CN102938403A - 一种用于esd保护的低压触发scr器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发,从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,第一PMOS和第二PMOS首先被触发导通,第一PMOS开通之后,给Nwell施加一触发电流,第二PMOS开通之后给第三PMOS施加一触发电压。第一PMOS施加的Nwell触发电流和第三PMOS的沟道电流触发晶闸管导通,晶闸管电流(SCRcurrent)导通大部分ESD电流,从而实现了ESD保护。
Description
技术领域
本发明创造涉及一种可用于65nm半导体工艺的静电保护(ESD)器件,特别涉及低电压触发的SCR器件。
背景技术
静电放电(ESD,Electron Static Discharge)是当一个集成电路的管脚浮接时,大量静电荷从外向内灌入集成电路的瞬时过程,整个过程大约耗时100ns。在集成电路的静电放电时会产生数百甚至数千伏特的高压,将集成电路中输入级的栅氧化层击穿。随着集成电路工艺的进步,MOS管的特征尺寸越来越小,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势下,使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。
ESD现象的模型主要有四种:人体放电模型(HBM)、机械放电模型(MM)、器件充电模型(CDM)以及电场感应模型(FIM)。对一般集成电路产品来说,一般要经过人体放电模型,机械放电模型以及器件充电模型的测试。为了能够承受如此高的静电放电电压,集成电路产品通常必须使用具有高性能、高耐受力的静电放电保护器件。为了达到保护芯片抵御静电打击的目的,目前已有多种静电防护器件被提出。在集成电路中,二极管、GGNMOS、SCR等都可以用来充当ESD保护器件,其中可控硅器件(SCR)是最具有效率的 ESD 保护器件之一。可控硅(Silicon controlled rectifier - SCR),又叫晶闸管,由于其维持电压很低,所以能够承受很高的ESD 电流,因此,SCR 天然具有高的ESD 鲁棒性。相较其他 ESD 保护器件,SCR器件的单位面积 ESD 保护能力最强。
常规的SCR器件,如图1所示,P型衬底上设有N阱和P阱,N阱和P阱上分别设有N+和P+两个注入区,所有注入区之间用浅沟槽(STI)隔离,有一个浅沟槽(STI)跨接在N阱和P阱之间。此种结构的SCR器件被用于ESD 防护存在的缺点是:开启电压 Vt1可以表示为 Nwell/P-well PN 结的反向击穿电压,此电压一般比较大,大于MOSFET的栅击穿电压。也就是触发电压太高。
随着器件的特征尺寸的缩小,电路的工作电压也不断下降,为了将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内,研制低压触发SCR器件是本领域的技术人员不断研究的课题。
发明内容
为了解决以上问题,本发明创造提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的用于ESD保护的低压触发SCR器件。
为了实现上述目的,本发明创造采用的技术方案是:一种用于ESD保护的低压触发SCR器件,包括P型衬底,P型衬底上设置N阱,设有第一PMOS、第二PMOS和第三PMOS。
在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区,第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处。也就是N阱的触发点第一N+注入区应设计在第一P+注入区的外边。
在P型衬底上设有第二N+注入区和第三P+注入区,第二N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处;也就是第三P+注入区衬底接触应设计在第二N+注入区的外边。
第一P+注入区接阳极,作为第三PMOS的源,第二P+注入区作为第三PMOS的漏跨接在N阱和P型衬底之间。
第一PMOS栅接阳极,漏接阴极,源接N阱的第一N+注入区,衬底接电路的Vdd。
第二PMOS栅接阳极,漏接阴极,源接第三PMOS的栅,衬底接电路的Vdd。
第二N+注入区和第三P+注入区均接阴极。
常规SCR 器件的开启电压 Vt1可以表示为 Nwell/P-well PN 结的反向击穿电压,此电压一般比较大,大于MOSFET的栅击穿电压。如果用常规SCR 器件作为ESD保护器件,必须降低SCR的触发电压,使其小于MOSFET的栅击穿电压,从而实现ESD器件在栅没击穿前被触发开通以泻放ESD电流。
本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发以减小SCR器件的ESD触发电压。ESD来临之后,ESD脉冲信号施加在阳极和阴极之间,第一PMOS和第二PMOS首先被触发导通。第一PMOS开通之后,给Nwell施加一触发电流,起到衬底触发SCR器件的作用;第二PMOS开通之后给第三PMOS一触发电压,第二PMOS的导通电流触发第三PMOS导通,第三PMOS进一步减小了SCR的触发电压。Nwell 的触发电流和第三PMOS沟道电流触发晶闸管导通,晶闸管电流(SCR current)导通大部分ESD 电流,从而实现了ESD保护。本发明创造通过衬底触发和栅触发技术大大减小了SCR器件的ESD触发电压。
附图说明
图1是常规SCR器件剖面图。
图2是本发明创造SCR器件剖面图。
图3是本发明创造SCR器件TLP测试结果。
具体实施方式
如图2所示,一种用于ESD保护的低压触发SCR器件,包括P型衬底(7),P型衬底(7)上设置N阱(6),设有第一PMOS(20)、第二PMOS(30)和第三PMOS(40)。
在N阱(6)上设有第一N+注入区(1)和第一P+注入区(2),第一P+注入区(2)临近N阱(6)和P型衬底(7)的交界处。也就是,为了使N阱(6)触发效果更明显,N阱(6)触发点第一N+注入区(1)设计在第一P+注入区(2)的外边。
在P型衬底(7)上设有第二N+注入区(3)和第三P+注入区(4),第二N+注入区(3)临近N阱(6)和P型衬底(7)的交界处;也就是,为了使衬底接触不受SCR电流影响,第三P+注入区(4)衬底接触设计在第二N+注入区(3)的外边。
第一P+注入区(2)接阳极,接ESD高电压。第二N+注入区(3)接阴极,接ESD低电压。第三P+注入区(4)接阴极,接ESD低电压。
第一P+注入区(2)作为第三PMOS(40)的源,设计在N阱(6)里。为了使第三PMOS(40)的导通电流能起到触发SCR导通的作用,作为第三PMOS(40)的漏的第二P+注入区(5)跨接在N阱(6)和P型衬底(7)之间。SCR 电流路径为第一P+注入区(2)、N阱(6)、P型衬底(7)、第二N+注入区(3)。
第一PMOS(20)栅接阳极,漏接阴极,源接N阱(6)的第一N+注入区(1),衬底接电路的Vdd。使第一PMOS(20)能够在ESD脉冲到达之后快速被触发开通。
第二PMOS(30)栅接阳极,漏接阴极,源接第三PMOS(40)的栅,衬底接电路的Vdd。使第二PMOS(30)能够在ESD脉冲到达之后快速被触发开通。
ESD来临之后,由于第一PMOS(20)的触发电压比较低,第一PMOS(20)首先被触发导通。第一PMOS(20)导通后从第一N+注入区(1)抽取电流,此抽取电流正是晶闸管的N阱(6)触发电流。
ESD来临之后,由于第二PMOS(30)的触发电压比较低,第二PMOS(30)首先被触发导通。第二PMOS(30)被导通后,给第三PMOS(40)的栅上施加一低电平电压(Gnd),然后第三PMOS(40)导通,第三PMOS(40)导通后,在第一P+注入区(2)和第二P+注入区(5)之间产生沟道电流,此沟道电流正好流经N阱(6)和P型衬底(7)之间,于是充当了SCR的触发电流,从而大大减小了SCR的触发电压。SCR不再依靠N阱和P型衬底之间的击穿电压触发,而依靠第三PMOS(40)的沟道电流触发。
本发明创造为了形成有效的SCR电流通路,第一P+注入区(2)接阳极Anode,接ESD高电压。第二N+注入区(3)接阴极Cathode,接ESD低电压。为了使衬底形成正确的偏置,第三P+注入区(4)接阴极Cathode,接ESD低电压。
本发明创造用于ESD保护的低压触发SCR器件的TLP测试结果如图3所示。
Claims (1)
1.一种用于ESD保护的低压触发SCR器件,包括P型衬底(7),P型衬底(7)上设置N阱(6),其特征在于:设有第一PMOS(20)、第二PMOS(30)和第三PMOS(40);
在N阱(6)上设有第一N+注入区(1)和第一P+注入区(2),第一P+注入区(2)临近N阱(6)和P型衬底(7)的交界处;
在P型衬底(7)上设有第二N+注入区(3)和第三P+注入区(4),第二N+注入区(3)临近N阱(6)和P型衬底(7)的交界处;
第一P+注入区(2)接阳极,作为第三PMOS(40)的源,第二P+注入区(5)作为第三PMOS(40)的漏跨接在N阱(6)和P型衬底(7)之间;
第一PMOS(20)栅接阳极,漏接阴极,源接N阱(6)的第一N+注入区(1),衬底接电路的Vdd;
第二PMOS(30)栅接阳极,漏接阴极,源接第三PMOS(40)的栅,衬底接电路的Vdd;
第二N+注入区(3)和第三P+注入区(4)均接阴极。
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