KR960025706A - 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 - Google Patents
전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960025706A KR960025706A KR1019940038084A KR19940038084A KR960025706A KR 960025706 A KR960025706 A KR 960025706A KR 1019940038084 A KR1019940038084 A KR 1019940038084A KR 19940038084 A KR19940038084 A KR 19940038084A KR 960025706 A KR960025706 A KR 960025706A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- supply control
- voltage
- control signal
- refresh
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
1.청구범위 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리장치에서 전력소모가 절감되도록 직류전압을 발생하는 직류전압 발생기에 관한 기술이다.
2.발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
반도체 메모리장치에서 셀프 리프레쉬 모드시 스탠바이 상태와 관계없이 항상 직루전압을 발생하여 전력소모가 많아지는 문제를 해결한다.
3.발명의 해결방법의 요지
반도체 메모리장치에서 리프레쉬 모드시 셀 리프레쉬 구간만 직류전압을 발생하도록 하여 전력소모를 절감한다.
4.발명의 중용한 용도
반도체 메모리장치의 전력소모 절감을 위한 직류전압발생기
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 직류접압 발생기의 호로도, 제3도는 본 발명에 따른 셀프 리프레쉬 모드 동작 타이밍도. 제4도는 본 발명에 따른 셀프 리프레쉬 모드시 셀 리프레쉬 동작신호를 검출하는 회로도. 제5도는 본 발명에 따른 셀 리프레쉬 동작신호를 검출하기 위한 동작타이밍도.
Claims (12)
- 반도체 메모리장치의 직류전압 발생회로에 있어서, 리프레쉬 싸이클을 설정하기 위한 리프레쉬 카운팅수단과, 상기 리프레쉬 카운팅수단으로부터 출력된 카운팅값과 셀프 리프레쉬 타이머 구동신호를 논리조합하여 리프레쉬 구간에 전원공급 제어신호를 발생하는 전원 공급 제어수단과, 상기 전원공급 제어수단으로부터 출력된 전원공급 제어신호에 대응하여 직루전압을 발생하여 출력하는 직류전압 발생수단으로 구성함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전원공급 제어수단과 직류전압 발생수단의 사이에 연결되어 상기 전원 공급 제어신호의 레벨을 조절하여 상기 직류전압 발생수단으로 공급하는 레벨변환수단을 더 구비함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 전원공급 제어신호는 셀프 리프레쉬 모드에서 주기적으로 발생함을특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로
- 리프레쉬 싸이클을 설정하기 위한 리프레쉬 카운터를 구비한 반도체 메모리장치의 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로에 있어서, 상기 리프레쉬 카운터로부터 출력된 카운팅값과 셀프 리프레쉬 타이머 구동신호를 논리조합하여 리프레쉬 구간에 전원공급 제어신호를 발생하는 전원공급 제어수단과, 상기 전원공급 제어수단으로부터 출력된 전원공급 제어신호에 대응하여 전원전압을 공급하기 위해 스위칭하는 스위칭수단과, 상기 스위칭수단의 스위칭에 따라 전원전압을 공급받아 직류전압을 발생하여 출력하는 직류전압 발생수단으로 구성함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로도.
- 제4항에 있어서, 상기 전원공급 제어수단과 스위칭수단의 사이에 연결되어 상기 전원공급 제어신호의 레벨을 조절하여 상기 스위칭 수단으로 공급하는 레벨변환수단을 더 구비함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.
- 제4항에 있어서, 상기 전원공급 제어신호는 셀프 리프레쉬 모드에서 주기적으로 발생함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.
- 제6항에 있어서, 상기 전원공급 제어신호는 셀프 리프레쉬 한 주기중 셀 리프레쉬 동작구간에서만 인에이블됨을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.
- 제7항에 있어서, 상기 스위칭수단은, 전원전압단에 연결된 제1스위칭수단과 접지전원단에 연결된 제2스위칭수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로
- 제8항에 있어서, 상기 제1스위칭수단은 피모스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 전력 소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.
- 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2스위칭수단은 엔모스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로
- 제10항에 있어서, 상기 전원공급 제어수단은 서로 상반된 논리를 갖는 제1 및 제2전원공급 제어신호를 출력함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로
- 제11항에 있어서, 상기 제1전원공급 제어신호는 상기 피모스 트랜지스터의 게이트로 공급하고 상기 제2전원공급 제어신호는 엔모스 트랜지스터의 게이트로 공급함을 특징으로 하는 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940038084A KR0149225B1 (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 |
US08/574,021 US5668497A (en) | 1994-12-28 | 1995-12-18 | Direct-current voltage generating circuit intermittently activated for reducing electric power consumption |
JP7342654A JP2828943B2 (ja) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | 低電力形の直流電圧発生回路を備えた半導体メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940038084A KR0149225B1 (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960025706A true KR960025706A (ko) | 1996-07-20 |
KR0149225B1 KR0149225B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19404409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940038084A KR0149225B1 (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5668497A (ko) |
JP (1) | JP2828943B2 (ko) |
KR (1) | KR0149225B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100757928B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-09-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 전압 발생기 제어 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6275100B1 (en) * | 1996-09-13 | 2001-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reference voltage generators including first and second transistors of same conductivity type and at least one switch |
KR100605076B1 (ko) | 1999-05-14 | 2006-07-26 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 집적 회로 장치 |
JP2003022672A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sharp Corp | 半導体記憶装置、携帯電子機器及び着脱式記憶装置 |
US6807122B2 (en) | 2001-11-14 | 2004-10-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device requiring refresh |
KR100640780B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
KR100702124B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2007-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 공급회로 |
JP4951786B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2012-06-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5430681A (en) * | 1989-05-08 | 1995-07-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Memory cartridge and its memory control method |
US5365487A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-15 | Texas Instruments Incorporated | DRAM power management with self-refresh |
JP3110883B2 (ja) * | 1992-08-07 | 2000-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2762852B2 (ja) * | 1992-07-30 | 1998-06-04 | 日本電気株式会社 | 周波数安定化回路 |
US5359558A (en) * | 1993-08-23 | 1994-10-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash eeprom array with improved high endurance |
JPH0795052A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 周波数同期回路 |
JP2906966B2 (ja) * | 1993-12-08 | 1999-06-21 | ヤマハ株式会社 | パルス切換回路 |
-
1994
- 1994-12-28 KR KR1019940038084A patent/KR0149225B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-12-18 US US08/574,021 patent/US5668497A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-28 JP JP7342654A patent/JP2828943B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100757928B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-09-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 전압 발생기 제어 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08241590A (ja) | 1996-09-17 |
KR0149225B1 (ko) | 1998-12-01 |
JP2828943B2 (ja) | 1998-11-25 |
US5668497A (en) | 1997-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970024174A (ko) | 반도체 집적회로(Semiconductor Integrated Circuit Having Reduced Current Leakage and High Speed) | |
KR970029752A (ko) | 반도체 메모리장치의 내부승압전원 발생회로 | |
TW357354B (en) | Oscillation circuit and non-volatile semiconductor memory | |
JPH0519914A (ja) | 半導体装置の内部降圧回路 | |
KR100591759B1 (ko) | 반도체 메모리의 전원 공급장치 | |
KR970051206A (ko) | 저전력용 센스앰프회로 | |
KR960025706A (ko) | 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로 | |
KR960025746A (ko) | 반도체 메모리장치의 전원승압회로 | |
KR970029842A (ko) | 전압 발생회로가 구비된 반도체 메모리 디바이스 | |
KR970051176A (ko) | 셀프 리프레쉬 주기를 조정할 수 있는 반도체 메모리 장치 | |
US5744997A (en) | Substrate bias voltage controlling circuit in semiconductor memory device | |
KR960042726A (ko) | 외부제어신호에 적응 동작하는 승압회로를 갖는 반도체 메모리 장치 | |
KR970051107A (ko) | 내부전원전압 공급장치 | |
KR970063246A (ko) | 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치 | |
KR860009551A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
KR970017589A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 | |
KR980004960A (ko) | 누설 전류를 줄이는 기능을 갖는 디램 | |
KR960036328A (ko) | 반도체 메모리장치의 건레벨신호의 입력회로 | |
KR930024018A (ko) | 반도체 장치 | |
KR950024335A (ko) | 반도체메모리장치의 기판전압발생회로 | |
KR920003008B1 (ko) | 내부전원전압 공급회로 | |
KR970017591A (ko) | 반도체 메모리장치의 백바이어스전압 제어방법 | |
KR100273279B1 (ko) | 동기식메모리의클럭신호발생회로 | |
KR970051082A (ko) | 내부 전원전압 승압 회로 | |
KR950022139A (ko) | 반도체메모리장치의 입력버퍼 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110531 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |