KR100890497B1 - 화상 표시 장치 - Google Patents

화상 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100890497B1
KR100890497B1 KR1020020048807A KR20020048807A KR100890497B1 KR 100890497 B1 KR100890497 B1 KR 100890497B1 KR 1020020048807 A KR1020020048807 A KR 1020020048807A KR 20020048807 A KR20020048807 A KR 20020048807A KR 100890497 B1 KR100890497 B1 KR 100890497B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
sampling
driving
voltage
scan
Prior art date
Application number
KR1020020048807A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030051167A (ko
Inventor
미까미요시로
오우찌다까유끼
아끼모또하지메
사또도시히로
Original Assignee
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Publication of KR20030051167A publication Critical patent/KR20030051167A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100890497B1 publication Critical patent/KR100890497B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0261—Improving the quality of display appearance in the context of movement of objects on the screen or movement of the observer relative to the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

전원 배선에 의한 전압 강하가 발생해도 화질의 저하를 억제할 수 있다. 주사 신호에 응답하여 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b)가 온 상태가 되면, 신호 배선(3)으로부터의 신호 전압이 샘플링 용량(5)에 유지되어 신호 전압이 기입된다. 이 때 공통 전극(4)을 기준으로 하여 샘플링 용량(5)에 신호 전압이 유지되고, 주사 신호가 하이 레벨로부터 로우 레벨로 이행하면 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b)가 오프 상태가 되어, 샘플링 용량(5)이 신호 배선(3)과 구동 TFT(7)로부터 전기적으로 절연된 플로팅 상태로 된다. 그 후, 주사 신호가 하이 레벨로부터 로우 레벨로 되면 각 구동 스위치(21a, 21b)가 도통하여 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 샘플링 용량(5)에 유지된 신호 전압이 그대로 바이어스 전압으로서 인가되어, 구동 TFT(7)가 도통하여 유기 LED(9)가 발광한다.
샘플링, 화질, 화상, 전압 강하, 화상 표시, 용량, 바이어스

Description

화상 표시 장치{IMAGE DISPLAY DEVICE}
도 1은 본 발명에 따른 화상 표시 장치의 기본 구성을 설명하기 위한 구성도.
도 2는 화소의 구동 원리를 설명하기 위한 회로도.
도 3은 화소 구동 회로의 동작을 설명하기 위한 회로 구성도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 5는 도 4에 도시한 화소의 작용을 설명하기 위한 타임차트.
도 6은 본 발명의 제2 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 7은 본 발명의 제3 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 8은 본 발명의 제4 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 9는 도 8에 도시한 회로의 동작을 설명하기 위한 타임차트.
도 10은 싱글 게이트와 더블 게이트의 특성을 설명하기 위한 특성도.
도 11은 도 8에 도시한 화소의 레이아웃예를 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 제5 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 13은 본 발명의 제6 실시예를 도시하는 화소의 회로 구성도.
도 14는 도 13에 도시한 화소의 레이아웃예를 도시하는 도면.
도 15는 도 14의 A-B선을 따라 절취한 단면도.
도 16은 도 13에 도시한 화소의 다른 마스크 패턴의 레이아웃예를 도시하는 도면.
도 17은 도 16의 A-B선을 따라 절취한 단면도.
도 18은 본 발명에 따른 화상 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 구성도.
도 19는 기준 제어 배선 구동 회로의 회로 구성도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 샘플링 TFT
2 : 주사 배선
3 : 신호 배선
4 : 공통 전극
5 : 샘플링 용량
7 : 구동 TFT
8 : 배선 저항
9 : 유기 LED
10 : 공통 배선 저항
11 : 공통 전원
12 : 전원
20a : 주 샘플링 스위치 소자
20b : 보조 샘플링 스위치 소자
21a : 주 구동 스위치 소자
21b : 보조 구동 스위치 소자
본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것으로, 특히 전류 구동 가능한 표시 소자, 특히 유기 LED(Light Emitting Diode)를 이용하여 화상을 표시하기에 적합한 발광형 화상 표시 장치에 관한 것이다.
화상 표시 장치로서, 유기 EL을 이용한 평면형 화상 표시 장치가 알려져 있다. 이러한 종류의 화상 표시 장치에서는 고휘도 액티브 매트릭스 표시를 실현하기 위해서, 예를 들면, 에스아이디 99 테크니컬 다이제스트 제372 페이지∼제375 페이지에 기재된 바와 같이 저온 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)를 이용한 구동 방식이 채용되고 있다. 이 구동 방식을 채용함에 있어서는, 화소 구조로서, 주사 배선과, 신호 배선과, EL 전원 배선 및 용량 기준 전압 배선을 각각 교차하도록 배치하는 구조가 채용되고 있으며, EL을 구동하기 위해서 n형의 주사 TFT와 스토리지 컨덴서를 이용한 신호 전압의 유지 회로가 형성되어 있다. 유지 회로에 유지된 신호 전압은 화소에 형성된 p 채널의 구동용 TFT의 게이트에 인가되어, 구동용 TFT의 소스·드레인 단자 간의 주 회로의 컨덕턴스, 즉 소스·드레인 간의 저항치를 제어하도록 되어 있다. 이 경우 EL 전원 배선으로부터 구동용 TFT의 소스·드레인 단자와, 유기 EL 소자가 상호 직렬로 접속되고 LED 공통 배선에 접속되어 있다.
이와 같이 구성된 화소를 구동함에 있어서는, 주사 배선으로부터 화소 선택 펄스를 인가하고, 주사 TFT를 통해 신호 전압을 스토리지 컨덴서에 기입하여 유지한다. 이 유지한 신호 전압을 구동용 TFT의 게이트 단자에 인가하고, 전원 배선에 접속한 소스 전압과 드레인 전압으로 결정되는 구동용 TFT의 컨덕턴스에 따라 드레인 전류를 제어하고, 결과적으로, EL 소자의 구동 전류를 제어하여 표시 휘도를 제어하도록 되어 있다. 이 경우, 화소에서는 전압 강하에 수반하는 전원 배선에, 구동용 트랜지스터의 소스 전극이 접속되어 있으며, 드레인 전극에는 유기 LED 소자의 일단이 접속되고, 유기 LED의 타단은 전체 화소에 공통된 공통 전극에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터의 게이트에는 신호 전압이 인가되어 있으며, 신호 전압과 소스 전압과의 차전압에 의해 트랜지스터의 동작점이 제어되어, 계조 표시를 실현하고 있다.
그러나, 상술한 구성에서 대형 패널을 구성하고자 하면, 패널 중앙부의 화소를 구동하는 전압이 패널 단부의 화소를 구동하는 전압보다 저하된다. 즉, 유기 LED 소자는 전류 구동이므로, 전원으로부터 LED 공통 배선을 통해 패널 중앙부의 화소에 전류를 공급하면, 배선 저항에 의해 전압 강하가 생겨, 패널 중앙부의 화소를 구동하는 전압이 낮아진다. 이 전압 강하는 배선의 길이 및 배선에 접속된 화소의 표시 상태에 의해 영향받기 때문에, 표시 내용에 의해서도 변화한다.
또한, 화소의 구동 트랜지스터의 동작점은 LED 공통 배선에 접속된 구동 트랜지스터의 소스 전압의 변동에 따라 크게 변화하고, LED를 구동하는 전류는 크게 변동한다. 이 전류의 변동은 표시의 휘도 변동, 즉 표시 얼룩, 휘도의 불균일을 발생시키는 원인이 되고, 또한 컬러 표시에 있어서는 컬러 밸런스의 면내 불균일로 서 표시 불량의 원인이 된다.
따라서, 배선 저항을 저감하고, 배선의 전압 강하를 개선하도록 한 것으로서, 예를 들면, 특개2001-100655호 공보에 제안되어 있다. 이 공보에 기재된 바에 따르면, 패널 전면에, 화소별 개구부를 포함하는 도전성의 차광막을 배치하고, 전원 공통선과 접속함으로써, 배선 저항을 낮추어 표시의 균일성을 향상시키고 있다.
그러나, 상기 공보에 기재된 것에 있어서는, 화소부에서, 유기 LED를 구동하는 트랜지스터의 기준 전압이 되는 소스 전극은 패널에 공통된 LED 공통 전극에 접속되어 있으므로, 소스 전극과 공통 전극 사이에서 어느 정도의 전압 강하가 일어난다. 이 때문에, 가령 동일한 신호 전압을 인가해도, 트랜지스터의 동작점을 결정하는 게이트·소스간 전압은 소스 전압의 변화에 따라 변화하여, 표시의 불균일성을 제거하는 것이 곤란하다.
또한, 이 시스템에 있어서는 전류를 제어하기 위해서는 동일한 신호 전압을 인가해도 EL을 구동하는 구동용 TFT의 임계치, 온 저항이 변동하면, EL의 구동 전류가 변화하는 성질이 있어, 변동이 적게 특성이 갖춰진 TFT가 필요하다. 그러나, 이러한 구동 회로를 실현하기 위해서는 트랜지스터로서 이동도가 높고, 대형 기판에의 적용이 가능한 레이저 어닐링 프로세스를 이용한 저온 폴리실리콘 TFT를 이용하는 것이 부득이하다. 그런데, 저온 폴리실리콘 TFT는 적지 않게 소자 특성의 변동이 발생하는 것이 알려져 있으며, 유기 EL 구동 회로로서 이용하는 TFT 특성의 변동에 의해 동일 신호 전압을 인가해도, 화소마다 휘도의 변동이 발생하여, 고정밀도의 계조 화상을 표시하기 위해서는 충분하지 않다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 구동 방법으로서, 예를 들면, 특개평10-232649호 공보에 기재된 바와 같이 계조 표시를 얻기 위해서, 1프레임 시간을 표시 시간이 서로 다른 8개의 서브 프레임으로 분할하고, 1프레임 시간 내에서의 발광 시간을 변화시킴에 따라, 평균 휘도를 제어하는 구동 방식이 제안되어 있다. 이 구동 방식에 따르면, 화소를 점등·비점등의 디지털 2치 표시로 함으로써, TFT의 특성 변동이 현저하게 표시에 반영되는 임계치 부근을 동작점으로 하여 사용할 필요가 없기 때문에, 휘도 변동을 저감시킬 수 있다.
상기 각 종래 기술에서는, 모두 유기 LED의 전원 배선에 있어서의 전압 강하에 의한 휘도의 불균일성에 대해서는 충분히 배려되어 있지 않고, 특히 대형 패널인 경우에는 전원 배선의 전압 강하에 의해 화질이 저하된다.
또한, 종래 기술에 있어서는 LED 공통 배선에 있어서의 전압 변동에 대응하기 위해서는 트랜지스터의 컨덕턴스를 낮게 하고, LED 전원 전압을 높게 설정함으로써, 휘도의 변동을 적게 할 수는 있지만, 전력 효율이 낮아져, 화상 표시 장치의 소비 전력이 증대한다. 또한, 컨덕턴스가 낮은 트랜지스터는 게이트 길이가 길어져, 트랜지스터 사이즈가 커지므로, 고정밀화 측면에서 불리하게 된다.
본 발명의 과제는 전원 배선에 의한 전압 강하가 발생해도 화질의 저하를 억제할 수 있는 화상 표시 장치를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 화상 표시 영역에 분산 배치되어 주사 신호를 전송하는 복수의 주사 배선과, 상기 화상 표시 영역에 상기 복수의 주사 배선과 교차 배치되어 신호 전압을 전송하는 복수의 신호 배선과, 상기 각 주사 배선과 상기 각 신호 배선으로 둘러싸인 화소 영역에 각각 배치되어 공통 전원에 접속된 복수의 전류 구동형 전기 광학 표시 소자와, 상기 각 전기 광학 표시 소자와 직렬 접속되어 상기 공통 전원에 접속되고 바이어스 전압의 인가에 의해 상기 각 전기 광학 표시 소자를 표시 구동하는 복수의 구동 소자와, 상기 주사 신호에 응답하여 상기 신호 전압을 유지하고, 상기 유지한 신호 전압에 기초하여 상기 각 구동 소자의 구동을 제어하는 복수의 메모리 제어 회로를 포함하고, 상기 각 메모리 제어 회로는 상기 각 구동 소자에 대한 바이어스 전압의 인가를 저지한 상태에서 상기 신호 전압을 샘플링하여 유지하고, 그 후 상기 유지한 신호 전압을 상기 바이어스 전압으로서 상기 구동 소자에 인가하여 이루어지는 화상 표시 장치를 구성한 것이다.
상기 화상 표시 장치를 구성함에 있어서는, 상기 복수의 메모리 제어 회로로서는 이하의 기능을 갖는 것으로 구성할 수 있다.
(1) 각 메모리 제어 회로는 상기 각 구동 소자와의 접속을 차단한 상태에서 상기 신호 전압을 샘플링하여 유지하고, 그 후 상기 차단한 상태를 해제하여 상기 유지한 신호 전압을 상기 바이어스 전압으로서 상기 각 구동 소자에 인가한다 .
(2) 각 메모리 제어 회로는 상기 주사 신호에 응답하여 상기 신호 전압을 샘플링하여 유지하는 샘플링 동작과, 상기 샘플링 동작 후, 상기 각 신호선 및 각 구동 소자와 전기적으로 절연된 상태에서 상기 신호 전압을 유지하는 플로팅 동작과, 상기 플로팅 동작 후, 유지한 신호 전압을 바이어스 전압으로서 상기 각 구동 소자 에 인가하는 바이어스 전압 인가 동작을 실행한다.
상기 각 화상 표시 장치를 구성함에 있어서는 이하의 요소를 부가할 수 있다.
(1) 상기 각 메모리 제어 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 주사 신호의 극성 반전 시에 도통하는 주 구동 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 다른 쪽 단자와 상기 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 주사 신호의 극성 반전 시에 도통하는 보조 구동 스위치 소자로 구성된다.
(2) 상기 각 구동 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 구동 스위치 소자와 각 보조 구동 스위치 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성된다.
(3) 상기 각 주사 배선과 병행 배치되고 상기 주사 신호와는 반대 극성의 반전 주사 신호를 전송하는 복수의 반전 주사 배선을 구비하고, 상기 각 메모리 제어 회로는 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 주 구동 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 다른 쪽 단자와 상기 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 보조 구동 스위치 소자로 구성된다 .
(4) 상기 각 구동 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 구동 스위치 소자와 각 보조 구동 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성된다.
(5) 상기 각 주사 배선과 병행 배치되고 상기 주사 신호와는 반대 극성의 반전 주사 신호를 전송하는 복수의 반전 주사 배선을 구비하고, 상기 각 메모리 제어 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 주 구동 스위치 소자로 구성되고, 상기 각 샘플링 용량의 다른 쪽 단자를 상기 각 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속하여 이루어진다.
(6) 상기 각 구동 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 구동 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성된다.
상기한 수단에 따르면, 각 화소 영역의 화소에 신호 배선으로부터 신호 전압을 기입할 때에, 각 구동 소자에 대한 바이어스 전압의 인가를 저지한 상태에서 신호 전압을 샘플링하여 유지하고, 그 후 유지한 신호 전압을 바이어스 전압으로서 구동 소자에 인가하도록 하고 있기 때문에, 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 동작 후, 신호 배선 및 구동 소자와 전기적으로 절연된 플로팅 상태에서 신호 전압을 유지하고, 그 후 유지한 신호 전압을 구동 소자에 바이어스 전압으로서 인가할 수 있으므로, 구동 소자에 접속된 전원 배선으로 전압 강하가 생겨도, 이 전압 강하의 영향을 받지 않고, 유지한 신호 전압을 그대로 바이어스 전압으로서 구동 소자에 인가할 수 있으며, 지정된 표시 휘도로 구동 소자를 표시 구동할 수 있어, 양호한 화상을 표시할 수 있다. 그 결과, 대형 패널에 의한 화상을 표시하는 경우라도 양호한 화질에 의한 화상을 표시할 수 있다.
또한, 전원 전압을 높게 하거나, 컨덕턴스가 낮은 트랜지스터를 이용하거나 하지 않고도 양호한 화상을 표시할 수 있기 때문에, 저전력이며, 고정밀한 화상을 표시할 수 있다.
또한, 본 발명은 화상 표시 영역에 분산 배치되어 주사 신호를 전송하는 복수의 주사 배선과, 상기 화상 표시 영역에 상기 복수의 주사 배선과 교차 배치되어 신호 전압을 전송하는 복수의 신호 배선과, 상기 각 주사 배선과 상기 각 신호 배 선으로 둘러싸인 화소 영역에 각각 배치되고 상기 주사 신호에 응답하여 상기 신호 전압을 유지하는 복수의 메모리 회로와, 상기 각 화소 영역에 배치되고 공통 전원에 접속된 복수의 전류 구동형 전기 광학 표시 소자와, 상기 각 전기 광학 표시 소자와 직렬 접속되고 상기 공통 전원에 접속되며 바이어스 전압의 인가에 의해 상기 각 전기 광학 표시 소자를 표시 구동하는 복수의 구동 소자를 구비하고, 상기 각 메모리 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량으로 구성되고, 상기 각 샘플링 용량의 한쪽 단자는 상기 각 구동 소자 또는 전원 배선을 통해 공통 전원에 접속되고, 상기 각 샘플링 용량의 다른 쪽 단자는 상기 각 구동 소자의 게이트 전극에 접속되어 있으며, 상기 각 메모리 회로의 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는, 상기 공통 전원의 전압을 변화시키거나, 상기 공통 전원 중 각 구동 소자 공통의 공통 전극의 전위를 접지 전위로 유지하여 상기 각 구동 소자를 비구동 상태로 하고, 상기 샘플링 기간 경과 후에, 상기 각 구동 소자에 바이어스 전압을 인가하는 화상 표시 장치를 구성한 것이다.
상기 화상 표시 장치를 구성할 때에는 상기 공통 전원으로부터 상기 각 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 복수의 전원 제어 소자를 설치하고, 상기 각 전원 제어 소자와 상기 메모리 회로로서 이하의 기능을 갖는 것으로 구성할 수 있다.
(1) 상기 각 메모리 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량으로 구성되고, 상기 각 샘플링 용량의 한쪽 단자는 상기 각 구동 소자 또는 전원 배선을 통해 공통 전원에 접속되고, 상기 각 샘플링 용량의 다른 쪽 단자는 상기 각 구동 소자의 게이트 전극에 접속되어 있으며, 상기 각 전원 제어 소자는, 상기 각 메모리 회로의 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는, 상기 각 구동 소자에 대한 전력 공급을 정지하고, 상기 샘플링 기간 경과 후에는 상기 각 구동 소자에 대하여 전력을 공급한다.
상기 각 화상 표시 장치를 구성함에 있어서는 이하의 요소를 부가할 수 있다.
(1) 상기 각 샘플링 스위치 소자와 상기 각 구동 소자 및 상기 각 전원 제어 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 전원 제어 소자는 상기 샘플링 기간을 벗어난 기간에 하이 레벨로 되는 기준 제어 신호에 응답하여 도통한다.
(2) 상기 각 샘플링 스위치 소자와 상기 각 구동 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 전원 제어 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 샘플링 기간을 벗어난 기간에 로우 레벨로 되는 주사 신호에 응답하여 도통한다.
(3) 상기 각 샘플링 스위치 소자와 상기 각 구동 소자 및 상기 각 전원 제어 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 전원 제어 소자는 상기 샘플링 기간을 벗어난 기간에 로우 레벨로 되는 기준 제어 신호에 응답하여 도통한다.
(4) 상기 복수의 전류 구동형 전기 광학 표시 소자는 각각 유기 LED로 구성된다.
상기한 수단에 따르면, 각 신호 배선으로부터의 신호 전압을 각 화소 영역의 각 화소에 기입할 때에, 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는 공통 전원의 전압을 변화시키거나 공통 전원 중 각 구동 소자 공통의 공통 전극의 전위를 거의 접지 전위로 유지하여, 1라인분의 구동 소자 또는 모든 구동 소자를 비구동 상태로 하고, 샘플링 기간 경과 후에, 각 구동 소자에 바이어스 전압을 인가하거나, 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는, 각 구동 소자에 대한 전력 공급을 정지하고, 샘플링 기간 경과 후에 각 구동 소자에 대하여 전력을 공급하도록 하고 있기 때문에, 각 구동 소자에 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 조건은 모든 구동 소자에 대하여 거의 접지 전위를 기준으로 한 바이어스 전압으로 할 수 있으므로, 전원 전압이 변동하거나, 전원 배선에 의한 전압 강하가 일어나거나 해도, 대형 패널에 양호한 화질에 의한 화상을 표시할 수 있다.
〈실시예〉
이하, 본 발명의 일 실시예를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예를 도시한 화상 표시 장치의 전체 구성도이다. 도 1에서, 표시 패널을 구성하는 기판(도시 생략) 위의 화상 표시 영역에는 주사 신호를 전송하는 복수의 주사 배선(2)이 분산 배치되어 있음과 함께, 신호 전압을 전송하는 복수의 신호 배선(3)이 각 주사 배선과 교차(직교) 배치되어 있다. 각 주사 배선(2)은 주사 구동 회로(41)에 접속되어 있으며, 각 주사 배선(2)에는 주사 구동 회로(41)로부터 주사 신호가 순차적으로 출력되도록 되어 있다. 또한, 각 신호 배선(3)은 신호 구동 회로(42)에 접속되어 있으며, 각 신호 배선(3)에는 신호 구동 회로(42)로부터 화상 정보에 따른 신호 전압이 인가되도록 되어 있다. 또한, 각 신호 배선(3)과 병행하여 복수의 전원 배선(40)이 배치되어 있으며, 각 전원 배선(40)의 단부는 전원(12)에 접속되어 있다. 또한, 화상 표시 영역의 주위에는 공통 배선(43)이 배치되어 있다.
한편, 각 신호 배선(3)과 각 주사 배선(2)으로 둘러싸인 화소 영역에는 전류 구동형 전기 광학 표시 소자로서, 예를 들면, 유기 LED(발광 다이오드)(9)가 배치되어 있다. 전기 광학 표시 소자로서는 유기 LED(9) 대신에, 무기 LED, 전기 영동 소자, FED(Field Emission Display) 등의 발광 소자를 이용할 수 있다. 각 유기 LED(9)에는 바이어스 전압의 인가에 의해 유기 LED(9)를 표시 구동하는 구동 소자로서의 박막 트랜지스터(도시 생략)가 직렬로 접속되어 배치되어 있다. 또한, 각 화소 영역에는, 주사 신호에 응답하여 신호 전압을 유지하고, 유지한 신호에 기초하여 각 박막 트랜지스터의 구동을 제어하는 메모리 제어 회로(도시 생략)가 배치되어 있다. 각 박막 트랜지스터나 유기 LED(9)에는 전원(12)으로부터 배선 저항(8)을 통해 직류 전력이 공급되어 있으며, 각 화소의 박막 트랜지스터에는 배선 저항(8)을 통해 전압이 인가되도록 되어 있다. 이 때문에, 패널 위치에 따라서는 박막 트랜지스터에 인가되는 직류 전압의 값이 다른 경우가 있고, 배선 저항(8)의 전압 강하에 의한 영향을 받지 않고, 박막 트랜지스터에 일정한 바이어스 전압을 인가하기 위해서, 본 발명에서는 메모리 제어 회로에서 이하와 같은 구성이 채용되고 있다.
기본적으로는, 도 2에 도시한 바와 같이 전원(12)과 공통 전원(11) 사이에, 배선 저항(8), p형 박막 트랜지스터(이하, 구동 TFT라고 함)(7), 유기 LED(9), 공통 배선 저항(10)이 내장되어 있는 회로를 구동함에 있어서, 메모리 제어 회로는 n형 박막 트랜지스터로 구성된 샘플링 TFT(1), 샘플링 용량(5)을 구비하고 있음과 함께, 도 3에 도시한 바와 같이 샘플링 스위치(20), 구동 스위치(21)로서의 기능을 구비하여 구성되어 있으며, 구동 TFT(7)에 대한 바이어스 전압의 인가를 저지한 상태에서, 신호 배선(3)으로부터 신호 전압을 취득하여 샘플링하여 유지하고, 그 후 유지한 신호 전압을 바이어스 전압으로서 구동 TFT(7)에 인가하도록 되어 있다.
즉, 도 3에 도시한 바와 같이 구동 스위치(21)를 개방한 상태에서 샘플링 스위치(20)를 닫고, 주사 배선(2)의 주사 신호에 응답하여 샘플링 TFT(1)가 도통하면, 신호 배선(3)으로부터의 신호 전압이 샘플링 TFT(1)를 통해 샘플링 용량(5)에 인가되고, 샘플링 용량(5)에 신호 전압이 충전되어 유지된다. 이 후, 샘플링 스위치(20)를 개방하면, 즉 샘플링 TFT(1)가 오프 상태가 되면, 신호 배선(3) 및 구동 TFT(7)는 전기적으로 절연된 플로팅 상태(6)에서 샘플링 용량(5)에 신호 전압이 유지된다. 이 플로팅 동작이 행해진 후, 구동 스위치(21)를 닫으면, 샘플링 용량(5)에 유지된 신호 전압이 바이어스 전압으로서 구동 TFT(7)에 인가되고, 구동 TFT(7)는 바이어스 전압의 인가에 의해 표시 구동하게 된다. 이 경우, 샘플링 용량(5)에 유지되어 있던 신호 전압이 그대로 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 인가되기 때문에, 구동 TFT(7)의 소스 전위가 배선 저항(8)의 전압 강하에 의해 낮게 되어 있어도, TFT(7)의 소스·게이트 간에는 일정한 바이어스 전압을 인가할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하여 구동 소자로서 p형의 박막 트랜지스터(구동 TFT)(7)를 이용했을 때의 메모리 제어 회로의 구체적인 구성을 설명한다. 이 메모리 제어 회로는 주 샘플링 스위치 소자(20a), 보조 샘플링 스위치 소자(20b), 샘플링 용량(5), 주 구동 스위치 소자(21a), 보조 구동 스위치 소자(21b)를 구비하여 구성되어 있으며, 주 샘플링 스위치 소자(20a), 보조 샘플링 스위치 소자(20b)는 각각 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 주 구동 스위치 소자(21a), 보조 구동 스위치 소자(21b)는 각각 p형 박막 트랜지스터를 이용하여 구성되어 있다.
주 샘플링 스위치 소자(20a)는 게이트가 주사 배선(2)에 접속되고, 드레인이 신호 배선(3)에 접속되고, 소스가 샘플링 용량(5)에 접속되어 있으며, 보조 샘플링 스위치 소자(20b)는 게이트가 주사 배선(2)에 접속되고, 드레인이 샘플링 용량(5)에 접속되고, 소스가 공통 전극(각 공통의 전극)(4)에 접속되어 있다. 주 구동 스위치(21a)는 주사 신호의 극성 반전 시에 도통하기 위해서, 게이트가 주사 배선(2)에 접속되고, 드레인이 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자에 접속되고, 소스가 구동 TFT(7)의 소스(한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극)에 접속되어 있으며, 보조 구동 스위치(21b)는 게이트가 주사 배선(2)에 접속되고, 드레인이 샘플링 용량(5)의 다른 쪽 단자에 접속되고, 소스가 구동 TFT(7)의 게이트(다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극)에 접속되어 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여 도 4에 도시한 메모리 제어 회로를 이용한 화상 표시 장치의 작용을 설명한다. 우선, 주사 배선(2)에, 도 5의 (a)에 도시한 주사 신호가 전송되면, 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b)는 주사 신호가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 되는 것에 응답하여 도통(온) 상태고 되어, 신호 배선(3)을 전송하 는 신호 전압 Vsig1이 샘플링되고, 샘플링된 신호 전압은 샘플링 용량(5)에 유지된다. 이 때, 샘플링 용량(5)의 다른 쪽 단자는 보조 샘플링 스위치 소자(20b)의 도통에 의해, 공통 전극(4)에 접속되므로, 샘플링 용량(5)에는 공통 전극(4)을 기준으로 한 신호 전압 Vsig1이 유지되게 된다. 이 신호 전압은 기입 기간 동안 샘플링 용량(5)에 유지되고, 주사 신호가 하이 레벨로부터 로우 레벨로 이행하는 과정에서 플로팅 상태로 되고, 그 후 주사 신호의 극성이 반전하면(하이 레벨로부터 로우 레벨로 되면), 각 구동 스위치(21a, 21b)가 도통(온) 상태로 되어, 샘플링 용량(5)에 유지된 신호 전압 Vsig1이 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 바이어스 전압으로서 인가되고, 구동 TFT(7)의 표시 구동에 의해, 유기 LED(9)가 발광하게 된다. 이 경우, 구동 TFT(7)의 소스 전압이 배선 저항(8)의 전압 강하에 의해 낮게 되더라도, 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에는 신호 전압 Vsig1이 바이어스 전압으로서 그대로 인가되므로, 배선 저항(8)의 전압 강하의 영향을 받지 않고, 일정한 신호 전압 Vsig1에 의해 구동 TFT(7)를 구동할 수 있어, 유기 LED(9)를 일정한 발광 강도로 발광시킬 수 있으므로, 양호한 화질의 화상을 표시시킬 수 있다.
이 후 전원선의 전압 변화에 따라서는 구동 TFT(7)의 소스 전압과 게이트 전압은 변화하지만, 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에는 일정한 신호 전압 Vsig1이 인가된다. 또한, 이 후의 사이클에서 다시 주사 배선(2)에 주사 신호가 인가되었을 때에는 다음의 기입 처리로서, 신호 전압 Vsig2가 기입되고, 이 신호 전압 Vsig2에 의한 바이어스 전압이 구동 TFT(7)에 인가되어, 유기 LED(9)이 발광하게 된다. 이 경우도, 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에는 바이어스 전압으로서 일정 한 신호 전압 Vsig2가 인가되므로, 배선 저항(8)에 의한 전압 강하가 생겨도, 지정된 발광 강도로 유기 LED(9)를 발광시킬 수 있어, 양호한 화질에 의한 화상을 표시시킬 수 있다.
본 실시예에서의 메모리 제어 회로에서는 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b)에 n형 박막 트랜지스터를 이용하고, 각 구동 스위치 소자(21a, 21b)에 p형 박막 트랜지스터를 이용하고 있기 때문에, 동일 극성의 주사 신호를 이용하여 구동할 수 있어, 주사 배선(2)을 화소당 1개로 할 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 이용한 메모리 제어 회로를 설명한다.
본 실시예에서는, 구동 소자로서 n형 박막 트랜지스터(구동 TFT)(7)를 이용하는 것을 고려함과 함께, 모든 소자를 n형 박막 트랜지스터로 하기 위해서, 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b), 각 구동 스위치 소자(21a, 21b)는 n형 박막 트랜지스터를 이용하여 구성되어 있다. 이 경우, 각 샘플링 스위치 소자(20a, 20b)와 각 구동 스위치 소자(21a, 21b)를 상호 상보 구동하기 위해서, 각 화소의 주사 배선(2)에 병행하여 주사 신호와 극성이 상이한 반전 주사 신호를 전송하는 반전 주사 신호 배선(60)을 배치하고, 각 구동 스위치 소자(21a, 21b)의 게이트를 각각 반전 주사 신호 배선(60)에 접속하도록 되어 있으며, 다른 구성은 도 4와 마찬가지이다.
본 실시예에서의 주사 배선(2)에는 도 5의 (a)에 도시한 바와 같은 주사 신호가 전송되고, 반전 주사 신호 배선(60)에는 도 5의 (b)에 도시한 바와 같은 반전 주사 신호가 전송되고, 주사 신호 VG가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 되었을 때에 신호 전압의 샘플링이 행해짐과 함께, 샘플링된 신호 전압 Vsig1이 샘플링 용량(5)으로 유지되고, 그 후 주사 신호가 하이 레벨로부터 로우 레벨로 이행하는 과정에서 플로팅 상태로 된다. 플로팅 상태로 된 후, 반전 주사 신호 VG'가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 되었을 때에는 각 구동 스위치(21a, 21b)가 도통하여, 신호 전압 Vsig1이 바이어스 전압으로서 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 인가된다. 이 경우, 배선 저항(8)에 의한 전압 강하가 생겨 구동 TFT(7)의 소스 전압이 변화해도, 신호 전압 Vsig1이 그대로 바이어스 전압으로서 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 인가되므로, 배선 저항(8)에 의한 전압 강하가 생겨도, 신호 전압 Vsig1에 따른 휘도로 유기 LED(9)를 발광시킬 수 있어, 화질이 양호한 화상을 표시시킬 수 있다.
본 실시예에서는 전부 n형 박막 트랜지스터를 이용하고 있기 때문에, 박막 트랜지스터를 제조하는 프로세스에 있어서, 프로세스 온도가 낮고, 보다 생산이 용이한 비정질 TFT를 이용할 수 있어, 염가로 양산성이 우수한 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 샘플링 용량(5)과 구동 TFT(7)의 게이트 간에 구동 스위치 소자(21a)가 삽입되어 있기 때문에, 구동 TFT(7)의 드레인·게이트 사이가 용량 결합되어, 전원선의 전압이 게이트에 전압 변동으로 나타나도, 이 영향을 구동 스위치 소자(21a)에 의해 차단할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 이용한 메모리 제어 회로를 설명한다. 본 실시예는 도 6에 도시한 주 구동 스위치(21a)를 삭제하고, 주 샘플링 스위치 소자(20a)를 직접 구동 TFT(7)의 게이트에 접속하고, 각 화소에 있어서의 박막 트랜지스터의 개수를 5개에서 4개로 줄인 것으로, 다른 구성은 도 6과 마찬가지이다.
본 실시예에서는 구동 TFT(7)의 게이트를 샘플링 용량(5)의 일단에 직접 접속하고, 샘플링 동작 시의 신호 전압을 구동 TFT(7)의 게이트 용량에 의해 유지하도록 하였기 때문에, 상기 실시예보다, 박막 트랜지스터를 1개 적게 할 수 있어, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 8을 참조하여 본 발명의 제4 실시예를 설명한다. 본 실시예는 상기 각 실시예에서의 메모리 제어 회로 대신에, 메모리 회로를 이용하고, 구동 TFT(7)와 유기 LED(9) 사이에 전원 제어 소자로서, n형 기준 제어 TFT(81)를 삽입한 것이고, 다른 구성은 상기 각 실시예와 마찬가지이다.
메모리 회로는, 소스 신호에 의해 도통하여 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 스위치 소자로서의 샘플링 TFT(80)와, 샘플링 TFT(80)에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량(5)을 구비하여 구성되어 있다. 샘플링 TFT(80)는 n형의 더블 게이트에 의한 박막 트랜지스터를 이용하여 구성되어 있으며, 게이트가 주사 배선(2)에 접속되고, 드레인이 신호 배선(3)에 접속되고, 소스가 n형의 구동 TFT(7)의 게이트와 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자에 접속되어 있다.
샘플링 용량(5)의 다른 쪽 단자는 기준 제어 TFT(81)의 소스와 유기 LED(9)의 애노드에 접속되어 있다. LED는 박막의 적층 구조이고, 등가적으로 LED 용량(83)이 기생 용량으로서 접속되어 있다. 기준 제어 TFT(81)는 드레인이 구동 TFT(7)의 소스에 접속되고, 게이트가 기준 제어 배선(82)에 접속되어 있다.
메모리 회로는, 주사 신호에 응답하여 샘플링 TFT(80)가 도통하여 신호 전압을 유지하고, 이 샘플링 기간에, 공통 전원(11)의 전압을 변화시키거나 공통 전극(1)의 전위를 접지 전위로 유지하여, 1라인 또는 모든 TFT를 비구동 상태로 하고, 샘플링 기간 경과 후에 각 구동 TFT(7)에 바이어스 전압을 인가하거나, 샘플링 기간에는 각 구동 TFT(7)에 대한 전력 공급을 제어하고, 샘플링 기간 경과 후에 각 구동 TFT에 대하여 전력을 공급하도록 구성되어 있다.
이하, 구체적인 내용을 도 9의 타임차트를 참조하여 설명한다. 우선, 각 주사 배선의 화소에 신호 전압을 기입할 때에, 도 9의 (a), (b)에 도시한 바와 같이 기입 기간 전에, 기준 제어 TFT(81)의 게이트에 공급하는 기준 제어 신호 TswVG를 하이 레벨로부터 로우 레벨로 하여, 1라인 또는 모든 화소의 유기 LED(9)를 비점등 상태로 하고, 그 후 주사 신호가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 된 것에 응답하여 샘플링 TFT(80)가 도통하여, 신호 배선(3)으로부터의 신호 전압 Vsig1을 취득하여 신호 전압 Vsig1을 샘플링하고, 샘플링한 신호 전압 Vsig1을 샘플링 용량(5)으로 유지시킨다. 즉, 샘플링 기간인 기입 기간에, 신호 전압 Vsig1을 샘플링 용량(5)으로 유지시킨다. 이 때, 기준 제어 TFT(81)는 오프 상태로 되어 있으므로, 구동 TFT(7)에는 전력이 공급되지 않고, 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자는 유기 LED(9)를 통해 공통 전극(11)에 접속된다. 이 경우, 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자의 전압 VS는 공통 전극(11)을 접지 전위로 했을 때, 유기 LED(9)의 순방향 전압분만큼 높은 전위로 된다. 즉, 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자는 거의 접지 전위로 되고, 샘플링 용량(5)에는 공통 전극(11)을 기준으로서 신호 전압 Vsig1이 충전되어 유지되게 된다. 이 경우, 샘플링 용량(5)과 OLED 용량(83)이 직렬 접속되어 있지만, OLED 용량을 샘플링 용량보다 충분히 크게 함으로써, 기입 시의 샘플링 용량의 한쪽 단자 전압을 보다 안정적으로 기입할 수 있다.
이 후, 주사 신호의 레벨이 하이 레벨로부터 로우 레벨로 되어 기입 기간이 종료하면, 신호 전압 Vsig1은 샘플링 용량(5)에 유지되고, 샘플링 용량(5)의 양단 전압 VCM은 신호 전압 Vsig1이 된다. 이 후, 기준 제어 신호가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 되면, 기준 제어 TFT(81)가 온 상태로 되어, 기준 제어 TFT(81)의 소스·드레인 전압은 거의 0V로 된다. 이에 의해, 구동 TFT(7)의 게이트·소스 간에는 샘플링 용량(5)에 유지된 신호 전압 Vsig1이 바이어스 전압으로서 인가되어, 구동 TFT(7)가 도통한다. 이 결과, 유기 LED(9)가 도통하여 발광하고, 화상이 표시되게 된다. 이 경우, 구동 TFT(7)의 소스 전압은 유기 LED(9)의 애노드의 전압과 거의 동일한 전위로 되어 있으며, 구동 TFT(7)의 게이트·소스 간에는 신호 전압 Vsig1이 바이어스 전압으로서 인가되어 있기 때문에, 소스 전위의 상승에 수반하여, 게이트 전위도 일정한 바이어스 전압을 유지한 상태에서 상승하고, 또한 구동 TFT(7)의 드레인 전압이 변동해도, 즉 배선 저항(8)에 의한 전압 강하가 있어도 일정한 바이어스 전압을 계속 유지할 수 있다.
이와 같이 구동 TFT(7)의 소스 전위의 상승에 수반하여 게이트 전위도 상승하므로, 샘플링 TFT(80)는 구동 기간 중에는 유기 LED(9)의 전원 전압보다 높은 전압이 된다. 또한, 화소 내에 유기 LED(9)를 제어하기 위한 신호 전압 Vsig1을 샘 플링 용량(5)으로 유지하고, 이 신호 전압 Vsig1을 바이어스 전압으로서 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에 인가하고, 구동 TFT(7)를 구동하기 위한 구동 전압을 유기 LED(9)의 애노드측의 전압 Vs보다 높은 전압 Vs+Vsig1로 변환하고 있기 때문에, 이 구동 전압에 의해 구동 TFT(7)를 구동할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 배선 저항(8)에 의한 전압 강하가 있어도, 구동 TFT(7)의 소스·게이트 간에는 신호 전압 Vsig1이 그대로 바이어스 전압(실제로는 Vs+Vsig1)으로서 인가되므로, 대형 패널을 표시하는 경우라도 배선 저항에 의한 전압 강하의 영향을 받지 않아, 양호한 화상을 표시할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 각 화소에 있어서의 박막 트랜지스터로서 n형의 박막 트랜지스터를 3개 이용하여 회로를 구성할 수 있으므로, 구동 회로를 간소화할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 샘플링 TFT(80)로서 더블 게이트 TFT를 이용하고 있기 때문에, 오프 전류를 저감시킬 수 있어, 유지 기간 중의 유지율을 높임으로써, 양호한 표시를 행할 수 있다. 즉, 샘플링 TFT(80)로서 싱글 게이트인 것을 이용했을 때보다 더블 게이트인 것을 이용하면, 도 10에 도시한 바와 같이 0<VG 영역에서의 오프 전류가 더블 게이트 TFT에서는 적게 되어 있으며, 샘플링 용량(5)에 충전된 신호 전압을 양호하게 유지할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 본 회로에서는 구동 TFT의 소스 전위에 따라 게이트 전압이 상승하기 때문에, 샘플링 TFT의 소스 단자는 유기 LED의 전원 전압보다 높아지므로, 오프 전류의 저감을 위해서는 샘플링 TFT의 소스·드레인 내압을 높일 필요가 있어, 더블 게이트 TFT가 유효하다.
또한, 상기 실시예에서는 구동 TFT(7)를 구동할 때에, 샘플링 용량(5)에의 신호 전압의 기입 시에는 샘플링 용량(5)의 한쪽 단자의 전위 VS는 거의 공통 전극(11)의 전위로 되므로, 공통 전극(11)을 전체 화소 공통으로 해 두고, 전면에서 전위를 일정하게 유지함으로써, 면내(패널 전면)에서 균일한 전위를 기준으로 하여 신호 전압을 충전할 수 있다. 또한, 이 전위 VS는 화소 구동 회로에서 가장 낮은 전위이기 때문에, 샘플링 회로의 구동 전압을 저감시킬 수 있다.
또한, 기준 제어 TFT(81)를 제어할 때에, 1화면의 기입 기간은 연속하여 오프 상태로 해 두고, 1화면의 주사가 종료된 후에, 전체 화소의 기준 제어 TFT(81)를 일제히 온 상태로 하여 구동할 수도 있다. 이와 같이 하여 기준 제어 TFT(81)를 제어함으로써, 화면을 간헐적으로 표시할 수 있어, 동화상의 표시 품질을 개선할 수 있다. 또한, 화면을 복수의 영역으로 분할하여, 적절하게 주사가 끝난 부분마다 순차적으로 점등함으로써도 동화상 표시 품질을 개선할 수 있게 된다.
또한, 도 8에 도시한 화소의 레이아웃은 도 11에 도시한 바와 같은 구성이 된다. 도 11에서, 주사 배선(2)과 신호 배선(3)이 상호 직교하도록 배치되고, 주사 배선(2)의 근방에 더블 게이트를 이용한 샘플링 TFT(80)가 형성되고, 샘플링 TFT(80)의 상방에 샘플링 용량(5)이 형성되어 있다. 샘플링 용량(5)의 상방에는 구동 TFT(7), 기준 제어 TFT(81), 기준 제어 배선(82), 표시 전극(샘플링 용량(5)의 한쪽 단자와 유기 LED(9)의 애노드측을 연결하는 전극)(9a)이 배치되고, 신호 배선(3)과 평행하게 전원 배선(40)이 배치되어 있다. 어느 TFT라도 n형의 박막 트랜지스터이고, 전형적인 폴리실리콘 TFT를 이용한 공면(coplanar) 구조이다. 샘플 링 용량(5)은 폴리실리콘층과 표시 전극층과의 층간 용량을 이용하여 형성되어 있다. 도 11의 경우에는 샘플링 용량은 100fF이고, EL 소자 용량(83)(도시 생략)은 1.3PF로서, 10배 이상의 용량비가 있다.
또한, 상기 실시예에서는 n형의 박막 트랜지스터를 이용한 것에 대하여 설명하였지만, 기준 TFT(81)만을 IP형으로 해도 된다. 이렇게 함으로써 TswVg 신호의 극성과 반전시켜 구동하지만, TswVg의 진폭을 TsmVg와 마찬가지로 10V 정도로 낮게 할 수 있어, 주변의 구동 회로를 전압화할 수 있다. 도 12에 도시한 바와 같이(본 발명의 제5 실시예), 샘플링 TFT(170), 구동 TFT(171), 기준 제어 TFT(81)로서 전부 p형의 박막 트랜지스터를 이용하여 구성할 수도 있다. 이 경우, 기준 제어 TFT(81)의 게이트에는 도 9에 도시한 기준 제어 신호는 역극성의 기준 제어 신호가 인가되고, 기준 제어 TFT(81)는 샘플링 기간을 벗어난 기간에 로우 레벨로 되는 기준 제어 신호에 응답하여 도통하게 된다.
다음으로, 도 13을 참조하여 본 발명의 제6 실시예를 설명한다. 본 실시예는 도 8에 도시한 기준 제어 TFT(81) 대신에, p형 기준 제어 TFT(160)를 이용하고, 기준 제어 TFT(160)의 게이트를 주사 배선(2)에 접속한 것으로, 다른 구성은 도 8과 마찬가지이다. 이 경우, 기준 제어 TFT(160)는 샘플링 기간을 벗어난 기간에 로우 레벨로 되는 주사 배선에 응답하여 도통하게 되며, 상기 실시예와 마찬가지로, 기입 기간 중 및 기입 기간의 전과 후에 오프 상태로 됨으로써, 상기 실시예와 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 주사 신호를 이용하여 기준 제어 TFT(160)를 제어하 도록 하고 있기 때문에, 기준 제어 배선(82)이 불필요하게 되어, 배선 개수의 저감에 수반하여 개구율이 상기 실시예보다 향상될 뿐만 아니라, 배선에 있어서의 교차부의 면적이 적어져, 수율의 향상을 도모할 수 있다.
도 14에 본 실시예에서의 마스크의 구성을 도시한다. 도 14에서, 기준 제어 TFT(160)만이 p형 박막 트랜지스터로 구성되고, 더블 게이트의 샘플링 TFT(80)의 하나의 게이트 패턴을 이용하여 기준 제어 TFT(160)의 게이트를 구성하고 있기 때문에, 화소 내의 배선 면적이 감소하여, 개구율이 향상된다.
또한, 도 15에 본 실시예에서의 기판 A-B부의 단면 형상을 도시한다. 이 부분은 유리 기판(140) 위에 신호 배선(3) 또는 전원 배선(40) 등의 동일한 배선층을 이용하여 메모리 용량 전극(142)을 형성하고, 층간 절연층(141)을 사이에 두고 표시 전극(9a)을 형성함으로써 샘플링 용량(5)을 형성할 수 있다. 이러한 구조로 샘플링 용량(5)을 형성함으로써, 매트릭스와 동일한 내압이 얻어져, 용이하게 고내압의 용량을 형성할 수 있으므로, 수율의 향상을 도모할 수 있다.
다음으로, 도 13에 도시한 화소의 다른 마스크 패턴의 구성을 도 16에 도시하고, 기판의 A-B선을 따라 절취한 단면 구조를 도 17에 도시한다. 본 실시예에서의 화소의 회로 구성은 도 13의 회로 구성과 마찬가지이지만, 샘플링 용량(5)의 샘플링 TFT(80)측의 단자에 접속된 단자 부분을 도 13에 도시한 실드(161)로 보호하고 있다. 즉, 이 단자 부분은 다른 단자로부터의 용량 커플링에 의해서도 전위의 변동을 쉽게 받으므로, 샘플링 용량(5)에서로 유지하고 있는 신호 전압의 누설을 억제하기 위하여, 누설 전류를 적게 할 필요가 있다. 이 때문에, 이 단자를 정전 실드 및 가장 가까이 있는 배선으로부터의 용량 결합을 최소로 함으로써, 고정밀도의 신호 전압을 유지할 수 있다.
또한, 샘플링 용량(5)은 폴리실리콘층(130)과, 게이트 절연층(150)과, 게이트 전극층(131)으로 형성되어 있으며, 또한 배선층(132), 표시 전극(9a)으로 덮여 있으며, 인접하는 배선 등으로부터의 커플링을 방지함과 함께, 차광성의 금속층으로 덮여 있기 때문에, 광 도전 효과에 의한 MOS 용량부에의 유지 특성에 대한 영향을 저감시킬 수 있어, 양호한 유지 특성을 얻을 수 있다.
다음으로, 이상의 화소 구성을 이용한 화상 표시 장치의 전체 구성을 도 18에 도시한다. 도 18에 도시한 화상 표시 장치에서의 화소 및 신호 배선의 구동은 이상의 설명으로 명확하게 되고, 화상 표시 장치를 형성하기 위해서 필요한 기준 제어 배선(82)을 구동하는 기준 제어 배선 구동 회로(180)의 구성을 나타내고 있다. 기준 제어 배선 구동 회로는 순차적으로 시프트하는 펄스를 발생하기 위한 시프트 레지스터, 시프트 펄스의 펄스 폭을 넓히기 위한 펄스 폭 제어 회로, 매트릭스에 접속하는 기준 제어 배선(82)을 구동하기 위한 라인 드라이버로 구성되어 있다.
이하, 도 19를 참조하여 기준 제어 배선 구동 회로(180)의 구체적인 구성을 설명한다. 기준 제어 배선 구동 회로(180)는 순차적으로 시프트하는 펄스를 발생하는 다단 시프트 레지스터(190)와, 펄스 출력 단자(191)로부터 최종 단의 시프트 레지스터(190)의 출력 펄스와 RST 배선으로부터의 펄스를 입력으로 하여, 시프트 레지스터(190)로부터의 펄스 폭을 조정하기 위한 펄스 폭 제어 회로(192)와, 다단 의 인버터 회로(195)로 구성되는 라인 드라이버 회로를 구비하고, 펄스 폭 제어 회로(192)는 AND 회로(193), RS 래치 회로(194)로 구성되어 있다. AND 회로(193)의 한쪽의 입력 단자에는 전체 회로에 공통 접속된 RST 배선으로부터 리세트 펄스가 인가되도록 되어 있다. 다단 시프트 레지스터(190)는 Φ1, Φ2로 이루어지는 2상 클럭과, VST로 이루어지는 주사 개시 신호에 의해 구동되고, 2상 클럭과 동기하여, 펄스 출력 단자에 순차적으로 주사 펄스를 발생시킨다. 펄스 폭 제어 회로(192)에 있어서는 SR 래치 회로(194)의 세트 신호로서 펄스 출력 단자로부터 시프트 펄스가 입력되면 SR 래치 회로(194)가 세트 상태로 된다. 다음으로, RST 신호가 입력되면 SR 래치 회로(194)는 리세트 상태로 된다. 또한, 펄스 출력 단자(191)는 AND 회로(193)의 입력측에도 접속되어 있으며, VST 신호는 세트 상태의 RS 래치 회로(194)에서만 유효하게 되도록 되어 있다. 그리고, 순차적인 주사 펄스에 의해 세트된 다단의 RS 래치 회로(194)는 임의의 클럭으로부터 지연하여 인가되는 RST 신호에 의해 리세트되도록 되어 있다. 이와 같이 하여, 주사 신호보다 펄스 폭이 넓은 기준 제어 신호 TswVG를 발생할 수 있다.
상술한 바와 같이 각 실시예에 따르면, 화소를 전부 n형 또는 p형의 박막 트랜지스터를 이용하여 구동할 수 있기 때문에, 제조 공정을 간략화할 수 있어, 염가로 수율이 높은 화상 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 화소 내에 용량을 이용하여 구동 TFT에 바이어스 전압을 공급하고 있기 때문에, 샘플링계의 구동 전압 범위를 저감시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 동작 후, 신호 배선 및 구동 소자와 전기적으로 절연된 플로팅 상태에서 신호 전압을 유지하고, 그 후 유지한 신호 전압을 구동 소자에 바이어스 전압으로서 인가하고 있기 때문에, 구동 소자에 접속된 전원 배선으로 전압 강하가 일어나도, 이 전압 강하의 영향을 받지 않고, 유지한 신호 전압을 그대로 바이어스 전압으로서 구동 소자에 인가할 수 있어, 지정한 표시 휘도로 구동 소자를 표시 구동할 수 있으므로, 대형 패널에 의한 화상을 표시하는 경우라도 양호한 화질에 의한 화상을 표시할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는 공통 전원의 전압을 변화시키거나, 공통 전원 중 각 구동 소자 공통의 공통 전극의 전위를 거의 접지 전위로 유지하여, 1라인분의 구동 소자 또는 모든 구동 소자를 비구동 상태로 하고, 샘플링 기간 경과 후에, 각 구동 소자에 바이어스 전압을 인가하거나, 샘플링 스위치 소자에 신호 전압을 유지시키는 샘플링 기간에는 각 구동 소자에 대한 전력 공급을 정지하고, 샘플링 기간 경과 후에 각 구동 소자에 대하여 전력을 공급하도록 하고 있기 때문에, 전원 배선에 의한 전압 강하가 일어나도, 대형 패널에 양호한 화질에 의한 화상을 표시할 수 있다.

Claims (15)

  1. 화상 표시 영역에 분산 배치되어 주사 신호를 전송하는 복수의 주사 배선과,
    상기 화상 표시 영역에 상기 복수의 주사 배선과 교차 배치되어 신호 전압을 전송하는 복수의 신호 배선과,
    상기 각 주사 배선과 상기 각 신호 배선으로 둘러싸인 화소 영역에 각각 배치되어 공통 전원에 접속된 복수의 전류 구동형 전기 광학 표시 소자와,
    상기 각 전기 광학 표시 소자와 직렬 접속되어 상기 공통 전원에 접속되고 바이어스 전압의 인가에 의해 상기 각 전기 광학 표시 소자를 표시 구동하는 복수의 구동 소자와,
    상기 주사 신호에 응답하여 상기 신호 전압을 유지하고, 상기 유지한 신호 전압에 기초하여 상기 각 구동 소자의 구동을 제어하는 복수의 메모리 제어 회로
    를 포함하고,
    상기 각 메모리 제어 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 주사 신호의 극성 반전 시에 도통하는 주 구동 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 다른 쪽 단자와 상기 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 주사 신호의 극성 반전 시에 도통하는 보조 구동 스위치 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 구동 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 각 주 구동 스위치 소자와 각 보조 구동 스위치 소자는 p형 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 각 주사 배선과 병행 배치되어 상기 주사 신호와는 반대 극성의 반전 주사 신호를 전송하는 복수의 반전 주사 배선을 포함하고,
    상기 각 메모리 제어 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 주 구동 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 다른 쪽 단자와 상기 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 보조 구동 스위치 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 각 구동 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 각 주 구동 스위치 소자와 각 보조 구동 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  5. 화상 표시 영역에 분산 배치되어 주사 신호를 전송하는 복수의 주사 배선과,
    상기 화상 표시 영역에 상기 복수의 주사 배선과 교차 배치되어 신호 전압을 전송하는 복수의 신호 배선과,
    상기 각 주사 배선과 상기 각 신호 배선으로 둘러싸인 화소 영역에 각각 배치되어 공통 전원에 접속된 복수의 전류 구동형 전기 광학 표시 소자와,
    상기 각 전기 광학 표시 소자와 직렬 접속되어 상기 공통 전원에 접속되고 바이어스 전압의 인가에 의해 상기 각 전기 광학 표시 소자를 표시 구동하는 복수의 구동 소자와,
    상기 주사 신호에 응답하여 상기 신호 전압을 유지하고, 상기 유지한 신호 전압에 기초하여 상기 각 구동 소자의 구동을 제어하는 복수의 메모리 제어 회로를 포함하고,
    상기 각 주사 배선과 병행 배치되어 상기 주사 신호와는 반대 극성의 반전 주사 신호를 전송하는 복수의 반전 주사 배선을 포함하며,
    상기 각 메모리 제어 회로는, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 신호 전압을 샘플링하는 주 샘플링 스위치 소자와, 상기 주 샘플링 스위치 소자에 의해 샘플링된 신호 전압을 유지하는 샘플링 용량과, 상기 주사 신호에 의해 도통하여 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자를 공통 전극에 접속하는 보조 샘플링 스위치 소자와, 상기 샘플링 용량의 한쪽 단자와 상기 구동 소자의 한쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속되고 상기 반전 주사 신호에 의해 도통하는 주 구동 스위치 소자로 구성되고, 상기 각 샘플링 용량의 다른 쪽 단자를 상기 각 구동 소자의 다른 쪽의 바이어스 전압 인가용 전극에 접속하여 이루어진 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 각 구동 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 각 주 샘플링 스위치 소자와 각 보조 샘플링 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 각 주 구동 스위치 소자는 n형 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020020048807A 2001-12-19 2002-08-19 화상 표시 장치 KR100890497B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00385630 2001-12-19
JP2001385630A JP3800404B2 (ja) 2001-12-19 2001-12-19 画像表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030051167A KR20030051167A (ko) 2003-06-25
KR100890497B1 true KR100890497B1 (ko) 2009-03-26

Family

ID=19187859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020048807A KR100890497B1 (ko) 2001-12-19 2002-08-19 화상 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6611107B2 (ko)
JP (1) JP3800404B2 (ko)
KR (1) KR100890497B1 (ko)
CN (1) CN1213393C (ko)
TW (1) TW565814B (ko)

Families Citing this family (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP2003150115A (ja) * 2001-08-29 2003-05-23 Seiko Epson Corp 電流生成回路、半導体集積回路、電気光学装置および電子機器
JP4498669B2 (ja) * 2001-10-30 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器
JP3800404B2 (ja) * 2001-12-19 2006-07-26 株式会社日立製作所 画像表示装置
SG110023A1 (en) * 2002-03-01 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Display device, light emitting device, and electronic eqipment
JP2003302936A (ja) * 2002-03-29 2003-10-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ディスプレイ装置、ｏｌｅｄパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびｏｌｅｄディスプレイの制御方法
US6958651B2 (en) 2002-12-03 2005-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Analog circuit and display device using the same
JP2004191627A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
JP4350370B2 (ja) * 2002-12-27 2009-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路及び電子機器
US7333099B2 (en) * 2003-01-06 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit, display device, and electronic apparatus
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP4273809B2 (ja) * 2003-03-31 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4049010B2 (ja) * 2003-04-30 2008-02-20 ソニー株式会社 表示装置
JP4168836B2 (ja) * 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
KR100965161B1 (ko) * 2003-06-12 2010-06-24 삼성전자주식회사 유기전계발광 구동회로와, 이를 갖는 표시패널 및 표시장치
JP4235900B2 (ja) * 2003-07-09 2009-03-11 ソニー株式会社 フラットディスプレイ装置
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
KR100515300B1 (ko) * 2003-10-07 2005-09-15 삼성에스디아이 주식회사 전류 샘플/홀드 회로와 전류 샘플/홀드 방법 및 이를이용한 역다중화 장치와 디스플레이 장치
KR100599726B1 (ko) 2003-11-27 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100589376B1 (ko) * 2003-11-27 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 역다중화기를 이용한 발광 표시 장치
JP4493359B2 (ja) * 2004-02-05 2010-06-30 東北パイオニア株式会社 自発光表示モジュールおよびその駆動方法
US7339560B2 (en) * 2004-02-12 2008-03-04 Au Optronics Corporation OLED pixel
FR2869143A1 (fr) * 2004-04-16 2005-10-21 Thomson Licensing Sa Panneau electroluminescent bistable a trois reseaux d'electrodes
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
JP4020106B2 (ja) * 2004-07-08 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 画素回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP2006030635A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sony Corp 表示装置
US8149230B2 (en) * 2004-07-28 2012-04-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light emitting display
US7714814B2 (en) * 2004-08-18 2010-05-11 Lg Electronics Inc. Method and apparatus for driving electro-luminescence display panel with an aging pulse
KR100846954B1 (ko) * 2004-08-30 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR100592636B1 (ko) * 2004-10-08 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치
KR100592646B1 (ko) * 2004-11-08 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100598431B1 (ko) * 2004-11-25 2006-07-11 한국전자통신연구원 능동 구동 전압/전류형 유기 ｅｌ 화소 회로 및 표시 장치
JP5008302B2 (ja) * 2004-12-06 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8570266B2 (en) 2004-12-06 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus using the same
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
JP5128287B2 (ja) 2004-12-15 2013-01-23 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 表示アレイのためのリアルタイム校正を行う方法及びシステム
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
JP5177953B2 (ja) * 2005-01-21 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US7646367B2 (en) 2005-01-21 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
JP2006251315A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP4752315B2 (ja) * 2005-04-19 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP4826131B2 (ja) * 2005-04-28 2011-11-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
JP5245195B2 (ja) * 2005-11-14 2013-07-24 ソニー株式会社 画素回路
CN101313348B (zh) 2005-12-02 2011-07-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示设备以及电子设备
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR20090006057A (ko) 2006-01-09 2009-01-14 이그니스 이노베이션 인크. 능동 매트릭스 디스플레이 회로 구동 방법 및 시스템
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US20070188419A1 (en) * 2006-02-11 2007-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage transfer method and apparatus using organic thin film transistor and organic light emitting diode display device including the same
JP4821381B2 (ja) * 2006-03-09 2011-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4692828B2 (ja) * 2006-03-14 2011-06-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動制御方法
WO2007118332A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
KR101245218B1 (ko) * 2006-06-22 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
KR100805596B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2008152221A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Samsung Sdi Co Ltd 画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置
KR100938101B1 (ko) * 2007-01-16 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100833760B1 (ko) * 2007-01-16 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100857672B1 (ko) * 2007-02-02 2008-09-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 구동방법
US20100097447A1 (en) * 2007-03-30 2010-04-22 Pioneer Corporation Image Display Device
JP2008286963A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Sony Corp 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP5251034B2 (ja) * 2007-08-15 2013-07-31 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
EP2040248A3 (en) * 2007-09-20 2010-07-28 LG Display Co., Ltd. Pixel driving method and apparatus for organic light emitting device
JP5096103B2 (ja) * 2007-10-19 2012-12-12 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
KR101416904B1 (ko) * 2007-11-07 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소 구동 장치
JP5386182B2 (ja) * 2008-01-29 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2009127065A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
CN101571777B (zh) * 2008-04-29 2011-05-18 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置的定位方法
WO2009144913A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 パナソニック株式会社 表示装置およびその駆動方法
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
JP4719821B2 (ja) 2008-10-07 2011-07-06 パナソニック株式会社 画像表示装置およびその制御方法
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5449785B2 (ja) * 2009-01-06 2014-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ アクティブマトリクス型有機発光表示装置
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CN102150196B (zh) 2009-09-08 2013-12-18 松下电器产业株式会社 显示面板装置以及其控制方法
JP5503255B2 (ja) * 2009-11-10 2014-05-28 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 画素回路、表示装置および検査方法
JP5305105B2 (ja) * 2009-11-11 2013-10-02 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
WO2011070615A1 (ja) * 2009-12-09 2011-06-16 パナソニック株式会社 表示装置及びその制御方法
ES2542031T3 (es) * 2010-01-22 2015-07-29 Vision Tactil Portable, S.L Método y aparato para controlar una matriz de elastómeros dieléctricos evitando interferencias
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
KR101682690B1 (ko) * 2010-07-20 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CN102959609B (zh) 2010-09-06 2015-05-27 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置及其制造方法
JP5766928B2 (ja) * 2010-09-29 2015-08-19 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置および電子機器
DE102010037899B4 (de) * 2010-09-30 2012-10-11 Frank Bredenbröcker Display
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
WO2012156942A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN106910464B (zh) 2011-05-27 2020-04-24 伊格尼斯创新公司 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路
CN103597534B (zh) 2011-05-28 2017-02-15 伊格尼斯创新公司 用于快速补偿显示器中的像素的编程的系统和方法
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
WO2014174427A1 (en) 2013-04-22 2014-10-30 Ignis Innovation Inc. Inspection system for oled display panels
DE112014003719T5 (de) 2013-08-12 2016-05-19 Ignis Innovation Inc. Kompensationsgenauigkeit
US9495910B2 (en) 2013-11-22 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Pixel circuit, driving method, display device, and inspection method
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
CN103680406B (zh) * 2013-12-12 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及显示装置
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
CN103928494B (zh) * 2013-12-30 2016-08-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管像素电路、显示面板及显示装置
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
CN103943067B (zh) 2014-03-31 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CN105552175B (zh) * 2014-10-28 2017-11-14 北大方正集团有限公司 无封装led闪灯、其驱动芯片及制作方法
CN104361858B (zh) * 2014-11-12 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电压驱动像素电路、显示面板及其驱动方法
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
TWI564858B (zh) * 2015-06-24 2017-01-01 Macroblock Inc Light - emitting diode control method
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
KR20180031846A (ko) * 2016-09-19 2018-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
CN106782325A (zh) * 2017-03-02 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 像素补偿电路及驱动方法、显示装置
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
CN109427287B (zh) 2017-08-29 2020-12-22 昆山国显光电有限公司 适用于高像素密度的像素驱动电路、像素结构和制作方法
KR102450894B1 (ko) * 2017-11-10 2022-10-05 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치와 그 구동 방법
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
US11353759B2 (en) 2018-09-17 2022-06-07 Nuclera Nucleics Ltd. Backplanes with hexagonal and triangular electrodes
KR102652033B1 (ko) * 2019-08-07 2024-03-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11107401B1 (en) * 2020-03-13 2021-08-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel driving circuit, driving method thereof, and display panel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312173A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
JP2001084715A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Toshiba Corp 光ディスク装置
KR20010085788A (ko) * 1999-07-14 2001-09-07 이데이 노부유끼 전류 구동 회로 및 그것을 사용한 표시 장치, 화소 회로,및 구동 방법
JP2001343941A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Hitachi Ltd 表示装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3242941B2 (ja) 1991-04-30 2001-12-25 富士ゼロックス株式会社 アクティブｅｌマトリックスおよびその駆動方法
DE69616621D1 (de) * 1995-03-22 2001-12-13 Canon Kk Anzeigevorrichtung mit gleichmässiger Temperaturverteilung über den Bildschirm
JPH09134970A (ja) * 1995-09-08 1997-05-20 Sharp Corp サンプリング回路および画像表示装置
JP4114216B2 (ja) 1997-05-29 2008-07-09 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
JPH10232649A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JP3394187B2 (ja) * 1997-08-08 2003-04-07 シャープ株式会社 座標入力装置および表示一体型座標入力装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP4700156B2 (ja) * 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4488557B2 (ja) * 1999-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 Ｅｌ表示装置
KR100566813B1 (ko) * 2000-02-03 2006-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 셀 구동회로
JP3670941B2 (ja) * 2000-07-31 2005-07-13 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型自発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置
JP5030348B2 (ja) 2000-10-02 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置
JP3618687B2 (ja) 2001-01-10 2005-02-09 シャープ株式会社 表示装置
JP3638130B2 (ja) 2001-05-15 2005-04-13 シャープ株式会社 表示装置
JP2002287683A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Canon Inc 表示パネルとその駆動方法
JP2002287665A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Sharp Corp メモリ一体型表示基板および表示装置並びにメモリセルアレイ
JP3617821B2 (ja) 2001-05-15 2005-02-09 シャープ株式会社 表示装置
WO2003001496A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-03 Ibm Corporation Oled current drive pixel circuit
JP4322479B2 (ja) 2001-07-04 2009-09-02 東芝モバイルディスプレイ株式会社 平面表示装置
JP4024583B2 (ja) 2001-08-30 2007-12-19 シャープ株式会社 表示装置および表示方法
JP3800404B2 (ja) * 2001-12-19 2006-07-26 株式会社日立製作所 画像表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312173A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
KR20010085788A (ko) * 1999-07-14 2001-09-07 이데이 노부유끼 전류 구동 회로 및 그것을 사용한 표시 장치, 화소 회로,및 구동 방법
JP2001084715A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Toshiba Corp 光ディスク装置
JP2001343941A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Hitachi Ltd 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1213393C (zh) 2005-08-03
JP2003186438A (ja) 2003-07-04
JP3800404B2 (ja) 2006-07-26
US20030111966A1 (en) 2003-06-19
KR20030051167A (ko) 2003-06-25
TW565814B (en) 2003-12-11
US20040021620A1 (en) 2004-02-05
CN1427388A (zh) 2003-07-02
US7205965B2 (en) 2007-04-17
US6611107B2 (en) 2003-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100890497B1 (ko) 화상 표시 장치
KR100684514B1 (ko) 구동회로 및 표시장치
KR100556541B1 (ko) 전기 광학 장치 및 그 구동 장치
US6738034B2 (en) Picture image display device and method of driving the same
KR100654206B1 (ko) 전자 회로의 구동 방법, 전자 회로, 전자 장치, 전기 광학장치, 및 전자 기기
KR100463973B1 (ko) 메모리 일체형 표시 소자
KR100432651B1 (ko) 화상 표시 장치
JP3877049B2 (ja) 画像表示装置及びその駆動方法
US8736521B2 (en) Display device and electronic apparatus have the same
KR101260508B1 (ko) 화소회로 및 표시장치와 화소회로의 제어방법
US7009591B2 (en) Active matrix type display apparatus
KR20020077007A (ko) 유기 ｅｌ을 이용한 발광형 표시 장치
KR20050056203A (ko) 표시 장치
JP4039441B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
KR100732106B1 (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이 및 액티브 매트릭스 기판
JP2021067901A (ja) 画素回路、及び、表示装置
US11270639B2 (en) Pixel circuit and display device
US20050030266A1 (en) Active matrix type display apparatus
JP2005189695A (ja) 画素回路及び表示装置
JP4619793B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイ
JP2012168358A (ja) 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
JP4801329B2 (ja) 発光装置
JP2005134459A (ja) Ｔｆｔアレイ基板、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器
JP2005024758A (ja) 素子基板及び発光装置
JP2013125243A (ja) 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200227

Year of fee payment: 12