KR970030778A - 정전방전 (EDS:Electro-static Discharge) 및 래치 업(Latch-up) 방지회로 - Google Patents

정전방전 (EDS:Electro-static Discharge) 및 래치 업(Latch-up) 방지회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970030778A
KR970030778A KR1019950044214A KR19950044214A KR970030778A KR 970030778 A KR970030778 A KR 970030778A KR 1019950044214 A KR1019950044214 A KR 1019950044214A KR 19950044214 A KR19950044214 A KR 19950044214A KR 970030778 A KR970030778 A KR 970030778A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic discharge
power supply
latch
supply voltage
mos transistor
Prior art date
Application number
KR1019950044214A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100206870B1 (ko
Inventor
김대성
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950044214A priority Critical patent/KR100206870B1/ko
Priority to JP8011778A priority patent/JP2968200B2/ja
Priority to DE19605628A priority patent/DE19605628C1/de
Priority to US08/623,032 priority patent/US5771140A/en
Publication of KR970030778A publication Critical patent/KR970030778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100206870B1 publication Critical patent/KR100206870B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00315Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/045Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
    • H02H9/046Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 양극성 정전기 방전 및 음극성 정전기 방전에 의한 회로의 파괴를 방지하는 정전기 방전 방지하는 트랜지스터와 집적 회로 사이에 스위칭 작용을 하는 피 모스 트랜지스터를 연결하고, 상기 피 모스 트랜시스터의 스위칭 작용에 의해 일정한 범위의 레벨로 제한된 정전기만 집적 회로에 인가되도록 하고 일정한 범위의 레벨로 제한되지 않은 정전기는 차단하여 집적 회로에 인가되지 않도록 함으로써 정전기 방전에 의한 회로의 파괴를 방지하고, 바이어스 조건이 안정된 다음 상기 집적 회로의 신호의 입, 출력이 수행되게 함으로써 래치-업을 방지하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로에 관한 것이다.

Description

정전방전 (EDS:Electro-static Discharge) 및 래치 업(Latch-up) 방지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4도는 본 발명에 의한 정전 방전 및 래치-업 방지 회로가 집적 회로의 내부에 설치된 것을 나타낸 도면.
제 5도는 제 4도의 등가 회로.

Claims (9)

  1. 집적 회로 칩의 내부 또는 외부에 위치하고, (+)전원 전압과 (-)전원 전압 사이에 직렬로 연결되어, 양극성 정전기 방전 및 음극성 정전기 방전을 방지하는 정전기 방전 방지 수단과; 상기 정전기 방전 방지 수단과 집적 회로 칩의 내부 회로 사이에 연결되어 스위칭 작용을 하는 스위칭 수단과; 상기 스위칭 수단의 스위칭을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 방지 수단은 피-엔 접합 다이오드임을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 방지 수단은 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 방지 수단은 모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터는 (+)전원 전압과 (-)전원 전압 사이에 피 모스 트랜지스터와 엔 모스 트랜지스터가 직렬로 연결되고, 상기 피 모스 트랜지스터와 엔 모스 트랜지스터의 게이트 전극은 각각 자신의 소스 전극과 공통으로 연결되고 드레인 전극은 상호 접속됨을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제어 수단은 (+)전원 전압과 (-)전원 전압의 전위는 각각 소정의 상태일 경우에만 상기 스위칭 수단이 동작하도록 하는 제어 신호를 출력함을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  7. 제 6에 있어서, 상기 제어 수단은 (+)전원 전압과 (-)전원 전압의 전위는 각각 하이 및 로우 상태임을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 제어 수단은 (-)전원 전압의 레벨 반전시키는 인버터와; 상기 인버터의 출력 신호와 (+)전원 전압의 레벨을 낸드 연산하는 낸드 게이트를 포함하는 정전 방전 및 래치-업 방지 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950044214A 1995-11-28 1995-11-28 정전 방전 및 래치 업 방지회로 KR100206870B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044214A KR100206870B1 (ko) 1995-11-28 1995-11-28 정전 방전 및 래치 업 방지회로
JP8011778A JP2968200B2 (ja) 1995-11-28 1996-01-26 静電放電及びラッチアップ防止回路
DE19605628A DE19605628C1 (de) 1995-11-28 1996-02-15 Schaltung zum Vermeiden elektrostatischer Entladung und Latch-up
US08/623,032 US5771140A (en) 1995-11-28 1996-03-28 Electro-static discharge and latch-up prevention circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044214A KR100206870B1 (ko) 1995-11-28 1995-11-28 정전 방전 및 래치 업 방지회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970030778A true KR970030778A (ko) 1997-06-26
KR100206870B1 KR100206870B1 (ko) 1999-07-01

Family

ID=19436028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950044214A KR100206870B1 (ko) 1995-11-28 1995-11-28 정전 방전 및 래치 업 방지회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5771140A (ko)
JP (1) JP2968200B2 (ko)
KR (1) KR100206870B1 (ko)
DE (1) DE19605628C1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000045436A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 반도체소자
CN112086946A (zh) * 2020-08-13 2020-12-15 珠海亿智电子科技有限公司 具有交流检测和直流检测的耐高压钳位电路

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW359887B (en) * 1997-11-28 1999-06-01 Winbond Electronics Corp IC interline protective circuit
JP3489512B2 (ja) * 1999-11-24 2004-01-19 日本電気株式会社 ラッチアップ防止回路
DE19958204B4 (de) * 1999-12-02 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Latch-up Schutzschaltungen für integrierte Schaltungen
US6624992B1 (en) 2000-10-06 2003-09-23 Qualcomm, Incorporated Electro-static discharge protection circuit
JP2002299569A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd スイッチング用mosトランジスタの保護回路
DE60218656T2 (de) * 2001-04-25 2007-11-22 ISGK Co., Ltd., Nam Vorrichtung und verfahren zur entfernung von feuchtigkeit
JP3847631B2 (ja) * 2002-01-30 2006-11-22 株式会社ルネサステクノロジ アナログ入力選択回路
US6933610B2 (en) * 2002-02-20 2005-08-23 Silicon Pipe, Inc. Method of bonding a semiconductor die without an ESD circuit and a separate ESD circuit to an external lead, and a semiconductor device made thereby
JP3773506B2 (ja) * 2003-07-24 2006-05-10 松下電器産業株式会社 半導体集積回路装置
JP4690915B2 (ja) 2006-03-10 2011-06-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 集積回路用電源保護回路
KR100764369B1 (ko) 2006-08-17 2007-10-08 삼성전기주식회사 Esd 보호회로 및 이를 구비하는 튜너
GB2464771B (en) * 2008-10-31 2013-11-20 Cambridge Silicon Radio Ltd Low voltage protection
WO2010131078A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit and integrated circuit package
JP2011059221A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Renesas Electronics Corp データドライバ
US8918138B2 (en) * 2010-08-13 2014-12-23 Broadcom Corporation Receive band selection and electrostatic discharge protection in a transceiver
CN102769282B (zh) * 2011-05-04 2015-01-07 北京中科新微特科技开发股份有限公司 一种电路板接口静电放电防护电路
CN103248032A (zh) * 2013-04-27 2013-08-14 成都市宏山科技有限公司 适用于高压环境的雷电防护电路
CN105098756A (zh) * 2015-08-07 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 芯片及电子装置
US10164425B2 (en) * 2016-03-29 2018-12-25 Nxp B.V. Electrostatic discharge protection

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4484244A (en) * 1982-09-22 1984-11-20 Rca Corporation Protection circuit for integrated circuit devices
US4594633A (en) * 1983-07-07 1986-06-10 Motorola, Inc. Integrated circuit protection circuit
BR8606541A (pt) * 1985-04-08 1987-08-04 Sgs Semiconductor Corp Rede de protecao de entrada aperfeicoada para reduzir o efeito de danificacao de uma descarga eletrostatica em pelo menos um eletrodo de portao de entrada de um chip semicondutor mos
US4760433A (en) * 1986-01-31 1988-07-26 Harris Corporation ESD protection transistors
JPH01253267A (ja) * 1988-03-31 1989-10-09 Sharp Corp 半導体装置のための入力保護回路
JPH02132861A (ja) * 1989-07-26 1990-05-22 Citizen Watch Co Ltd 保護回路
JP2566064B2 (ja) * 1991-01-17 1996-12-25 株式会社東芝 入出力バッファ回路
DE4118441A1 (de) * 1991-06-05 1992-12-10 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum schutz gegen ueberspannungen an eingaengen integrierter mos-schaltkreise
JPH0548021A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体保護回路
US5212616A (en) * 1991-10-23 1993-05-18 International Business Machines Corporation Voltage regulation and latch-up protection circuits
JPH0613553A (ja) * 1992-06-29 1994-01-21 Nec Corp 半導体集積回路
US5473169A (en) * 1995-03-17 1995-12-05 United Microelectronics Corp. Complementary-SCR electrostatic discharge protection circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000045436A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 반도체소자
CN112086946A (zh) * 2020-08-13 2020-12-15 珠海亿智电子科技有限公司 具有交流检测和直流检测的耐高压钳位电路
CN112086946B (zh) * 2020-08-13 2024-03-19 珠海亿智电子科技有限公司 具有交流检测和直流检测的耐高压钳位电路

Also Published As

Publication number Publication date
DE19605628C1 (de) 1997-05-28
JPH09186247A (ja) 1997-07-15
US5771140A (en) 1998-06-23
KR100206870B1 (ko) 1999-07-01
JP2968200B2 (ja) 1999-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970030778A (ko) 정전방전 (EDS:Electro-static Discharge) 및 래치 업(Latch-up) 방지회로
KR940001251B1 (ko) 전압 제어회로
KR100282282B1 (ko) 전원전압이 저전압인 경우에도 확실하게 동작할 수 있는레벨 쉬프터 회로
KR930020852A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR960003529B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 칩 초기화 신호 발생회로
KR950024339A (ko) 반도체 집적회로장치
KR970700395A (ko) 고전압 검출을 이용한 항복 방지용 회로(breakdown protection circuit using high voltage detection)
KR970060217A (ko) 출력회로, 누설전류를 감소시키기 위한 회로, 트랜지스터를 선택적으로 스위치하기 위한 방법 및 반도체메모리
KR960701515A (ko) 반도체 장치
KR910008863A (ko) 반도체 집적회로
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
KR960030395A (ko) 저전압출력회로 및 반도체장치
KR19990014678A (ko) 출력회로
JP2598147B2 (ja) 半導体集積回路
KR20220108490A (ko) 정전기 보호 회로
JP3948656B2 (ja) 入力バッファ回路、出力バッファ回路および入出力バッファ回路
KR0179851B1 (ko) 하이 및 로우레벨을 발생하는 씨모스 논리회로
KR920005497A (ko) 반도체 집적회로의 입력회로
KR950022128A (ko) 트랜지스터 회로
KR100186345B1 (ko) 레벨시프트 회로
KR970003253A (ko) 반도체 메모리 장치의 고전압 스위치 회로
KR100253275B1 (ko) 부트-스트랩을 이용한 정전방전 보호회로
KR930007835Y1 (ko) 디지탈 회로의 접지장치
KR950001132Y1 (ko) 전원 클리어 회로
JP2003069410A (ja) 入出力バッファ回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130325

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140318

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term