JP2003535703A - 化学機械研磨処理のための多層保持リング - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 8
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920004943 Delrin® Polymers 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 241000218378 Magnolia Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 235000013400 Quercus lobata Nutrition 0.000 description 1
- 240000001749 Quercus lobata Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000009419 refurbishment Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
研磨装置のためのキャリアヘッドに関する。
層、及び、絶縁層の連続的な堆積によって形成される。各層は、堆積された後に
エッチングされて回路の形態が作り出される。一連の層が順次堆積及びエッチン
グされるので、基板の外面又は最上面、すなわち基板の露出面は次第に平面でな
くなる。この非平面表面は、集積回路製造工程の写真平板段階において問題とな
る。従って、基板表面を定期的に平面化する必要がある。
の平面化法は、通常、基板がキャリア又は研磨ヘッドに装着されることを必要と
する。基板の露出面は、回転する研磨パッドに対して置かれる。研磨パッドは「
標準型」パッド又は砥粒固定型パッドのいずれであってもよい。標準型研磨パッ
ドは、丈夫な粗い表面を有し、一方砥粒固定型パッドは、閉じ込め用媒体に保持
された研磨剤粒子を有している。キャリアヘッドは、基板上に制御可能な荷重す
なわち圧力をもたらし、基板を研磨パッドに対して押圧する。少なくとも1つの
化学的反応剤、及び、標準型パッドが使用される場合には研磨剤粒子も含む研磨
スラリーが研磨パッドの表面に供給される。
り(小スケールの粗さがないこと)及び平面性(大スケールの起伏がないこと)
によって測定することができる。研磨速度、仕上がり、及び、平面性は、パッド
及びスラリーの組合せ、基板及びパッド間の相対速度、及び、パッドに対して基
板を押圧する力によって判断される。 CMPで多く発生する問題は、いわゆる「エッジ効果」、すなわち、基板の縁
部が基板の中心部に比べて異なる速度で研磨される傾向である。エッジ効果は、
基板周縁部、例えば200ミリメートルウェーハの最も外側の5から10ミリメ
ートルにおいて、一般的に過剰研磨(基板からの材料の過剰な除去)をもたらす
。過剰研磨は、基板の全体的な平面性を損ない、基板の縁部を集積回路製造に対
して不適切にして歩留まりを低下させる。
。キャリアヘッドは、キャリア基部、保持リング、可撓性薄膜、及び、シムを有
する。保持リングは、研磨中に研磨パッドに接触する底面を有し第1の材料で作
られた下側部分と、第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部分を含む
。可撓性薄膜は、基板装着面を形成する中央部分、及び、キャリア基部と保持リ
ングの上側部分との間に位置する外側部分を有する。シムは、キャリア基部と保
持リングの上側部分との間に位置する。
リング内の第2の通路が、キャリアヘッド内の第1の通路と一列に並ぶことがで
きる。保持リングをキャリア基部に固定するために、ボルト又はネジがこれらの
第1及び第2通路を通って延びることができる。このボルト又はネジは、シムの
開口を通って保持リングの第2通路の中に延びることができる。この第2通路は
、保持リングの下側部分の中まで延びなくてもよい。シムは、ステンレス鋼から
構成されるとすることができる。第1材料は、チューブ状PPSであってもよく
、第2材料は、ステンレス鋼としてもよい。キャリア基部と可撓性薄膜との間の
チャンバを密封するために、可撓性薄膜の外側部分と保持リングの上側部分との
間にシールをクランプ締めすることができる。
の保持リングに関する。この保持リングは、研磨中に研磨パッドに接触する底面
を有し化学機械研磨工程において不活性の第1材料で作られたほぼ環状の下側部
分と、その下側部分に接合され第1材料よりも堅い第2材料で作られたほぼ環状
の上側部分とを有する。第1材料はチューブ状PPSであり、第2材料は金属で
ある。
の保持リングに関する。保持リングは、ほぼ環状の下側部分と、その下側部分に
接合されたほぼ環状の上側部分とを有する。この下側部分は、研磨中に研磨パッ
ドに接触する底面と、スラリーを内部方向に運ぶための、保持リングの下面にあ
る複数のチャンネルとを有する。これらのチャンネルは、少なくとも約0.14
インチの深さを有する。下側部分は、化学機械研磨工程で不活性である第1材料
で作られ、上側部分は、第1材料よりも堅い第2材料で作られる。
おいては、保持リングがキャリアヘッド内の基部に固定され、可撓性薄膜の外縁
は、保持リングと基部との間にクランプ締めされる。第1の複数の基板は、研磨
面に接触する保持リングの下面を有するキャリアヘッドで研磨される。保持リン
グの下面が第1の量だけ磨耗した後、保持リングがキャリアヘッドから取り外さ
れる。保持リングは、基部と保持リングとの間に第1のシムを用いてキャリアヘ
ッドに再固定され、第2の複数の基板がキャリアヘッドで研磨される。
のシールは、第2の複数の基板が研磨される前に可撓性薄膜と保持リングとの間
に固定することができる。保持リングと第1のシムは、保持リングの下面が第2
の量だけ磨耗した後でキャリアヘッドから取り外してもよく、保持リングは、基
部と保持リングとの間に第2のシムを用いてキャリアヘッドに再固定することが
でき、第3の複数の基板をそのキャリアヘッドで研磨することができる。第2の
シールは、第3の複数の基板を研磨する前に、可撓性薄膜と保持リングとの間に
固定することができる。
ドの基部と保持リングの上側部分との間に挿入されるシム、及び、可撓性薄膜と
保持リングとの間に挿入される環状シールを有するキットに関する。保持リング
は、研磨中に研磨パッドに接触する底面を有し第1の材料で作られる下側部分と
、第1の材料よりも堅い第2の材料で作られる上側部分とを含む。保持リングの
底面には、スラリーを内部方向に運ぶ複数のチャンネルが形成される。
。キャリアヘッドは、基板装着面と、研磨中に基板装着面の下にある基板を維持
する保持リングとを有する。保持リングは、研磨中に研磨パッドが接触する底面
を有し第1の材料で作られる下側部分と、第1の材料よりも堅い第2の材料で作
られる上側部分とを含む。 本発明の実施の利点には、1つ又はそれ以上の下記のものが含まれるであろう
。エッジ効果を低減することができ、得られる基板の平面性と仕上げを改善する
ことができる。また、保持リングの耐用期間を改善することができる。 本発明の他の利点及び特徴は、図面を含む以下の説明や特許請求の範囲から明
らかになるであろう。
置20によって研磨されることになる。同様のCMP装置の説明は、本明細書に
おいてその全開示内容が引用により組み込まれている米国特許第5,738,5
74号に見出すことができる。 CMP装置20は、上に搭載されたテーブルトップ23と取外し可能な上部外
側カバー(図示せず)を有する下部機械基部22を含む。テーブルトップ23は
、一連の研磨ステーション25a、25b、及び、25cと、基板の取付け及び
取外しのための移送ステーション27とを支持する。移送ステーション27は、
3つの研磨ステーション25a、25b、及び、25cと共にほぼ正方形の配置
を形成することができる。
テン30を含む。基板10が直径8インチ(200ミリメートル)又は12イン
チ(300ミリメートル)のディスクの場合、プラテン30及び研磨パッド32
は、それぞれ約20又は30インチの直径を有することになる。プラテン30は
、機械基部22内部に位置するプラテン駆動モータ(図示せず)に接続すること
ができる。ほとんどの研磨処理に対して、プラテン駆動モータは、プラテン30
を30から200回転/分で回転させるが、より低い又はより高い回転速度を用
いることもできる。各研磨ステーション25a〜25cは、研磨パッドの研磨状
態を維持する付属のパッド調整装置40を更に含んでもよい。
ば、酸化物研磨のための水酸化カリウム)を含有するスラリー50は、共用型ス
ラリー/洗浄液アーム52により研磨パッド32の表面に供給することができる
。研磨パッド32が標準型パッドの場合、スラリー50はまた、研磨剤粒子(例
えば、酸化物研磨のための二酸化ケイ素)を含むであろう。一般的に、研磨パッ
ド32全体を覆って濡らすのに十分なスラリーが供給される。スラリー/洗浄液
アーム52は、各研磨及び調整サイクルの終りに研磨パッド32の高圧洗浄をも
たらす数個の噴霧ノズル(図示せず)を含む。
0は、下部機械基部22の上方に配置される。カルーセル支持板66は、中柱6
2によって支持され、機械基部22内に位置するカルーセル・モータ・アセンブ
リによってカルーセル軸線64の周りに中柱62上で回転される。マルチヘッド
カルーセル60は、カルーセル軸線64の周りに角度的に等間隔でカルーセル支
持板66上に装着された4つのキャリアヘッド装置70a、70b、70c、及
び、70dを含む。キャリアヘッド装置のうちの3つは、基板を受け取って保持
し、研磨ステーション25a〜25cの研磨パッドに対して基板を押圧すること
によりそれらを研磨する。キャリアヘッド装置のうちの1つは、移送ステーショ
ン27から基板を受け取り、また、基板をそれに供給する。カルーセルモータは
、キャリアヘッド装置70a〜70d及びそれに取り付けられた基板を、研磨ス
テーション及び移送ステーションの間でカルーセル軸線64の周りに周回させる
ことができる。
0を含む。各キャリアヘッド100は、それ自身の軸線周りに独立して回転し、
カルーセル支持板66に形成された半径方向スロット72内で独立して横方向に
振動する。キャリア駆動シャフト74は、スロット72を通って延び、キャリア
ヘッド回転モータ76(カバー68の4分の1を除去して示されている)をキャ
リアヘッド100に連結する。各ヘッドに対して、1つのキャリア駆動シャフト
及びモータがある。各モータ及び駆動シャフトは、キャリアヘッドを横方向に振
動させるために半径方向駆動モータによりスロットに沿って直線的に駆動される
ことが可能な滑動部(図示せず)上に支持することができる。
70a〜70cは、それぞれの研磨ステーション25a〜25cに、及び、その
上方に配置される。各キャリアヘッド100は、基板を下ろして研磨パッド32
に接触させる。一般に、キャリアヘッド100は、基板を研磨パッドに対して所
定の位置に保持し、基板の裏面に亘って力を配分する。キャリアヘッドはまた、
駆動シャフトからのトルクを基板に伝達する。
、ジンバル機構106、負荷チャンバ108、保持リング110、及び、基板支
持アセンブリ112を含む。同様なキャリアヘッドの説明は、本明細書において
その全開示内容が引用により組み込まれている、本出願の出願人に譲渡された1
996年11月8日提出の「化学機械研磨システムのための可撓性薄膜を有する
キャリアヘッド」という名称のズニガ他に付与された米国特許出願シリアル番号
第08/745,670号に見出すことができる。
107の周りに回転することができ、この回転軸は、研磨中は研磨パッドの表面
と実質的に垂直である。負荷チャンバ108は、ハウジング102と基部104
との間に位置し、基部104に負荷すなわち下向きの圧力を加える。研磨パッド
32に対する基部104の垂直位置は、同じく負荷チャンバ108により制御さ
れる。
04に結合する撓みダイヤフラム116、及び、支持構造体114に結合された
可撓性部材又は薄膜118を含む。可撓性薄膜118は、支持構造体114の下
に延びて基板のための装着面120を形成する。基部104と基板支持アセンブ
リ112との間に配置されたチャンバ190の加圧は、可撓性薄膜118を下向
きに押し付け、基板を研磨パッドに対して押圧する。
ぼ円形の形状を有する。円筒状ブッシング122は、ハウジングを通って垂直内
腔124に嵌合することができ、2つの通路126及び128が、キャリアヘッ
ドの空気制御のためにハウジングを通って延びることができる。 基部104は、ハウジング102の下に位置したほぼ環状の本体である。基部
104は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は、繊維強化プラスチックのような
堅い材料で形成することができる。通路130は、基部を通って延びることがで
き、2つの取付け具132及び134は、通路128を通路130と流体連結さ
せるための、可撓性チューブをハウジング102と基部104との間に連結させ
る取付け箇所をもたらすことができる。
2によって装着することができ、浮嚢144を形成する。クランプ・リング14
2は、基部104にネジ又はボルト(図示せず)によって固定することができる
。例えば空気のような気体である流体が浮嚢に出入りするように導くために、第
1のポンプ(図示せず)を浮嚢144に連結することができ、それにより支持構
造体114及び可撓性薄膜118に対する下向きの圧力を制御する。
ことができるように、基部104がハウジング102に対してピボット的に旋回
することを可能にする。ジンバル機構106は、円筒状ブッシング122を通っ
て通路154に嵌合するジンバルロッド150と、基部104に固定された撓み
リング152とを含む。ジンバルロッド150は、通路154に沿って垂直に摺
動することができて基部104の垂直運動をもたらすが、ハウジング102に対
する基部104のあらゆる横方向の運動を妨げる。
ウジング102にクランプ締めすることができ、外側クランプ・リング164は
、転動形ダイヤフラム160の外縁を基部104にクランプ締めすることができ
る。従って、転動形ダイヤフラム160は、ハウジング102と基部104との
間の空間を密封して負荷チャンバ108を形成する。転動形ダイヤフラム160
は、ほぼ環状の厚さ60ミルのシリコーンシートとしてもよい。負荷チャンバの
圧力及び基部104に加えられる負荷を制御するために、第2のポンプ(図示せ
ず)を負荷チャンバ108に流体連結させることができる。
。支持構造体114は、支持板170、環状下部クランプ172、及び、環状上
部クランプ174を含む。支持板170は、ほぼ円盤状の堅い部材であり、それ
を貫通する複数の開口176を有する。更に、支持板170は、その外縁に下方
に突出するリップ178を有してもよい。 基板支持アセンブリ112の撓みダイヤフラム116は、ほぼ平面の環状リン
グである。撓みダイヤフラム116の内縁は、基部104と保持リング110と
の間にクランプ締めされ、撓みダイヤフラム116の外縁は、下部クランプ17
2と上部クランプ174との間にクランプ締めされる。撓みダイヤフラム116
は、可撓性で弾力性を有するが、半径方向及び接線方向には剛体であり得る。撓
みダイヤフラム116は、ネオプレンのようなゴム、「NYLON」又は「NO
MEX」のようなエラストマー被覆繊維、プラスチック、又は、繊維ガラスのよ
うな複合材料で形成することができる。
性で弾力性を有する材料で形成されたほぼ円形のシートである。可撓性薄膜11
8の一部分は、支持板と下部クランプ172との間にクランプ締めされるように
支持板170の縁部の周りに延びる。 可撓性薄膜118、支持構造体114、撓みダイヤフラム116、基部104
、及び、ジンバル機構106の間の密封容積が、加圧可能チャンバ190を形成
する。チャンバ内の圧力、従って基板に対する可撓性薄膜の下向きの力を制御す
るために、第3のポンプ(図示せず)をチャンバ190に流体連結させてもよい
。
10の上部区域の中に延びる例えばボルト194(図2の横断面図には、1つだ
け示されている)により、基部104の外縁で固定されたほぼ環状のリングとし
てもよい。流体が負荷チャンバ108内にポンプで供給されて基部104が下方
に押された時、保持リング110もまた下方に押され、研磨パッド32に負荷を
加える。保持リング110の内面188は、可撓性薄膜118の装着表面120
と共に基板収容凹部192を形成する。保持リング110は、基板収容凹部から
基板が逸脱するのを防止する。
を有する環状下側部分180と、基部104に結合された環状上側部分184と
を含む、多重区域を有する。下側部分180は、接着剤層186を用いて上側部
分184と結合させることができる。 下側部分は、CMP処理時に化学的不活性な材料で形成される。更に、下側部
分180は、保持リングに対する基板縁部の接触が基板を欠けたり割れたりさせ
ないほど十分に弾力性を有する必要がある。その反面、下側部分180は、保持
リングに対する下向きの圧力が下側部分180を基板収容凹部192の中に押し
出させるほどの弾力性を有してはならない。具体的には、下側部分180の材料
は、「ショアD」スケールで約80〜95のジュロメータ測定値を有するであろ
う。一般的に、下側部分180の材料の弾性係数は、約0.3〜1.0×106
ポンド/平方インチの範囲とすることができる。下側部分はまた、耐久性があっ
て低い磨耗率を有する必要がある。しかし、下側部分180が徐々に摩滅するこ
とは、基板縁部が内面188の中に深い溝を切り込むのを防止すると考えられる
ので、許容することができる。例えば、下側部分180は、「Techtron
(登録商標)」の商品名で米国インディアナ州エバンスビル所在のDSM・エン
ジニアリング・プラスチックスから入手できるポリフェニレン・サルファイド(
PPS)のようなプラスチックで作ることができる。米国デラウェア州ウィルミ
ントン所在のデュポンから入手できる「DELRIN(登録商標)」、ポリエチ
レンテレフタレート(PET)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、又
は、ポリブチレンテレフタレート(PBT)ような他のプラスチック、又は、同
じくデュポンから入手できる「ZYMAXX(登録商標)」のような複合材料も
適するであろう。下側部分180は、プレート状PPSで形成することができる
が、好ましくは、チューブ状PPSで形成される。
。具体的には、下側部分は、基板がキャリアヘッドによって掴まれた時に基板が
接着剤層を擦らないような十分な厚みを有する必要がある。反対に下側部分が厚
過ぎると、保持リングの底面が下側部分の可撓性の性質のために変形を受けるこ
とになる。下側部分180の最初の厚みは、約200から400ミル(チャンネ
ルは、100から300ミルの深さを有する)とすることができる。下側部分は
、溝が磨耗したら交換することができる。すなわち、下側部分は、約100から
400ミルの厚みT1を有することになる。保持リングが溝を含まない場合は、
下側部分は、その残っている厚みが基板の厚みに概ね等しくなった時に交換する
ことができる。 下側部分180の底面は、実質的に平面としてもよく、又は、保持リングの外
側から基板へのスラリーの輸送を容易にするために複数のチャンネル189を有
してもよい。チャンネル189は、140ミル又はそれ以上の深さを有すること
ができる。
は、アルミニウムである金属、又は、例えばアルミナであるセラミック、又は、
他の典型的な材料などの堅い材料で形成される。上側部分の材料は、約10〜5
0×106ポンド/平方インチの弾性係数、すなわち下側部分の材料の約10か
ら100倍の弾性係数を有することができる。例えば、下側部分の弾性係数は約
0.6×106ポンド/平方インチ、上側部分の弾性係数は約30×106として
もよく、従ってその比率は約50:1である。上側部分184の厚みT2は、下
側部分180の厚みT1よりも厚くなければならない。具体的には、上側部分は
、約300〜500ミルの厚みT2を有することができる。 接着剤層186は、二液型遅硬性エポキシとしてもよい。遅硬性とは、一般的
にそのエポキシが固まるのに約数時間から数日程度を要することを示す。このエ
ポキシは、米国ジョージア州チャンブリー所在のマグノリア・プラスチックスか
ら入手できる「Magnobond−6375(登録商標)」としてもよい。代
替的には、接着する代わりにネジで装着するか、又は、上側部分へ圧入される。
は、底面が非常に平面的であるとエッジ効果が低減される。保持リングが比較的
柔軟性を有する場合は、それが例えばボルト194によって基部に接合された場
所で変形する可能性がある。この変形は、非平面的な底面を作り出し、そのため
にエッジ効果を増大させる。保持リングは、キャリアヘッド上に取り付けた後に
ラッピング又は機械加工することができるが、ラッピングは、基板を損傷させる
か又はCMP処理の品質を落とす可能性があるデブリを底面に埋め込む傾向があ
り、機械加工は、時間がかかり不便である。反対にステンレス鋼リングのような
完全に堅い保持リングは、基板に割れを発生させるか、又は、CMP処理の品質
を落とす可能性がある。
が、PPSのような可撓性材料で全体を形成された保持リングと比較して、保持
リングの全体的な曲げ剛性を例えば30〜40倍増加させる。堅い上側部分によ
ってもたらされた剛性の増加は、保持リングの基部への装着によって起こる変形
を低減又は解消し、それによりエッジ効果を低減させる。更に、保持リングをキ
ャリアヘッドに固定した後、保持リングをラッピングする必要がない。それに加
えて、PPSの下側部分は、CMP処理において不活性であり、基板縁部の欠け
又は割れを防止する十分な弾力性を有する。
の圧縮性への感受性を低減することである。いかなる特定の理論にも制限される
わけではないが、特に可撓性の保持リングに関してこのエッジ効果に寄与する1
つの可能性は、保持リングの「撓み」と称されるものである。具体的には、キャ
リアヘッドの後縁での保持リングの内面にかかる基板縁部の力は、保持リングに
撓み、すなわち研磨パッドの表面と平行な軸線周りの僅かな局所的捩れを引き起
こすことがある。これは、保持リングの内径を研磨パッドの中に更に深く押し込
み、研磨パッドに対する増加した圧力を発生させ、研磨パッドの材料を「流動」
させて基板の縁部に向かって変位させる。研磨パッド材料の変位は、研磨パッド
の弾性特性に依存する。従って、パッド内へ撓むことができる比較的柔軟な保持
リングは、研磨処理をパッド材料の弾性特性に対して極めて敏感なものにする。
しかし、堅い上側部分によってもたらされた剛性の増加は、保持リングの撓みを
減少させ、それによりパッドの変形、パッドの圧縮性に対する感受性、及び、エ
ッジ効果を低減する。
ング190と基部104との間に置かれて、シム202の開口を通って延びるボ
ルト194と共にキャリアヘッド構造体の一部を形成することができる。保持リ
ングは、高精度部品とすることができ、保持リングがある量だけ、例えば40ミ
ルだけ磨耗した状態では、キャリアヘッドが適切に機能しない場合がある。例え
ば、保持リングの下面が、研磨中に研磨面に接触しないかも知れない。しかし、
シム202は、基部と保持リングの下面との距離を増加させてキャリアヘッドの
適正な機能を維持する。それに加えて、湾曲部116(又は、湾曲部と可撓性薄
膜とが結合して単一部品を形成する場合は可撓性薄膜118)の外縁と保持リン
グ110との間に、環状シール200を置くことができる。環状シール200は
、保持リング110と基部104との間の隙間を通ってチャンバ190に出入り
する流体の漏れを防止する。シムは、例えばステンレス鋼である比較的堅い材料
で形成することができ、これに対して環状シールは、例えばゴムである圧縮性材
料で形成することができる。改修処理は、例えば保持リングが更に40ミルだけ
磨耗するごとに多数回繰返すことができる。各回毎に、僅かにより厚いシム及び
環状シールがキャリア内に挿入されるであろう。すなわち、深い溝を有する保持
リングの下面、及び、シム及びシールを有する修復キットを提供して、保持リン
グの耐用期間を顕著に改善することができる。 本発明は、幾つかの実施形態に関して説明されたが、本発明は、図解及び説明
されたこれらの実施形態には限定されない。そうではなく、本発明の範囲は、特
許請求の範囲により規定される。
Claims (14)
- 【請求項1】 キャリア基部と、 研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、第1の材料で作られた下側部分
と、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部分とを含む保持リン
グと、 基板の装着面を形成する中央部分と、前記基部と前記保持リングの前記上側部
分との間に位置する外側部分とを有する可撓性薄膜と、 前記キャリア基部と前記保持リングの前記上側部分との間に位置するシムと、 を含むことを特徴とする、化学機械研磨装置のためのキャリアヘッド。 - 【請求項2】 前記キャリア基部内の第1の通路と、 前記第1の通路と一線に並ぶ前記保持リング内の第2の通路と、 前記第1及び第2の通路を通って延び、前記保持リングを前記キャリア基部に
固定するボルト又はネジと、 を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のキャリアヘッド。 - 【請求項3】 前記ボルト又はネジは、前記シムの開口を通って前記保持リ
ング内の前記第2の通路の中に延びることを特徴とする請求項2に記載のキャリ
アヘッド。 - 【請求項4】 前記第2の通路は、前記保持リングの前記下側部分の中に延
びないことを特徴とする請求項3に記載のキャリアヘッド。 - 【請求項5】 前記シムは、ステンレス鋼から成ることを特徴とする請求項
1に記載のキャリアヘッド。 - 【請求項6】 前記第1の材料は、チューブ状PPSであり、前記第2の材
料は、ステンレス鋼であることを特徴とする請求項1に記載のキャリアヘッド。 - 【請求項7】 前記キャリア基部と前記可撓性薄膜との間のチャンバを密封
するために、前記可撓性薄膜の前記外側部分と前記保持リングの前記上側部分と
の間にクランプ締めされたシールを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の
キャリアヘッド。 - 【請求項8】 研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、化学機械研磨
処理において不活性の第1の材料で作られたほぼ環状の下側部分と、 前記下側部分に接合され、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られたほ
ぼ環状の上側部分と、 を含み、 前記第1の材料は、チューブ状PPSであり、前記第2の材料は、金属である ことを特徴とする、基板用の装着面を有するキャリアヘッドのための保持リン
グ。 - 【請求項9】 研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、化学機械研磨
処理において不活性の第1の材料で作られたほぼ環状の下側部分と、 前記保持リングの下面にあって、スラリーを内部に向けて運ぶための少なくと
も約0.14インチの深さを有する複数のチャンネルと、 前記下側部分に接合され、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られたほ
ぼ環状の上側部分と、 を含むことを特徴とする、基板用の装着面を有するキャリアヘッドのための保
持リング。 - 【請求項10】 可撓性薄膜の外縁を前記保持リングとキャリアヘッドの基
部との間にクランプ締めして、前記保持リングをキャリアヘッドの基部に固定す
る段階と、 前記保持リングの下面を研磨面に接触させて、第1の複数の基板を前記キャリ
アヘッドで研磨する段階と、 前記リングの前記下面が第1の量だけ磨耗した後で、前記保持リングを前記キ
ャリアヘッドから取外す段階と、 前記基部と前記保持リングとの間に第1のシムを用いて前記保持リングを前記
キャリアヘッドに再固定する段階と、 第2の複数の基板を前記キャリアヘッドで研磨する段階と、 を含むことを特徴とする、保持リングを使用する方法。 - 【請求項11】 前記第2の複数の基板を研磨する前に、前記可撓性薄膜と
前記保持リングとの間に第1のシールを固定する段階を更に含むことを特徴とす
る請求項10に記載の方法。 - 【請求項12】 前記保持リングの前記下面が第2の量だけ磨耗した後で、
前記保持リング及び第1のシムを前記キャリアヘッドから取外す段階と、 前記基部と前記保持リングとの間に第2のシムを用いて、前記保持リングを前
記キャリアヘッドに再固定する段階と、 第3の複数の基板を前記キャリアヘッドで研磨する段階と、 を更に含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 【請求項13】 前記第2の複数の基板を研磨する前に、前記可撓性薄膜と
前記保持リングとの間に第1のシールを固定する段階と、 前記第3の複数の基板を研磨する前に、前記可撓性薄膜と前記保持リングとの
間に第2のシールを固定する段階と、 を更に含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 【請求項14】 研磨中に研磨パッドに接触する底面を有する、第1の材料
で作られた下側部分と、前記第1の材料よりも堅い第2の材料で作られた上側部
分とを有する保持リングを含み、スラリーを内部に向けて運ぶために、複数のチ
ャンネルが前記保持リングの前記底面に形成され、 キャリアヘッドの基部と前記保持リングの前記上側部分との間に挿入されるシ
ムと、 可撓性薄膜と前記保持リングとの間に挿入される環状シールと、 を更に設けることを特徴とするキット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US09/574,391 | 2000-05-19 | ||
PCT/US2001/016194 WO2001089763A2 (en) | 2000-05-19 | 2001-05-17 | Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
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JP4928043B2 JP4928043B2 (ja) | 2012-05-09 |
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ID=24295916
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Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6602114B1 (ja) |
EP (1) | EP1282482A2 (ja) |
JP (1) | JP4928043B2 (ja) |
KR (1) | KR100833833B1 (ja) |
CN (1) | CN1169654C (ja) |
WO (1) | WO2001089763A2 (ja) |
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- 2001-05-17 EP EP01939146A patent/EP1282482A2/en not_active Withdrawn
- 2001-05-17 CN CNB018097197A patent/CN1169654C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1282482A2 (en) | 2003-02-12 |
KR100833833B1 (ko) | 2008-06-02 |
KR20030001526A (ko) | 2003-01-06 |
CN1430545A (zh) | 2003-07-16 |
JP4928043B2 (ja) | 2012-05-09 |
WO2001089763A2 (en) | 2001-11-29 |
CN1169654C (zh) | 2004-10-06 |
WO2001089763A3 (en) | 2002-03-07 |
US6602114B1 (en) | 2003-08-05 |
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