CN103683257A - 一种高可靠性的静电防护电路 - Google Patents

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黄友华
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Abstract

本发明公开了一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，场效应管MOS1的源极通过电阻R3连接在二级静电泄放电路上。其优点是：采用两级静电泄放，可对静电进行有效泄放，其可靠性高。

Description

一种高可靠性的静电防护电路
技术领域
本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种高可靠性的静电防护电路。
背景技术
静电是一种处于静止状态的电荷，当电荷聚集在某个物体上或表面时就形成了静电，而静电也分为正静电和负静电。在干燥和多风的冬季，最易产生静电。在对静电进行泄放时，在电子设备领域，由于电子设备内部有集成电路，其集成电路内有太多的电子元器件。人在地毯沙发上的静电电压可高达一万多伏，其对电子设备的破坏力极强。尤其对于手持设备，经常与人接触的电子设备。在电子设备上一般都会连接静电泄放电路，其利用接地来对静电进行泄放，其对静电的泄放不完全。
发明内容
本发明提供一种高可靠性的静电防护电路，其采用两级静电泄放，可对静电进行有效泄放，其可靠性高。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管T1为NPN型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选，所述的电阻R1和电阻R2的阻值相等。
进一步的，所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的电路结构简单，根据静电电性提供多条泄放通道，且对静电进行两级泄放，有效的保证了对静电的完全泄放，可靠性高。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种高可靠性的静电防护电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管T1为NPN型三极管。在使用时，场效应管MOS1的源极连接在设备的外部接口上，三极管T3的集电极连接在设备的内部电路上。在本发明中，当静电作用于外部接口时，场效应管MOS1、场效应管MOS2和三极管T1根据静电的电性提供多条泄放通路。若静电电性为负电荷，则经场效应管MOS1、三极管T1进行泄放，若静电电性为正电荷，则经场效应管MOS2进行泄放。此为一级泄放通路，若静电未泄放完全，三极管T2和三极管T3再次对静电进行泄放。此为二级泄放通路，可保证对静电泄放的可靠性。电阻R4为三极管提供导通电压，保证其正常工作，为静电泄放提供可靠通道。
所述的电阻R1和电阻R2的阻值相等。电阻R1和电阻R2分别为场效应管MOS1和场效应管MOS2提供导通压降，电阻成上下对称分布，为了使其性能更优越，所述的电阻R1和电阻R2的阻值相等。
所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。电阻R3起限流作用，避免电流过大对设备内部电子元器件造成破坏，即其至少也应该在2千欧姆，但是为了使得其不对外接端口的设备信号传输时造成影响，电阻R3的阻值不应超过3千欧姆。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于：它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的源极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1，所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接电阻R2，所述的场效应管MOS1的栅极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极和发射极之间连接有电阻R4且三极管T1的发射极接地，所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在三极管T3的基极和三极管T2的基极上，所述的三极管T3的发射极连接在电源上，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T3的集电极连接在三极管T2的集电极上，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T3为PNP型三极管，所述的三极管T2和三极管T1为NPN型三极管。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于：所述的电阻R1和电阻R2的阻值相等。
3.根据权利要求1或2所述的一种高可靠性的静电防护电路，其特征在于：所述的电阻R3的阻值为2千欧姆-3千欧姆。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505816A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 中山大学 一种适于rfid的esd保护电路及rfid芯片
CN106707858A (zh) * 2016-12-15 2017-05-24 广东威创视讯科技股份有限公司 信号处理器控制装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040070005A1 (en) * 2002-04-30 2004-04-15 Zarlink Semiconductor Inc. Compact high voltage ESD protection diode
CN103280787A (zh) * 2013-06-14 2013-09-04 成都锐奕信息技术有限公司 防静电电路
CN203243034U (zh) * 2013-05-15 2013-10-16 成都市宏山科技有限公司 具有静电防护功能的相机

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040070005A1 (en) * 2002-04-30 2004-04-15 Zarlink Semiconductor Inc. Compact high voltage ESD protection diode
CN203243034U (zh) * 2013-05-15 2013-10-16 成都市宏山科技有限公司 具有静电防护功能的相机
CN103280787A (zh) * 2013-06-14 2013-09-04 成都锐奕信息技术有限公司 防静电电路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505816A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 中山大学 一种适于rfid的esd保护电路及rfid芯片
CN106707858A (zh) * 2016-12-15 2017-05-24 广东威创视讯科技股份有限公司 信号处理器控制装置
CN106707858B (zh) * 2016-12-15 2019-04-16 广东威创视讯科技股份有限公司 信号处理器控制装置

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