CN206542189U - 一种防浪涌保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种防浪涌保护电路,包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路,以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路,所述电子开关电路包括PMOS管Q1,PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接,尖峰脉冲保护电路中包括的作为取样电阻的电阻R3,电阻R3的两端分别与三极管Q2的发射极和基极连接,PMOS管Q1的源极分两路,一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接,另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接,电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连,电阻R2另一端接地。本实用新型能够起到浪涌抑制的作用,且防浪涌保护电路工作稳定、可靠,有效抑制尖峰脉冲信号造成电路破坏,甚至造成电子设备损坏的现象。
Description
技术领域
本实用新型属于电池供电开机电路技术领域,具体涉及一种防浪涌保护电路。
背景技术
军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统,由于应用场合电磁环境的特殊和高可靠要求,其电子系统在其电源供电系统电压发生瞬变时,必须能够正常可靠的工作,这一瞬变有具体的军标要求,典型的有美军标MIL-STD-1275B,英军标DEF-STAN-61-5,国军标GJB181-86和GJB181A-2003。以28V供电为例,瞬变包括尖峰和浪涌冲击,各标准典型瞬态要求如表一,
表一 典型瞬态要求
对于28V供电的一般电器系统,在不加任何保护的情况下,很难经受80V~100V的浪涌和±600V的脉冲冲击,所以设计一种保护电路对过高浪涌电压进行抑制,保证输出电压始终维持在设备允许的供电范围内是很有必要的,现有的防浪涌保护电路原理复杂、电子元件较多,尤其对军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统中适用性差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种防浪涌保护电路,该防浪涌保护电路能够起到浪涌抑制的作用,且防浪涌保护电路工作稳定、可靠,有效抑制尖峰脉冲信号造成电路破坏,甚至造成电子设备的损坏。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种防浪涌保护电路,其特征在于:包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路,以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路;
所述电子开关电路包括PMOS管Q1,所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接;
所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2,所述PMOS管Q1的源极分两路,一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接,另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接,所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连,所述电阻R2另一端接地,所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连,所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连,所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连,所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接,所述电阻R5另一端经电阻R6接地,所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述三极管Q3的发射极接地,所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述电容C2另一端接地。
本实用新型的特点还在于:
所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。
所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。
所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。
还包括电容C1和二极管D1,所述二极管D1的阳极与电源输入端Vin连接,所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接,所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连,所述电容C1的另一端接地。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
1.本实用新型结构简单,使用方便,当输入电压为正常值时,PMOS管Q1饱和导通,则电源输出端Vout电压值等于电源输入端Vin电压值,当电源出现尖峰脉冲时,PMOS管Q1截止,电源输出端Vout电压值为零,这样有效保护了电子元件,保证防浪涌保护电路的正常工作。
2.本实用新型的稳压保护电路能够有效防止PMOS管Q1、三极管Q3被击穿。
综上所述,本实用新型结构简单且操作方便,投入成本少,结构设计合理,便于操作,使用效果好。
下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示的一种防浪涌保护电路,包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路,以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路;
所述电子开关电路包括PMOS管Q1,所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接;
所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2,所述PMOS管Q1的源极分两路,一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接,另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接,所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连,所述电阻R2另一端接地,所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连,所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连,所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连,所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接,所述电阻R5另一端经电阻R6接地,所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述三极管Q3的发射极接地,所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述电容C2另一端接地。
本实施例中,所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。
本实施例中,所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。
本实施例中,还包括电容C1和二极管D1,所述二极管D1的阳极与电源输入端Vin连接,所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接,所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连,所述电容C1的另一端接地。
本实用新型的工作原理是:
正常电压输入时,由于PMOS管Q1的栅极经电阻R2接地,所以所述PMOS管Q1的源极与PMOS管Q1的栅极之间具有电压差,PMOS管Q1处于饱和导通状态,电源输出端Vout电压值等于电源输入端Vin电压值,即电子开关电路处于正常导通状态,且三极管Q3的基极经电阻R5与PMOS管Q1的漏极连接,三极管Q3也处于导通状态,三极管Q2处于截止状态,该防浪涌保护电路中的电阻R3为取样电阻;当电源出现尖峰脉冲时,通过取样电阻R3的电流瞬间增大,即电阻R3两端电压增大,由于三极管Q2的发射极与电阻R3的阳极端连接,三极管Q2的基极与电阻R3的阴极连接,所以当电源出现尖峰脉冲时,三极管Q2处于导通状态,PMOS管Q1的源极与PMOS管Q1的栅极之间的电压差为零,PMOS管Q1处于截止状态,即电子开关电路处于截止状态,电源输出端Vout输出电压为零,这样有效保护电子设备,避免尖峰脉冲信号对电子设备的破坏。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例,并非对本实用新型作任何限制,凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
Claims (4)
1.一种防浪涌保护电路,其特征在于:包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路,以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路;
所述电子开关电路包括PMOS管Q1,所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接;
所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2,所述PMOS管Q1的源极分两路,一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接,另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接,所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连,所述电阻R2另一端接地,所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连,所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连,所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连,所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接,所述电阻R5另一端经电阻R6接地,所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述三极管Q3的发射极接地,所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连,所述电容C2另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种防浪涌保护电路,其特征在于:所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。
3.根据权利要求1所述的一种防浪涌保护电路,其特征在于:所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。
4.根据权利要求1所述的一种防浪涌保护电路,其特征在于:还包括电容C1和二极管D1,所述二极管D1的阳极与电源输入端Vin连接,所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接,所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连,所述电容C1的另一端接地。
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