CN105226625A - 一种双路双向esd保护电路 - Google Patents

一种双路双向esd保护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN105226625A
CN105226625A CN201510664514.1A CN201510664514A CN105226625A CN 105226625 A CN105226625 A CN 105226625A CN 201510664514 A CN201510664514 A CN 201510664514A CN 105226625 A CN105226625 A CN 105226625A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diode
integrated circuit
input
voltage
external signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510664514.1A
Other languages
English (en)
Inventor
赵建强
陈洁
陈计学
张海峰
李苏苏
高博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
No 214 Institute of China North Industries Group Corp
Original Assignee
No 214 Institute of China North Industries Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by No 214 Institute of China North Industries Group Corp filed Critical No 214 Institute of China North Industries Group Corp
Priority to CN201510664514.1A priority Critical patent/CN105226625A/zh
Publication of CN105226625A publication Critical patent/CN105226625A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开一种双路双向ESD保护电路，设于被保护集成电路的输入端，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。

Description

一种双路双向ESD保护电路
技术领域
本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体是一种双路双向ESD保护电路。
背景技术
随着集成电路制造技术的发展，特征尺寸不断缩小，使得ESD（Electro-staticDischarge静电释放）对集成电路的影响也越来越大。根据统计，集成电路1/3以上的失效是由ESD引起的，为了减少ESD对集成电路的不利影响，提高集成电路的可靠性和性能，最有效的方法就加入ESD保护电路。ESD保护电路能将高压静电转化成瞬态低压大电流，将电流泄放，从而达到保护集成电路的目的。
目前，ESD保护电路中常用的保护器件有二极管、双极型三极管、栅接地NMOS管与可控硅整流器件等，在实际应用中通常需要引入电阻、电容等器件共同构成保护电路，这就导致了电路可靠性较差，经常发现MOS管在反向雪崩击穿来泄放ESD电流时，PN结容易损坏，另外在试验中还发现，目前常规的ESD保护电路对4000V以上的高静电脉冲，容易出现电路损坏的问题，可靠性不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双路双向ESD保护电路，该保护电路能够实现集成电路的输入端对供电电源与对地的双向静电保护，可靠性高，并且结构简单、易于实现。
一种双路双向ESD保护电路，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；所述每个二极管的反向击穿电压小于被保护集成电路的击穿电压。
本发明的有益效果是，当外部信号的电压与被保护集成电路供电电源电压的压差、以及外部信号的电压与地的压差大于二极管的反向击穿电压时，静电通过保护电路泄放；反之，则外部信号的电压施加在被保护集成电路的输入端；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，对被保护集成电路实现带极性的双向静电脉冲保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：
图1是本发明的电路示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明提供一种双路双向ESD保护电路，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3与第四二极管D4；第一二极管D1与第二二极管D2的负极对接，第三二极管D3与第四二极管D4的负极对接，第一二极管D1的正极连接被保护集成电路U1的供电电源Vdd，第四二极管D4的正极接地；所述第二二极管D2与第三二极管D3的正极相连，第二二极管D2与第三二极管D3的连接端分别与外部信号的输入端A以及被保护集成电路U1的输入端B相连；所述每个二极管的反向击穿电压小于被保护集成电路U1的击穿电压；第一二极管D1与第二二极管D2构成一路保护电路；第三二极管D3与第四二极管D4构成另一路保护电路。
令被保护集成电路U1的正常工作电压为±28.5V，击穿电压为±33V，二极管反向击穿电压控制在30V～32V之间。
当外部信号电压相对Vdd的电压差小于30V时，第一二极管D1反向截止，第二二极管D2正向导通，外部信号的输入端A与Vdd之间不导通，外部信号被接入到被保护集成电路U1输入端B；
当Vdd相对外部信号电压的电压差小于30V时，第二二极管D2反向截止，第一二极管D1正向导通，外部信号的输入端A与Vdd之间不导通，外部信号被接入到被保护集成电路U1输入端B；
当外部信号电压相对Vdd的电压差大于30V时，第一二极管D1反向击穿，第二二极管D2正向导通，外部信号的输入端A与Vdd之间导通，电荷由第二二极管D2与第一二极管D1泄放，使被保护集成电路U1不被击穿；
当Vdd相对外部信号电压的电压差大于30V时，第二二极管D2反向击穿，第一二极管D1正向导通，外部信号的输入端A与Vdd之间导通，电荷由第一二极管D1与第二二极管D2泄放，使被保护集成电路U1不被击穿；
由此，第一二极管D1与第二二极管D2构成的一路保护电路实现对被保护集成电路U1正负双向的ESD保护。
同样的，当外部信号电压相对于地GND之间的电压差小于30V时，第四二极管D4反向截止，第三二极管D3正向导通，外部信号的输入端A与地GND之间不导通，外部信号被接入到被保护集成电路U1输入端B；
当地GND相对于外部信号电压的电压差小于30V时，第三二极管D3反向截止，第四二极管D4正向导通，外部信号的输入端A与地GND之间不导通，外部信号被接入到被保护集成电路U1输入端B；
当外部信号电压相对于地GND的电压差大于30V时，第四二极管D4反向击穿，第三二极管D3正向导通，外部信号的输入端A与地GND之间导通，电荷由第三二极管D2与第四二极管D4泄放，使被保护集成电路U1不被击穿；
当地GND相对外部信号电压的电压差大于30V时，第三二极管D3反向击穿，第四二极管D4正向导通，外部信号的输入端A与地GND之间导通，电荷由第四二极管D4与第三二极管D3泄放，使被保护集成电路U1不被击穿；
由此，第三二极管D3与第四二极管D4构成的一路保护电路实现对被保护集成电路U1正负双向的ESD保护。
综上所述，当外部信号的电压与被保护集成电路供电电源电压的压差、以及外部信号的电压与地的压差大于二极管的反向击穿电压时，静电通过保护电路泄放；反之，则外部信号的电压施加在被保护集成电路的输入端；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，对被保护集成电路实现带极性的双向静电脉冲保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。
采用Zapmaster2/7ESD测试仪进行ESD保护实验，本发明ESD保护电路对ESD的有效防护能力能够达到6000V。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (1)

1.一种双路双向ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)与第四二极管(D4)，第一二极管(D1)与第二二极管(D2)的负极对接，第三二极管(D3)与第四二极管(D4)的负极对接，第一二极管(D1)的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管(D4)的正极接地；所述第二二极管(D2)与第三二极管(D3)的正极相连，第二二极管(D2)与第三二极管(D3)的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压。
CN201510664514.1A 2015-10-14 2015-10-14 一种双路双向esd保护电路 Pending CN105226625A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510664514.1A CN105226625A (zh) 2015-10-14 2015-10-14 一种双路双向esd保护电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510664514.1A CN105226625A (zh) 2015-10-14 2015-10-14 一种双路双向esd保护电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105226625A true CN105226625A (zh) 2016-01-06

Family

ID=54995417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510664514.1A Pending CN105226625A (zh) 2015-10-14 2015-10-14 一种双路双向esd保护电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105226625A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269800A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于高压器件的静电保护单元及其制作方法、电子装置
CN111276956A (zh) * 2020-02-14 2020-06-12 西安微电子技术研究所 一种双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路
CN113056076A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 西安微电子技术研究所 一种相位翻转和静电加固保护电路
CN113511443A (zh) * 2021-06-30 2021-10-19 浙江联运环境工程股份有限公司 一种ai破袋及基于垃圾识别判断分类准确性箱体的控制系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2826694Y (zh) * 2005-08-31 2006-10-11 Bcd半导体制造有限公司 静电保护结构
EP0928054B1 (en) * 1997-12-31 2006-10-18 Siliconix Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
CN101385143A (zh) * 2006-02-17 2009-03-11 Nxp股份有限公司 集成电路中的静电放电保护
CN202549831U (zh) * 2011-09-06 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 一种静电放电防护装置及由其组成的系统
CN203026931U (zh) * 2012-11-26 2013-06-26 西安威正电子科技有限公司 一种芯片端口esd防护电路
US20140001600A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Diode String

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0928054B1 (en) * 1997-12-31 2006-10-18 Siliconix Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
CN2826694Y (zh) * 2005-08-31 2006-10-11 Bcd半导体制造有限公司 静电保护结构
CN101385143A (zh) * 2006-02-17 2009-03-11 Nxp股份有限公司 集成电路中的静电放电保护
CN202549831U (zh) * 2011-09-06 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 一种静电放电防护装置及由其组成的系统
US20140001600A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Diode String
CN203026931U (zh) * 2012-11-26 2013-06-26 西安威正电子科技有限公司 一种芯片端口esd防护电路

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269800A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于高压器件的静电保护单元及其制作方法、电子装置
CN111276956A (zh) * 2020-02-14 2020-06-12 西安微电子技术研究所 一种双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路
CN113056076A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 西安微电子技术研究所 一种相位翻转和静电加固保护电路
CN113056076B (zh) * 2021-03-12 2023-08-04 西安微电子技术研究所 一种相位翻转和静电加固保护电路
CN113511443A (zh) * 2021-06-30 2021-10-19 浙江联运环境工程股份有限公司 一种ai破袋及基于垃圾识别判断分类准确性箱体的控制系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201536104U (zh) 一种静电保护电路
CN105226625A (zh) 一种双路双向esd保护电路
CN103633087B (zh) 一种具有esd保护功能的强抗闩锁可控ligbt器件
CN101626154A (zh) 集成电路esd全芯片防护电路
US9991253B2 (en) Protection element, protection circuit, and semiconductor integrated circuit
CN108122904A (zh) 一种esd保护结构
CN106229962A (zh) 一种电源反接保护电路
CN104979805A (zh) 双向静电保护电路及其电池保护电路
CN104409456A (zh) 一种soi esd两级保护网络
US8116048B1 (en) ESD protection for differential output pairs
CN102270658B (zh) 一种低触发电压低寄生电容的可控硅结构
CN209045551U (zh) 一种端口静电释放保护电路
CN105895631A (zh) 一种高压ldmos静电保护电路结构
CN106099887A (zh) 一种耐高压rc触发式esd电路
CN102157520A (zh) 静电放电保护电路
CN103187416B (zh) 具有元件充电模式静电放电防护的集成电路
CN109638013A (zh) 一种触发电压连续可调的scr esd放电结构及其触发实现方法
CN104576640A (zh) 一种IO Pad的ESD静电防护结构
CN107508254A (zh) 一种具有快速响应过压保护功能的稳压电路
CN205283121U (zh) 一种浪涌防护器件
CN104022111B (zh) 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构
CN209104152U (zh) 一种触发电压连续可调的scr esd放电结构
CN102569295B (zh) 一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件
CN102938403A (zh) 一种用于esd保护的低压触发scr器件
CN105049027A (zh) 一种用于增强esd性能的io电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160106

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication