KR980004960A - 누설 전류를 줄이는 기능을 갖는 디램 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리프레쉬 대기 동작시 소모되는 누설 전류를 줄인 반도체 메모리 소자의 디램에 관한 것으로, 이를 구현하기 위하여 전원전압을 선택된 라인으로 전달하는 적어도 2개 이상의 블럭 수단과, 소자 외부에서 공급되는 전원전압을 전다랗는 주 전원선과, 상기 블럭 수단으로 전원전압을 각각 전달하는 부 전원선과, 상기 주 전원선과 부 전원선 사이에 각각 접속된 스위칭 수단과, 상기 적어도 2래 이상의 블럭 수단중 1개를 선택하여 동작시키기 위해 상기 각각의 블럭 수단으로 2개의 블럭 선택 어드레스가 논리조합된 신호를 출력하는 블럭 선택 수단과, 리프레쉬 동작모드 신호와 상기 블럭 선택 수단의 출력 신호를 논리조합하여 상기 스위칭 수단의 동작을 각각 제어하는 신호를 출력하는 스위칭 제어수단을 구비하였다.

Description

누설전류를 줄이는 기능을 갖는 디램
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 DRAM의 셀프 리프레쉬 동작 타이밍도이다.
제4도는 본 발명의 실시예에 의한 셀프 리프레쉬 동작을 위한 DRAM의 부분회로도이다.

Claims (7)

  1. 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 구성된 메모리 셀을 구성요소로 하는 반도체 기억 소자에 있어서, 전원전압을 선택된 라인으로 전다라하는 적어도 2개 이상의 블럭 수단과, 소자 외부에서 공급되는 전원전압을 전달하는 주 전원선과, 상기 블럭 수단으로 전원전압을 각각 전달하는 부 전원선과, 상기 주 전원선과 부 전원선 사이에 각각 접속된 스위칭 수단과, 상기 적어도 2개 이상의 블럭 수단중 1개를 선택하여 동작시키기위해 상기 각각의 블럭 수단으로 2개의 블럭 선택 어드레스가 논리조합된 신호를 출력하는 블럭 선택 수단과, 리프레쉬 동작모드 신호와 상기 블럭 선택 수단의 출력 신호를 노리 조합하여 상기 스위칭 수단의 동작을 각각 제어하는 신호를 출력하는 스위칭 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 디램.
  2. 제1항에 있어서, 상기 블럭 수단은 선택된 워드 라인으로 전원전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 디렘.
  3. 제1항에 있어서, 상기 블럭 수단은 선택된 컬럼으로 전원전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 디렘.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 MOS형 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 디렘.
  5. 제4항에 있어서, 상기 MOS형 트랜지스터는 PMOS형 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 디렘.
  6. 제1항에 있어서, 상기 블럭 수단은 NAMD게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 디렘.
  7. 제1항에 있어서, 상기 블럭 수단은 NOR게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 디렘.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960025742A 1996-06-29 1996-06-29 누설전류를 줄이는 기능을 갖는 디램 KR100203141B1 (ko)

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