KR19980034726A - 복합 모드형 기판전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복합 모드형 기판전압 발생회로에 관한 것으로, 반도체 회로에서 특히 디-램의 리프레쉬 효율 개선을 위해, 디-램에서의 리프레쉬 동작과, 셀프 리프레쉬 동작에 따라 각각 다른 기판전압을 제공하는 제1, 제2기판전압 발생부를 구현하여, 각 리프레쉬 모드에 따라 기판에 인가되는 기판전압을 다르게 인가시키므로써, 안정된 셀프 리프레쉬 동작 및 저전력 소모를 얻기 위한 복합 모드형 기판전압 발생회로에 관한 것이다.

Description

복합 모드형 기판전압 발생회로
본 발명은 복합 모드형 기판전압 발생회로에 관한 것으로, 반도체 회로에서 특히 디-램의 리프레쉬 효율 개선을 위해 셀프 리프레쉬 모드 입력시 기판 전압 발생기의 발생기준 전압을 리프레쉬 동작시 보다 강하시켜 안정된 셀프 리프레쉬 동작 및 저전력 소모를 얻기 위한 복합 모드형 기판전압 발생회로에 관한 것이다.
일반적으로 디-램에서의 리프레쉬 동작은 두가지 모드가 있는데, 하나는 통상적인 리프레쉬 동작으로 디-램이 동작할때 발생하는 리프레쉬 동작이 있고, 나머지 하나는 디-램의 칩 내부에 내장된 리프레쉬 카운터를 이용하여 메모리가 억세스되지 않고 있을때 동작시키는 셀프 리프레쉬(Self-Refresh) 동작이 있다.
이러한 셀프 리프레쉬 모드에서는 기본적으로 메모리 셀을 억세스하는 동작이 이루어지지 않으므로 통상의 리프레쉬 주기보다는 더 긴 주기를 사용하여 리프레쉬 동작을 수행한다.
그리고 셀프 리프레쉬 주기는 메모리 셀에 저장된 전하가 누설전류에 의해 저장된 정보를 잃어버리지 않게 하기 위한 시간 인터벌에 의해 좌우된다.
한편, 디-램에서 사용되는 1 트랜지스터와 1 캐패시터(1 Transistor 1 Capacitor:1T1C) 셀에서 상기 캐패시터에 저장된 전하가 누설되는 경로는 크게 저장노드의 접합 누설전류(Junction Leakage Current)와, 트랜지스터의 서브 스레시홀드 영역에서의 누설전류(Subthreshold Leakage Current)로 나눌 수 있는 바, 반도체 칩이 고집적화 됨에 따라 소자의 크기가 작아지고, 이에 따른 짧은 채널 효과(Short Channel Effect) 때문에 특히 디-램 메모리 셀에서의 서브 스레시홀드 영역에서의 누설이 대부분의 누설요인이 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 셀프 리프레쉬 동작일 경우 트랜지스터에 인가되는 기판전압을 리프레쉬 동작일 경우에 인가되는 전압 보다 강하시켜 서브 스레시홀드 누설 전류를 기존 보다 2배 이상 줄이는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 디-램에서의 리프레쉬 동작과, 셀프 리프레쉬 동작에 따라 각각 다른 기판전압을 제공하는 제1, 제2기판전압 발생부를 구현하여, 각 리프레쉬 동작에 따라 기판에 인가되는 기판전압을 다르게 인가시키므로써, 특히 서브 슬레시홀드 영역에서의 누설 전류량을 감소시키도록 하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판전압 발생회로의 동작 특성을 나타내는 그래프.
도 2는 본 발명에 의한 복합 모드형 기판전압 발생회로 상세 블럭도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 복합 모드형 기판전압 발생회로 상세 블럭도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10,40,60:전압 제너레이터21,31,51,71:전압 검출기
20,20,50,70:기판전압 발생부
상기와 같이 동작되도록 하는 본 발명의 기판전압 발생회로는 메모리 셀 블럭과 주변회로 블럭이 동일 기판상에 형성된 반도체 디-램의 기판전압 발생회로에 있어서, 통상의 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 전압을 인가하는 전압 제너레이터와, 상기 전압 제너레이터에서 출력되는 제1전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제1전압레벨 검출기를 포함하는 제1기판전압 발생부; 및 셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 전압을 인가하는 전압 제너레이터와, 상기 전압 제너레이터에서 출력되는 제2전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제2전압레벨 검출기를 포함하는 제2기판전압 발생부를 포함하여; 디-램의 각 리프레쉬 모드 별 기판전압을 상이하게 제공하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기와 같이 동작되도록 하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판전압 발생회로는 메모리 셀 블럭과 주변회로 블럭이 서로 다른 웰상에 형성된 반도체 디-램의 기판전압 발생회로에 있어서, 디-램의 정상적인 동작을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 주변회로 블럭의 웰과 메모리 셀 블럭의 웰에 전압을 인가하는 제1전압 제너레이터와, 상기 제1전압 제너레이터에서 출력되는 제1전압 레벨을 검출하여 기설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제1전압레벨 검출기를 포함하는 제1기판전압 발생부; 및 셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 메모리 셀 블럭의 웰에 전압을 인가하는 제2전압 제너레이터와, 상기 제2전압 제너레이터에서 출력되는 제2전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제2전압 레벨 검출기를 포함하는 제2기판전압 발생부를 포함하여; 디-램의 각 리프레쉬 모드 별 기판전압을 상이하게 제공하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적 및 특징들, 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명에서 해결하고자 하는 사항을 그래프로 나타내 본 도면으로 기판에 인가되는 기판전압과 전류의 관계를 나타내고 있다.
즉, 통상적인 리프레쉬 모드일 경우에는 제1전압(VBB1)을 인가하고, 셀프 리프레쉬 동작일 경우에는 제2전압(VBB2)을 인가한다.
이때, 제1전압(VBB1)이 -Vb라고 가정하면 제2전전압(VBB2)은 -2Vb 또는 -3Vb의 값을 가지게 한다. 이처럼 셀프 리프레쉬 모드일 경우에는 통상적인 리프레쉬 모드일때 인가되는 전압보다 낮은 전압을 인가하면 도면에 도시된 바와 같이 전류 또한 줄어듬을 볼 수 있으며, 이와 같은 기준전압의 변화는 각각의 기준전압 발생부 모두 동일한 Vbb 펌핑회로를 사용하고 단지 기준전압을 감지하는 Vbb 검출회로의 감지 레벨을 조정하면 쉽게 얻을 수 있다.
제2도는 상기와 같은 각각의 기판전압 발생부를 통해 각 리프레쉬 모드 시기판전압을 상이하게 제공되는 기판전압 회로를 나타낸 도면으로, 이 경우에는 기판전압 발생부에서 인가되는 백-바이어스(Back-Bias) 전압이 디-램의 메모리 셀 블럭 및 주변회로 블럭에 공통으로 인가되는 경우에 해당된다.
통상의 리프레쉬 모드 수행하는 제어하는 노말(NORM) 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 백-바이어스 전압을 인가하는 전압 제너레이터(10)와, 상기 전압 제너레이터(10)에서 출력되는 제1전압(VBB1) 레벨을 검출하여 기설정된 전압 레벨 값 보다 전압 값이 작으면 제너레이터(10)의 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 제1전압레벨 검출기(21)를 포함하는 제1기판전압 발생부(20); 및 셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 셀프 리프레쉬(SREF) 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 백-바이어스 전압을 인가하는 전압 제너레이터(10)와, 상기 전압 제너레이터(10)에서 출력되는 제2전압(VBB2) 레벨을 검출하여 기설정된 전압 레벨 값 보다 전압 값이 작으면 제너레이터(10)의 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 제2전압레벨 검출기(31)를 포함하는 제2기판전압 발생부(30)를 포함한다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 기판전압 발생회로의 동작 과정을 설명하면, 일반적인 디-램의 리프레쉬 동작이 수행됨을 알리는 노말(NORM) 신호가 '하이'상태로 입력되면 상기 신호에 따라 N 모드 트랜지스터(N1)가 동작되고, 이어 전압 제너레이터(10)가 구동된다.
상기 전압 제너레이터(10)의 구동에 따라 출력되는 제1전압(VBB1)은 제1전압 검출기(21)에 의해 그 값이 검출되며, 이때 제1전압 검출기(21)에는 일반적인 리프레쉬 동작이 수행될때 디-램의 메모리 셀 블럭 및 주변회로에 인가되어야 하는 기준전압이 설정되어 있다.
따라서 상기 기준전압과 전압 제너레이터(10)에서 궤한된 제1전압(VBB1) 레벨을 비교하여 만약 제1전압(VBB1) 레벨이 기준전압 보다 낮지 않으면 전압 제너레이터(10)의 펌핑회로가 동작하지 않도록 인에이블 신호를 출력하지 않는다.
이와 같은 상태를 유지하다 어느 순간 제1전압 레벨이 기준전압 보다 낮아지면 제1전압 검출기(21)에서는 인에이블 신호를 출력하여 전압 제너레이터(10)의 펌핑회로를 동작토록 하여 백-바이어스 전압이 일정하게 출력되도록 한다.
한편, 디-램이 억세스 되지 않고 있는 상태일때 셀프 리프레쉬 동작이 수행됨을 알리는 셀프 리프레쉬(SREF) 신호가 '하이'상태로 입력되면, 이 신호는 N 모스 트랜지스터(N2)를 도통시키고, 이에 따라 상기 전압 제너레이터(10)가 구동된다.
상기 전압 제너레이터(10)의 출력인 제2전압(VBB2)은 디-램의 메모리 셀 블럭과 주변회로에 입력됨과 동시에 궤한되어 제2전압 검출기(31)로 입력된다.
이때 제2전압 검출기(31)에는 상기 제1전압 검출기(21)에 설정된 기준전압 보다 2배 내지 3배 정도 낮은 전압이 기준전압으로 설정되어 있으며, 이 기준전압과 상기 제2전압 레벨을 비교하여 상기 제2전압 레벨이 기준전압 보다 낮으면 인에이블 신호를 출력해 전압 제너레이터(10)의 펌핑회로를 동작시키도록 한다.
이와 같이 본 발명에서는 전압 제너레이터(10)에서 출력되는 전압 레벨을 각각의 리프레쉬 모드에 따라 서로 상이하게 출력되도록 기판전압 발생부를 각각 설치하여 서브 스레시홀드 영역에서의 누설 전류량을 감소시키며, 이와 같은 방식은 일반적으로 C 모드 트랜지스터의 스레시홀드 전압이 기판전압에 덜 민감하므로 'Twin-웰'을 사용하는 공정의 P형 기판에 적용하여도 가능하다.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판전압 발생회로를 나타내는 도면으로, 이는 'Triple-웰'을 사용하는 공정에서는 메모리 셀 블럭과 주변회로 블럭을 서로 다른 웰로 분리할 수 있으므로, 메모리 셀 블럭에서만 셀프 리프레쉬 모드시 낮은 전압을 인가할 수 있도록 해야 하는 바, 이를 제어하기 위한 도면이다.
디-램의 정상적인 동작 시 노말 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 주변회로 블럭의 웰과 메모리 셀 블럭의 웰에 백-바이어스 전압을 각각 인가하는 제1전압 제너레이터(40)와, 상기 제1전압 제너레이터(40)에서 출력되는 제1전압(VBB1) 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값 보다 전압 값이 작으면 제너레이터(40)의 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 제3전압레벨 검출기(51)를 포함하는 제3기판전압 발생부(50); 및 셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 셀프 리프레쉬(SREF) 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 메모리 셀 블럭의 웰에 백-바이어스 전압을 인가하는 제2전압 제너레이터(60)와, 상기 제2전압 제너레이터(60)에서 출력되는 제2전압(VBB2) 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값 보다 전압 값이 작으면 제너레이터(60)의 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 제4전압레벨 검출기(71)를 포함하는 제4기판전압 발생부(70)를 포함하며; 상기 제4기판전압 발생부(70) 내의 제2전압 제너레이터(60)의 출력단에는 일측은 상기 제2전압 제너레이터(60)에 연결되고, 게이트 단은 셀프 리프레쉬(SREF) 신호를 입력받아 턴-온/오프되는 N 모드 트랜지스터(N5)와, 일측은 제3기판전압 발생부(50) 내의 제1전압 제너레이터(50)의 출력단에 연결되고, 게이트단은 노말(NORM) 신호를 입력받아 턴-온/오프되는 N 모스 트랜지스터(N6) 및 상기 각 N 모스 트랜지스터(N5,N6)의 나머지 일측단에 공통 연결되어 최종적으로 메모리 셀에 백-바이어스 전압을 인가하는 인버터(INY1)가 연결되어 있다.
이와 같은 기판전압 회로의 동작을 살펴보면, 일반적인 디-램의 동작 상태인 노말 신호가 '하이'로 입력되면 이 신호에 따라 제1전압 제너레이터(40)가 동작하게 되고, 이때 출력된 전압은 제3전압 검출기(51)로 입력되어 기준전압과 비교된다.
비교한 결과 전압 제너레이터(40)에서 출력된 전압이 기준전압 보다 낮으면 제3전압 검출기(51)에서는 인에이블 신호를 출력하여 전압 제너레이터(40)의 펌핑회로를 동작시키도록 하다.
그리고 이와 동시에 상기 제4기판전압 발생부(70) 측에서는 노말 신호에 의해 턴-온되는 N 모스 트랜지스터(N6)가 도통되어 상기 제1전압 제너레이터(40)에서 출력되는 기판전압을 메모리 셀을 블럭단의 웰에 인가한다.
즉, 노말 신호에 의해 기판전압 발생회로가 동작하게 되면 디-램의 주변회로블럭의 웰과 메모리 셀 블럭의 웰 양측 모두에 제1전압 제너레이터(40)에서 발생된 기판전압이 동시에 인가되는 것이다.
한편, 셀프 리프레쉬 신호에 동작되는 제2기판전압 발생부(70)는 셀프 리프레쉬 신호가 '하이'상태로 입력되면 제2전압 제너레이터(60)가 동작하게 되고, 이 제너레이터(71)에서 출력된 제2전압은 제4전압 검출기(71)에 의해 검출기(71)의 기준전압과 비교된다.
그런다음 제2전압 제너레이터(60)에서 출력된 전압 레벨이 제4전압 검출기(71) 내의 기준전압 보다 낮으면 검출기(71)에서는 인에이블 신호를 출력하여 제2전압 제너레이터(60)의 펌핑회로를 동작시키도록 제어한다.
여기서 물론 상기 제4전압 검출기(71)에 설정된 기준전압은 제3전압 검출기(51)에 설정된 기준 전압 보다 2배 내지 3배 정도 낮은 전압이다.
따라서 제4기판전압 발생부(70)에서 출력되는 기판 전압은 노말 신호가 입력될 경우에는 제1전압 제너레이터(40)에서 발생된 전압을 메모리 셀 블럭 웰의 백-바이어스 전압으로 인가하고, 셀프 리프레쉬 신호가 입력될 경우에는 제2전압 제너레이터(60)에서 발생된 전압을 메모리 셀 블럭 웰의 백-바이어스 전압으로 인가한다.
참고로 제3도에 도시된 기판전압 발생회로에서 종래에는 하나의 전압 제너레이터에서 발생된 기판전압을 메모리 셀 블럭의 웰과, 주변회로 블럭의 웰 양측에 별도로 제공했다.
이상과 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판전압 발생회로의 동작을 요약해 보면, 통상의 리프레쉬 모드시에는 노말 신호에 의해 제1전압 제너레이터(40)가 동작되며, 디-램의 주변회로 블럭과 메모리 셀 블럭에서는 상기 제1전압 제너레이터(40)에서 발생된 기판전압이 동일하게 동시에 인가되고, 셀프 리프레쉬 모드일 경우에는 셀프 리프레쉬 신호에 의해 제2전압 제너레이터(60)가 동작되어 메모리 셀 블럭에만 통상적인 동작 때보다 낮은 기판전압을 선택적으로 인가한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 디-램의 리프레쉬 동작을 각 모드별로 구분하고, 상기 모드 별 필요로 되는 전압레벨을 설정하여 서로 상이한 전압을 인가하도록 하므로써, 통상적인 모드일때 보다 낮은 전압을 인가받는 셀프 리프레쉬 모드에서는 인가되는 전압이 낮은 전압이므로 디-램 메모리 셀의 서브 스레시홀드 특성을 개선시켜 저장된 전하의 누설 전류값을 줄이는 이점이 있으며, 누설 전류값이 줄어듬에 따라 셀프 리프레쉬 모드시의 리프레쉬 시간주기를 상대적으로 크게 늘일 수가 있다.
이에 따라 늘어나는 셀프 리프레쉬 주기는 디-램의 주어진 시간에 있어서의 리프레쉬 동작 횟수를 줄여주므로 칩의 전력소모를 줄이는 이점 또한 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 메모리 셀 블럭과 주변회로 블럭이 동일기판상에 형성된 반도체 디-램의 기판전압 발생회로에 있어서,
    통상의 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 전압을 인가하는 전압 제너레이터와, 상기 전압 제너레이터에서 출력되는 제1전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제1전압레벨 검출기를 포함하는 제1기판전압 발생부; 및
    셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램 내부에 전압을 인가하는 전압 제너레이터와, 상기 전압 제너레이터에서 출력되는 제2전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제2전압레벨 검출기를 포함하는 제2기판전압 발생부를 포함하여; 디-램의 각 리프레쉬 모드 별 기판전압을 상이하게 제공하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2전압레벨 검출기에 기 설정하는 전압레벨은 상기 제1전압레벨 검출기에 기 설정하는 전압레벨 보다 2배 이상 낮은 전압레벨로 설정하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전압레벨 검출기는 기 설정된 전압레벨과 제1전압레벨을 비교한 결과, 제1전압 레벨값이 기 설정된 전압레벨 값 보다 작으면 상기 전압 제너레이터로 인에이블 신호를 출력하여 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2전압레벨 검출기는 기 설정된 전압레벨과 제2전압레벨을 비교한 결과, 제2전압 레벨값이 기 설정된 전압레벨 값 보다 작으면 상기 전압 제너레이터로 인에이블 신호를 출력하여 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  5. 메모리 셀 블럭과 주변회로 블럭이 서로 다른 웰상에 형성된 반도체 디-램의 기판전압 발생회로에 있어서,
    디-램의 정상적인 동작을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 주변회로 블럭의 웰과 메모리 셀 블럭의 웰에 전압을 각각 인가하는 제1전압 제너레이터와, 상기 제1전압 제너레이터에서 출력되는 제1전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제1전압레벨 검출기를 포함하는 제1기판전압 발생부; 및
    셀프 리프레쉬 모드 수행을 제어하는 신호의 입력값에 따라 동작하여 디-램의 메모리 셀 블럭의 웰에 전압을 인가하는 제2전압 제너레이터와, 상기 제2전압 제너레이터에서 출력되는 제2전압 레벨을 검출하여 기 설정된 전압 레벨 값과 비교한 후, 이 결과에 따라 상기 전압 제너레이터의 동작을 제어하는 제2전압 레벨 검출기를 포함하는 제2기판전압 발생부를 포함하여; 디-램의 각 리프레쉬 모드 별 기판전압을 상이하게 제공하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2기판전압 발생부 내의 제2전압 제너레이터의 출력단에는 일측은 상기 제2전압 제너레이터에 연결되고, 게이트 단은 셀프 리프레쉬 신호를 입력받아 턴-온/오프되는 N 모스 트랜지스터와,
    일측은 제1기판전압 발생부 내의 제1전압 제너레이터의 출력단에 연결되고, 게이트 단은 노말 신호를 입력받아 턴-온/오프되는 N 모스 트랜지스터, 및
    상기 각 N 모스 트랜지스터의 나머지 일측단에 공통 연결되어 최종적으로 메모리 셀 블럭의 웰에 전압을 인가하는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2전압레벨 검출기에 기 설정하는 전압레벨은 상기 제1전압레벨 검출기에 기 설정하는 전압레벨 보다 2배 이상 낮은 전압레벨로 설정하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1전압레벨 검출기는 기 설정된 전압레벨과 제1전압레벨을 비교한 결과, 제1전압 레벨값이 기 설정된 전압 레벨 값 보다 작으면 상기 제1전압 제너레이터로 인에이블 신호를 출력하여 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2전압레벨 검출기는 기 설정된 전압레벨과 제2전압레벨을 비교한 결과, 제2전압 레벨값이 기 설정된 전압레벨 값 보다 작으면 상기 제2전압 제너레이터로 인에이블 신호를 출력하여 펌핑 동작이 일어나도록 제어하는 것을 특징으로 하는 복합 모드형 기판전압 발생회로.
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