KR100256125B1 - Vbb 발생장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 네가티브 동작시 Vcc에 대응하는 ｜Vbb｜전위를 안정된 값으로 유지되게 함으로써 오동작 발생을 방지하도록 된 Vbb발생장치를 제공하기 위한 것이다.

이를 위해 본 발명은, Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 상기 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라 제어신호를 출력하는 제어 로직수단 및, 상기 제어 로직수단으로부터의 신호에 의해 Vbb전위를 생성시키는 Vbb전위 생성수단을 갖춘 Vbb발생장치에서, 전원전위에 대응하는 Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 상기 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라 ｜Vbb｜전위를 낮추는 누설수단을 더 구비하여 구성됨으로써, 네가티브 동작시 안정적인 Vbb전위를 만들수 있게 되므로 오동작 발생을 방지할 수 있게 된다.

Description

Vbb발생장치

본 발명은 반도체 기억소자에 채용되는 Vbb발생장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 네가티브 펌프(negative pump)동작을 행할 때 안정적인 Vbb전위를 유지하도록 된 Vbb발생장치에 관한 것이다.

주지된 바와 같이, 종래의 Vbb발생장치는 도 1에 도시된 바와 같이 피드백되는 Vbb의 전위를 감지하여 펌프(pump)의 턴온/턴오프신호를 만드는 Vbb레벨 검출부(10)와, 그 Vbb레벨 검출부(10)에서 출력되는 신호를 입력받아 그에 상응하는 오실레이션(oscillation) 신호와 펌프를 제어하는 신호를 출력하는 제어 로직부(12) 및, 그 제어 로직부(12)에서 출력되는 신호에 대응하여 펌프동작으로 Vbb전위를 생성하여 출력하는 Vbb전위 생성부(14)로 구성된다.

여기서, 상기 Vbb레벨 검출부(10)는 통상적으로 전원전위에 비례하는 ｜Vbb｜전위를 감지하게 된다.

이와 같이 구성된 종래의 Vbb발생장치의 경우, 네가티브 펌프 동작(즉, 전원라인의 전위가 일정시간동안 낮아지는 현상이 생기는 동작)에서 전원전위가 고전위에서 저전위로 변하는 경우에 ｜Vbb｜는 큰값을 그대로 유지하고 있어서 전원전위가 낮아지는 경우에 그 큰값을 그대로 유지하게 된다.

그래서, 디램의 경우는 Vbb단자와 셀 플레이트(cell plate) 등과 커플링 캐패시터(coupling capacitor)로 인하여 도리어 (Vcc/2)만큼 낮아지는 효과가 있다.

이런 경우에는 전원전위는 낮은데 ｜Vbb｜전위는 큰값을 그대로 유지하므로 Vbb에 의하여 문턱전압값이 큰값을 유지하여 동작상에 오동작을 일으키게 된다.

따라서 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 네가티브 동작시 Vcc에 대응하는 ｜Vbb｜전위를 안정된 값으로 유지되게 함으로써 오동작 발생을 방지하도록 된 Vbb발생장치를 제공함에 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 이 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라 제어신호를 출력하는 제어 로직수단 및, 이 제어 로직수단으로부터의 신호에의해 Vbb전위를 생성시키는 Vbb전위 생성수단을 갖춘 Vbb발생장치에 있어서, 전원전위에 대응하는 Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 이 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라 Vbb전위를 낮추는 누설수단을 더 구비하여 구성된 Vbb발생장치가 제공된다.

제1도는 종래의 Vbb발생장치의 블럭구성도,

제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 Vbb발생장치의 블럭구성도,

제3도는 제2도에 도시된 Vbb레벨 검출부와 누설부의 내부회로도이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

10 : Vbb레벨 검출부 12 : 제어 로직부

14 : Vbb전위 생성부 16 : Vbb레벨 검출부

18 : 누설부

이하, 본 발명의 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 Vbb발생장치의 블럭구성도로서, 도 1에서 설명한 부분과 동일한 구성요소에 대해서는 참조부호를 동일하게 부여하면서 그에 대한 설명을 생략한다.

본 발명의 실시예는 전원전위에 대응하는 Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출부(16)와, 이 Vbb레벨 검출부(16)에서 출력되는 신호에 제어되고 특정동작(예컨데, 네가티브 동작)시｜Vbb｜전위를 낮추는 동작을 수행하는 누설부(18)를 더 구비하였다는 것이 도 1의 종래의 구성과 차이난다.

여기서, 상기 Vbb레벨 검출부(16)는 도 3에 도시된 바와 같이 소정의 바이어스신호를 출력하는 Vbb바이어스 출력부(16a)와, 상기 Vbb바이어스 출력부(16a)로부터의 신호에 따라 상기 누설부(18)를 구동시키는 턴온신호로서 전원전위를 출력하는 반면에 턴오프신호로서 Vbb전위를 출력하게 된다.

또한, 상기 Vbb레벨 검출수단(16)의 스위칭이 일어나는｜Vbb｜전위는 상기 Vbb레벨 검출수단(10)의 스위칭이 일어나는 ｜Vbb｜전위보다 크도록 함이 바람직하다.

바람직하게, 상기 Vbb바이어스 출력부(16a)는 도 3에 도시된 바와 같이 전원 전압단과 접지단 사이에 복수개의 MOS소자(MP1, MP2, MP3, MP4, MP5, MP6)가 상호 직렬로 접속되는데, 상기 세개의 MOS소자(MP1, MP2, MP3)의 게이트는 공통으로 접지단에 접속되고, 나머지 세개의 MOS소자(MP4, MP5, MP6)의 게이트에는 공통으로 소정의 전원(예컨대, Vbb전원)이 인간된다.

그리고, 상기 구동신호 출력부(16a)는 도 3에 도시된 바와 같이 PMOS트랜지스터(MP7)와 NMOS트랜지스터(MN2)로 이루어진 CMOS인버터로 구성되는데, 상기 PMOS트랜지스터(MP7)와 NMOS트랜지스터(MN2)의 게이트는 공통으로 접속되고, 그 게이트는 상기 MOS소자(MP2)의 드레인과 MOS소자(MP3)의 소오스 사이의 출력노드(n)에 접속된다.

한편, 상기 누설부(18)는 게이트가 상기 CMOS인버터의 출력단에 접속되고 드레인은 Vbb에 접속되며 소오스는 접지단에 접속된 MOS소자로 구성되는데, 바람직하게 그 MOS소자는 NMOS트랜지스터로 이루어진다.

이어, 상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 Vbb발생장치의 동작에 대해 설명하면 다음과 같다.

먼저, 두개의 Vbb레벨 검출부(10, 16)는 피드백되는 Vbb의 전위를 검출하게 되고, 그 Vbb의 전위가 안정된 레벨을 유지하고 있을 경우에는 Vbb레벨 검출부(10)에서는 턴오프신호(Vbb전위)를 누설부(18)로 인가하게 되며, Vbb레벨 검출부(10)에 서는 펌프동작이 행해지도록 하는 턴온신호를 제어 로직부(12)로 인가하게 된다.

그에 따라, 상기 누설부(18)에서는 동작디스에이블상태가 되고, 상기 제어 로직부(12)는 현재 인가된 신호에 대응하여 오실레이션 신호 및 펌프를 제어하는 신호를 Vbb전위 생성부(14)로 인가하게 된다.

이어, 상기 Vbb전위 생성부(14)에서는 펌프동작을 수행하여 Vbb전위를 만들어 출력하게 된다.

그런데, 전원 라인의 전위가 일정 시간동안 낮아지는 네가티브 동작이 행해지게 되면, 상기 Vbb레벨 검출부(10)와 제어 로직부(12) 및 Vbb전위 생성부(14)는 상술한 동작과 동일한 동작을 계속 수행하게 되고, 상기 Vbb레벨 검출부(16)는 현재의 전원전위가 낮은데｜Vbb｜전위는 큰값을 그대로 유지하고 있으므로 턴온신호(전원전위를 누설부)의 구성요소인 NMOS트랜지스터의 게이트로 인가하게 된다.

그에 따라, 상기 누설부(18)의 구성요소인 NMOS트랜지스터가 턴온되어 Vbb를 접지로 바이패스시키게 된다.

그 후, 상기 Vbb레벨 검출부(16)는 피드백되는 Vbb의 전위의 절대치가 안정된 범위에 있게 되면 즉, Vbb레벨 검출부(10)의 스위칭이 일어나는 Vbb 전위에 비해 작게 되면 다시 턴오프신호를 상기 누설부(18)로 인가하여 그 누설부(18)에서의 누설동작이 행해지지 않도록 한다.

이상 설명한 바와 같은 본 발명에 의하면, 네가티브 동작시 안정적인 Vbb전위를 만들 수 있게 되므로 오동작 발생을 방지할 수 있게 된다.

Claims (8)

1. Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 상기 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라 제어신호를 출력하는 제어 로직수단 및, 상기 제어 로직수단으로 부터의 신호에 의해 Vbb전위를 생성시키는 Vbb전위 생성수단을 갖춘 Vbb발생장치에 있어서, 전원전위에 대응하는 Vbb의 전위를 감지하는 Vbb레벨 검출수단과, 상기 Vbb레벨 검출수단으로부터의 신호에 따라｜Vbb｜전위를 낮추는 누설수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 Vbb레벨 검출수단은 턴온신호로 전원전위를 출력하고, 턴오프신호로 Vbb전위를 출력하는 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 Vbb레벨 검출수단의 스위칭이 일어나는｜Vbb｜전위는 상기 Vbb레벨 검출수단의 스위칭이 일어나는｜Vbb｜전위보다 큰 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Vbb레벨 검출수단은 바이어스신호를 출력하는 Vbb바이어스 출력부와, 상기 Vbb바이어스 출력부로부터의 신호에 따라 상기 누설수단으로 구동신호를 출력하는 구동신호 출력부로 구성된 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 Vbb바이어스 출력부는 전원전압단과 접지단 사이에 상호 직렬 접속된 복수의 MOS소자로 구성된 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
6. 제4항에 있어서, 상기 구동신호 출력부는 CMOS인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 누설수단은 접지전위와 Vbb 사이에 설치된 MOS소자로 구성된 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 MOS소자는 NMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 Vbb발생장치.

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