CN203205863U - 应用于高压环境的雷电防护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种应用于高压环境的雷电防护电路，P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是：其可应用于高压环境，且电路结构简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种雷电防护电路，更具体的说是涉及一种应用于高压环境的雷电防护电路。
背景技术
在夏季，雷雨多发季节，雷电经常发生。在各个方面的雷电防护电路应有尽有，但是，其大多为在低电压环境中使用。而在高压环境中使用的防雷电路其电路结构都较为复杂。
实用新型内容
本实用新型提供一种应用于高压环境的雷电防护电路，其可应用于高压环境，且电路结构简单。
为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：
应用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，负极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
更进一步的技术方案是:
所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
在本实用新型中，电阻R1的两端分别连接在设备的IO端口和内部电路之间，且与内部电路连接的一端同时连接在P型场效应管MOS2的漏极上。当雷电从IO端口进入时，电阻R1起限流作用。P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和稳压二极管D2分别提供多条雷电泄放通路讲雷电泄放掉。由于P型场效应管MOS1和P型场效应管MOS2串联，N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4串联，稳压二极管D1和稳压二极管D2串联，使得该电路的抗压能力增强，使其适用于高压环境。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型的电路结构简单，便于实现。
2、本实用新型的电路提供多条雷电泄放电路，有效的讲雷电泄放掉，使其具有良好的防雷效果。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的应用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，负极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.应用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，负极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的应用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。
3.根据权利要求1所述的应用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。
4.根据权利要求1所述的应用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320221396 CN203205863U (zh) | 2013-04-27 | 2013-04-27 | 应用于高压环境的雷电防护电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 201320221396 CN203205863U (zh) | 2013-04-27 | 2013-04-27 | 应用于高压环境的雷电防护电路 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN203205863U true CN203205863U (zh) | 2013-09-18 |
Family
ID=49149931
Family Applications (1)
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| CN 201320221396 Expired - Fee Related CN203205863U (zh) | 2013-04-27 | 2013-04-27 | 应用于高压环境的雷电防护电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN203205863U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103248032A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-08-14 | 成都市宏山科技有限公司 | 适用于高压环境的雷电防护电路 |
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2013
- 2013-04-27 CN CN 201320221396 patent/CN203205863U/zh not_active Expired - Fee Related
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130918 Termination date: 20140427 |