KR101639928B1 - 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 1166
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 597
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 399
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 192
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 179
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 138
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000891579 Homo sapiens Microtubule-associated protein tau Proteins 0.000 description 2
- 102100040243 Microtubule-associated protein tau Human genes 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010627 cedar oil Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
Description
도 2 는 노즐 부재 근방을 나타내는 개략 사시도이다.
도 3 은 노즐 부재를 하측에서 본 사시도이다.
도 4 는 노즐 부재 근방을 나타내는 측단면도이다.
도 5(a) 및 5(b) 는 제 2 액침 기구를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은 제 1 엘리먼트의 제 2 면을 나타내는 평면도이다.
도 7 은 제 2 액침 기구에 의한 제 2 액체의 회수 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8(a) 및 8(b) 는 본 발명에 관련된 제 1 액침 기구의 액체 회수 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9(a) 및 9(b) 는 액체 회수 동작의 비교예를 나타내는 모식도이다.
도 10 은 제 1 엘리먼트의 변형예를 나타내는 모식도이다.
도 11 은 노즐 부재의 변형예를 하측에서 본 사시도이다.
도 12 는 본 발명의 별도 실시형태를 나타내는 요부 단면도이다.
도 13 은 본 발명의 별도 실시형태를 나타내는 요부 단면도이다.
도 14 는 본 발명의 별도 실시형태를 나타내는 요부 단면도이다.
도 15 는 반도체 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우차트도이다.
도 16 은 본 발명의 별도 실시형태에 있어서의 제 1 액체 회수 기구의 회수 동작을 설명하기 위한 도면이다.
2; 제 2 액침 기구
10; 제 1 액체 공급 기구
12; 제 1 공급구
20; 제 1 액체 회수 기구
22; 제 1 회수구
25; 다공 부재
26; 경사면
30; 제 2 액체 공급 기구
32; 제 2 공급구
40; 제 2 액체 회수 기구
42; 제 2 회수구
71D, 72D; 바닥판부 (판형상 부재)
74; 개구부
75; 랜드면 (평탄부)
76; 벽부
91; 제 1 지지부
92; 제 2 지지부
AR; 투영 영역
AR'; 소정 영역
AX; 광축
EL; 노광광
EX; 노광 장치
HR1; 제 1 영역
HR2; 제 2 영역
LQ1; 제 1 액체
LQ2; 제 2 액체
LR1; 제 1 액침 영역
LR2; 제 2 액침 영역
LS1∼LS7; 광학 소자 (엘리먼트)
LS1; 제 1 광학 소자 (제 1 엘리먼트)
LS2; 제 2 광학 소자 (제 2 엘리먼트)
P; 기판
PK; 경통 (지지 부재)
PL; 투영 광학계
T1; 하면 (제 1 면)
T2; 상면 (제 2 면)
T3; 하면
Claims (81)
- 기판의 표면의 일부를 덮는 액침 영역을 제 1 액체로 형성함과 함께, 상기 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 상기 액침 영역을 형성하고 있는 상기 제 1 액체를 통해서 기판 상에 노광광을 조사하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
이미지면에 가장 가까운 제 1 엘리먼트와 상기 제 1 엘리먼트 다음으로 상기 이미지면에 가까운 제 2 엘리먼트를 포함하는 복수의 엘리먼트를 갖는 투영 광학계와,
상기 노광광이 통과하는 개구를 갖고, 상기 투영 광학계의 선단부를 둘러싸도록 배치된 노즐 부재를 구비하고,
상기 제 1 엘리먼트는, 상기 기판의 표면과 대향하도록 배치된 제 1 면과, 상기 제 2 엘리먼트와 대향하도록 배치된 제 2 면을 갖고,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 제 2 면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면의 외경보다 크고,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면과 대향하는 상기 제 2 엘리먼트의 하면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면의 외경보다 크고,
상기 제 2 엘리먼트의 상기 하면 내의 영역을 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면을 향하여 상기 노광광이 통과 가능하고,
상기 제 1 엘리먼트와 상기 기판 사이의 제 1 액체를 통해서 상기 기판 상에 상기 노광광이 조사되어 상기 기판이 노광되는 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트는, 상기 제 1 면의 단부로부터 상방으로, 또한 상기 제 1 엘리먼트의 광축으로부터 멀어지도록 연장되는 제 1 외면과, 상기 제 1 외면의 상단부로부터 상기 광축으로부터 멀어지도록 연장되는 제 2 외면을 갖고,
상기 노즐 부재는, 상기 제 1 외면의 일부와 대향하는 내측면을 갖는 노광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 외면은, 상기 광축에 대하여 수직인 노광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 광축과 평행한 방향에 있어서, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 1 면의 거리는, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 2 면의 거리보다 큰 노광 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 광축과 평행한 방향에 있어서, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 1 면의 거리는, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 2 면의 거리보다 큰 노광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 지지 부재를 구비하고,
상기 지지 부재는, 상기 노즐 부재의 상기 내측면보다 상방에서 상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 제 2 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 지지 부재를 구비하고,
상기 지지 부재는, 상기 노즐 부재의 상기 내측면보다 상방에서 상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 제 2 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 지지 부재를 구비하고,
상기 지지 부재는, 상기 노즐 부재의 상기 내측면보다 상방에서 상기 제 1 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 제 2 엘리먼트를 지지하는 노광 장치. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면의 외경의 2 배 이상인 노광 장치. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 광축 상에서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면과 상기 제 2 면의 거리는 15 ㎜ 이상인 노광 장치. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 개구의 주위에 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 평탄부를 갖는 노광 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 액체 공급구를 갖고,
상기 액체 공급구는, 상기 개구에 대하여 상기 평탄부의 외측에 배치되어 있는 노광 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 액체 회수구를 갖고,
상기 액체 회수구는, 상기 개구를 둘러싸도록 배치되어 있는 노광 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 액체 공급구를 갖고,
상기 액체 공급구는, 상기 액체 회수구와 상기 평탄부 사이에 배치되어 있는 노광 장치. - 기판을 주사 방향으로 이동시키면서, 이미지면에 가장 가까운 제 1 엘리먼트와 상기 제 1 엘리먼트 다음으로 상기 이미지면에 가까운 제 2 엘리먼트를 포함하는 복수의 엘리먼트를 갖는 투영 광학계, 및 제 1 액체를 통해서 상기 기판 상에 노광광을 조사하여 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
상기 노광광은, 상기 투영 광학계의 선단부를 둘러싸도록 배치된 노즐 부재에 형성된 개구를 통과하고,
상기 제 1 엘리먼트는, 상기 기판의 표면과 대향하도록 배치된 제 1 면과, 상기 제 2 엘리먼트와 대향하도록 배치된 제 2 면을 갖고,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 제 2 면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면의 외경보다 크고,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면과 대향하는 상기 제 2 엘리먼트의 하면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면의 외경보다 크고,
상기 제 1 엘리먼트의 제 1 면과 상기 기판 사이에서 상기 제 1 액체를 가져오고, 상기 제 1 액체로 상기 기판의 표면의 일부를 덮는 액침 영역을 형성하고,
상기 제 2 엘리먼트의 상기 하면 내의 영역을 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면을 향하여 상기 노광광이 통과 가능하고,
상기 액침 영역을 형성하고 있는 상기 제 1 액체를 통해서 상기 기판 상에 상기 노광광을 조사하여 상기 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트는, 상기 제 1 면의 단부로부터 상방으로, 또한 상기 제 1 엘리먼트의 광축으로부터 멀어지도록 연장되는 제 1 외면과, 상기 제 1 외면의 상단부로부터 상기 광축으로부터 멀어지도록 연장되는 제 2 외면을 갖고,
상기 노즐 부재는, 상기 제 1 외면의 일부와 대향하는 내측면을 갖는 노광 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 제 2 외면은, 상기 광축에 대하여 수직인 노광 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 광축과 평행한 방향에 있어서, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 1 면의 거리는, 상기 제 1 외면의 상기 상단부와 상기 제 2 면의 거리보다 큰 노광 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 제 1 엘리먼트는, 상기 노즐 부재의 상기 내측면보다 상방에서 지지 부재로 지지되는 노광 방법. - 제 22 항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 제 2 엘리먼트를 지지하는 노광 방법. - 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주사 방향에 있어서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 2 면의 외경은, 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면의 외경의 2 배 이상인 노광 방법. - 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 광축 상에서의 상기 제 1 엘리먼트의 상기 제 1 면과 상기 제 2 면의 거리는 15 ㎜ 이상인 노광 방법. - 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 개구의 주위에 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 평탄부를 갖는 노광 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 액체 공급구를 갖고,
상기 액체 공급구는, 상기 개구에 대하여 상기 평탄부의 외측에 배치되어 있는 노광 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 액체 회수구를 갖고,
상기 액체 회수구는, 상기 개구를 둘러싸도록 배치되어 있는 노광 방법. - 제 28 항에 있어서,
상기 노즐 부재는, 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 액체 공급구를 갖고,
상기 액체 공급구는, 상기 액체 회수구와 상기 평탄부 사이에 배치되어 있는 노광 방법. - 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 것과,
노광된 상기 기판을 처리하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법. - 삭제
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-172568 | 2004-06-10 | ||
JP2004172568 | 2004-06-10 | ||
PCT/JP2005/010484 WO2005122220A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137003364A Division KR101505756B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157009089A Division KR101700546B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140114461A KR20140114461A (ko) | 2014-09-26 |
KR101639928B1 true KR101639928B1 (ko) | 2016-07-14 |
Family
ID=35503357
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157009089A KR101700546B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020137028625A KR101577515B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020147024616A KR101639928B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020177001778A KR20170010906A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020067026607A KR20070026603A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020127004814A KR20120026639A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020137003364A KR101505756B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157009089A KR101700546B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020137028625A KR101577515B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177001778A KR20170010906A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020067026607A KR20070026603A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020127004814A KR20120026639A (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020137003364A KR101505756B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20080068567A1 (ko) |
EP (3) | EP3067750B1 (ko) |
JP (1) | JP5287948B2 (ko) |
KR (7) | KR101700546B1 (ko) |
CN (2) | CN100570822C (ko) |
HK (2) | HK1225811A1 (ko) |
IL (1) | IL179936A0 (ko) |
SG (1) | SG153820A1 (ko) |
TW (4) | TW201729012A (ko) |
WO (1) | WO2005122220A1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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-
2005
- 2005-06-08 KR KR1020157009089A patent/KR101700546B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 KR KR1020137028625A patent/KR101577515B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 KR KR1020147024616A patent/KR101639928B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 KR KR1020177001778A patent/KR20170010906A/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 CN CNB2005800231607A patent/CN100570822C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 SG SG200903982-7A patent/SG153820A1/en unknown
- 2005-06-08 KR KR1020067026607A patent/KR20070026603A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-06-08 EP EP16164839.9A patent/EP3067750B1/en active Active
- 2005-06-08 EP EP16164837.3A patent/EP3067749B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-08 EP EP05748985A patent/EP1768171A4/en not_active Withdrawn
- 2005-06-08 WO PCT/JP2005/010484 patent/WO2005122220A1/ja active Application Filing
- 2005-06-08 KR KR1020127004814A patent/KR20120026639A/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 CN CN2009102071284A patent/CN101685269B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 US US11/628,507 patent/US20080068567A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-08 KR KR1020137003364A patent/KR101505756B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-10 TW TW106113612A patent/TW201729012A/zh unknown
- 2005-06-10 TW TW104131123A patent/TWI598700B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-10 TW TW094119275A patent/TWI412895B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-10 TW TW102119739A patent/TWI516875B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-12-10 IL IL179936A patent/IL179936A0/en unknown
-
2011
- 2011-07-26 JP JP2011163078A patent/JP5287948B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-18 US US14/057,627 patent/US9411247B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-08-03 US US15/227,533 patent/US20160363870A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-07 HK HK16113959A patent/HK1225811A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-12-07 HK HK16113958A patent/HK1225810B/zh not_active IP Right Cessation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20140902 Application number text: 1020137003364 Filing date: 20130208 |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20140912 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20141008 Patent event code: PE09021S01D |
|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20150408 Application number text: 1020137003364 Filing date: 20130208 |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20150804 Patent event code: PE09021S02D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20160511 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20160708 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20160708 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190618 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190618 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20210419 |