CN203233158U - 具有静电和浪涌双重保护的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有静电和浪涌双重保护的电路,它包括依次连接的延时电路、浪涌泄放电路和静电泄放电路,所述的浪涌泄放电路包括电阻R2、比较器和场效应管MOS1,所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R2的两端,比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上,所述的场效应管MOS1的漏极与电阻R2相连。其优点是:将浪涌泄放电路和静电泄放电路连接在一起,电路结构简单,便于小型化集成,使其适合小型化电子产品使用,适用范围更广。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电路,更具体的说是涉及一种具有静电和浪涌双重保护的电路。
背景技术
在干燥和多风的秋天,人体容易带上静电。静电对电子产品内的电子元器件的破坏力极强。而电子产品在开机的一瞬间,会产生强力脉冲,即浪涌,它可能使电路在浪涌的一瞬间将电子产品的内部电路烧坏,尤其是对那些敏感的电子元器件。在人们经常使用的电子产品,如手机、MP3播放器、收音机等等,其经常会受到浪涌或者静电的干扰。现大多采用静电保护器或者浪涌保护器分别对静电或者浪涌进行防护,其保护器有一定的体积,不利于小型电子产品的设计。
实用新型内容
本实用新型提供一种具有静电和浪涌双重保护的电路,其将浪涌泄放电路和静电泄放电路连接在一起,电路结构简单,便于小型化集成,使其适合小型化电子产品使用,适用范围更广。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
具有静电和浪涌双重保护的电路,它包括依次连接的延时电路、浪涌泄放电路和静电泄放电路,所述的浪涌泄放电路包括电阻R2、比较器和场效应管MOS1,所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R2的两端,比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上,所述的场效应管MOS1的漏极与电阻R2相连。
更进一步的技术方案是:
所述的静电泄放电路包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、二极管、电容C2和电容C3,所述的二极管的正极接地,负极连接在VDD上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极相连且同时连接在VDD上,所述的效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电容C2;所述的场效应管MOS3的栅极和源极相连且同时接地,所述的场效应管MOS3的栅极和漏极之间连接有电容C3,所述的场效应管MOS3的漏极与场效应管MOS2的漏极相连,所述的场效应管MOS3的漏极连接在场效应管MOS1的源极上。
所述的电阻R2的阻值范围为6000欧姆-8000欧姆。
所述的延时电路包括电阻R1和电容C1,所述的电阻R1的一端与电容C1相连,另一端连接在电阻R2上,所述的电容C1的另一端接地。
在本实用新型中,延时电路作为缓冲机构,延迟了静电和浪涌作用的时间,为静电泄放电路和浪涌泄放电路做准备提供时间。浪涌泄放电路的比较器用于检测电阻R2两端的电压,电流过大时,两端的压降增大,使比较器输出信号关断开关器件,以叨叨将浪涌泄放的目的。电阻R2同时也起到限流的作用,避免电流过大对内部电路造成破坏。静电泄放电路的场效应管MOS2、场效应管MOS3和二极管根据静电的电性为静电泄放提供多条通路。二极管同时起稳压的作用,有效的保护场效应管MOS2和场效应管MOS3。电容C2和电容C3在于防止电源微扰信号对静电泄放的干扰。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型的将静电泄放电路和浪涌泄放电路连接在一起,其电路结构简单,便于集成。
2、本实用新型由于其便于集成,使其不仅适用于大型的电子产品,也适用于小型的电子产品,其适用面广。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的具有静电和浪涌双重保护的电路,它包括依次连接的延时电路、浪涌泄放电路和静电泄放电路,所述的浪涌泄放电路包括电阻R2、比较器和场效应管MOS1,所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R2的两端,比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上,所述的场效应管MOS1的漏极与电阻R2相连。
所述的静电泄放电路包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、二极管、电容C2和电容C3,所述的二极管的正极接地,负极连接在VDD上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极相连且同时连接在VDD上,所述的效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电容C2;所述的场效应管MOS3的栅极和源极相连且同时接地,所述的场效应管MOS3的栅极和漏极之间连接有电容C3,所述的场效应管MOS3的漏极与场效应管MOS2的漏极相连,所述的场效应管MOS3的漏极连接在场效应管MOS1的源极上。
所述的电阻R2的阻值范围为6000欧姆-8000欧姆。
所述的延时电路包括电阻R1和电容C1,所述的电阻R1的一端与电容C1相连,另一端连接在电阻R2上,所述的电容C1的另一端接地。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.具有静电和浪涌双重保护的电路,其特征在于:它包括依次连接的延时电路、浪涌泄放电路和静电泄放电路,所述的浪涌泄放电路包括电阻R2、比较器和场效应管MOS1,所述的比较器的两个输入端分别连接在电阻R2的两端,比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上,所述的场效应管MOS1的漏极与电阻R2相连。
2.根据权利要求1所述的具有静电和浪涌双重保护的电路,其特征在于:所述的静电泄放电路包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、二极管、电容C2和电容C3,所述的二极管的正极接地,负极连接在VDD上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极相连且同时连接在VDD上,所述的效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电容C2;所述的场效应管MOS3的栅极和源极相连且同时接地,所述的场效应管MOS3的栅极和漏极之间连接有电容C3,所述的场效应管MOS3的漏极与场效应管MOS2的漏极相连,所述的场效应管MOS3的漏极连接在场效应管MOS1的源极上。
3.根据权利要求2所述的具有静电和浪涌双重保护的电路,其特征在于:所述的电阻R2的阻值范围为6000欧姆-8000欧姆。
4.根据权利要求1所述的具有静电和浪涌双重保护的电路,其特征在于:所述的延时电路包括电阻R1和电容C1,所述的电阻R1的一端与电容C1相连,另一端连接在电阻R2上,所述的电容C1的另一端接地。
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GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
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