KR101871137B1

KR101871137B1 - 전하 수송 물질, 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체 카트리지, 및 화상 형성 장치

Info

Publication number: KR101871137B1
Application number: KR1020177033446A
Authority: KR
Inventors: 미츠오 와다
Original assignee: 미쯔비시 케미컬 주식회사
Priority date: 2011-03-04
Filing date: 2012-03-02
Publication date: 2018-06-25
Also published as: KR20140004197A; CN105589308B; EP2698671A4; EP2698671A1; CN103415814A; US20150355559A1; WO2012121176A1; KR101834599B1; US20140065532A1; EP2889689A1; EP2889689B1; US9709906B2; KR20170130629A; US10139741B2; CN103415814B; EP2698671B1; CN105589308A

Abstract

본 발명은, 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대한 내성이 높은 전하 수송 물질, 및 고속 응답성이 우수하고, 충분한 잔류 전위를 나타내고, 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대해 내성이 높은 전자 사진 감광체, 전자 사진 카트리지, 화상 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 특정 구조를 갖는 전하 수송 물질을 제공한다. 또, 본 발명은, 특정 구조를 갖는 전하 수송 물질을 감광층에 함유시킨 전자 사진 감광체, 이 전자 사진 감광체를 구비한 전자 사진 카트리지, 및 화상 형성 장치로 한다.

Description

전하 수송 물질, 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체 카트리지, 및 화상 형성 장치{CHARGE-TRANSPORTING SUBSTANCE, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY CARTRIDGE, AND IMAGING DEVICE}

본 발명은, 우수한 전기 특성을 갖는 전자 사진 감광체, 그 전자 사진 감광체를 사용하여 제조한 전자 사진 감광체 카트리지, 및 화상 형성 장치에 관한 것이다.

전자 사진 기술은, 즉시성이 우수하고, 고품질의 화상이 얻어지는 등의 점에서, 최근에는 복사기 분야에 머무르지 않고, 각종 프린터, 인쇄기 분야에서도 널리 응용되어 오고 있다. 전자 사진 기술의 핵심이 되는 감광체로는, 종래, 셀레늄, 비소-셀레늄 합금, 산화아연과 같은 무기계의 광 도전 재료를 사용한 감광체가 사용되어 왔지만, 최근에는, 무공해이고, 성막·제조가 용이하고, 재료 선택·조합의 자유도가 높은 등의 이점을 갖는 유기계의 광 도전 재료를 사용한 감광체 (유기 감광체) 가 주류가 되고 있다.

유기 감광체의 층 구성으로는, 전하 발생 물질을 바인더 수지 중에 분산시킨 이른바 단층형 감광체나, 전하 발생층 및 전하 수송층을 적층한 적층형 감광체가 알려져 있다. 적층형 감광체는, 효율이 높은 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 별도의 층으로 나누어, 최적인 것을 조합함으로써 고감도이고 또한 안정된 감광체가 얻어지는 점, 재료 선택 범위가 넓어 특성 조정이 용이한 점에서 많이 사용되고 있다.

최근에는 복사기, 프린터는 모두 모노크롬에서 풀 컬러화로 향하고 있다. 이 풀 컬러 화상을 형성하는 방법에는, 주로 탠덤 방식, 4 사이클 방식이 있으며, 또 인쇄 매체로의 전사 방식으로는, 직접 전사 방식, 전사 드럼 방식, 중간 전사 방식, 다중 현상 일괄 전사 방식 등이 있다. 이들 중에서, 탠덤 방식 즉 각 색화상을 각 다른 화상 형성 유닛으로 형성하고, 축차 전사해 나가는 방식의 컬러 화상 형성 방법은, 사용 가능한 기록재의 종류가 풍부하고, 풀 컬러의 품질도 높고, 고속도로 풀 컬러 화상을 얻을 수 있는 점에서, 우수한 화상 형성 방법이다. 그 중에서도 고속도로 풀 컬러 화상이 생기는 특질은 다른 방식에는 보이지 않는 이점이다.

전술한 바와 같은 전자 사진 프로세스의 고속화, 풀 컬러화에 수반하여, 전자 사진 감광체 특성으로서 고감도화, 고속 응답화, 거기에 더하여, 반복 사용에 대한 내구성이 필수가 되고 있으며, 그러한 특성들을 만족하는 전자 사진 감광체를 제공하기 위해서 고이동도이고 또한 노광시에 충분한 잔류 전위를 나타내는 고기능의 전하 수송 물질의 개발이 필요해지고 있다. 그리고, 그러한 과제들을 해결하기 위해서 테트라페닐벤지딘 골격에 스티릴기 등을 치환시키고 π 전자계를 확장시킨 전하 수송 물질의 연구가 활발하게 이루어지고 있고, 많은 보고가 이루어져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 4 참조).

유기계 재료를 사용한 전자 사진 감광체의 감광층은, 전하 수송 물질, 바인더 수지 등을 도포 용제에 용해시키고, 얻어진 도포액을 도포, 건조시켜 얻어진다. 이 전자 사진 감광체를 제조할 때에 전하 수송 물질에 요구되는 점은, 도포액 제조시에 사용하는 도포 용제에 대한 용해성이다. 도포 용제에 대한 용해성이 낮으면, 도포 용제에 소망량의 전하 수송 물질을 용해시킬 수 없거나, 전하 수송 물질을 용해시켜 도포액을 제조한 후, 석출 등의 도포액의 열화를 일으키기 쉽고, 또, 감광층을 도포 후, 도포막 중에서 결정 석출이 발생하거나, 도포액·감광체의 제조 효율 저하를 초래하는 경우가 있다.

일반적으로 분자 내에서 π 전자계를 확장시킨 화합물은, 분자 사이즈가 커짐에 따라, 분자간 상호 작용이 커져, 용해성이 저하되어 가는 경향이 있다. 테트라페닐벤지딘 골격은 분자 사이즈가 크고 용해성이 낮은 경향이 있어, 이 테트라페닐벤지딘 골격에 스티릴기 등을 치환시켜, 분자 내에서 π 전자계를 확장시키면, 한층 더 분자 사이즈가 커지기 때문에, 도포 용제에 대한 용해성이 더욱 낮아진다. 그래서 앞서 서술한 보고 중에는, 용해성을 확보하기 위해서, 새롭게 치환기를 도입하거나, 기하 이성체 혼합물로서 취급하는 등의 연구가 이루어지고 있다.

그러나, 상기 기술만으로는, 용해성 개량을 위해서 도입한 치환기의 영향으로 전하 수송 물질 분자 내의 π 전자의 확대를 저하시킨다는 문제점이나, 용해성을 확보하기 위해서, 원하는 구조로부터 의도적으로 이성화시켜 기하 이성체 혼합물로 하고 있기 때문에, 조성물 전체로서의 이온화 포텐셜이 원하는 값보다 커져, 노광 후의 잔류 전위가 상승해 버린다는 문제점이 있었다.

또, 전자 사진 감광체는, 전자 사진 프로세스, 즉 대전, 노광, 현상, 전사, 클리닝, 제전 등의 사이클로 반복적으로 사용되기 때문에, 그 사이 여러 가지 스트레스를 받아 열화한다. 이 중, 화학적 열화로는, 예를 들어 대전기로서 보통 사용되는 코로나 대전기로부터 발생하는 강산화성의 오존이나 NOx 가 감광층에 데미지를 주는 것을 들 수 있으며, 대전성 저하가 일어나는 경우가 있다. 이들은, 감광층 중에 많이 함유되는 전하 수송 물질의 화학적 열화에서 유래하는 바가 크다.

전자 사진 프로세스의 고속화에 수반하여, 고감도화, 고속 응답성이 필수가 되고 있으며, 이들 요구 특성에 더하여, 프린터, 복사기 등의 메인터넌스 부하 저감을 위해서, 감광체의 고수명화가 요망되고 있고, 전자 사진 프로세스 내의 여러 가지 스트레스에 대한 내성도 매우 중요하게 되고 있다.

일본 공개특허공보 평7-36203호 일본 공개특허공보 2002-80432호 일본 공개특허공보 2006-8670호 일본 공개특허공보 2008-83105호

앞서 서술한 보고 중에는, 고감도, 고이동도, 저잔류 전위의 특성을 만족하는 전하 수송 물질이 있지만, 대전기로부터 발생하는 강산화성의 오존이나 NOx 에 의해 감광층이 데미지를 받게 된다. 따라서, 전자 사진 감광체의 대전성이 저하되기 때문에 전자 사진 프로세스 중에서의 내성이라는 점에서는 뒤떨어지고, 현재의 전자 사진 프로세스의 고속화, 풀 컬러화에 대응한 요구 특성을 만족한 전하 수송 물질이 없는 것이 현상황이다.

본 발명은 상기 배경 기술을 감안하여 이루어진 것이며, 그 과제는, 고속 응답화를 위해서, 고이동도이고 또한 노광시에 충분한 잔류 전위를 나타내고, 또한 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대한 내성이 높은 전하 수송 물질을 제공하는 것, 또, 그 전하 수송 물질을 함유하고, 고속 응답성이 우수하고, 충분한 잔류 전위를 나타내며, 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대해 내성이 높은 전자 사진 감광체, 전자 사진 카트리지, 및 화상 형성 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명자는, 예의 검토를 실시한 결과, 특정 구조를 갖는 전하 수송 물질이, 고이동도이고 또한 노광시에 충분한 잔류 전위를 나타내고, 또한 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대한 내성이 높다는 특성을 갖는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명의 요지는 하기 [1] ∼ [7] 에 있다.

[1] 하기 식 (1) 로 나타내는 전하 수송 물질.

식 (1)

[화학식 1]

(식 (1) 중, R¹, R², R⁵ 및 R⁶ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, R³, R⁴, R⁷ 및 R⁸ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타내고, n₁ 은 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, p, q 는 각각 독립적으로 0 이상 2 이하의 정수를 나타낸다)

[2] 도전성 지지체 상에 적어도 감광층을 갖는 전자 사진 감광체로서, 그 감광층 중에 하기 식 (1) 로 나타내는 전하 수송 물질을 함유하는 전자 사진 감광체.

식 (1)

[화학식 2]

[3] 도전성 지지체 상에 적어도 감광층을 갖는 전자 사진 감광체로서, 그 감광층 중에 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물을 함유하는 전자 사진 감광체.

식 (2)

[화학식 3]

(식 (2) 중, R⁹ ∼ R¹⁰ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, R¹¹ ∼ R¹⁷ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기를 나타낸다. n₂ 는 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, l 및 m 은 각각 독립적으로 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다.)

[4] 상기 식 (2) 로 나타내는 화합물이 상기 식 (2) 로 나타내어지는 상이한 구조의 화합물을 혼합한 위치 이성체 혼합물인 상기 [3] 에 기재된 전자 사진 감광체.

[5] 상기 감광층 중에, CuKα 특성 X 선에 의한 분말 X 선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 (2θ±0.2˚) 이 적어도 24.1° 및 27.2° 에 회절 피크를 나타내는 결정형의 옥시티타늄 프탈로시아닌을 함유하는 상기 [2] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체.

[6] 상기 [2] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체, 그리고, 그 전자 사진 감광체를 대전시키는 대전 장치, 대전한 그 전자 사진 감광체를 노광시켜 정전 잠상을 형성하는 노광 장치, 및 그 전자 사진 감광체 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 장치로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 구비한 전자 사진 감광체 카트리지.

[7] 상기 [2] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체, 그 전자 사진 감광체를 대전시키는 대전 장치, 대전한 그 전자 사진 감광체를 노광시켜 정전 잠상을 형성하는 노광 장치, 및 그 전자 사진 감광체 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 장치를 구비한 화상 형성 장치.

본 발명의 전하 수송 물질은 고이동도이고 또한 노광시에 충분한 잔류 전위를 나타내므로, 본 발명의 전하 수송 물질을 사용한 전자 사진 감광체는, 우수한 고속 응답성 및 잔류 전위뿐만 아니라 전자 사진 프로세스 내에서의 스트레스에 대해 높은 내성을 얻을 수 있다.

도 1 은, 본 발명의 화상 형성 장치의 일 실시양태의 주요부 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 실시예에서 사용한 옥시티타늄 프탈로시아닌의 X 선 회절도이다.
도 3 은, 제조예 1 에서 얻어진 예시 화합물 CT1-8 의 IR 차트이다.
도 4 는, 제조예 2 에서 얻어진 예시 화합물 CT1-10 ∼ 12 (CT2-10 ∼ 12 에 대응) 의 IR 차트이다.
도 5 는, 제조예 3 에서 얻어진 예시 화합물 CT1-7 의 IR 차트이다.
도 6 은, 제조예 4 에서 얻어진 예시 화합물 CT1-37 의 IR 차트이다.
도 7 은, 제조예 5 에서 얻어진 예시 화합물 CT2-7 ∼ 9 의 IR 차트이다.
도 8 은, 제조예 6 에서 얻어진 예시 화합물 CT2-13 ∼ 15 의 IR 차트이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하지만, 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 실시형태의 대표예로서, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 적절히 변형하여 실시할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 질량으로 표기되는 모든 백분율이나 부는 중량으로 표기되는 백분율이나 부와 동일하다.

≪전하 수송 물질≫

＜제 1 실시양태의 전하 수송 물질의 구조＞

본 발명의 제 1 실시양태의 전하 수송 물질은 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물이면 어떠한 것이어도 된다.

식 (1)

[화학식 4]

식 (1) 에 있어서, R¹, R², R⁵ 및 R⁶ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 이들 알킬기 중에서도, 제조 원료의 범용성에서 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기이고, 제조시의 취급성의 면에서 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기이고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기이며, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 특히 바람직하게는 메틸기이다.

식 (1) 에 있어서, R³ 및 R⁷ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타낸다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있고, 아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기 등의 직사슬형 알콕시기, 이소프로폭시기, 에틸헥실옥시기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 제조 원료의 범용성에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기가 바람직하고, 제조시의 취급성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 보다 바람직하고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기가 더욱 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 수소 원자가 특히 바람직하다.

식 (1) 에 있어서, R⁴ 및 R⁸ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타낸다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있고, 아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기 등의 직사슬형 알콕시기, 이소프로폭시기, 에틸헥실옥시기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 제조 원료의 범용성에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기가 바람직하고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 보다 바람직하고, 전자 사진 감광체의 오존에 대한 내성면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 더욱 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기가 특히 바람직하다.

식 (1) 에 있어서, n₁ 은 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다. 도포 용매에 대한 용해성 향상의 관점에서 n₁ 은 바람직하게는 4 이하이며, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 보다 바람직하게는 3 이하이며, 전자 사진 감광체의 광 감쇠 특성의 면에서 더욱 바람직하게는 2 이하이다. 또, 전자 사진 감광체의 대전성 저하 억제의 관점에서 n₁ 은 바람직하게는 2 이상이다.

식 (1) 에 있어서, p, q 는 각각 독립적으로 0 이상, 2 이하의 정수를 나타낸다. 전하 수송 물질의 도포 용매에 대한 용해성 향상의 관점에서 p, q 는 각각 독립적으로 0 이상, 1 이하가 바람직하다.

식 (1) 에 있어서, 디페닐아미노기가 결합하는 아릴렌기 부분은, n₁=1 의 경우, 무치환의 페닐렌기, n₁=2 의 경우, 무치환의 비페닐렌기, n₁=3 의 경우, 무치환의 터페닐렌기, n₁=4 의 경우, 무치환의 쿼터페닐렌기, n₁=5 의 경우, 무치환의 퀸크페닐렌기를 나타낸다. 2 개의 디페닐아미노기가 상기 아릴렌기와 결합하는 위치는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, n₁=1 의 경우, 전자 사진 감광체의 대전성의 면에서, 2 개의 디페닐아미노기가 페닐렌기의 결합 위치에서 m 위치의 관계가 되는 것이 바람직하다. n₁=2 의 경우, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 2 개의 디페닐아미노기는 비페닐렌기의 4 위치와 4' 위치에 결합하는 것이 바람직하고, n₁=3 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 터페닐렌기 중에서도 p-터페닐렌기가 바람직하고, p-터페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4" 위치에 결합하는 것이 바람직하다. n₁=4 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 쿼터페닐렌기 중에서도 p-쿼터페닐렌기가 바람직하고, p-쿼터페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4"' 위치에 결합하는 것이 바람직하다. n₁=5 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 퀸크페닐렌기 중에서도 p-퀸크페닐렌기가 바람직하고, p-퀸크페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4"" 위치에 결합하는 것이 바람직하다.

이하에 본 발명의 제 1 실시양태에 바람직한 전하 수송 물질의 구조를 예시한다. 이하의 구조는 본 발명을 보다 구체적으로 이해하기 위해서 예시하는 것으로, 본 발명의 개념을 일탈하지 않는 한은 하기 구조에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 5]

[화학식 6]

[화학식 7]

[화학식 8]

[화학식 9]

[화학식 10]

＜제 1 실시양태의 전하 수송 물질의 제조 방법＞

상기에 예시한 CT1-1 ∼ CT1-42 의 전하 수송 물질은 공지된 방법에 의해 용이하게 합성할 수 있다. 예를 들어, 상기 예시 화합물 CT1-8 은, 하기에 기술하는 스킴에 따라 제조하는 것이 가능하다.

예를 들어, 테트라페닐벤지딘 골격을 갖는 화합물을 Vilsmeier 반응 등으로 포르밀화를 실시한 후에, 인산에스테르 화합물과 반응시키고 스티릴기를 도입함으로써 제조할 수 있다 (스킴 1).

(스킴 1)

[화학식 11]

또, 다른 제조 방법으로는, N,N'-디페닐벤지딘 화합물과 할로겐화스틸벤 화합물을 커플링 반응을 실시함으로써 제조할 수 있다 (스킴 2).

(스킴 2)

[화학식 12]

＜제 2 실시양태의 전하 수송 물질의 구조＞

본 발명의 제 2 실시양태의 전하 수송 물질은 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물이면 어떠한 것이어도 된다.

식 (2)

[화학식 13]

(식 (2) 중, R⁹ ∼ R¹⁰ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, R¹¹ ∼ R¹⁷ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타낸다. n₂ 는 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, l 및 m 은 각각 독립적으로 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다.)

식 (2) 에 있어서, R⁹, R¹⁰ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 이들 알킬기 중에서도, 제조 원료의 범용성에서 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기이고, 제조시의 취급성의 면에서 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기이고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기이며, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 특히 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 2 이다.

R⁹ 또는 R¹⁰ 으로 구성되는 알콕시기의 치환 위치는 스티릴기에 대해, 통상적으로 o 위치, m 위치 또는 p 위치 중 어느 위치여도 가능하지만, 제조의 용이함의 면에서 o 위치 또는 p 위치가 바람직하고, R⁹, R¹⁰ 이 모두 p 위치, 모두 o 위치, 또는 R⁹ 가 p 위치이고, R¹⁰ 이 o 위치인 것이 전자 사진 감광체 특성의 면에서 보다 바람직하다.

식 (2) 에 있어서, R¹¹ ∼ R¹³ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타낸다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있고, 아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기 등의 직사슬형 알콕시기, 이소프로폭시기, 에틸헥실옥시기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 제조 원료의 범용성에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기가 바람직하고, 제조시의 취급성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 보다 바람직하고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기가 더욱 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 수소 원자가 특히 바람직하다.

식 (2) 에 있어서, R¹⁴, R¹⁵ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 및 알콕시기 중 어느 것을 나타낸다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있고, 아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기 등의 직사슬형 알콕시기, 이소프로폭시기, 에틸헥실옥시기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실옥시기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 제조 원료의 범용성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기가 바람직하고, 제조시의 취급성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 보다 바람직하고, 전자 사진 감광체로서의 광 감쇠 특성의 면에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 더욱 바람직하고, 전자 사진 감광체의 오존에 대한 내성면에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 특히 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬기가 가장 바람직하다.

식 (2) 에 있어서, l 및 m 은 각각 독립적으로 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다. l 및 m 이 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 벤젠 고리에 결합하는 복수의 R¹⁴ 는 각각 상이해도 되고, 또, 벤젠 고리에 결합하는 복수의 R¹⁵ 도 각각 상이해도 된다.

R¹⁴ 및 R¹⁵ 의 치환 위치는 아릴아민기에 대해, 통상적으로 o 위치, m 위치 및 p 위치 중 어느 위치여도 가능하지만, 제조의 용이함의 면에서, o 위치 또는 p 위치가 바람직하고, 전자 사진 감광체의 광 감쇠 특성의 면에서 p 위치가 보다 바람직하다. R¹⁴ 및 R¹⁵ 가 복수의 치환기가 되는 경우에는, 통상적으로 그 결합 위치는 본 발명의 효과가 현저하게 저해되지 않는 한 한정되지 않지만, 전하 수송 물질의 용해성의 면에서 p 위치 및 o 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.

식 (2) 에 있어서, R¹⁶, R¹⁷ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타낸다. 구체적으로는, 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직사슬형 알킬기, 이소프로필기, 에틸헥실기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실기 등의 고리형 알킬기 등을 들 수 있고, 아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기 등의 직사슬형 알콕시기, 이소프로폭시기, 에틸헥실옥시기 등의 분기상 알킬기, 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 제조 원료의 범용성의 면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알콕시기가 바람직하고, 전자 사진 감광체의 오존에 대한 내성면에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 보다 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 수소 원자가 더욱 바람직하다.

식 (2) 에 있어서, n₂ 는 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다. 도포 용매에 대한 용해성 향상의 관점에서, n₂ 는 4 이하가 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 보다 바람직하게는 3 이하, 전자 사진 감광체의 광 감쇠 특성의 면에서 더욱 바람직하게는 2 이하이다. 또, 전자 사진 감광체의 대전성의 저하 억제의 관점에서, n₂ 는 바람직하게는 2 이상이다.

식 (2) 에 있어서, 디페닐아미노기가 결합하는 아릴렌기 부분은, n₂=1 의 경우, 페닐렌기, n₂=2 의 경우, 비페닐렌기, n₂=3 의 경우, 터페닐렌기, n₂=4 의 경우, 쿼터페닐렌기, n₂=5 의 경우, 퀸크페닐렌기를 나타낸다. 2 개의 디페닐아미노기가 아릴렌기와 결합하는 위치는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, n₂=1 의 경우, 전자 사진 감광체의 대전성의 면에서, 2 개의 디페닐아미노기가 페닐렌기의 결합 위치에서 m 위치의 관계가 되는 것이 바람직하다. n₂=2 의 경우, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 2 개의 디페닐아미노기는, 비페닐렌기의 4 위치와 4' 위치에 결합하는 것이 바람직하고, n₂=3 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 터페닐렌기 중에서도 p-터페닐렌기가 바람직하고, p-터페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4" 위치에 결합하는 것이 바람직하다. n₂=4 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 쿼터페닐렌기 중에서도 p-쿼터페닐렌기가 바람직하고, p-쿼터페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4"' 위치에 결합하는 것이 바람직하다. n₂=5 의 경우, 제조 원료의 범용성에서 퀸크페닐렌기 중에서도 p-퀸크페닐렌기가 바람직하고, p-퀸크페닐렌기에 대한 디페닐아민기의 결합 위치는, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서 4 위치와 4"" 위치에 결합하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명에 있어서, 제 2 실시형태의 전하 수송 물질을 사용하여 전자 사진 감광체를 얻는 경우에는, 전자 사진 감광체의 감광층은, 식 (2) 로 나타내는 화합물을 단일 성분으로서 함유하는 것이어도 되고, 식 (2) 로 나타내는 상이한 구조의 화합물의 혼합물로서 함유해도 된다. 감광층의 제막성 등의 제조성의 면에서, 식 (2) 로 나타내는 화합물의 위치 이성체를 함유하는 혼합물로 하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 위치 이성체 혼합물로 하는 경우에는, 전자 사진 감광체 특성의 면에서, R⁹ 및 R¹⁰ 으로 구성되는 알콕시기의 치환 위치가 상이한 위치 이성체 혼합물인 것이 보다 바람직하다. 상기 알콕시기 위치 이성체 혼합물은 통상적으로 위치 이성체를 2 종 이상 함유하는 것이며, 함유되는 위치 이성체는 R⁹ 및 R¹⁰ 으로 구성되는 알콕시기의 치환 위치가 스티릴기에 대해 o 위치, m 위치, p 위치 중 어느 위치에 결합하고 있는 이성체여도 된다. 그 중에서도, 원료 조달의 면에서, 위치 이성체 중 적어도 1 개가 스티릴기에 대해 o 위치 또는 p 위치 중 어느 것에 R⁹ 또는 R¹⁰ 으로 구성되는 알콕시기를 갖는 위치 이성체 혼합물인 것이 바람직하고, 전하 수송 물질의 제조성의 면에서, o(R⁹)-o(R¹⁰) 체, o(R⁹)-p(R¹⁰) 체 또는 p(R⁹)-p(R¹⁰) 체 중 어느 2 개 이상의 위치 이성체로 이루어지는 혼합물인 것이 바람직하고, 전하 수송 물질로서의 전하 수송 능력의 면에서, 상기 혼합물이 위치 이성체로서 적어도 p(R⁹)-p(R¹⁰) 체를 포함하는 혼합물인 것이 보다 바람직하고, 상기 혼합물이 o(R⁹)-o(R¹⁰) 체, o(R⁹)-p(R¹⁰) 체 및 p(R⁹)-p(R¹⁰) 체의 3 개의 위치 이성체로 이루어지는 혼합물이 더욱 바람직하다.

또, 상기 R⁹ 및 R¹⁰ 으로 구성되는 알콕시기의 치환 위치가 상이한 위치 이성체 혼합물로 하는 경우의 위치 이성체의 혼합 비율로는 특별히 한정되지 않지만, 전자 사진 감광체의 광 감쇠 특성의 면에서, 위치 이성체 혼합물 중에 p(R⁹)-p(R¹⁰) 체가 가장 많이 포함되는 혼합 비율이 바람직하고, 구체적으로는, 혼합물 중의 p(R⁹)-p(R¹⁰) 체의 비율은, 통상적으로 하한이 35 ％ 이상이고, 바람직하게는 40 ％ 이상이며, 한편, 상한이 통상적으로 전하 수송 물질의 용해성의 면에서 75 ％ 이하이고, 바람직하게는 60 ％ 이하이다.

이하에 본 발명의 제 2 실시양태에 바람직한 전하 수송 물질의 구조를 예시한다. 이하의 구조는 본 발명을 보다 구체적으로 하기 위해서 예시하는 것으로, 본 발명의 개념을 일탈하지 않는 한은 하기 구조에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 14]

[화학식 15]

[화학식 16]

[화학식 17]

[화학식 18]

＜제 2 실시양태의 전하 수송 물질의 제조 방법＞

상기에 예시한 CT2-1 ∼ CT2-36 의 전하 수송 물질은 공지된 방법에 의해 용이하게 합성할 수 있다. 예를 들어, 상기 예시 화합물 CT2-10 ∼ CT2-12 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물은 하기에 기술하는 스킴에 따라 제조하는 것이 가능하다.

예를 들어, 테트라페닐벤지딘 골격을 갖는 화합물을 Vilsmeier 반응 등으로 포르밀화를 실시한 후에, 인산에스테르 화합물과 반응시키고 스티릴기를 도입함으로써 제조할 수 있다 (스킴 3).

(스킴 3)

[화학식 19]

≪전자 사진 감광체≫

이하에, 본 발명의 전자 사진 감광체의 구성에 대하여 설명한다.

본 발명의 전자 사진 감광체는, 도전성 지지체 상에, 상기 식 (1) 로 나타내는 제 1 실시양태의 전하 수송 물질 또는 상기 식 (2) 로 나타내는 제 2 실시양태의 전하 수송 물질을 함유하는 감광층을 형성한 것이면 그 구조는 특별히 한정되지 않는다.

전자 사진 감광체의 감광층이 나중에 설명하는 적층형인 경우에는, 전하 수송층에, 상기 식 (1) 또는 상기 식 (2) 로 나타내는 전하 수송 물질, 바인더 수지, 그 외에 필요에 따라 산화 방지제, 레벨링제, 기타 첨가물을 포함하는 것이다. 또, 전자 사진 감광체의 감광층이 나중에 설명하는 단층형인 경우에는, 전술한 적층형 감광체의 전하 수송층에 사용되는 성분에 더하여 전하 발생 재료, 전자 수송 재료를 사용하는 것이 일반적이다.

＜도전성 지지체＞

도전성 지지체에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스강, 구리, 니켈 등의 금속 재료나, 금속, 카본, 산화주석 등의 도전성 분체를 첨가하여 도전성을 부여한 수지 재료나, 알루미늄, 니켈, ITO (산화인듐주석) 등의 도전성 재료를 그 표면에 증착 또는 도포한 수지, 유리, 종이 등이 주로 사용된다. 이들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의의 조합 및 임의의 비율로 병용해도 된다. 도전성 지지체의 형태로는, 드럼상, 시트상, 벨트상 등의 것이 사용된다. 나아가서는, 금속 재료의 도전성 지지체 상에, 도전성·표면성 등의 제어나 결함 피복을 위해서, 적당한 저항값을 갖는 도전성 재료를 도포한 것을 사용해도 된다.

또, 도전성 지지체로서 알루미늄 합금 등의 금속 재료를 사용한 경우, 양극 산화 피막을 실시하고 나서 사용해도 된다. 양극 산화 피막을 실시한 경우에는, 공지된 방법에 의해 봉공 (封孔) 처리를 실시하는 것이 바람직하다.

도전성 지지체 표면은 평활해도 되고, 특별한 절삭 방법을 이용하거나 연마 처리를 실시하거나 함으로써 조면화되어 있어도 된다. 또, 도전성 지지체를 구성하는 재료에 적당한 입경의 입자를 혼합함으로써, 조면화된 것이어도 된다. 또, 저렴화를 위해서는, 절삭 처리를 실시하지 않고, 인발관을 그대로 사용하는 것도 가능하다.

＜언더 코팅층＞

도전성 지지체와 후술하는 감광층 사이에는, 접착성·블로킹성 등의 개선을 위해 언더 코팅층을 형성해도 된다. 언더 코팅층으로는, 수지, 또는 수지에 금속 산화물 등의 입자를 분산한 것 등이 사용된다. 또, 언더 코팅층은 단일층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수층으로 이루어지는 것이어도 상관없다.

언더 코팅층에 사용하는 금속 산화물 입자의 예로는, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화규소, 산화지르코늄, 산화아연, 산화철 등의 1 종의 금속 원소를 포함하는 금속 산화물 입자, 티탄산칼슘, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 복수의 금속 원소를 포함하는 금속 산화물 입자 등을 들 수 있다. 이들은 1 종류의 입자를 단독으로 사용해도 되고, 복수 종류의 입자를 혼합하여 사용해도 된다. 이들 금속 산화물 입자 중에서, 산화티탄 및 산화알루미늄이 바람직하고, 특히 산화티탄이 바람직하다. 산화티탄 입자는, 그 표면에, 산화주석, 산화알루미늄, 산화안티몬, 산화지르코늄, 산화규소 등의 무기물, 또는 스테아르산, 폴리올, 실리콘 등의 유기물에 의한 처리가 실시되어 있어도 된다. 산화티탄 입자의 결정형으로는, 루틸, 아나타아제, 브루카이트, 아모르퍼스 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 또, 복수의 결정 상태인 것이 포함되어 있어도 된다.

또, 금속 산화물 입자의 입경으로는 여러 가지의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 특성 및 액 안정성의 점에서, 그 평균 일차 입경은 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하가 바람직하고, 특히 10 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하가 바람직하다. 이 평균 일차 입경은 TEM 사진 등으로부터 얻을 수 있다.

언더 코팅층은 금속 산화물 입자를 바인더 수지에 분산한 형태로 형성하는 것이 바람직하다. 언더 코팅층에 사용되는 바인더 수지로는, 에폭시 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리아미드 수지, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐리덴 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐알코올 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아크릴 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 폴리비닐피롤리돈 수지, 폴리비닐피리딘 수지, 수용성 폴리에스테르 수지, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스에스테르 수지, 셀룰로오스에테르 수지, 카세인, 젤라틴, 폴리글루타민산, 전분, 스타치 아세테이트, 아미노 전분, 지르코늄 킬레이트 화합물, 지르코늄 알콕사이드 화합물 등의 유기 지르코늄 화합물, 티타닐 킬레이트 화합물, 티탄 알콕사이드 화합물 등의 유기 티타닐 화합물, 실란 커플링제 등의 공지된 바인더 수지를 들 수 있다. 이들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 혹은 2 종 이상을 임의의 조합 및 비율로 병용해도 된다. 또, 경화제와 함께 경화한 형태로 사용해도 된다. 그 중에서도, 알코올 가용성 공중합 폴리아미드, 변성 폴리아미드 등은 양호한 분산성, 도포성을 나타내므로 바람직하다.

언더 코팅층에 사용되는 바인더 수지에 대한 금속 산화물 입자의 사용 비율은 임의로 선택하는 것이 가능하지만, 분산액의 안정성, 도포성의 관점에서, 바인더 수지에 대해, 통상적으로는 10 질량％ 이상, 500 질량％ 이하의 범위로 사용하는 것이 바람직하다.

언더 코팅층의 막두께는 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 전자 사진 감광체의 전기 특성, 강노광 특성, 화상 특성, 반복 특성, 및 제조시의 도포성을 향상시키는 관점에서, 통상적으로는 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 또, 통상적으로 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 20 ㎛ 이하이다.

언더 코팅층에는 공지된 산화 방지제 등을 혼합해도 된다. 화상 결함 방지 등을 목적으로 하여 안료 입자, 수지 입자 등을 함유시켜 사용해도 된다.

＜감광층＞

감광층은, 상기 서술한 도전성 지지체 상에 (전술한 언더 코팅층을 형성한 경우에는 언더 코팅층 상에) 형성된다. 감광층은, 상기 서술한 일반식 (1) 또는 일반식 (2) 로 나타내는 전하 수송 물질을 함유하는 층이며, 그 형식으로는, 전하 발생 재료와 전하 수송 재료 (본 발명의 전하 수송 물질을 포함한다) 가 동일층에 존재하고, 그것들이 바인더 수지 중에 분산된 단층 구조의 것 (이하 적절히, 「단층형 감광층」 이라고 한다) 과, 전하 발생 재료가 바인더 수지 중에 분산된 전하 발생층 및 전하 수송 재료 (본 발명의 전하 수송 물질을 포함한다) 가 바인더 수지 중에 분산된 전하 수송층을 포함하는, 2 층 이상의 층으로 이루어지는 적층 구조의 기능 분리형의 것 (이하 적절히, 「적층형 감광층」 이라고 한다) 을 들 수 있지만, 어느 형태여도 된다.

또, 적층형 감광층으로는, 도전성 지지체측으로부터 전하 발생층, 전하 수송층을 이 순서로 적층하여 형성하는 순적층형 감광층과, 반대로 도전성 지지체측으로부터 전하 수송층, 전하 발생층의 순서로 적층하여 형성하는 역적층형 감광층이 있으며, 어느 것을 채용하는 것도 가능하지만, 가장 밸런스가 잡힌 광 도전성을 발휘할 수 있는 순적층형 감광층이 바람직하다.

＜적층형 감광층＞

[전하 발생층]

적층형 감광층 (기능 분리형 감광층) 의 전하 발생층은, 전하 발생 재료를 함유함과 함께, 통상적으로는 바인더 수지와, 필요에 따라 사용되는 기타 성분을 함유한다. 이와 같은 전하 발생층은, 예를 들어, 전하 발생 재료 및 바인더 수지를 용매 또는 분산매에 용해 또는 분산하여 도포액을 제조하고, 이것을 순적층형 감광층의 경우에는 도전성 지지체 상에 (언더 코팅층을 형성하는 경우에는 언더 코팅층 상에), 또, 역적층형 감광층의 경우에는 전하 수송층 상에 도포, 건조시켜 얻을 수 있다.

전하 발생 물질로는, 셀레늄 및 그 합금, 황화카드뮴 등의 무기계 광 도전 재료와, 유기 안료 등의 유기계 광 도전 재료를 들 수 있는데, 유기계 광 도전 재료 쪽이 바람직하고, 그 중에서도 특히 유기 안료가 바람직하다. 유기 안료로는, 예를 들어, 프탈로시아닌 안료, 아조 안료, 디티오케토피롤로피롤 안료, 스쿠알렌 (스쿠아릴륨) 안료, 퀴나크리돈 안료, 인디고 안료, 페릴렌 안료, 다고리 퀴논 안료, 안트안트론 안료, 벤즈이미다졸 안료 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 프탈로시아닌 안료 또는 아조 안료가 바람직하다. 전하 발생 물질로서 유기 안료를 사용하는 경우, 통상적으로는 이들 유기 안료의 미립자를 각종 바인더 수지로 결착한 분산층의 형태로 사용한다.

전하 발생 물질로서 프탈로시아닌 안료를 사용하는 경우, 구체적으로는, 무금속 프탈로시아닌, 구리, 인듐, 갈륨, 주석, 티탄, 아연, 바나듐, 실리콘, 게르마늄, 알루미늄 등의 금속 또는 그 산화물, 할로겐화물, 수산화물, 알콕사이드 등의 배위한 프탈로시아닌류의 각 결정형을 갖는 것, 산소 원자 등을 가교 원자로서 사용한 프탈로시아닌 다이머류 등이 사용된다. 특히, 감도가 높은 결정형인 X 형, τ 형 무금속 프탈로시아닌, A 형 (별칭 β 형), B 형 (별칭 α 형), D 형 (별칭 Y 형) 등의 티타닐 프탈로시아닌 (별칭：옥시티타늄 프탈로시아닌), 바나딜 프탈로시아닌, 클로로인듐 프탈로시아닌, 하이드록시인듐 프탈로시아닌, II 형 등의 클로로갈륨 프탈로시아닌, V 형 등의 하이드록시갈륨 프탈로시아닌, G 형, I 형 등의 μ-옥소-갈륨 프탈로시아닌 이량체, II 형 등의 μ-옥소-알루미늄 프탈로시아닌 이량체가 바람직하다.

또, 이들 프탈로시아닌 중에서도, A 형 (별칭 β 형), B 형 (별칭 α 형), 및 KCuKα 특성 X 선에 의한 분말 X 선 회절의 브랙각 (회절각) (2θ±0.2˚) 이 27.2˚ 에 명료한 피크를 나타내는 D 형 (Y 형) 의 티타닐 프탈로시아닌, II 형 클로로갈륨 프탈로시아닌, V 형의 하이드록시갈륨 프탈로시아닌, 28.1˚ 에 가장 강한 피크를 갖는 하이드록시갈륨 프탈로시아닌, 또는 브랙각 (2θ±0.2˚) 이 26.2˚ 에 피크를 갖지 않고 28.1˚ 에 명료한 피크를 갖고, 또한 25.9˚ 의 반값폭 W 가 0.1˚≤W≤0.4˚ 인 하이드록시갈륨 프탈로시아닌, G 형 μ-옥소-갈륨 프탈로시아닌 이량체 등이 특히 바람직하고, 브랙각 (2θ±0.2˚) 이 적어도 24.1° 및 27.2° 에 피크를 나타내는 D 형 (Y 형) 의 티타닐프탈로시아닌 (옥시티타늄 프탈로시아닌) 이 가장 바람직하다.

전하 발생 물질로서 무금속 프탈로시아닌 화합물 또는 금속 함유 프탈로시아닌 화합물을 사용한 경우에는 비교적 장파장의 레이저 광, 예를 들어, 780 ㎚ 부근의 파장을 갖는 레이저 광에 대해 고감도의 감광체가 얻어진다. 또, 모노아조, 디아조, 트리스아조 등의 아조 안료를 사용한 경우에는, 백색 광, 또는 660 ㎚ 부근의 파장을 갖는 레이저 광, 혹은 비교적 단파장의 레이저 광 (예를 들어, 380 ㎚ ∼ 500 ㎚ 범위의 파장을 갖는 레이저 광) 에 대해 충분한 감도를 갖는 감광체를 얻을 수 있다.

프탈로시아닌 화합물은 단일 화합물의 것을 사용해도 되고, 몇 개의 혼합 또는 혼정 상태의 것을 사용해도 된다. 여기서의 프탈로시아닌 화합물 내지는 결정 상태에 있어서의 혼합 상태로는, 각각의 구성 요소를 나중에 혼합한 것을 사용해도 되고, 합성, 안료화, 결정화 등의 프탈로시아닌 화합물의 제조·처리 공정에 있어서 혼합 상태를 발생시킨 것이어도 된다. 이와 같은 처리로는, 산 페이스트 처리·마쇄 처리·용제 처리 등이 알려져 있다. 혼정 상태를 발생시키기 위해서는, 일본 공개특허공보 평10-48859호에 기재된 바와 같이, 2 종류의 결정을 혼합 후에 기계적으로 마쇄, 부정형화한 후에, 용제 처리에 의해 특정 결정 상태로 변환하는 방법을 들 수 있다.

한편, 전하 발생 재료로서 아조 안료를 사용하는 경우에는, 광 입력용 광원에 대해 감도를 갖는 것이면 종전 공지된 각종 아조 안료를 사용하는 것이 가능한데, 각종 비스아조 안료, 트리스아조 안료가 바람직하게 사용된다. 바람직한 아조 안료의 예를 하기에 나타낸다.

[화학식 20]

전하 발생 물질로서 상기 예시한 유기 안료 (아조 안료) 를 사용하는 경우에는, 1 종을 단독으로 사용해도 되지만, 2 종류 이상의 안료를 혼합하여 사용해도 된다. 이 경우, 가시역과 근적역이 상이한 스펙트럼 영역에서 분광 감도 특성을 갖는 2 종류 이상의 전하 발생 물질을 조합하여 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 디스아조 안료, 트리스아조 안료와 프탈로시아닌 안료를 조합하여 사용하는 것이 보다 바람직하다.

적층형 감광층을 구성하는 전하 발생층에 사용하는 바인더 수지는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐포르말 수지, 부티랄의 일부가 포르말이나 아세탈 등으로 변성된 부분 아세탈화 폴리비닐부티랄 수지 등의 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 변성 에테르계 폴리에스테르 수지, 페녹시 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화비닐리덴 수지, 폴리아세트산비닐 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리비닐피리딘 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리비닐피롤리돈 수지, 카세인이나, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 하이드록시 변성 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 카르복실 변성 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-아세트산비닐-무수 말레산 공중합체 등의 염화비닐-아세트산비닐계 공중합체, 스티렌-부타디엔 공중합체, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-알키드 수지, 실리콘-알키드 수지, 페놀-포름알데히드 수지 등의 절연성 수지나, 폴리-N-비닐카르바졸, 폴리비닐안트라센, 폴리비닐페릴렌 등의 유기 광 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 바인더 수지는 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 임의의 조합으로 혼합하여 사용해도 된다.

전하 발생층은, 구체적으로, 상기 서술한 바인더 수지를 유기 용제에 용해 한 용액에 전하 발생 물질을 분산시켜 도포액을 조정하고, 이것을 도전성 지지체 상에 (언더 코팅층을 형성하는 경우에는 언더 코팅층 상에) 도포함으로써 형성된다.

도포액 제조에 사용되는 용제로는, 바인더 수지를 용해시키는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 펜탄, 헥산, 옥탄, 노난 등의 포화 지방족계 용매, 톨루엔, 자일렌, 아니솔 등의 방향족계 용매, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 클로로나프탈렌 등의 할로겐화 방향족계 용매, 디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 벤질알코올 등의 알코올계 용매, 글리세린, 폴리에틸렌글리콜 등의 지방족 다가 알코올류, 아세톤, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 4-메톡시-4-메틸-2-펜타논 등의 사슬형 또는 고리형 케톤계 용매, 포름산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸 등의 에스테르계 용매, 염화메틸렌, 클로로포름, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소계 용매, 디에틸에테르, 디메톡시에탄, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브 등의 사슬형 또는 고리형 에테르계 용매, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드, 술포란, 헥사메틸인산트리아미드 등의 비프로톤성 극성 용매, n-부틸아민, 이소프로판올아민, 디에틸아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 트리에틸아민 등의 함질소 화합물, 리그로인 등의 광유, 물 등을 들 수 있다. 이들은 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용하여 사용해도 된다. 또한, 상기 서술한 언더 코팅층을 형성하는 경우에는, 이 언더 코팅층을 용해하지 않는 것이 바람직하다.

전하 발생층에 있어서, 바인더 수지와 전하 발생 물질의 배합비 (질량비) 는, 바인더 수지 100 질량부에 대해 전하 발생 물질이 통상적으로 10 질량부 이상, 바람직하게는 30 질량부 이상, 또, 통상적으로 1000 질량부 이하, 바람직하게는 500 질량부 이하의 범위이다. 바인더 수지에 대한 전하 발생 물질의 비율이 지나치게 높으면, 전하 발생 물질의 응집 등에 의해 도포액의 안정성이 저하될 우려가 있다. 한편, 바인더 수지에 대한 전하 발생 물질의 비율이 지나치게 낮으면, 감광체로서의 감도의 저하를 초래할 우려가 있다. 전하 발생층의 막두께는, 통상적으로 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.15 ㎛ 이상, 또, 통상적으로 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.6 ㎛ 이하의 범위이다.

전하 발생 물질을 분산시키는 방법으로는, 볼 밀 분산법, 애트리터 분산법, 샌드 밀 분산법 등의 공지된 분산법을 이용할 수 있다. 이 때, 입자를 0.5 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.3 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.15 ㎛ 이하의 범위의 입자 사이즈로 미세화하는 것이 바람직하다.

＜전하 수송층＞

적층형 감광체의 전하 수송층은, 전하 수송 물질을 함유함과 함께, 통상적으로는 바인더 수지와 필요에 따라 사용되는 기타 성분을 함유한다. 이와 같은 전하 수송층은, 구체적으로는, 전하 수송 물질 등과 바인더 수지를 용제에 용해 또는 분산하여 도포액을 제조하고, 이것을 순적층형 감광층의 경우에는 전하 발생층 상에, 또, 역적층형 감광층의 경우에는 도전성 지지체 상에 (언더 코팅층을 형성하는 경우에는 언더 코팅층 상에) 도포, 건조시켜 얻을 수 있다.

전하 수송 물질로는, 상기 서술한 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 전하 수송 물질이 바람직하다. 또, 상기 서술한 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 전하 수송 물질에 더하여, 공지된 다른 전하 수송 물질을 병용해도 된다. 다른 전하 수송 물질을 병용하는 경우, 그 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 카르바졸 유도체, 하이드라존 화합물, 방향족 아민 유도체, 에나민 유도체, 부타디엔 유도체 및 이들 유도체가 복수 결합된 것이 바람직하다. 이들 전하 수송 물질은 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 복수 종의 것을 임의의 조합으로 병용해도 된다.

본 발명의 전하 수송 물질의 효과를 발휘하기 위해서는, 전체 전하 수송 물질에 대한 본 발명의 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 전하 수송 물질의 비율이, 통상적으로 10 질량％ 이상이며, 전자 사진 감광체의 광 감쇠 특성의 면에서 바람직하게는 30 질량％ 이상이고, 전자 사진 감광체의 고속 응답성의 면에서 보다 바람직하게는 50 질량％ 이상이며, 특히 바람직하게는 70 질량％ 이상이다.

바인더 수지는 막 강도 확보를 위해서 사용된다. 전하 수송층에 사용하는 바인더 수지로는, 예를 들어, 부타디엔 수지, 스티렌 수지, 아세트산비닐 수지, 염화비닐 수지, 아크릴산에스테르 수지, 메타크릴산에스테르 수지, 비닐알코올 수지, 에틸비닐에테르 등의 비닐 화합물의 중합체 및 공중합체, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐포르말 수지, 부분 변성 폴리비닐아세탈, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 셀룰로오스에스테르 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 실리콘-알키드 수지, 폴리-N-비닐 카르바졸 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리카보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지가 바람직하다. 이들 바인더 수지는 적당한 경화제를 사용하여 열, 광 등에 의해 가교시켜 사용할 수도 있다. 이들 바인더 수지는 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의의 조합으로 사용해도 된다.

전하 수송층에 있어서, 바인더 수지와 전하 수송 물질의 비율은, 바인더 수지 100 질량부에 대해 전하 수송 물질을 10 질량부 이상의 비율로 사용한다. 그 중에서도, 전하 수송 물질은, 잔류 전위 저감의 관점에서 20 질량부 이상이 바람직하고, 나아가서는, 반복 사용했을 때의 안정성이나 전하 이동도의 관점에서 30 질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 감광층의 열안정성의 관점에서, 바인더 수지 100 질량부에 대해 전하 수송 물질을 통상적으로는 120 질량부 이하의 비율로 사용한다. 그 중에서도, 전하 수송 물질은, 전하 수송 재료와 바인더 수지의 상용성의 관점에서 100 질량부 이하가 바람직하고, 내쇄성 (耐刷性) 의 관점에서 90 질량부 이하가 보다 바람직하고, 내흠집성의 관점에서 80 질량부 이하가 가장 바람직하다.

전하 수송층의 막두께는 특별히 제한되지 않지만, 긴 수명, 화상 안정성의 관점, 나아가서는 고해상도의 관점에서, 통상적으로 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 10 ㎛ 이상, 한편, 통상적으로 50 ㎛ 이하, 바람직하게는 45 ㎛ 이하, 나아가서는 30 ㎛ 이하의 범위로 한다.

＜단층형 감광층＞

단층형 감광층은, 전하 발생 물질과 전하 수송 물질에 더하여, 적층형 감광체의 전하 수송층과 마찬가지로, 막 강도 확보를 위해서 바인더 수지를 사용하여 형성한다. 구체적으로는, 전하 발생 물질과 전하 수송 물질과 각종 바인더 수지를 용제에 용해 또는 분산하여 도포액을 제조하고, 도전성 지지체 상 (언더 코팅층을 형성하는 경우에는 언더 코팅층 상) 에 도포, 건조시켜 얻을 수 있다.

전하 수송 물질 및 바인더 수지의 종류 그리고 이들의 사용 비율은 적층형 감광체의 전하 수송층에 대하여 설명한 것과 동일하다. 이들 전하 수송 물질 및 바인더 수지로 이루어지는 전하 수송 매체 중에 추가로 전하 발생 물질이 분산된다.

전하 발생 물질은, 적층형 감광체의 전하 발생층에 대하여 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 단, 단층형 감광체의 감광층의 경우, 전하 발생 물질의 입자경을 충분히 작게 할 필요가 있다. 구체적으로는, 전하 발생 물질의 입자경은 통상적으로 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하의 범위로 한다.

단층형 감광층 내에 분산되는 전하 발생 물질의 양은, 지나치게 적으면 충분한 감도가 얻어지지 않는 한편, 지나치게 많으면 대전성 저하, 감도 저하 등의 폐해가 있으므로, 단층형 감광층 전체에 대해, 통상적으로 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 1 질량％ 이상, 또, 통상적으로 50 질량％ 이하, 바람직하게는 20 질량％ 이하의 범위로 사용된다.

또, 단층형 감광층에 있어서의 바인더 수지와 전하 발생 물질의 사용 비율은, 바인더 수지 100 질량부에 대해 전하 발생 물질이 통상적으로 0.1 질량부 이상, 바람직하게는 1 질량부 이상, 또, 통상적으로 30 질량부 이하, 바람직하게는 10 질량부 이하의 범위로 한다.

단층형 감광층의 막두께는, 통상적으로 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 10 ㎛ 이상, 또, 통상적으로 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하의 범위이다.

＜기타 기능층＞

적층형 감광체, 단층형 감광체 모두, 감광층 또는 그것을 구성하는 각 층에는, 성막성, 가요성, 도포성, 내오염성, 내가스성, 내광성 등을 향상시킬 목적으로, 주지의 산화 방지제, 가소제, 자외선 흡수제, 전자 흡인성 화합물, 레벨링제, 가시광 차광제 등의 첨가물을 함유시켜도 된다.

또, 적층형 감광체, 단층형 감광체 모두, 상기 순서에 의해 형성된 감광층을 최상층, 즉 표면층으로 해도 되지만, 그 위에 추가로 다른 층을 형성하고, 이것을 표면층으로 해도 된다. 예를 들어, 감광층의 손모를 방지하거나 대전기 등으로부터 발생하는 방전 생성물 등에 의한 감광층의 열화를 방지·경감하는 목적으로, 보호층을 형성해도 된다.

보호층은 도전성 재료를 적당한 바인더 수지 중에 함유시켜 형성하거나, 일본 공개특허공보 평9-190004호에 기재된 트리페닐아민 골격 등의 전하 수송능을 갖는 화합물을 사용한 공중합체를 사용하여 형성할 수 있다.

보호층에 사용하는 도전성 재료로는, TPD (N,N'-디페닐-N,N'-비스-(m-톨릴)벤지딘) 등의 방향족 아미노 화합물, 산화안티몬, 산화인듐, 산화주석, 산화티탄, 산화주석-산화안티몬, 산화알루미늄, 산화아연 등의 금속 산화물 등을 사용하는 것이 가능하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

보호층에 사용하는 바인더 수지로는, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리케톤 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리비닐케톤 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 실록산 수지 등의 공지된 수지를 사용할 수 있고 또, 일본 공개특허공보 평9-190004호에 기재된 바와 같은 트리페닐아민 골격 등의 전하 수송능을 갖는 골격과 상기 수지의 공중합체를 사용할 수도 있다.

보호층의 전기 저항은 통상적으로 10⁹ Ω·㎝ 이상, 10¹⁴ Ω·㎝ 이하의 범위로 한다. 전기 저항이 그 범위보다 높아지면, 잔류 전위가 상승하여 포깅이 많은 화상이 되어 버리는 한편, 상기 범위보다 낮아지면, 화상 흐림, 해상도의 저하가 발생할 우려가 있다. 또, 보호층은 이미지 노광시에 조사되는 광의 투과를 실질상 방해하지 않도록 구성되어야만 된다.

또, 감광체 표면의 마찰 저항이나, 마모를 저감시키고, 토너의 감광체로부터 전사 벨트, 종이로의 전사 효율을 높이는 등의 목적으로, 표면층에 불소계 수지, 실리콘 수지, 폴리에틸렌 수지 등, 또는 이들 수지로 이루어지는 입자나 무기 화합물의 입자를 함유시켜도 된다. 혹은, 이들 수지나 입자를 포함하는 층을 새롭게 표면층으로서 형성해도 된다.

＜각 층의 형성 방법＞

상기한 감광체를 구성하는 각 층은, 함유시키는 물질을 용제에 용해 또는 분산시켜 얻어진 도포액을, 도전성 지지체 상에 침지 도포, 스프레이 도포, 노즐 도포, 바 코트, 롤 코트, 블레이드 도포 등의 공지된 방법에 의해, 각 층마다 순차 도포·건조 공정을 반복함으로써 형성된다.

도포액 제조에 사용되는 용매 또는 분산매에 특별히 제한은 없지만, 구체예로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 2-메톡시에탄올 등의 알코올류, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디메톡시에탄 등의 에테르류, 포름산메틸, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-메톡시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤류, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류, 디클로로메탄, 클로로포름, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 1,1,1-트리클로로에탄, 테트라클로로에탄, 1,2-디클로로프로판, 트리클로로에틸렌 등의 염소화탄화수소류, n-부틸아민, 이소프로판올아민, 디에틸아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민 등의 함질소 화합물류, 아세토니트릴, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드 등의 비프로톤성 극성 용제류 등을 들 수 있다. 또, 이들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의의 조합 및 종류로 병용해도 된다.

용매 또는 분산매의 사용량은 특별히 제한되지 않지만, 각 층의 목적이나 선택한 용매·분산매의 성질을 고려하여, 도포액의 고형분 농도나 점도 등의 물성이 원하는 범위가 되도록 적절히 조정하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 단층형 감광체 및 기능 분리형 감광체의 전하 수송층의 경우에는, 도포액의 고형분 농도를 통상적으로 5 질량％ 이상, 바람직하게는 10 질량％ 이상, 또, 통상적으로 40 질량％ 이하, 바람직하게는 35 질량％ 이하의 범위로 한다. 또, 도포액의 점도를 사용시의 온도에 있어서 통상적으로 10 mPa·s 이상, 바람직하게는 50 mPa·s 이상, 또, 통상적으로 500 mPa·s 이하, 바람직하게는 400 mPa·s 이하의 범위로 한다.

또, 적층형 감광체의 전하 발생층의 경우에는, 도포액의 고형분 농도는, 통상적으로 0.1 질량％ 이상, 바람직하게는 1 질량％ 이상, 또, 통상적으로 15 질량％ 이하, 바람직하게는 10 질량％ 이하의 범위로 한다. 또, 도포액의 점도는, 사용시의 온도에 있어서, 통상적으로 0.01 mPa·s 이상, 바람직하게는 0.1 mPa·s 이상, 또, 통상적으로 20 mPa·s 이하, 바람직하게는 10 mPa·s 이하의 범위로 한다.

도포액의 도포 방법으로는, 침지 코팅법, 스프레이 코팅법, 스피너 코팅법, 비드 코팅법, 와이어 바 코팅법, 블레이드 코팅법, 롤러 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅법 등을 들 수 있지만, 다른 공지된 코팅법을 사용하는 것도 가능하다.

도포액 건조는, 실온에 있어서의 지촉 (指觸) 건조 후, 통상적으로 30 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 온도 범위에서, 1 분 내지 2 시간 동안, 정지 또는 송풍하에서 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 또, 가열 온도는 일정해도 되고, 건조시에 온도를 변경시키면서 가열을 실시해도 된다.

≪화상 형성 장치≫

다음으로, 본 발명의 전자 사진 감광체를 사용한 화상 형성 장치 (본 발명의 화상 형성 장치) 의 실시형태에 대하여, 장치의 주요부 구성을 나타내는 도면 1 을 이용하여 설명한다. 단, 실시형태는 이하의 설명에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 한 임의로 변형하여 실시할 수 있다.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 화상 형성 장치는, 전자 사진 감광체 (1), 대전 장치 (2), 노광 장치 (3) 및 현상 장치 (4) 를 구비하여 구성되며, 또한, 필요에 따라 전사 장치 (5), 클리닝 장치 (6) 및 정착 장치 (7) 가 설치된다.

전자 사진 감광체 (이하, 간단히 「감광체」 라고도 한다) (1) 는, 상기 서술한 본 발명의 전자 사진 감광체이면 특별히 제한은 없지만, 도 1 에서는 그 일례로서, 원통상의 도전성 지지체의 표면에 상기 서술한 감광층을 형성한 드럼상의 감광체를 나타내고 있다. 이 전자 사진 감광체 (1) 의 외주면을 따라, 대전 장치 (2), 노광 장치 (3), 현상 장치 (4), 전사 장치 (5) 및 클리닝 장치 (6) 가 각각 배치되어 있다.

대전 장치 (2) 는 전자 사진 감광체 (1) 를 대전시키는 것으로, 전자 사진 감광체 (1) 의 표면을 소정 전위로 균일 대전시킨다. 대전 장치 (2) 로는, 코로트론이나 스코로트론 등의 코로나 대전 장치, 전압 인가된 직접 대전 부재를 감광체 표면에 접촉시켜 대전시키는 직접 대전 장치 (접촉형 대전 장치) 등이 바람직하게 이용된다. 직접 대전 장치의 예로는, 대전 롤러, 대전 브러쉬 등을 들 수 있다. 또한, 도 1 에서는, 대전 장치 (2) 의 일례로서 롤러형의 대전 장치 (대전 롤러) 를 나타내고 있다. 직접 대전 수단으로서, 기중 방전을 수반하는 대전, 혹은 기중 방전을 수반하지 않는 주입 대전 어느 것이나 가능하다. 또, 대전시에 인가하는 전압으로는, 직류 전압만인 경우, 및 직류에 교류를 중첩시켜 사용할 수도 있다.

노광 장치 (3) 는, 전자 사진 감광체 (1) 에 노광을 실시하여 전자 사진 감광체 (1) 의 감광면에 정전 잠상을 형성할 수 있는 것이면, 그 종류에 특별히 제한은 없다. 구체예로는, 할로겐 램프, 형광등, 반도체 레이저나 He-Ne 레이저 등의 레이저, LED 등을 들 수 있다. 또, 감광체 내부 노광 방식에 의해 노광을 실시하도록 해도 된다. 노광을 실시할 때의 광은 임의이지만, 예를 들어, 파장이 780 ㎚ 인 단색광, 파장 600 ㎚ ∼ 700 ㎚ 의 약간 단파장쪽의 단색광, 파장 380 ㎚ ∼ 500 ㎚ 의 단파장인 단색광 등으로 노광을 실시하면 된다.

현상 장치 (4) 는, 그 종류에 특별히 제한은 없고, 캐스케이드 현상, 1 성분 절연 토너 현상, 1 성분 도전 토너 현상, 2 성분 자기 브러쉬 현상 등의 건식 현상 방식이나, 습식 현상 방식 등의 임의의 장치를 사용할 수 있다. 도 1 에서는, 현상 장치 (4) 는, 현상조 (41), 애지테이터 (42), 공급 롤러 (43), 현상 롤러 (44), 및 규제 부재 (45) 로 이루어지고, 현상조 (41) 의 내부에 토너 (T) 를 저류하고 있는 구성으로 되어 있다. 또, 필요에 따라, 토너 (T) 를 보급하는 보급 장치 (도시 생략) 를 현상 장치 (4) 에 부대시켜도 된다. 이 보급 장치는, 보틀, 카트리지 등의 용기로부터 토너 (T) 를 보급하는 것이 가능하게 구성된다.

공급 롤러 (43) 는 도전성 스펀지 등으로 형성된다. 현상 롤러 (44) 는, 철, 스테인리스강, 알루미늄, 니켈 등의 금속 롤, 또는 이러한 금속 롤에 실리콘 수지, 우레탄 수지, 불소 수지 등을 피복한 수지 롤 등으로 이루어진다. 이 현상 롤러 (44) 의 표면에는, 필요에 따라, 평활 가공이나 조면 가공을 실시해도 된다.

현상 롤러 (44) 는 전자 사진 감광체 (1) 와 공급 롤러 (43) 사이에 배치되어, 전자 사진 감광체 (1) 및 공급 롤러 (43) 에 각각 맞닿아 있다. 공급 롤러 (43) 및 현상 롤러 (44) 는 회전 구동 기구 (도시 생략) 에 의해 회전된다. 공급 롤러 (43) 는, 저류되어 있는 토너 (T) 를 담지하여, 현상 롤러 (44) 에 공급한다. 현상 롤러 (44) 는, 공급 롤러 (43) 에 의해 공급되는 토너 (T) 를 담지하여, 전자 사진 감광체 (1) 의 표면에 접촉시킨다.

규제 부재 (45) 는, 실리콘 수지나 우레탄 수지 등의 수지 블레이드, 스테인리스강, 알루미늄, 구리, 놋쇠, 인 청동 등의 금속 블레이드, 또는 이러한 금속 블레이드에 수지를 피복한 블레이드 등에 의해 형성되어 있다. 이 규제 부재 (45) 는 현상 롤러 (44) 에 맞닿아, 스프링 등에 의해 현상 롤러 (44) 측에 소정의 힘으로 압압 (일반적인 블레이드 선압은 5 ∼ 500 g/㎝) 된다. 필요에 따라, 이 규제 부재 (45) 에, 토너 (T) 와의 마찰 대전에 의해 토너 (T) 에 대전을 부여하는 기능을 구비시켜도 된다.

애지테이터 (42) 는 회전 구동 기구에 의해 각각 회전되고 있고, 토너 (T) 를 교반함과 함께, 토너 (T) 를 공급 롤러 (43) 측으로 반송한다. 애지테이터 (42) 는, 날개 형상, 크기 등을 달리하여 복수 설치해도 된다.

토너 (T) 의 종류는 임의이며, 분말상 토너 외에, 현탁 중합법이나 유화 중합법 등을 사용한 중합 토너 등을 사용할 수 있다. 특히, 중합 토너를 사용하는 경우에는 직경이 4 ∼ 8 ㎛ 정도의 소립 직경의 토너 입자를 함유하는 것이 바람직하고, 또, 토너 입자의 형상도 구형에 가까운 것부터 감자 형상과 같은 구형에서 벗어난 형상의 것까지 여러 가지 사용할 수 있다. 중합 토너는 대전 균일성, 전사성이 우수하여, 고화질화에 바람직하게 사용된다.

전사 장치 (5) 는, 그 종류에 특별히 제한은 없고, 코로나 전사, 롤러 전사, 벨트 전사 등의 정전 전사법, 압력 전사법, 점착 전사법 등, 임의의 방식을 이용한 장치를 사용할 수 있다. 여기서는, 전사 장치 (5) 가 전자 사진 감광체 (1) 에 대향하여 배치된 전사 차저, 전사 롤러, 전사 벨트 등으로 구성되는 것으로 한다. 이 전사 장치 (5) 는, 토너 (T) 의 대전 전위와는 역극성으로 소정 전압값 (전사 전압) 을 인가하여, 전자 사진 감광체 (1) 에 형성된 토너 이미지를 기록지 (용지, 매체) (P) 에 전사하는 것이다.

클리닝 장치 (6) 에 대해서는 특별히 제한은 없고, 브러쉬 클리너, 자기 브러쉬 클리너, 정전 브러쉬 클리너, 자기 롤러 클리너, 블레이드 클리너 등, 임의의 클리닝 장치를 사용할 수 있다. 클리닝 장치 (6) 는, 감광체 (1) 에 부착되어 있는 잔류 토너를 클리닝 부재로 긁어 떨어뜨려, 잔류 토너를 회수하는 것이다. 단, 감광체의 표면에 잔류하는 토너가 적거나, 거의 없는 경우에는, 클리닝 장치 (6) 는 없어도 상관없다.

정착 장치 (7) 는, 상부 정착 부재 (정착 롤러) (71) 및 하부 정착 부재 (정착 롤러) (72) 로 구성되며, 상부 정착 부재 (71) 또는 하부 정착 부재 (72) 의 내부에는 가열 장치 (73) 가 구비되어 있다. 또한, 도 1 에서는, 상부 정착 부재 (71) 의 내부에 가열 장치 (73) 가 구비된 예를 나타낸다. 상부 및 하부의 각 정착 부재 (71, 72) 는, 스테인리스강, 알루미늄 등의 금속 소관 (素管) 에 실리콘 고무를 피복한 정착 롤, 또한 테플론 (등록상표) 수지로 피복한 정착 롤, 정착 시트 등 공지된 열 정착 부재를 사용할 수 있다. 또한, 각 정착 부재 (71, 72) 는, 이형성을 향상시키기 위해 실리콘 오일 등의 이형제를 공급하는 구성으로 해도 되고, 스프링 등에 의해 서로 강제적으로 압력을 가하는 구성으로 해도 된다.

기록지 (P) 상에 전사된 토너 (T) 는, 소정 온도로 가열된 상부 정착 부재 (71) 와 하부 정착 부재 (72) 사이를 통과할 때, 토너 (T) 가 용융 상태까지 열 가열되고, 통과 후 냉각되어 기록지 (P) 상에 토너가 정착된다.

또한, 정착 장치 (7) 에 대해서도 그 종류에 특별히 한정은 없고, 여기서 사용한 것을 비롯하여, 열 롤러 정착, 플래시 정착, 오븐 정착, 압력 정착 등, 임의의 방식에 의한 정착 장치를 설치할 수 있다.

이상과 같이 구성된 전자 사진 장치에서는, 다음과 같이 하여 화상 기록이 실시된다. 즉, 먼저 감광체 (1) 의 표면 (감광면) 이, 대전 장치 (2) 에 의해 소정의 전위 (예를 들어 -600 V) 로 대전된다. 이 때, 직류 전압에 의해 대전시켜도 되고, 직류 전압에 교류 전압을 중첩시켜 대전시켜도 된다.

계속해서, 대전된 감광체 (1) 의 감광면을 기록해야 할 화상에 따라 노광 장치 (3) 에 의해 노광하고, 감광면에 정전 잠상을 형성한다. 그리고, 그 감광체 (1) 의 감광면에 형성된 정전 잠상의 현상을 현상 장치 (4) 로 실시한다.

현상 장치 (4) 는, 공급 롤러 (43) 에 의해 공급되는 토너 (T) 를, 현상 롤러 (44) 상에서 규제 부재 (현상 블레이드) (45) 에 의해 박층화함과 함께, 소정의 극성 (여기서는 감광체 (1) 의 대전 전위와 동극성이며, 부극성) 에 마찰 대전시키고, 현상 롤러 (44) 에 담지시키면서 반송하여, 감광체 (1) 의 표면에 접촉시킨다.

현상 롤러 (44) 에 담지된 토너 (T) 가 감광체 (1) 의 표면에 접촉하면, 정전 잠상에 대응하는 토너 이미지가 감광체 (1) 의 감광면에 형성된다. 그리고 이 토너 이미지는 전사 장치 (5) 에 의해 기록지 (P) 에 전사된다. 이 후, 전사되지 않고 감광체 (1) 의 감광면에 잔류하고 있는 토너가 클리닝 장치 (6) 로 제거된다.

토너 이미지의 기록지 (P) 상으로의 전사 후, 정착 장치 (7) 를 통과시켜 토너 이미지를 기록지 (P) 상에 열정착함으로써, 최종적인 화상이 얻어진다.

또한, 화상 형성 장치는, 상기 서술한 구성에 더하여 예를 들어 제전 공정을 실시할 수 있는 구성으로 해도 된다. 제전 공정은, 전자 사진 감광체에 노광을 실시함으로써 전자 사진 감광체의 제전을 실시하는 공정이며, 제전 장치로는, 형광등, LED 등이 사용된다. 또 제전 공정에서 사용하는 광은, 강도로는 노광 광의 3 배 이상의 노광 에너지를 갖는 광인 경우가 많다.

또, 화상 형성 장치는 더욱 변형시켜 구성해도 되며, 예를 들어, 전 (前) 노광 공정, 보조 대전 공정 등의 공정을 실시할 수 있는 구성으로 하거나, 오프셋 인쇄를 실시하는 구성으로 하거나, 나아가서는 복수 종의 토너를 사용한 풀 컬러 탠덤 방식의 구성으로 해도 된다.

또한, 전자 사진 감광체 (1) 를, 대전 장치 (2), 노광 장치 (3), 현상 장치 (4), 전사 장치 (5), 클리닝 장치 (6), 및 정착 장치 (7) 중 1 개 또는 2 개 이상과 조합하여, 일체형 카트리지 (이하, 적절히 「전자 사진 감광체 카트리지」 라고 한다) 로서 구성하고, 이 전자 사진 감광체 카트리지를 복사기나 레이저 빔 프린터 등의 전자 사진 장치 본체에 대해 착탈 가능한 구성으로 해도 된다. 이 경우, 예를 들어 전자 사진 감광체 (1) 나 기타 부재가 열화한 경우에, 이 전자 사진 감광체 카트리지를 화상 형성 장치 본체로부터 떼어내고, 다른 새로운 전자 사진 감광체 카트리지를 화상 형성 장치 본체에 장착함으로써, 화상 형성 장치의 보수·관리가 용이해진다.

실시예 1

이하, 제조예, 참고 제조예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시예는 본 발명을 상세하게 설명하기 위해서 나타내는 것이며, 본 발명은 그 취지에 반하지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

＜식 (1) 로 나타내는 전하 수송 물질의 제조＞

[제조예 1：예시 화합물 CT1-8]

예시 화합물 CT1-8 을 하기 스킴 1 에 따라 제조하였다. 하기에 상세한 조건을 기술한다.

(스킴 1)

[화학식 21]

테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 A 5 g 을 N,N-디메틸포름아미드 (DMF) 50 ㎖ 중에 주입하고, 60 ℃ 로 승온시켰다. 승온 후, 옥시염화인 4.3 g 을 70 ℃ 이하에서 적하하고, 적하 종료 후 4 h, 60 ℃ ∼ 70 ℃ 의 범위에서 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 강온시키고, 반응액을 물 100 ㎖/톨루엔 100 ㎖ 의 혼합액으로 방출하고, 가수 분해를 실시했다. 가수 분해 후, 유기층을 분취하고, 유기층을 수산화나트륨 수용액 및 물로 유기층이 중성이 될 때까지 세정하고, 유기층을 농축했다. 그리고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써, 포르밀기를 갖는 테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 B 를 4.5 g 얻었다 (수율 81.8 ％).

테트라하이드로푸란 (THF) 100 ㎖ 중에 상기 포르밀 화합물 B 4.5 g 과 인산에스테르 유도체인 화합물 C 를 4.0 g 주입하고, 용해시켰다. 용해 후, t-부톡시칼륨 2.2 g 을 첨가하고, 실온에서 30 분 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 물에 방출하고, 톨루엔으로 추출 후, 유기층을 농축하고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써 목적 물질인 전하 수송 물질 CT1-8 을 4.3 g 얻었다 (수율 73.8 ％). 또, 얻어진 전하 수송 물질 CT1-8 에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 3 에 나타낸다.

[제조예 2：예시 화합물 CT1-10, CT1-11, CT1-12 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물 (예시 화합물 CT2-10, CT2-11, CT2-12 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물)]

하기 스킴 1-1 에 따라, 제조예 1 에서 사용한 인산에스테르 화합물 C 를 하기 인산에스테르 화합물 D, E 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물 4.5 g (D：E=73：27) 으로 변경한 것 이외에는, 제조예 1 과 동일한 조작을 실시함으로써, 목적의 전하 수송 물질인 CT1-10, CT1-11, CT1-12 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 4.4 g 얻었다 (수율 70.1 ％). 얻어진 위치 이성체 혼합물의 조성 비율은 1H-NMR (핵자기 공명) 을 측정함으로써 결정했다 (조성 비율：CT1-10：CT1-11：CT1-12=54：39：7). 또, 얻어진 위치 이성체 혼합물에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 4 에 나타낸다.

(스킴 1-1)

[화학식 22]

[제조예 3：예시 화합물 CT1-7]

하기 스킴 1-2 에 따라, 제조예 1 에서 사용한 인산에스테르 화합물 C 를 하기 인산에스테르 화합물 F 3.8 g 으로 변경한 것 이외에는, 제조예 1 과 동일한 조작을 실시함으로써, 목적의 전하 수송 물질인 CT1-7 을 4.0 g 얻었다 (수율 71.3 ％). 또, 얻어진 전하 수송 물질 CT1-7 에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 5 에 나타낸다.

(스킴 1-2)

[화학식 23]

[제조예 4：예시 화합물 CT1-37]

THF 100 ㎖ 중에 상기 포르밀 화합물 B 6.0 g 을 주입하고, 용해시켰다. 용해 후, 하기 스킴 1-3 에 따라, 신나밀트리페닐포스포늄클로라이드 (화합물 G) 를 9.2 g 을 첨가하고, 0 ℃ 이하로 용액을 냉각시켰다. 냉각 후, 나트륨메톡시드 28 ％ 메탄올 용액 4.8 g 을 첨가하고, 0 ℃ 이하에서 30 분 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 물에 방출하고, 톨루엔으로 추출 후, 유기층을 농축하고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써 목적 물질인 전하 수송 물질 CT1-37 을 6.3 g 얻었다 (수율 78.6 ％). 또, 얻어진 전하 수송 물질 CT1-37 에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 6 에 나타낸다.

(스킴 1-3)

[화학식 24]

[제조예 5：예시 화합물 CT2-7, CT2-8, CT2-9 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물]

예시 화합물 CT2-7, CT2-8, CT2-9 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 하기 스킴 2 에 따라 제조하였다. 하기에 상세한 조건을 기술한다.

(스킴 2)

[화학식 25]

테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 A 5 g 을 DMF 50 ㎖ 중에 주입하고 60 ℃ 로 승온시켰다. 승온 후, 옥시염화인 4.4 g 을 70 ℃ 이하에서 적하하고, 적하 종료 후 4 h, 65 ℃ ∼ 75 ℃ 의 범위에서 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 강온시키고, 반응액을 물 100 ㎖/톨루엔 100 ㎖ 의 혼합액으로 방출하고, 가수 분해를 실시했다. 가수 분해 후, 유기층을 분취하고, 유기층을 수산화나트륨 수용액 및 물로 유기층이 중성이 될 때까지 세정하고, 유기층을 농축했다. 그리고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써, 포르밀기를 갖는 테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 B 를 4.6 g 얻었다 (수율 83.0 ％).

THF 100 ㎖ 중에 상기 포르밀 화합물 B 4.6 g 과 인산에스테르 유도체인 화합물 C 와 화합물 D 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물 (화합물 C：화합물 D=68：32) 을 4.8 g 주입하고, 용해시켰다. 용해 후, t-부톡시칼륨 2.2 g 을 첨가하고, 실온에서 30 분 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 물에 방출하고, 톨루엔으로 추출 후, 유기층을 농축하고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써 목적 물질인 전하 수송 물질 CT2-7, CT2-8, CT2-9 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 5.4 g 얻었다 (수율 83.1 ％). 얻어진 위치 이성체 혼합물의 조성 비율은, 1H-NMR (핵자기 공명) 을 측정함으로써 결정했다 (조성 비율：CT2-7：CT2-8：CT2-9=47：43：10). 또, 얻어진 위치 이성체 혼합물에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 7 에 나타낸다.

[제조예 6：예시 화합물 CT2-13, CT2-14, CT2-15 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물]

예시 화합물 CT2-13, CT2-14, CT2-15 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 하기 스킴 3 에 따라 제조하였다. 하기에 상세한 조건을 기술한다.

(스킴 3)

[화학식 26]

테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 G 10 g 을 DMF 130 ㎖ 중에 주입하고 60 ℃ 로 승온시켰다. 승온 후, 옥시염화인 20.7 g 을 75 ℃ 이하에서 적하하고, 적하 종료 후 12 h, 70 ℃ ∼ 75 ℃ 의 범위에서 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 강온시키고, 반응액을 물 250 ㎖/톨루엔 250 ㎖ 의 혼합액으로 방출하고, 가수 분해를 실시했다. 가수 분해 후, 유기층을 분취하고, 유기층을 수산화나트륨 수용액 및 물로 유기층이 중성이 될 때까지 세정하고, 유기층을 농축했다. 그리고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써, 포르밀기를 갖는 테트라페닐벤지딘 유도체인 화합물 H 를 8.5 g 얻었다 (수율 77.0 ％).

THF 100 ㎖ 중에 상기 포르밀 화합물 H 4.5 g 과 인산에스테르 유도체인 화합물 C 와 화합물 D 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물 (화합물 C：화합물 D=71：29) 을 4.5 g 주입하고, 용해시켰다. 용해 후, t-부톡시칼륨 2.0 g 을 첨가하고, 실온에서 30 분 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 물에 방출하고, 톨루엔으로 추출 후, 유기층을 농축하고, 농축 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제함으로써 목적 물질인 전하 수송 물질 CT2-13, CT2-14, CT2-15 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 5.5 g 얻었다 (수율 87.7 ％). 얻어진 위치 이성체 혼합물의 조성 비율은 1H-NMR (핵자기 공명) 을 측정함으로써 결정했다 (조성 비율：CT2-13：CT2-14：CT2-15=51：41：8). 또, 얻어진 위치 이성체 혼합물에 대해, Nicolet 사 제조 「Protege 460」 에 의해 측정한 IR 차트를 도 8 에 나타낸다.

＜본 발명의 제 1 양태의 전하 수송 물질을 함유하는 전자 사진 감광체의 작성 및 평가＞

[실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 15：전자 사진 감광체의 평가]

＜전자 사진 감광체 작성 방법＞

2 축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 필름 (두께 75 ㎛) 의 표면에 알루미늄 증착막 (두께 70 ㎚) 을 형성한 도전성 지지체를 사용하고, 그 지지체의 증착층 상에 이하의 언더 코팅층용 분산액을 바 코터에 의해 건조 후의 막두께가 1.25 ㎛ 이하가 되도록 도포하고, 건조시켜 언더 코팅층을 형성했다.

평균 일차 입자경 40 ㎚ 의 루틸형 산화티탄 (이시하라 산업사 제조 「TTO55N」) 과, 그 산화티탄 100 질량％ 에 대해 3 질량％ 의 메틸디메톡시실란 (토시바 실리콘사 제조 「TSL8117」) 을, 고속 유동식 혼합 혼련기 ((주) 가와타사 제조 「SMG300」) 에 투입하고, 회전 주속 34.5 m/초로 고속 혼합하여 얻어진 표면 처리 산화티탄을, 메탄올/1-프로판올의 볼 밀에 의해 분산시킴으로써, 소수화 처리 산화티탄의 분산 슬러리로 했다. 그 분산 슬러리와, 메탄올/1-프로판올/톨루엔의 혼합 용매, 및 ε-카프로락탐 [하기 식 (A) 로 나타내는 화합물]/비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 [하기 식 (B) 로 나타내는 화합물]/헥사메틸렌디아민 [하기 식 (C) 로 나타내는 화합물]/데카메틸렌디카르복실산 [하기 식 (D) 로 나타내는 화합물]/옥타데카메틸렌디카르복실산 [하기 식 (E) 로 나타내는 화합물] 의 조성 몰 비율이, 75 ％/9.5 ％/3 ％/9.5 ％/3 ％ 로 이루어지는 공중합 폴리아미드의 펠릿을 가열하면서 교반, 혼합하여 폴리아미드 펠릿을 용해시킨 후, 초음파 분산 처리를 실시함으로써, 메탄올/1-프로판올/톨루엔의 질량비가 7/1/2 이고, 소수성 처리 산화티탄/공중합 폴리아미드를 질량비 3/1 로 함유하는, 고형분 농도 18.0 ％ 의 언더 코팅층 분산액으로 했다.

[화학식 27]

(전하 발생층의 형성)

전하 발생 물질로서 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정 (도 2 에 나타내는 바와 같이 CuKα 특성 X 선에 대한 X 선 회절 스펙트럼에 있어서 브랙각 (2θ±0.2°) 이 27.2° 에 주된 회절 피크를 나타낸다) 을 사용하였다. 이 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정을 20 질량부를 사용하고, 이것을 1,2-디메톡시에탄 280 질량부와 혼합하고, 샌드 그라인드 밀로 1 시간 분쇄하여 미립화 분산 처리를 실시하여 미세화 처리액을 얻었다. 또, 1,2-디메톡시에탄 253 질량부 및 4-메톡시-4-메틸-2-펜타논 85 질량부의 혼합액에, 폴리비닐부티랄 (덴키 화학 공업 (주) 사 제조, 상품명 「덴카부티랄」＃6000C) 10 질량부를 용해시켜, 바인더액을 조제했다.

상기 서술한 미립화 분산 처리에 의해 얻어진 미세화 처리액, 상기 서술한 바인더액, 및 1,2-디메톡시에탄 230 질량부를 혼합하여, 전하 발생층용 도포액을 조제했다. 이 전하 발생층용 도포액을 상기 도전성 지지체 상의 언더 코팅층 상에 바 코터에 의해 건조 후의 막두께가 0.4 ㎛ 가 되도록 도포하고, 건조시켜 전하 발생층을 형성했다.

(전하 수송층의 형성)

바인더 수지로서 이하에 나타내는 2,2-비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)프로판을 방향족 디올 성분으로 하는 반복 단위 (하기 식 (PA) 로 나타내어지는 단위) 51 몰％ 와, 1,1-비스(4-하이드록시페닐)-1-페닐에탄을 방향족 디올 성분으로 하는 반복 단위 (하기 식 (PB) 로 나타내어지는 단위) 49 몰％ 로 이루어지고, p-t-부틸 페놀에서 유래하는 말단 구조를 갖는 폴리카보네이트 수지 (Mv=30,500) 를 사용하였다. 그리고, 이하에 상세히 서술하는 전하 수송 물질 50 질량부, 바인더 수지 100 질량부, 하기 식 (AOX1) 의 구조를 갖는 산화 방지제 8 질량부, 및 레벨링제로서 실리콘 오일 0.03 질량부를, 테트라하이드로푸란/톨루엔 (질량비 8/2) 혼합 용매 640 질량부에 용해시켜 전하 수송층용 도포액을 조정했다.

[화학식 28]

얻어진 전하 수송층용 도포액을 상기 서술한 전하 발생층 상에 건조 후의 막두께가 25 ㎛ 가 되도록 도포하고, 적층형 감광층을 갖는 전자 사진 감광체를 얻었다.

이상의 공정을 얻어, 적층형 감광층을 갖는 실시예 1 ∼ 4, 비교예 1 ∼ 9 의 전자 사진 감광체 (감광체 번호：감광체 A ∼ D, 감광체 RA ∼ RI) 를 각각 제조했지만, 비교예 7 ∼ 9 는 모두 전하 수송층용 도포액 조정 단계에서 전하 수송 물질이 완전히 용해되지 않았기 때문에, 전하 수송층을 깨끗이 성막할 수 없어 감광체를 제조할 수 없었다. 각 전자 사진 감광체에 사용한 전하 수송 물질의 내역은 이하와 같다.

감광체 A (실시예 1)

제조예 1 에서 제조한 CT1-8 을 전하 수송 물질로서 사용했다.

[화학식 29]

감광체 B (실시예 2)

제조예 2 에서 제조한 CT1-10, CT1-11, CT1-12 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 전하 수송 물질로서 사용했다. (위치 이성체 혼합물 조성 비율：CT1-10：CT1-11：CT1-12=54：39：7)

[화학식 30]

감광체 C (실시예 3)

제조예 3 에서 제조한 CT1-7 을 전하 수송 물질로서 사용했다.

[화학식 31]

감광체 D (실시예 4)

제조예 4 에서 제조한 CT1-37 을 전하 수송 물질로서 사용했다.

[화학식 32]

감광체 RA (비교예 1)

하기 구조식 (RC1) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2006-8670호의 실시예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 33]

감광체 RB (비교예 2)

하기 구조식 (RC2) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 평7-36203호의 제조예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 34]

감광체 RC (비교예 3)

하기 구조식 (RC3) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2002-80432호의 실시예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 35]

감광체 RD (비교예 4)

하기 구조식 (RC4) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 36]

감광체 RE (비교예 5)

하기 구조식 (RC5) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2008-83105호의 합성예 4 에 기초하여 합성)

[화학식 37]

감광체 RF (비교예 6)

하기 구조식 (RC6) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 38]

감광체 RG (비교예 7)

하기 구조식 (RC7) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 39]

감광체 RH (비교예 8)

하기 구조식 (RC8) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 40]

감광체 RI (비교예 9)

하기 구조식 (RC9) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 41]

＜전자 사진 감광체의 평가＞

실시예 1 ∼ 4, 비교예 1 ∼ 6 의 전자 사진 감광체를, 전자 사진 학회 표준에 따라 제조된 전자 사진 특성 평가 장치 (「속 전자 사진 기술의 기초와 응용」, 전자 사진 학회편, 코로나사, 404 ∼ 405 페이지 기재) 에 장착하고, 이하의 순서에 따라 대전, 노광, 전위 측정, 제전의 사이클을 실시함으로써, 전기 특성 평가를 실시했다.

온도 25 ℃, 습도 50 ％ 의 조건하, 감광체의 초기 표면 전위가 -700 V 가 되도록 대전시키고, 할로겐 램프의 광을 간섭 필터로 780 ㎚ 의 단색광으로 한 것을 조사하여, 표면 전위가 -350 V 가 될 때의 조사 에너지 (반감 노광 에너지) 를 감도로서 측정했다 (단위：μJ/㎠). 또, 감광체의 초기 표면 전위가 -700 V 가 되도록 대전시키고, 0.6 μJ/㎠ 의 조사 에너지로 노광 후에 측정한 표면 전위 (단위：-V) 를 잔류 전위로 했다. 그리고, 초기 표면 전위를 -700 V 로 한 후, 어두운 곳에서 5 초간 방치한 후의 표면 전위를 측정하여, 그 차이를 암감쇠 (단위：V) 로 했다.

측정 결과를 표-1 에 나타낸다.

＜내오존 특성의 평가＞

오존 노출 시험 방법을 이하에 기술한다. 카와구치 전기사 제조 EPA 8200 을 사용하여, 실시예 3, 비교예 5 에서 얻어진 감광체를 코로트론 대전기에 25 ㎂ 의 전류를 인가하여 대전시키고, 그 대전값을 V1 로 했다. 그 후, 이들 감광체에 150 ∼ 200 ppm 농도의 오존을 1 일 3 ∼ 5 시간, 2 일간 노출시키고, 노출 후에 동일하게 대전값을 측정하여, 이 값을 V2 로 했다. 표-2 에 오존 노출 전후의 대전 유지율 (V2/V1×100) (％) 을 나타냈다.

표-1 및 표-2 의 결과로부터, 본 발명의 제 1 양태의 전하 수송 물질은 전하 수송층 도포용의 도포 용매에 대한 용해성이 높고, 성막성 양호하여, 본 발명 범위 내인 전하 수송 물질을 사용한 경우에, 고감도이고, 게다가 낮은 잔류 전위를 나타내며, 또한, 공지된 동일한 잔류 전위를 나타내는 감광체와 비교하여 오존 노출에 대한 내성이 높아, 고기능의 감광체를 제공하는 것이 가능하다는 것을 알 수 있었다.

이하에 기술하는 변경 이외에는 상기 감광체 A 와 동일한 공정을 얻어, 적층형 감광층을 갖는 실시예 5 ∼ 8, 비교예 10 ∼ 15 의 전자 사진 감광체 (감광체 번호：감광체 E ∼ H, 감광체 RJ ∼ RO) 를 각각 제조하였다.

감광체 E (실시예 5)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 하기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 E 를 제조하였다.

[화학식 42]

감광체 F (실시예 6)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 F 를 제조하였다.

감광체 G (실시예 7)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 G 를 제조하였다.

감광체 H (실시예 8)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 H 를 작성했다.

감광체 RJ (비교예 10)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 1 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RJ 를 제조하였다.

감광체 RK (비교예 11)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 2 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RK 를 제조하였다.

감광체 RL (비교예 12)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 3 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RL 을 제조하였다.

감광체 RM (비교예 13)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 4 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RM 을 제조하였다.

감광체 RN (비교예 14)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 4 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RN 을 제조하였다.

감광체 RO (비교예 15)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액을 작성할 때에, 전하 수송 물질로서 하기 식 (RC10) 의 화합물을 사용하고, 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 RO 를 제조하였다.

[화학식 43]

실시예 5 ∼ 8, 비교예 10 ∼ 15 의 전자 사진 감광체를 상기 ＜전자 사진 감광체의 평가＞에 따라 평가를 실시한 결과를, 표-3 에 나타낸다.

표-3 의 결과로부터, 본 발명의 제 1 양태의 전하 수송 물질을 사용한 경우에, 전하 수송층에 사용하는 바인더 수지에 의존하는 일 없이, 고감도이며, 또한 낮은 잔류 전위를 나타내는 고기능의 감광체를 제공하는 것이 가능한 것이 분명해졌다.

＜본 발명의 제 2 양태의 전하 수송 물질을 함유하는 전자 사진 감광체의 작성 및 평가＞

[실시예 9 ∼ 14, 비교예 16 ∼ 26：전자 사진 감광체의 평가]

＜전자 사진 감광체 작성 방법＞

상기 본 발명의 제 1 양태의 전하 수송 물질을 함유하는 전자 사진 감광체의 작성과 동일한 공정을 얻어, 적층형 감광층을 갖는 실시예 9 ∼ 11, 비교예 16 ∼ 22 의 전자 사진 감광체 (감광체 번호：감광체 I ∼ K, 감광체 QA ∼ QG) 를 각각 제조했지만, 비교예 20 ∼ 22 는 모두 전하 수송층용 도포액 조정 단계에서 전하 수송 물질이 완전히 용해되지 않았기 때문에, 감광체를 제조할 수 없었다. 각 전자 사진 감광체에 사용한 전하 수송 물질의 내역은 이하와 같다.

감광체 I (실시예 9)

하기 구조식 (CT2-7) ∼ (CT2-9) 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 전하 수송 물질로서 사용했다. (위치 이성체 혼합물 조성 비율：CT2-7：CT2-8：CT2-9=47：43：10)

[화학식 44]

감광체 J (실시예 10)

하기 구조식 (CT2-10) ∼ (CT2-12) 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 전하 수송 물질로서 사용했다. (위치 이성체 혼합물 조성 비율：CT2-10：CT2-11：CT2-12=54：39：7)

[화학식 45]

감광체 K (실시예 11)

하기 구조식 (CT2-13) ∼ (CT2-15) 로 이루어지는 위치 이성체 혼합물을 전하 수송 물질로서 사용했다. (위치 이성체 혼합물 조성 비율： CT2-13：CT2-14：CT2-15=51：41：8)

[화학식 46]

감광체 QA (비교예 16)

하기 구조식 (D) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2006-8670호의 실시예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 47]

감광체 QB (비교예 17)

하기 구조식 (E) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 평7-36203호의 제조예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 48]

감광체 QC (비교예 18)

하기 구조식 (F) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2002-80432호의 실시예 1 에 기초하여 합성)

[화학식 49]

감광체 QD (비교예 19)

하기 구조식 (G) 의 전하 수송 물질을 사용했다. (일본 공개특허공보 2008-83105호의 합성예 4 에 기초하여 합성)

[화학식 50]

감광체 QE (비교예 20)

하기 구조식 (H) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 51]

감광체 QF (비교예 21)

하기 구조식 (I) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 52]

감광체 QG (비교예 22)

하기 구조식 (J) 의 전하 수송 물질을 사용했다.

[화학식 53]

＜전자 사진 감광체의 평가＞

실시예 9 ∼ 11, 비교예 16 ∼ 19 의 전자 사진 감광체를, 전자 사진 학회 표준에 따라 제조된 전자 사진 특성 평가 장치 (「속 전자 사진 기술의 기초와 응용」, 전자 사진 학회편, 코로나사, 404 ∼ 405 페이지 기재) 에 장착하고, 이하의 순서에 따라 대전, 노광, 전위 측정, 제전의 사이클을 실시함으로써, 전기 특성 평가를 실시했다.

온도 25 ℃, 습도 50 ％ 의 조건하, 감광체의 초기 표면 전위가 -700 V 가 되도록 대전시키고, 할로겐 램프의 광을 간섭 필터로 780 ㎚ 의 단색광으로 한 것을 조사하여, 표면 전위가 -350 V 가 될 때의 조사 에너지 (반감 노광 에너지) 를 감도로서 측정했다 (단위：μJ/㎠). 또, 감광체의 초기 표면 전위가 -700 V 가 되도록 대전시키고, 0.6μJ/㎠ 의 조사 에너지로 노광 후에 측정한 표면 전위 (단위：-V) 를 잔류 전위로 했다. 그리고, 초기 표면 전위를 -700 V 로 한 후, 어두운 곳에서 5 초간 방치한 후의 표면 전위를 측정하고, 그 차이를 암감쇠 (단위：V) 로 했다.

측정 결과를 표-4 에 나타낸다.

표-4 의 결과로부터, 본 발명의 제 2 양태의 전하 수송 물질은 전하 수송층용의 도포 용매에 대한 용해성이 매우 높고, 성막성 양호하여, 본 발명 범위 내인 전하 수송 물질을 사용한 경우에, 고감도이고, 암감쇠도 적고 대전성도 양호하며, 또한 낮은 잔류 전위를 나타내는 고기능의 감광체를 제공하는 것이 가능하다는 것을 알 수 있었다.

이하에 기술하는 변경 이외에는 상기 감광체 I 와 동일한 공정을 얻어, 적층형 감광층을 갖는 실시예 12 ∼ 14, 비교예 23 ∼ 26 의 전자 사진 감광체 (감광체 번호：감광체 L ∼ N, 감광체 QH ∼ QK) 를 각각 제조하였다.

감광체 L (실시예 12)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 하기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 L 을 제조하였다.

[화학식 54]

감광체 M (실시예 13)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 10 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 M 을 제조하였다.

감광체 N (실시예 14)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 11 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 N 을 제조하였다.

감광체 QH (비교예 23)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 16 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 QH 를 제조하였다.

감광체 QI (비교예 24)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 17 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 QI 를 제조하였다.

감광체 QJ (비교예 25)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 18 과 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 QJ 를 제조하였다.

감광체 QK (비교예 26)

상기 ＜전자 사진 감광체 작성 방법＞ 중의 전하 수송층용 도포액의 바인더 수지를 상기 구조식 (PC) 를 갖는 폴리아릴레이트 수지 (Mv=40,500) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 19 와 동일한 조작을 실시함으로써, 감광체 QK 를 제조하였다.

실시예 12 ∼ 14, 비교예 23 ∼ 26 의 전자 사진 감광체를 상기 ＜전자 사진 감광체의 평가＞ 에 따라 평가를 실시한 결과를, 표-5 에 나타낸다.

표-5 의 결과로부터, 본 발명의 제 2 양태의 전하 수송 물질을 사용한 경우에, 전하 수송층에 사용하는 바인더 수지에 의존하는 일 없이, 고감도이고, 암감쇠도 적고 대전성도 양호하며, 또한 낮은 잔류 전위를 나타내는 고기능의 감광체를 제공하는 것이 가능한 것이 분명해졌다.

본 발명을 상세하게 또 특정 실시형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하는 일 없이 여러 가지 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에게 있어 분명하다. 본 출원은, 2011년 3월 4일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2011-047684), 2011년 3월 4일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2011-047685) 에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.

산업상 이용가능성

본 발명의 전하 수송 물질은, 유기 일렉트로 루미네센스용, 전자 사진 감광체용, 유기 태양 전지용 등의 전하 수송 재료를 사용하는 기술 분야에 바람직하게 사용할 수 있다.

1 : 전자 사진 감광체 (감광체)
2 : 대전 장치 (대전 롤러；대전부)
3 : 노광 장치 (노광부)
4 : 현상 장치 (현상부)
5 : 전사 장치
6 : 클리닝 장치
7 : 정착 장치
41 : 현상조
42 : 애지테이터
43 : 공급 롤러
44 : 현상 롤러
45 : 규제 부재
71 : 상부 정착 부재 (정착 롤러)
72 : 하부 정착 부재 (정착 롤러)
73 : 가열 장치
T : 토너
P : 기록지 (용지, 매체)

Claims

도전성 지지체 상에 적어도 감광층을 갖는 전자 사진 감광체로서, 상기 감광층 중에 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물의 위치 이성체의 혼합물을 함유하고,
상기 위치 이성체의 혼합물이, 식 (2) 내의 알콕시기 -OR⁹ 및 -OR¹⁰ 의 치환 위치가 스티릴 기에 대하여 o(R⁹)-o(R¹⁰), o(R⁹)-p(R¹⁰) 또는 p(R⁹)-p(R¹⁰) 인 위치 이성체 (여기서, o 는 스티릴 기에 대한 오르토 위치를 나타내며 p 는 스티릴 기에 대한 파라 위치를 나타냄) 중 2 이상의 위치 이성체로 이루어지는 혼합물인, 전자 사진 감광체.
식 (2)

(식 (2) 중, R⁹ ∼ R¹⁰ 은 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, R¹¹ ∼ R¹⁷ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기를 나타낸다. n₂ 는 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, l 및 m 은 각각 독립적으로 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다.)
제 1 항에 있어서,
상기 혼합물이 적어도 p(R⁹)-p(R¹⁰) 인 위치 이성체를 포함하는, 전자 사진 감광체.
제 1 항에 있어서,
상기 혼합물이 o(R⁹)-o(R¹⁰), o(R⁹)-p(R¹⁰) 및 p(R⁹)-p(R¹⁰) 인 위치 이성체로 이루어지는, 전자 사진 감광체.
제 2 항에 있어서,
상기 혼합물 중에 p(R⁹)-p(R¹⁰) 인 위치 이성체가 가장 많이 포함되는, 전자 사진 감광체.
제 2 항에 있어서,
상기 혼합물 중에 p(R⁹)-p(R¹⁰) 인 위치 이성체가 35 % 이상 75 % 이하로 포함되는, 전자 사진 감광체.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한항에 있어서,
상기 감광층 중에 CuKα 특성 X 선에 의한 분말 X 선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 (2θ±0.2˚) 이 적어도 24.1° 및 27.2° 에 회절 피크를 나타내는 결정형의 옥시티타늄 프탈로시아닌을 함유하는, 전자 사진 감광체.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한항에 기재된 전자 사진 감광체, 그리고, 상기 전자 사진 감광체를 대전시키는 대전 장치, 대전한 상기 전자 사진 감광체를 노광시켜 정전 잠상을 형성하는 노광 장치, 및 상기 전자 사진 감광체 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 장치로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 구비한, 전자 사진 감광체 카트리지.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한항에 기재된 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체를 대전시키는 대전 장치, 대전한 상기 전자 사진 감광체를 노광시켜 정전 잠상을 형성하는 노광 장치, 및 상기 전자 사진 감광체 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 장치를 구비한, 화상 형성 장치.