CN103248032A - 适用于高压环境的雷电防护电路 - Google Patents

适用于高压环境的雷电防护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103248032A
CN103248032A CN2013101512252A CN201310151225A CN103248032A CN 103248032 A CN103248032 A CN 103248032A CN 2013101512252 A CN2013101512252 A CN 2013101512252A CN 201310151225 A CN201310151225 A CN 201310151225A CN 103248032 A CN103248032 A CN 103248032A
Authority
CN
China
Prior art keywords
effect transistor
type field
field effect
source electrode
protection circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013101512252A
Other languages
English (en)
Inventor
黄友华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Hongshan Technology Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Hongshan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Hongshan Technology Co Ltd filed Critical Chengdu Hongshan Technology Co Ltd
Priority to CN2013101512252A priority Critical patent/CN103248032A/zh
Publication of CN103248032A publication Critical patent/CN103248032A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种适用于高压环境的雷电防护电路，P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是：其可应用于高压环境，且电路结构简单。

Description

适用于高压环境的雷电防护电路
技术领域
本发明涉及一种雷电防护电路，更具体的说是涉及一种适用于高压环境的雷电防护电路。
背景技术
    在夏季，雷雨多发季节，雷电经常发生。在各个方面的雷电防护电路应有尽有，但是，其大多为在低电压环境中使用。而在高压环境中使用的防雷电路其电路结构都较为复杂。
发明内容
本发明提供一种适用于高压环境的雷电防护电路，其可应用于高压环境，且电路结构简单。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：
适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
更进一步的技术方案是:
所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
在本发明中，电阻R1的两端分别连接在设备的IO端口和内部电路之间，且与内部电路连接的一端同时连接在P型场效应管MOS2的漏极上。当雷电从IO端口进入时，电阻R1起限流作用。P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和稳压二极管D2分别提供多条雷电泄放通路讲雷电泄放掉。由于P型场效应管MOS1和P型场效应管MOS2串联，N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4串联，稳压二极管D1和稳压二极管D2串联，使得该电路的抗压能力增强，使其适用于高压环境。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明的电路结构简单，便于实现。
2、本发明的电路提供多条雷电泄放电路，有效的讲雷电泄放掉，使其具有良好的防雷效果。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
3.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
4.根据权利要求1所述的适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
CN2013101512252A 2013-04-27 2013-04-27 适用于高压环境的雷电防护电路 Pending CN103248032A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101512252A CN103248032A (zh) 2013-04-27 2013-04-27 适用于高压环境的雷电防护电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101512252A CN103248032A (zh) 2013-04-27 2013-04-27 适用于高压环境的雷电防护电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103248032A true CN103248032A (zh) 2013-08-14

Family

ID=48927340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013101512252A Pending CN103248032A (zh) 2013-04-27 2013-04-27 适用于高压环境的雷电防护电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103248032A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107728042A (zh) * 2017-11-13 2018-02-23 睿力集成电路有限公司 具有保护测试的集成电路及其测试方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5742465A (en) * 1996-04-24 1998-04-21 Winbond Electronics Corporation Protection circuit for a CMOS integrated circuit
US5771140A (en) * 1995-11-28 1998-06-23 Lg Semicon Co., Ltd. Electro-static discharge and latch-up prevention circuit
US6351362B1 (en) * 1998-04-13 2002-02-26 Seiko Instruments Inc. Protection circuit for an LCD controller IC
CN1674389A (zh) * 2004-03-23 2005-09-28 华为技术有限公司 一种信号接口保护电路
CN101577418A (zh) * 2008-05-09 2009-11-11 统宝光电股份有限公司 静电放电保护电路及电子系统
CN203205863U (zh) * 2013-04-27 2013-09-18 成都市宏山科技有限公司 应用于高压环境的雷电防护电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5771140A (en) * 1995-11-28 1998-06-23 Lg Semicon Co., Ltd. Electro-static discharge and latch-up prevention circuit
US5742465A (en) * 1996-04-24 1998-04-21 Winbond Electronics Corporation Protection circuit for a CMOS integrated circuit
US6351362B1 (en) * 1998-04-13 2002-02-26 Seiko Instruments Inc. Protection circuit for an LCD controller IC
CN1674389A (zh) * 2004-03-23 2005-09-28 华为技术有限公司 一种信号接口保护电路
CN101577418A (zh) * 2008-05-09 2009-11-11 统宝光电股份有限公司 静电放电保护电路及电子系统
CN203205863U (zh) * 2013-04-27 2013-09-18 成都市宏山科技有限公司 应用于高压环境的雷电防护电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107728042A (zh) * 2017-11-13 2018-02-23 睿力集成电路有限公司 具有保护测试的集成电路及其测试方法
CN107728042B (zh) * 2017-11-13 2023-08-22 长鑫存储技术有限公司 具有保护测试的集成电路及其测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203415971U (zh) 基于场效应管构建的抗过压浪涌保护控制电路
CN206542189U (zh) 一种防浪涌保护电路
CN103248034B (zh) 可雷电防护的u盘
CN105226625A (zh) 一种双路双向esd保护电路
CN206450765U (zh) 电源欠压尖峰脉冲检测电路
CN203205863U (zh) 应用于高压环境的雷电防护电路
CN103248032A (zh) 适用于高压环境的雷电防护电路
CN203233158U (zh) 具有静电和浪涌双重保护的电路
CN103346546A (zh) 用于遥测终端机的防雷击电路
CN204392189U (zh) 运算放大器供电过压保护电路
CN203243034U (zh) 具有静电防护功能的相机
CN204230891U (zh) 一种防电源反接电路
CN203312785U (zh) 遥测终端机防雷击电路
CN203166486U (zh) 一种低功耗电池电源反向保护电路
CN203800836U (zh) 一种开关电源的cs短路保护电路
CN203537350U (zh) 一种延迟电路
CN202759272U (zh) 防爆电池限制电流电路
CN203206325U (zh) 一种具有雷电保护功能的手机
CN203205861U (zh) 一种具有静电防护功能的mp3播放器
CN203205855U (zh) 一种应用于键盘的静电防护电路
CN203205865U (zh) 用于具有静电防护功能的键盘
CN203205065U (zh) 具有防雷击功能的dvd播放机
CN203278212U (zh) 卡片式终端静电防护电路
CN103683257A (zh) 一种高可靠性的静电防护电路
CN104639128A (zh) 一种抗干扰的定时开关电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130814