基板を前記キャリアヘッドで研磨する段階と、
    前記リングの前記下面が第1の量だけ磨耗した後で、前記保持リングを前記キャリアヘッドから取外す段階と、
    前記基部と前記保持リングの前記上面における第2の領域との間における第1のシムであって上面及び底面が互いに略平行に延びる第1のシム、及び、前記保持リングの前記上面における前記第1の領域と前記可撓性薄膜との間における第1のシールを用いて、前記保持リングを前記キャリアヘッドに再固定する段階と、
    第2の複数の基板を前記キャリアヘッドで研磨する段階と、
    を含むことを特徴とする、方法。
  9. 前記保持リングの前記下面が第2の量だけ磨耗した後で、前記保持リング、前記第1のシム及び前記第1のシールを前記キャリアヘッドから取外す段階と、
    前記基部と前記保持リングの前記上面における前記第2の領域との間における第2のシムであって上面及び底面が互いに略平行に延びる第2のシム、及び、前記可撓性薄膜と前記保持リングの前記上面における前記第1の領域との間における第2のシールを用いて、前記保持リングを前記キャリアヘッドに再固定する段階と、
    第3の複数の基板を前記キャリアヘッドで研磨する段階と、
    を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、第1の材料で作られた下側部分と、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部分と、を有する保持リングであって、スラリーを内部に向けて運ぶために、複数のチャンネルが前記保持リングの前記底面に形成されている、保持リングと、
    キャリアヘッドの基部と前記保持リングの前記上側部分の上面における第1の領域との間に挿入されるシムであって、上面及び底面が互いに略平行に延びるシムと、
    可撓性薄膜と前記保持リングの前記上面における第2の領域との間に挿入される環状シールと、
    を具備することを特徴とするキット。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6899610B2 (en) * 2001-06-01 2005-05-31 Raytech Innovative Solutions, Inc. Retaining ring with wear pad for use in chemical mechanical planarization
US6835125B1 (en) * 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
WO2004033152A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-22 Semplastics, L.L.C. Retaining ring for use on a carrier of a polishing apparatus
US6848981B2 (en) * 2003-03-27 2005-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dual-bulge flexure ring for CMP head
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
US7086939B2 (en) * 2004-03-19 2006-08-08 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Chemical mechanical polishing retaining ring with integral polymer backing
US7485028B2 (en) * 2004-03-19 2009-02-03 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Chemical mechanical polishing retaining ring, apparatuses and methods incorporating same
US7201642B2 (en) * 2004-06-17 2007-04-10 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Process for producing improved membranes
EP2797109B1 (en) 2004-11-01 2018-02-28 Ebara Corporation Polishing apparatus
US7530153B2 (en) * 2005-09-21 2009-05-12 Applied Materials, Inc. Attaching components of a carrier head
TWI540021B (zh) * 2010-08-06 2016-07-01 應用材料股份有限公司 以扣環調校基板邊緣
US8740673B2 (en) * 2010-10-05 2014-06-03 Strasbaugh CMP retaining ring with soft retaining ring insert
WO2012142305A2 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Applied Materials, Inc. Carrier head with shims
CN102294647A (zh) * 2011-09-07 2011-12-28 清华大学 化学机械抛光方法
WO2013039608A2 (en) * 2011-09-12 2013-03-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with composite plastic portions
KR101455311B1 (ko) 2013-07-11 2014-10-27 주식회사 윌비에스엔티 화학적 기계 연마 장치의 리테이너 링
US10029346B2 (en) * 2015-10-16 2018-07-24 Applied Materials, Inc. External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head
US9744640B2 (en) * 2015-10-16 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant retaining rings
KR101675560B1 (ko) * 2015-11-02 2016-11-14 주식회사 윌비에스엔티 화학적 기계 연마 장치의 리테이너 링
JP6927560B2 (ja) * 2017-01-10 2021-09-01 不二越機械工業株式会社 ワーク研磨ヘッド
US11541506B2 (en) * 2019-09-27 2023-01-03 Systems On Silicon Manufacturing Company Pte Ltd Chemical mechanical polishing (CMP) polishing head with improved vacuum sealing
US11724355B2 (en) 2020-09-30 2023-08-15 Applied Materials, Inc. Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense
US11904429B2 (en) 2020-10-13 2024-02-20 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop
US11623321B2 (en) 2020-10-14 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head retaining ring tilting moment control

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62297060A (ja) * 1986-06-13 1987-12-24 Fuji Heavy Ind Ltd ホ−ニング加工装置用ホ−ニングヘツド
JPH06315810A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Seiwa Seiki Kk 切削工具
JPH07237120A (ja) * 1994-02-22 1995-09-12 Nec Corp ウェーハ研磨装置
JPH09155730A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Rodel Nitta Kk 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
JPH1190819A (ja) * 1997-09-01 1999-04-06 United Microelectron Corp 化学的機械研磨機の研磨ヘッド用保持リング
JPH11291162A (ja) * 1998-04-10 1999-10-26 Nec Corp 研磨装置
JP2000084836A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及び研磨装置
JP2001113457A (ja) * 1999-10-18 2001-04-24 Hitachi Ltd 化学機械研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5205082A (en) 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5635083A (en) 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
JP3311116B2 (ja) 1993-10-28 2002-08-05 株式会社東芝 半導体製造装置
JP2716653B2 (ja) 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置および研磨方法
US5643053A (en) 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5423558A (en) 1994-03-24 1995-06-13 Ipec/Westech Systems, Inc. Semiconductor wafer carrier and method
JP3158934B2 (ja) 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5908530A (en) 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5643061A (en) 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
US5695392A (en) 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JP3129172B2 (ja) 1995-11-14 2001-01-29 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
KR100485002B1 (ko) 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
US6183354B1 (en) 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6146259A (en) * 1996-11-08 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus
US5851140A (en) 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
US5957751A (en) * 1997-05-23 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
US5964653A (en) * 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6116992A (en) * 1997-12-30 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate retaining ring
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6251215B1 (en) * 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6132298A (en) * 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
US6244942B1 (en) * 1998-10-09 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure
US6162116A (en) * 1999-01-23 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62297060A (ja) * 1986-06-13 1987-12-24 Fuji Heavy Ind Ltd ホ−ニング加工装置用ホ−ニングヘツド
JPH06315810A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Seiwa Seiki Kk 切削工具
JPH07237120A (ja) * 1994-02-22 1995-09-12 Nec Corp ウェーハ研磨装置
JPH09155730A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Rodel Nitta Kk 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
JPH1190819A (ja) * 1997-09-01 1999-04-06 United Microelectron Corp 化学的機械研磨機の研磨ヘッド用保持リング
JPH11291162A (ja) * 1998-04-10 1999-10-26 Nec Corp 研磨装置
JP2000084836A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及び研磨装置
JP2001113457A (ja) * 1999-10-18 2001-04-24 Hitachi Ltd 化学機械研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法

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